多段轉印模具的制造方法、多段轉印模具以及以該方法、模具而得的零件的制作方法
【專利摘要】提供一種以電鑄造而得的多段轉印模具的制造方法、多段轉印模具與以該方法、模具而得的零件。多段轉印模具用以借由電鑄造來形成多段零件，可使多段連接的連接步驟省力。本發明包括：于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案，該零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比、且側壁具有所期望的角度α；于光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案，連接柱用以與上部層連接；借由電鑄造，將形成有連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具；使轉印模具離開金屬基板，以制造母料模具。
【專利說明】多段轉印模具的制造方法、多段轉印模具以及以該方法、模具而得的零件
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種多段轉印模具的制造方法、多段轉印模具以及以該方法、模具而得的零件，更詳細而言，本發明涉及一種以電鑄造而得的多段轉印模具的制造方法、多段轉印模具以及以該方法、模具而得的零件，上述多段轉印模具用以借由電鑄造來形成多段零件、且可使多段形成及多段連接的步驟省力。
【背景技術】
[0002]電鑄造法受到面積限制的情形少，且可形成厚膜導體，因此，該電鑄造法被廣泛地使用于手表的顯示文字或指針等的顯示零件；小型的齒輪(gear)、彈簧、管(pipe)、線圖(diagram)(壓力傳感器(sensor))等的機械零件；以及半導體裝置的配線、線圈(coil)等的電子零件。
[0003]多段連接技術大多使用于半導體組件(device)的多層配線。圖6是于已知的半導體基板上所制造的電容器(capacitor)的構造圖。圖6a是電容器的平面圖，圖6b是以一點差線AA'來切斷的電容器的剖面圖。于圖6中，在半導體基板99上生成熱氧化膜94。于熱氧化膜94上形成有作為下部電極97的招(Al)膜,借由光微影法(photolithography)來形成下部電極97、與上部抽出電極98的圖案。
[0004]接著，將下部電極97與上部抽出電極98予以覆蓋，且形成用以獲得所期望的電容(capacitance)的3;102 膜93。接著,借由光微影法來形成接觸孔(contact hole) 95,該接觸孔95用以將上部抽出電極98與上部端子92予以連接，接觸孔95是借由蝕刻SiO2膜93而形成。
[0005]接著，以將接觸孔95完全填埋的方式來形成Al膜，再次借由光微影法，在與上部連接的部分形成接觸孔圖案之后，對接觸孔以外的部分的Al膜進行蝕刻，從而形成用以將上下部予以連接的連接柱96。而且，形成作為上部電極的Al膜，借由光微影法來形成上部電極90與上部端子91、92的圖案，以制造所期望的電容器。
[0006]如此，為了于上部與其他電子組件(未圖示)連接，必須需要如下的步驟:形成接觸孔95，該接觸孔95用以將上部抽出電極98與上部端子92予以連接；以及利用Al膜來將接觸孔95完全填埋，形成用以與上部抽出電極98連接的Al柱狀導體。因此，在作為目的的半導體組件的制造過程中，導致了用以對電極端子的上部進行提升的步驟數增加。此外，對于利用電鑄造的半導體裝置的配線、線圈、以及電容器等的電子零件的制造過程而言，亦同樣不存在有效果的多段連接技術。
[0007]于專利文獻I中有與如下的半導體裝置相關的揭示，該半導體裝置包括:多層配線部，具有包含半導體組件的層間膜層、與該層間膜層上的氣隙(air gap)部；以及柱狀的支持體，立設于層間膜層上，支持著構成多層配線部的多個配線部中的任一個配線部，且包含與配線部相同的材料，而且僅與上述一個配線部形成電性連接。
[0008]現有技術文獻[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1:日本專利特開2010-108966號公報
【發明內容】
[0011]發明所要解決的課題
