電路板的電鍍方法及電鍍設(shè)備與流程

本發(fā)明涉及一種電鍍方法，尤其涉及一種電路板的電鍍方法及電鍍設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有電路板會使用盲孔來達(dá)成電路連接之目的。其中，現(xiàn)有電路板于特殊情況下，其相反的兩個板面上的盲孔數(shù)量會差距很大，使兩個板面的空氣接觸面積也是如此。然而，當(dāng)電路板進(jìn)行電鍍作業(yè)時，電路板的兩板面的電鍍厚度會不一致，導(dǎo)致均勻性不佳而造成后續(xù)工藝制作困難及報廢生成。

2、于是，本發(fā)明人認(rèn)為上述缺陷可改善，乃特潛心研究并配合科學(xué)原理的運用，終于提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺陷的本發(fā)明。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種電路板的電鍍方法及電鍍設(shè)備。

2、本發(fā)明實施例公開一種電路板的電鍍方法?，應(yīng)用于一電鍍設(shè)備，以用來對一電路板相反的兩個板面進(jìn)行電鍍，所述電鍍方法包括以下步驟：識別所述電路板以取得兩個所述板面的一第一空氣接觸面積、及一第二空氣接觸面積；判斷所述第一空氣接觸面積與所述第二空氣接觸面積之間是否滿足一判斷關(guān)系式：((m-n))≥40%*n，其中，m≥n，并且m與n分別為所述第一空氣接觸面積與所述第二空氣接觸面積；當(dāng)滿足所述判斷關(guān)系式時，增加所述第一空氣接觸面積對應(yīng)的所述板面所使用的電鍍電流；當(dāng)不滿足所述判斷關(guān)系式時，調(diào)整兩個所述板面所使用的電鍍電流使得電鍍電流趨于一致；輸送所述電路板經(jīng)過一電鍍槽進(jìn)行電鍍。

3、優(yōu)選地，當(dāng)滿足所述判斷關(guān)系式時，對應(yīng)所述第一空氣接觸面積的所述板面使用一第一預(yù)定電流進(jìn)行電鍍，對應(yīng)所述第二空氣接觸面積的所述板面使用一第二預(yù)定電流進(jìn)行電鍍，所述第一預(yù)定電流與所述第二預(yù)定電流之間的差值不小于20安培。

4、優(yōu)選地，所述第一預(yù)定電流與所述第二預(yù)定電流之間的所述差值為5安培。

5、優(yōu)選地，當(dāng)所述第一預(yù)定電流超出所述電鍍設(shè)備的一上限值時，減緩所述電路板經(jīng)過所述電鍍槽的速度，且減少所述第二預(yù)定電流。

6、優(yōu)選地，減緩所述電路板經(jīng)過所述電鍍槽的速度為每分鐘0.4公尺。

7、本發(fā)明實施例還公開一種電鍍設(shè)備，包括：一電鍍槽，具有一電鍍液；一輸送單元，設(shè)置于所述電鍍槽的一側(cè)，所述輸送單元能用來輸送一電路板，使所述電路板經(jīng)過所述電鍍槽且被所述電鍍液浸泡；一識別模塊，設(shè)置于所述輸送單元的一側(cè)，所述識別模塊能識別所述電路板相反的兩個板面，以取得一第一空氣接觸面積與一第二空氣接觸面積；一第一電流調(diào)整模塊及一第二電流調(diào)整模塊，設(shè)置于所述輸送單元的一側(cè)，所述第一電流控制模塊及所述第二電流控制模塊分別連接所述電路板相反的兩個板面；一控制模塊，電性耦接所述識別模塊、所述第一電流調(diào)整模塊、所述第二電流調(diào)整模塊及所述輸送單元，所述控制模塊能判斷所述第一空氣接觸面積與所述第二空氣接觸面積之間是否滿足一判斷關(guān)系式：((m-n))≥40%*n；其中，m≥n，并且m與n分別為所述第一空氣接觸面積與所述第二空氣接觸面積；其中，當(dāng)所述控制模塊檢測滿足所述判斷關(guān)系式時，所述控制模塊利用所述第一電流調(diào)整模塊增加所述第一空氣接觸面積對應(yīng)的所述板面所使用的電鍍電流；當(dāng)所述控制模塊判斷不滿足所述判斷關(guān)系式時，所述控制模塊利用所述第一電流調(diào)整模塊與所述第二電流調(diào)整模塊調(diào)整兩個所述板面所使用的電鍍電流使得電鍍電流趨于一致。

8、優(yōu)選地，當(dāng)所述控制模塊判斷所述電路板滿足所述判斷關(guān)系式時，所述控制模塊控制所述第一電流調(diào)整模塊以第一預(yù)定電流向?qū)?yīng)所述第一空氣接觸面積的所述板面進(jìn)行電鍍，且控制所述第二電流調(diào)整模塊以第二預(yù)定電流向?qū)?yīng)所述第二空氣接觸面積的所述板面進(jìn)行電鍍，所述第一預(yù)定電流與所述第二預(yù)定電流之間的差值不小于20安培。

