專利名稱：電化學電鍍電解液及在電鍍表面電鍍金屬的方法
技術領域：
本發明涉及半導體集成電路制造中在半導體晶片基底上沉積金屬層的電化學電鍍(ECP)制程，特別涉及一種ECP聚合添加物以及在電化學電鍍過程中減少金屬，特別是銅，過度覆蓋于基底及避免缺陷的方法。
背景技術：
在半導體集成電路的制造中，金屬導線是用來連接半導體晶片上裝置電路中的多重元件。一般在半導體晶片上沉積金屬導線圖案的方法包括首先，在一硅晶片基底上沉積一導電層，之后，形成一具有金屬導線圖案的光致抗蝕劑或其它例如氧化鈦或氧化硅的罩幕，接著，利用標準微影技術進行微影，之后，將晶片基底導入干蝕刻制程以移除該導電層中未覆蓋罩幕的區域，而在該金屬層中留下欲留的導線圖案，接著，利用活性等離子及氯氣移除該罩幕層，以暴露該金屬導線的上表面。一般來說，由導電與絕緣物質形成的各層會陸續沉積在基底上，其中導電層會形成在不同層，而通過絕緣層中蝕刻形成的介層窗或開口彼此電性連接，填入介層窗的物質包括鋁、鎢或其它金屬。
在晶片基底上沉積導電層可利用各種不同的技術，包括氧化、低壓化學氣相沉積法(LPCVD)、大氣壓化學氣相沉積法(APCVD)及等離子加強式化學氣相沉積法(PECVD)。一般來說，化學氣相沉積包括具有沉積必要元素的反應性氣相化學物質，以在晶片基底上形成一非揮發性膜，而化學氣相沉積法也是集成電路制程中最常用于在基底上沉積膜的方法。
由于晶片上半導體元件尺寸不斷微縮，集成電路密度不斷增加，因此，為達成內部連接電路元件的高復雜度需要更精準控制該定義金屬導線內連線圖案的制程。先進的微影、掩膜技術及例如活性離子蝕刻(RIE)與其它等離子蝕刻的干蝕刻制程，使導線圖案的寬度與其間隔尺寸得以落在次微米的范圍內。近年來，晶片基底上沉積或電鍍金屬的技術已被認可應用在集成電路與平面顯示器中在基底上沉積導電層的制程，這些沉積制程可使銅或其它金屬層的上表面達到平滑、平坦或均勻的沉積效果。而目前有更多研究投入在電鍍硬件與其化學特性上的設計，以達成高品質膜、均勻橫跨基底全表面膜層或充填、順應極小尺寸元件的最終目的，其中銅被認定為最適用的電鍍金屬。
在集成電路制造中，電鍍銅較電鍍鋁有更多優點，例如銅的電阻較鋁低，因而有較高的操作頻率，另由于具有高電流密度及/或高電子遷移速率的電路會容易導致金屬內連線的開孔或短路，進一步造成元件故障或燒毀，于是，電子遷移速率較鋁低的銅，明顯可提升半導體元件的可靠度。
在半導體晶片上沉積金屬(例如銅)的標準或傳統電鍍系統包括一具有一可調式電流源的標準電鍍包，一容納一電解電鍍液(酸性硫酸銅溶液)的電鍍容器，以及浸入該電解液中的一銅正極與一負極，其中該負極為一欲電鍍銅的半導體晶片，而該正極與該半導體晶片/負極則通過一適合導線與該電流源連接。該電鍍液包括一添加物，該添加物可填入次微米元件內且留在晶片上電鍍銅的表面，另該電鍍容器還包括與一電解質儲存槽連接，當制程需要時，該電解質儲存槽可提供額外的電解液至該電鍍容器。
在該電鍍系統的操作過程中，該電流源在室溫條件下于該正極與該負極/晶片間施加一選擇性電壓電位，該施加電位創造一環繞該正極與該負極/晶片的磁場，進而影響了電鍍液中的銅離子分布。典型的銅電鍍過程，可施加約2伏特的電壓電位約2分鐘，致正極與負極/晶片間產生大約4.5安培的電流，結果，銅在正極氧化，且釋出的電子同時減少了硫酸銅電鍍液中的銅離子，而形成介于負極/晶片與硫酸銅電鍍液間的銅電極。
發生在正極的銅氧化反應以下列反應式表示
上述銅氧化反應的產物與電鍍液中的硫酸根離子反應形成離子態的硫酸銅
在負極/晶片處可發現，由負極流出通過導線的電子還原了硫酸銅溶液中的銅離子，而將還原銅電鍍至該負極/晶片上
一般在銅電鍍上晶片后，會將晶片導入化學機械研磨(CMP)制程，以移除電鍍銅層中過多的銅(銅過度覆蓋)并平滑該層表面。CMP制程中所使用的重要裝置包括一自動旋轉研磨平板及一晶片載具，兩裝置均釋出一壓力于晶片上且兩者的旋轉系統各自獨立。上述研磨或移除銅層表面的工作藉助研磨泥漿加以完成，所使用的研磨泥漿包含懸浮于去離子水或KOH溶液的膠體硅。泥漿的導入是通過一自動泥漿進料系統(automatic slurry feedingsystem)完成，以均勻濕潤研磨墊并提供一適當輸出及回收泥漿的方法。在制作大約積晶片時，CMP的相關設備也包括一晶片自動負載/卸載裝置及一卡匣搬運裝置。