[0012]本發明是為了解決如上所述的問題而成的發明，本發明的目的在于:提供如下的多段轉印模具的制造方法、多段轉印模具以及以該方法、模具而得的零件。上述多段轉印模具用以借由電鑄造來形成多段零件，且可使多段形成及多段連接的步驟省力。再者，轉印模具中包含:母料模具(master mold)、母模具(mother mold)、子模具以及轉印模具這4個種類。母料模具是作為零件制造的基礎的模具，且通常并不直接用于制造零件。母模具是使用母料模具，使母料模具的凹凸反轉而制造的模具。該母模具亦并不直接用于制造零件。子模具是使用母模具，使母模具的凹凸反轉而制造的模具。因此，子模具的形狀與母料模具的形狀相同。通常對上述子模具進行絕緣層處理、剝離層處理等而制造轉印模具，接著使用該轉印模具來制造零件，于轉印模具磨損的情形時，由母料模具再次經由母模具、子模具而制造新的轉印模具。
[0013]解決課題的技術手段
[0014]本發明的多段轉印模具的制造方法的特征在于包括:于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，該零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且該零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有所期望的角度α ;于光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接；借由電鑄造，將 形成有連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具的步驟；以及使轉印模具離開金屬基板，以制造母料模具的步驟。
[0015]本發明的多段轉印模具的制造方法的特征在于包括:于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，該零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且該零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有所期望的角度α ;于光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接；借由電鑄造，將形成有連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具的步驟；使轉印模具離開金屬基板，以制造母料模具的步驟；自母料模具經由母模具，而轉印制造子模具的步驟；以及對子模具進行剝離層處理與絕緣層處理，以制造轉印模具的步驟，上述剝離層處理使電鑄造所形成的零件易于剝離，上述絕緣層處理于零件的形成部分以外的部分形成絕緣層。
[0016]本發明的多段轉印模具的制造方法的特征在于包含:最初在上述方法的金屬基板的表面形成膜層的步驟。
[0017]本發明的多段轉印模具的制造方法的特征在于包括:于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有大致為90°的角度；于光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接；借由電鑄造，將形成有連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具的步驟；使轉印模具離開金屬基板的步驟；進行光致抗蝕劑加工的步驟，使得光致抗蝕劑圖案層殘留于已離開的轉印模具上的、除了經轉印的零件部分之外的部分；以及以使零件形狀的側壁的角度為大致90°至不足90°的任意的角度的方式，將光致抗蝕劑圖案層作為保護層來進行射束加工，以制造母料模具的步驟。
[0018]本發明的多段轉印模具的制造方法的特征在于包括:于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有大致為90°的角度；于光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接；借由電鑄造，將形成有連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具的步驟；使轉印模具離開金屬基板的步驟；進行光致抗蝕劑加工的步驟，使得光致抗蝕劑圖案層殘留于已離開的轉印模具上的、除了經轉印的部分之外的部分；以使零件形狀的側壁的角度為大致90°至不足90°的任意的角度的方式，將光致抗蝕劑圖案層作為保護層來進行射束加工，以制造母料模具的步驟；自母料模具經由母模具，而轉印制造子模具的步驟；以及對子模具進行剝離層處理與絕緣層處理，以制造轉印模具的步驟，上述剝離層處理使電鑄造所形成的零件易于剝離，上述絕緣層處理于零件的形成部分以外的部分形成絕緣層。