9、優(yōu)選地，當(dāng)所述控制模塊檢測所述第一預(yù)定電流超出所述第一電流調(diào)整模塊的一上限值時，所述控制模塊減緩所述輸送單元輸送所述電路板的速度，且減少所述第二預(yù)定電流的數(shù)值。

10、優(yōu)選地，所述控制模塊減緩所述輸送單元輸送所述電路板的速度為每分鐘0.4公尺。

11、綜上所述，本發(fā)明實施例所公開的電路板的電鍍方法及電鍍設(shè)備，能通過“判斷所述第一空氣接觸面積與所述第二空氣接觸面積之間是否滿足一判斷關(guān)系式：((m-n))≥40%*n”、“當(dāng)滿足所述判斷關(guān)系式時，增加所述第一空氣接觸面積對應(yīng)的所述板面所使用的電鍍電流”、及“當(dāng)不滿足所述判斷關(guān)系式時，調(diào)整兩個所述板面所使用的電鍍電流使得電鍍電流趨于一致”的設(shè)計，所述電路板的電鍍方法及電鍍設(shè)備能避免所述電路板于兩個板面上的銅厚不一致，從而利于后續(xù)加工作業(yè)。

12、為能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的保護(hù)范圍作任何的限制。

技術(shù)特征：

1.一種電路板的電鍍方法，應(yīng)用于一電鍍設(shè)備，以用來對一電路板相反的兩個板面進(jìn)行電鍍，其特征在于，所述電路板的電鍍方法包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板的電鍍方法，其特征在于，當(dāng)滿足所述判斷關(guān)系式時，對應(yīng)所述第一空氣接觸面積的所述板面使用一第一預(yù)定電流進(jìn)行電鍍，對應(yīng)所述第二空氣接觸面積的所述板面使用一第二預(yù)定電流進(jìn)行電鍍，所述第一預(yù)定電流與所述第二預(yù)定電流之間的差值不小于20安培。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板的電鍍方法，其特征在于，所述第一預(yù)定電流與所述第二預(yù)定電流之間的所述差值為5安培。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板的電鍍方法，其特征在于，當(dāng)所述第一預(yù)定電流超出所述電鍍設(shè)備的一上限值時，減緩所述電路板經(jīng)過所述電鍍槽的速度，且減少所述第二預(yù)定電流。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板的電鍍方法，其特征在于，將所述電路板經(jīng)過所述電鍍槽的速度減緩為每分鐘0.4公尺。

6.一種電鍍設(shè)備，其特征在于，所述電鍍設(shè)備包括以下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電鍍設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述控制模塊判斷所述電路板滿足所述判斷關(guān)系式時，所述控制模塊控制所述第一電流調(diào)整模塊以第一預(yù)定電流向?qū)?yīng)所述第一空氣接觸面積的所述板面進(jìn)行電鍍，且控制所述第二電流調(diào)整模塊以一第二預(yù)定電流向?qū)?yīng)所述第二空氣接觸面積的所述板面進(jìn)行電鍍，所述第一預(yù)定電流與所述第二預(yù)定電流之間的差值不小于20安培。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電鍍設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述控制模塊檢測所述第一預(yù)定電流超出所述第一電流調(diào)整模塊的一上限值時，所述控制模塊減緩所述輸送單元輸送所述電路板的速度，且減少所述第二預(yù)定電流的數(shù)值。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鍍設(shè)備，其特征在于，所述控制模塊減緩所述輸送單元輸送所述電路板的速度為每分鐘0.4公尺。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種電路板的電鍍方法及電鍍設(shè)備。電鍍方法應(yīng)用于一電鍍設(shè)備，以用來對一電路板相反的兩個板面進(jìn)行電鍍。電鍍方法包括以下步驟：識別電路板以取得兩個板面的一第一空氣接觸面積、及一第二空氣接觸面積；判斷第一空氣接觸面積與第二空氣接觸面積之間是否滿足一判斷關(guān)系式：((m?n))≥40%*n，其中，m≥n，并且m與n分別為第一空氣接觸面積與第二空氣接觸面積；當(dāng)滿足判斷關(guān)系式時，增加第一空氣接觸面積對應(yīng)的板面所使用的電鍍電流；當(dāng)不滿足判斷關(guān)系式時，調(diào)整兩個板面所使用的電鍍電流使得電鍍電流趨于一致；輸送電路板經(jīng)過一電鍍槽進(jìn)行電鍍。

技術(shù)研發(fā)人員：陳永論,婁微卡,鐘歡歡,童杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：健鼎（無錫）電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/31