在ECP制程中，酸性的銅電鍍液一般都會包含各種不同的添加物，例如抑制劑、觸媒劑及平坦劑。為了滿足65納米技術的溝填要求，所選擇的添加物濃度在充填高深寬比的介層窗及溝槽時，需可達到快速且最佳化的充填效果，并符合微觀與宏觀的均一性。在ECP制程結束后，經常會出現銅過度覆蓋的情形，特別是當晶片上制作高密度電路圖案時，而由于過度覆蓋的銅將成為CMP制程中產生金屬粒子的主要來源，遂使元件結構在CMP后的制造步驟中極易產生缺陷，因此，ECP溶液中全新的ECP聚合添加物需在最佳ECP溝填能力下可減少ECP過程中所產生銅過度覆蓋的情形。
發明內容
有鑒于此，本發明提供一全新聚合添加物，以減少基底上電鍍金屬的過度覆蓋。
本發明提供一種電化學電鍍電解液，包括一電解液；以及一聚合添加物，于該電解液中，該聚合添加物包含具有一芳香族單體與一芳香胺單體的聚合物。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該芳香胺單體包含一官能基，該官能基擇自咪唑與咪唑衍生物所組成的族群。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
本發明提供一種電化學電鍍電解液，包括一電解液；以及一聚合添加物，于該電解液中，該聚合添加物包含具有一芳香族單體與一芳香胺單體的聚合物且該等聚合物的正電荷密度大體介于1～6meq/g。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該芳香胺單體包含一官能基，該官能基擇自咪唑與咪唑衍生物所組成的族群。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該每一聚合物的分子量大體介于2000～40000。
本發明所述的電化學電鍍電解液，其中該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
本發明提供一種于電鍍表面電鍍金屬的方法，包括下列步驟提供一電解液；混合一聚合添加物與該電解液，該聚合添加物包含具有一芳香族單體與一芳香胺單體的聚合物；浸泡一電鍍表面于該電解液中；以及電鍍一金屬至該電鍍表面。
本發明所述的于電鍍表面電鍍金屬的方法，其中該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群，該芳香胺單體包含一官能基，該官能基擇自咪唑與咪唑衍生物所組成的族群。
本發明所述的于電鍍表面電鍍金屬的方法，其中該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
本發明所述的于電鍍表面電鍍金屬的方法，其中該每一聚合物的分子量大體介于2000～40000且該等聚合物的正電荷密度大體介于1～6meq/g。
本發明另提供一全新ECP聚合添加物，以在銅或其它金屬的電化學電鍍過程中減少基底上金屬的過度覆蓋及確保最佳化溝填能力。
本發明另提供一全新ECP聚合添加物，通過減少基底上電化學電鍍金屬的過度覆蓋，降低基底上元件的缺陷。
本發明另提供一全新ECP聚合添加物，其可加入至電鍍液中，并在最佳溝填能力下減少電鍍金屬的表面缺陷。
本發明另提供一全新ECP聚合添加物，其包括低正電荷密度聚合物。
本發明再提供一全新，在電化學電鍍金屬過程中減少基底上金屬過度覆蓋的方法，包括提供一電鍍液，加入一低正電荷密度聚合添加物至該電鍍液中，以及在該電鍍液中電鍍金屬至一基底上。
根據上述優點，本發明有關于一種在最佳溝填能力下可減少電鍍金屬上金屬過度覆蓋的全新ECP聚合添加物。減少電鍍金屬上的過度覆蓋指減少金屬粒子在后續化學機械平坦化步驟中產生的量，而此也將使晶片上元件的結構缺陷跟著減少。本發明聚合添加物包括低正電荷密度聚合物，且于ECP制程進行前，先將該等聚合添加物加入電鍍液中。
聚合添加物可包括具有芳香族與芳香胺官能基單體的低正電荷密度共聚物，該低正電荷密度共聚物較佳包括例如苯或吡咯烷酮的芳香苯官能基單體及例如咪唑或咪唑衍生物的芳香胺官能基單體，較佳來說，該低正電荷密度聚合物的正電荷密度大約介于1至6meq/g，其分子量大約介于2000至1000000，最佳的聚合物分子量為10000。