[0019]本發明的多段轉印模具的制造方法的特征在于包含:最初形成上述金屬基板的表面粗糙面化層的步驟。
[0020]本發明的母料模具的特征在于:借由上述多段轉印模具的制造方法來制造，上述母料模具的剖面具有所期望的縱橫比，且上述母料模具的的側壁的角度為45°~88°。
[0021]本發明的轉印模具的特征在于:借由上述多段轉印模具的制造方法來制造。
[0022]本發明中的借由電鑄造來制造的零件的特征在于:其是使用上述轉印模具來制造的零件。
[0023]發明的效果
[0024]根據本發明，可提供以電鑄造而得的多段轉印模具的制造方法、多段轉印模具以及以該方法模具而得的零件，上述多段轉印模具用以借由電鑄造來形成多段零件且可使多段形成及多段連接的步驟省力。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]圖1是本發明的利用電鑄造的多段轉印模具的制造步驟圖。
[0026]圖2是本發明的利用射束的多段轉印模具的制造步驟圖。
[0027]圖3是本發明的利用電鑄造的多段子模具的制造步驟圖。
[0028]圖4是本發明的多段轉印光罩的制造步驟圖。
[0029]圖5是本發明的使用多段轉印光罩且以電鑄造而得的零件的制造步驟圖。
[0030]圖6是于已知的半導體基板上所制造的電容器的構造圖。
【具體實施方式】
[0031]實施例[0032]用圖示來對本發明的第I實施例的形態進行說明。圖1是本發明的利用電鑄造的多段母料模具(master mold)的制造步驟圖。于圖1a中，金屬基板10的上部表面具有:多段母料模具粗糙面化層15，該多段母料模具粗糙面化層15用以使電鑄所形成的多段母料模具的接觸面成為粗糙面。形成該粗糙面化層15的目的在于:使粗糙面化層15與該粗糙面化層15上所形成的絕緣層之間的密著強度提高，可借由鹽酸處理等來直接使金屬基板10的表面成為粗糙面，從而形成上述粗糙面化層15。另外，亦可借由電子光加工來形成條狀(stripe)、格子狀等的適合于粗糙面化的光圖案層，來作為粗糙面化層15。此外，若后述的子模具60上的絕緣層之間，彼此的密著強度無問題，則亦可將粗糙面化層15予以省略。
[0033]于圖1b中，為了獲得如下的零件形狀，該零件形狀具有所期望的縱橫比、且側壁具有所期望的角度α，而以規定的厚度，將用以使上述零件的形狀圖案化(patterning)的光致抗蝕劑30涂布在金屬基板10的粗糙面化層15上，例如，在半導體電子零件的配線或線圈的情形時，相對于例如5 μ m的線寬，為了得到10 μ m的厚度，而以10 μ m的厚度將上述光致抗蝕劑30涂布在金屬基板10的粗糙面化層15上。接著，隔著具有所期望的零件圖案的光罩40，自箭頭方向進行曝光。圖1c表示光致抗蝕劑圖案35，該光致抗蝕劑圖案35是圖1b中的經曝光的零件的圖案被顯影而形成的圖案。可根據圖1b中所涂布的光致抗蝕劑30的材料、膜厚、以及隔著光罩40來進行照射時的曝光條件，任意地決定零件的光致抗蝕劑圖案的兩側壁的角度α。于使用鐳射光的情形時，亦可借由3D透鏡(lens)來改變光致抗蝕劑圖案的兩側壁的照射強度。此外，亦可使用灰階光罩(gray mask)來改變兩側壁的照射強度。
[0034]于圖1d中，與圖1b同樣地，涂布用以形成多段連接用的連接柱的光致抗蝕劑30，且隔著具有柱狀的形狀圖案的光罩40，自箭頭方向進行曝光。圖1e表示連接柱的光致抗蝕劑圖案37，該連接柱的光致抗蝕劑圖案37是上述圖案曝光至圖1d中的光致抗蝕劑圖案35上，經顯影而形成的圖案 。
[0035]于圖1f中，以將圖1e的光致抗蝕劑圖案35、37予以覆蓋的方式，借由電鑄而以規定的厚度來電鍍所期望的金屬、例如Ni，以形成多段母料模具20。于圖1g中，使圖1f中所電鑄形成的多段母料模具20離開金屬基板10。粗糙面化層15的粗糙面形狀會轉印至多段母料模具粗糙面層17。此外，圖1c中的兩側壁的角度α保持為圖1g所示的角度α。
