專利名稱：一種厚規格低峰值的電解銅箔的制備方法
技術領域：
本發明涉及一種厚規格低峰值的電解銅箔，以及該電解銅箔的制備方法，屬于電解銅箔領域。
背景技術：
針對一般厚規格銅箔峰值較高，容易產生脫粉現象，生產時只能用低電流密度生產，生產效率較低。
發明內容
本發明的目的是一種厚規格低峰值的電解銅箔，以及該電解銅箔的制備方法。 本發明的技術方案通過本發明所選的原材料及其合理濃度的電解液，并通過添加適當的添加劑，在高電流密度條件下進行電沉積來實現，具體如下采用高純度電解銅(銅含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量彡98.0% )作為原材料，并在加熱條件下生成電解液，使電解液中銅含量70 100g/L，硫酸含量110 160g/L，氯離子含量2 5mg/L，溫度45 65°C，并向電解液中添加添加劑硫脲，且添加劑流量為200mL/min 1000mL/min，最后將電解液流量控制在45 60m3/h流入電解槽，用電流密度6000 10000A/m2條件下進行電沉積，生成厚規格低峰值電解銅箔。通過本發明所選的原材料及其合理濃度的電解液，并通過添加適當的添加劑，在高電流密度條件下進行電沉積，生成厚規格低峰值銅箔，提高了生產效率。
具體實施例方式實施例I :70μ低峰值電解銅箔，采用高純度電解銅(銅含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98. 0% )作為原材料，并在加熱條件下生成電解液，電解液中銅含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯離子含量控制在2 5mg/L，溫度控制在45 65°C，并向電解液中添加添加劑硫脲，且添加劑流量為200mL/min 1000mL/min，最后將電解液流量控制在45 60m3/h流入電解槽，用電流密度6500A/m2條件下進行電沉積，生成70 μ電解銅箔，該電解銅箔毛面峰值Rz < 8 μ m。實施例2 :105 μ低峰值電解銅箔，采用高純度電解銅(銅含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98.0%)作為原材料，并在加熱條件下生成電解液，電解液中銅含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯離子含量控制在< 2 5mg/L，溫度控制在45 65°C，并向電解液中添加添加劑硫脲，且添加劑流量為200mL/min 1000mL/min，最后將電解液流量控制在45 60m3/h流入電解槽，用電流密度8000A/m2條件下進行電沉積，生成105 μ電解銅箔，該電解銅箔毛面峰值Rz < 10 μ m。實施例3 :70 μ低峰值電解銅箔，采用高純度電解銅(銅含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98. 0% )作為原材料，并在加熱條件下生成電解液，電解液中銅含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯離子含量控制在2 5mg/L，溫度控制在45 65°C，并向電解液中添加添加劑硫脲，且添加劑流量為200mL/min 1000mL/min，最后將電解液流量控制在45 60m3/h流入電解槽，用電流密度8000A/m2條件下進行電沉積，生成70 μ電解銅箔，該電解銅箔毛面峰值Rz < 8 μ m。實施例4 :105 μ低峰值電解銅箔，采用高純度電解銅(銅含量彡99. 95% )和硫酸(硫酸含量> 98.0%)作為原材料，并在加熱條件下生成電解液，電解液中銅含量控制在70 100g/L，硫酸含量控制在110 160g/L，氯離子含量控制在< 2 5mg/L，溫度控制在 45 65°C，并向電解液中添加添加劑硫脲，且添加劑流量為200mL/min 1000mL/min，最后將電解液流量控制在45 60m3/h流入電解槽，用電流密度8500A/m2條件下進行電沉積，生成105 μ電解銅箔，該電解銅箔毛面峰值Rz < 10 μ m。
權利要求
1.一種厚規格低峰值的電解銅箔的制備方法，其特征在于所述的制備采用銅含量≥ 99. 95%的高純度無氧銅桿和硫酸含量> 92. 0%的電池硫酸作為原材料，并在加熱條件下生成電解液；電解液中銅含量70 100g/L,硫酸含量110 160g/L,氯尚子含量2 5mg/L,溫度45 65°C的參數配合，并向電解液中添加合適的添加劑，使電解液流量為45 60m3/h,該電解液添加的添加劑為硫脲,添加劑流量為200mL/min 1000mL/min。
2.根據權利要求I所述的一種厚規格低峰值的電解銅箔的制備方法，其特征在于所述的制備方法電解后，還要進行電沉積，電沉積在電流密度6000 10000A/m2條件下進行。
全文摘要
本發明涉及一種厚規格低峰值的電解銅箔的制備方法，采用高純度電解銅(銅含量≥99.95％)和硫酸(硫酸含量≥98.0％)作為原材料，并在加熱條件下生成電解液，使電解液中銅含量70～100g/L，硫酸含量110～160g/L，氯離子含量2～5mg/L，溫度45～65℃，并向電解液中添加添加劑硫脲，且添加劑流量為200～1000mL/min，最后將電解液流量控制在45～60m3/h流入電解槽，用電流密度6000～10000A/m2條件下進行電沉積，生成厚規格低峰值電解銅箔。本發明所選的原材料及其合理濃度的電解液、添加劑，在高電流密度條件下進行電沉積，生成厚規格低峰值銅箔，提高了生產效率。
文檔編號C25D3/38GK102797020SQ20111013406
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月23日 優先權日2011年5月23日
發明者黃文榮, 郭偉, 吳偉安 申請人:建滔(連州)銅箔有限公司