[0036]多段轉印模具粗糙面層17會轉印至最終被用作多段轉印模具的、如圖3中所說明的多段子模具60，用以使與該多段子模具60上所形成的絕緣層之間的密著強度提高。于密著強度充分的情形時，亦可無該多段轉印模具粗糙面層17。又，使角度α成為45°~88°的陡峭的角度，借此，可使所期望的零件的圖案密度提高。
[0037]圖2是作為本發明的第2實施例的利用射束(beam)照射的多段母料模具的制造步驟圖。于圖2a中，在角度α大致為90°的條件下，制造圖1中所制造的多段母料模具20。于圖2b中，以規定的厚度涂布有光致抗蝕劑30，該光致抗蝕劑30用以將零件形狀的反轉圖案予以圖案化，隔著具有零件的反轉圖案的光罩40，自箭頭方向進行曝光。因此，于上述情形時，零件的形狀部的光致抗蝕劑經顯影而被除去，光致抗蝕劑30僅殘留于平坦的多段母料模具粗糙面層17。
[0038]于圖2c中，將圖2b中所形成的光致抗蝕劑圖案作為保護膜，以使角度α達到規定的角度的方式、來對照射射束進行調整，借由射束照射來對零件的圖案的兩側壁進行切削加工。箭頭表示射束的方向。圖2d中的多段母料模具20具有與圖1g中的多段母料模具20相同的形狀，且具有相同的功能、特征。照射射束可為電子射束、離子射束(ion beam)、或聚焦離子束(Focused 1n Bean, FIB),借由透鏡來使射束收縮,從而改變該FIB (Focused1n Bean)的照射強度。
[0039]圖3是本發明的多段子模具的制造步驟圖。于圖3a中，在已制造的多段母料模具20的零件的圖案面上，借由電鑄而僅以規定的厚度來電鍍所期望的金屬、例如Ni，以形成多段母模具50 (mother mold)。接著,將該多段母模具50予以分離。于圖3b中，在多段母模具50的零件圖案面上，借由電鑄而僅以規定的厚度來電鍍所期望的金屬、例如Ni，同樣地形成多段子模具60。使圖3c中所電鑄形成的多段子模具60離開多段母模具50。
[0040]如此，自多段母模具50進一步轉印而制造多段子模具60，上述多段母模具50是自多段母料模具20經轉印所得的模具，因此，上述多段子模具60直接繼承了與多段母料模具20相同的功能、特征。此外，由于借由相同的金屬材料來一體地形成多段子模具60，因此，于接下來所說明的多段子模具粗糙面層19上進行所期望的剝離層處理、絕緣層處理，借此，可獲得如下的富有量產性的轉印模具，該轉印模具具有所期望的縱橫比與角度α，且即便反復地使用，圖案亦不會發生剝離。
[0041]圖4是本發明的多段轉印模具的制造步驟圖。圖4a表示圖3c中所制作的多段子模具60。為了易于對制造的零件進行移植，對圖4b的多段子模具60進行剝離層處理，即:以規定的條件進行熱處理，而于多段子模具60的表面生成NiOx膜70。該NiOx膜70具有導電性，且經電鑄的零件之間的接著力亦弱，因此易于剝離。
[0042]接著， 為了形成絕緣層，而進行絕緣層處理，即:于上述表面上，借由化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)而化學性地生成 SiO2 膜 75,或借由派鍍(sputter)而物理性地生成SiO2膜75,或者涂布聚娃氮燒(polysilazane),接著進行熱處理,從而生成SiO2膜75。于圖4c中，為了將零件圖案上所生成的SiO2膜75予以除去，而以規定的厚度、將光致抗蝕劑30涂布于SiO2膜75上，且隔著具有零件的反轉圖案的光罩40，自箭頭方向進行曝光，上述光致抗蝕劑30用以圖案化為規定的形狀。于圖4d中，將經圖案化的光致抗蝕劑30作為罩幕，自箭頭方向照射射束，而物理性地將SiO2膜75予以除去，或借由氫氟酸等而化學性地將SiO2膜75予以除去。
[0043]根據經圖案化的光致抗蝕劑30的形狀、以及SiO2膜75的除去條件，如圖4e所示，保留SiO2膜75的兩側壁，僅將底部的部分予以除去；或如圖4f所示，將SiO2膜75的兩側壁以及底部的部分均予以除去，從而完成多段轉印模具。此外，于使用聚硅氮烷的情形時，利用與網版(screen)印刷相同的步驟，在生成圖4b中的NiOx膜70之后，立即將聚硅氮烷印刷至除了形成零件的零件圖案之外的NiOx膜70的表面，且進行熱處理，借此，可獲得與圖4f相同的形狀。
[0044]剝離層處理是如下的處理，即:于圖4b的子模具60上，形成可相對于厚度面而維持導電性的厚度為I A~1000 A的金屬氧化物(A10x、Ti0x等)、氮化物、或有機物(光致抗蝕劑)的剝離層。此外，絕緣層處理為如下的處理，即:于除了零件圖案之外的表面上，形成SiO2或光致抗蝕劑等的絕緣物。剝離層處理與絕緣層處理的處理步驟亦可相反。
[0045]圖5是本發明的利用電鑄造的零件的制造步驟圖。于圖5a中，借由電鑄而將規定的金屬(Ag、Cu、Ni等)電鍍于子模具60，而形成零件80。于圖5b中，將具有由電鑄所轉印形成的連接柱83的零件80，經由接著劑85而移植至零件基板87，或于圖5c中，移植至生胚片88 (green sheet),對生胚片88進行熱處理,使該生胚片88硬化。于利用生胚片88來進行移植的情形時，由于在硬化之前，該生胚片88已軟至可將零件80予以埋入的程度，因此，無需接著劑85。
[0046]如此，借由電鑄來形成具有連接柱83的任意形狀的零件80，將該零件80反復地移植至零件基板87或生胚片88，從而可用于各個用途。因此，無需如電容器的制造過程一般，為了于上部與其他電子組件連接而采用的如下的步驟:形成接觸孔95，該接觸孔95用以將上部抽出電極98與上部端子92予以連接；以及，利用Al膜來將接觸孔95完全填埋、且形成用以與上部抽出電極98連接的Al柱狀導體。再者，對于多層配線、多層線圈的連接而言，亦同樣無需柱狀導體的形成步驟。借此，在作為目的的半導體裝置的零件的制造過程中，可使形成用以與上部連接的連接柱的步驟數減少。此外，于機械零件的小型齒輪的制造過程中，利用分段地形成柱狀導體，借此，可制造小型的階式齒輪(stepped gear)。
[0047]如以上的說明所述，根據本發明，可容易地形成機械零件的小型的階式齒輪的多個段，且可容易地對半導體裝置的電子零件的配線、線圈、及電容器等進行多段連接。因此，可提供以電鑄造而得的零件，該零件用以借由電鑄造來形成多段零件，可使多段形成及多段連接的步驟省力。
[0048]符號說明:
[0049]10:金屬基板
[0050]15:粗糙面化層 [0051]17:多段母料模具粗糙面層
[0052]18:多段母模具粗糙面層
[0053]19:多段子模具粗糙面層
[0054]20:多段母料模具
[0055]30:光致抗蝕劑
[0056]35:零件的光致抗蝕劑圖案
[0057]37:連接柱的光致抗蝕劑圖案
[0058]40:光罩
[0059]50:多段母模具
[0060]60:多段子模具
[0061]70:NiOx 膜
[0062]75:SiO2 膜
[0063]80:零件
[0064]83:連接柱
[0065]85:接著劑
[0066]87:零件基板
[0067]88:生胚片
[0068]90:上部電極
[0069]91:上部端子
[0070]92:上部端子[0071]93:SiO2 膜
[0072]94:熱氧化膜
[0073]95:接觸孔
[0074]96:連接柱
[0075]97:下部電極
[0076]98:上部抽出電極
[0077]99:半導體基板
[0078]α:側壁的傾斜角
[0079]β:側壁的 傾斜角
【權利要求】
1.一種多段轉印模具的制造方法，其特征在于包括: 于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，該零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且該零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有所期望的角度α ; 于上述光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接； 借由電鑄造，將形成有上述連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的上述光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具的步驟；以及使上述轉印模具離開上述金屬基板，以制造母料模具的步驟。
2.一種多段轉印模具的制造方法，其特征在于包括: 于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，該零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且該零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有所期望的角度α ; 于上述光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接； 借由電鑄造，將形成有上述連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的上述光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定 的厚度為止，以制造轉印模具的步驟； 使上述轉印模具離開上述金屬基板，以制造母料模具的步驟； 自上述母料模具經由母模具，而轉印制造子模具的步驟；以及 對上述子模具進行剝離層處理與絕緣層處理，以制造轉印模具的步驟，上述剝離層處理使上述電鑄造所形成的上述零件易于剝離，上述絕緣層處理于上述零件的形成部分以外的部分形成絕緣層。
3.根據權利要求1或2所述的多段轉印模具的制造方法，其特征在于包含: 最初在上述金屬基板的表面形成膜層的步驟。
4.一種多段轉印模具的制造方法，其特征在于包括: 于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有大致為90°的角度； 于上述光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接； 借由電鑄造，將形成有上述連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的上述光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具的步驟； 使上述轉印模具離開上述金屬基板的步驟； 進行光致抗蝕劑加工的步驟，使得光致抗蝕劑圖案層殘留于已離開的上述轉印模具上的、除了經轉印的零件部分之外的部分；以及 以使上述零件形狀的側壁的角度為大致90°至不足90°的任意的角度的方式，將上述光致抗蝕劑圖案層作為保護層來進行射束加工，以制造母料模具的步驟。
5.一種多段轉印模具的制造方法，其特征在于包括: 于金屬基板上形成零件形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案具有所期望的縱橫比，且上述零件形狀的光致抗蝕劑圖案的側壁具有大致為90°的角度；于上述光致抗蝕劑圖案上，形成用以獲得連接柱的形狀與厚度的連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的步驟，上述連接柱用以與上部層連接； 借由電鑄造，將形成有上述連接柱形狀的光致抗蝕劑圖案的上述光致抗蝕劑圖案完全填埋、直至達到規定的厚度為止，以制造轉印模具的步驟； 使上述轉印模具離開上述金屬基板的步驟； 進行光致抗蝕劑加工的步驟，使得光致抗蝕劑圖案層殘留于已離開的上述轉印模具上的、除了經轉印的部分之外的部分； 以使上述零件形狀的側壁的角度為大致90°至不足90°的任意的角度的方式，將上述光致抗蝕劑圖案層作為保護層來進行射束加工，以制造母料模具的步驟； 自上述母料模具經由母模具，而轉印制造子模具的步驟；以及 對上述子模具進行剝離層處理與絕緣層處理，以制造轉印模具的步驟，上述剝離層處理使上述電鑄造所形成的上述零件易于剝離，上述絕緣層處理于上述零件的形成部分以外的部分形成絕緣層。
6.根據權利要求4或5所述的多段轉印模具的制造方法，其特征在于包含: 最初形成上述金屬基板的表面粗糙面化層的步驟。
7.—種母料模具 ，其特征在于: 借由如權利要求1、3、4、6中任一所述的多段轉印模具的制造方法來制造， 上述母料模具的剖面具有所期望的縱橫比，且上述母料模具的側壁的角度為45°~88。。
8.—種轉印模具，其特征在于: 借由如權利要求2、3、5、6中任一所述的多段轉印模具的制造方法來制造。
9.一種零件，借由電鑄造來制造，其特征在于: 使用如權利要求8所述的轉印模具，借由上述電鑄造來轉印制造。
【文檔編號】C25D1/10GK104024486SQ201180074857
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2011年11月15日 優先權日:2011年11月15日
【發明者】佐野孝史, 寺田常徳 申請人:株式會社Ｌｅａｐ