本發明電鍍金屬的方法包括提供一混合有低正電荷密度聚合添加物的電鍍液，以及將基底浸入該電鍍液中進行電化學電鍍，該聚合添加物可在最佳溝填能力下減少基底上電鍍金屬的過度覆蓋。
為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下
圖1a顯示本發明應用的電化學電鍍系統；圖1b顯示本發明提供的基底的剖面圖，其上利用包含ECP聚合添加物的電鍍液過度覆蓋一電鍍金屬層，并說明該金屬層上金屬過度覆蓋減少的情形；圖2是顯示本發明電鍍金屬的流程圖。
具體實施例方式
本發明提供一種全新的ECP聚合添加物，以期在最佳溝填能力下減少電鍍金屬上的金屬過度覆蓋。減少電鍍金屬上的過度覆蓋指減少金屬粒子在后續化學機械平坦化步驟中產生的量，而此也將使晶片上裝置的結構缺陷跟著減少。本發明的聚合添加物可包括具有芳香族及芳香胺官能基單體的低正電荷密度共聚物，而該低正電荷密度共聚物較佳包括例如苯或吡咯烷酮的芳香族官能基單體以及例如咪唑或咪唑衍生物的芳香胺官能基單體。
本發明電鍍金屬的方法包括提供一混合有低正電荷密度聚合添加物的電鍍液，以及將基底浸入該電鍍液中進行電化學電鍍，該聚合添加物可在最佳溝填能力下減少基底上電鍍金屬的過度覆蓋。
本發明的聚合添加物可在不影響溝填品質下，減少大約3000埃的銅過度覆蓋程度。由于聚合添加物低電荷密度的特性，使得添加物不會在溝填期間強烈干擾其它電鍍添加物的吸附行為，甚至于高聚合物濃度時也不會。此外，在高聚合添加物濃度時，ECP突出高度的降低可通過質量轉換效應加以達成。
本發明較佳實施例中，低正電荷密度聚合添加物具有可表示為CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，其中X為一芳香族官能基，較佳為苯或吡咯烷酮，Y為一芳香胺官能基，較佳為咪唑或咪唑衍生物，而m與n分別為每一聚合物中芳香族(X)單體與芳香胺(Y)單體的數目。下表1顯示每一多重低正電荷密度聚合物中X單體與Y單體的重量百分率、聚合物分子量以及聚合物電荷密度(meq/g)
聚合物的電荷密度會影響聚合物在電鍍液中例如壓縮、粘附及表面遷移的電鍍參數。每一聚合物的分子量反映出該聚合物中X單體與Y單體的數目且決定了聚合物在電鍍液中的質量轉換。較佳來說，聚合物的正電荷密度大約介于1至6meq/g，其分子量大約介于2000至400000，更佳的聚合物分子量為10000。
從表1可看出，聚合物L-820、L-550及L-905的電荷密度落在1至6meq/g的范圍，分子量落在40000至1000000的范圍，而其中聚合物L-550及L-905的分子量更落在2000至400000的較佳范圍，因此，本發明中具有L-550及L-905分子特性的聚合物為較佳的選擇。
本發明的聚合添加物可使用在任何型式的電鍍液中，例如銅、鋁、鎳、鉻、鋅、錫、金、銀、鉛及鎘電鍍液，本發明也適合使用包含電鍍金屬混合物的電鍍液，較佳為銅合金電鍍液，更佳為銅電鍍液。
典型的銅電鍍液型式為已知技藝者所熟知，其包括但不限定于一電解質與一或多個銅離子源，適合的電解質包括但不限定于硫酸(sulfuric acid)、醋酸(acetic acid)、氟硼酸(fluoroboricacid)、甲烷磺酸(methane sulfonic acid)、乙烷磺酸(ethanesulfonic acid)、三氟甲烷磺酸(trifluormethane sulfonic acid)、苯磺酸(phenyl sulfonic acid)、甲基磺酸(methyl sulfonic acid)、對甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid)、鹽酸(hydrochloric acid)、磷酸(phosphoric acid)及其類似物。一般來說，電鍍液中的酸濃度大約介于1至300克/升，而此處的酸更包括一例如氯離子的鹵素離子源。
適合的銅離子源包括但不限定于硫酸銅(copper Sulfate)、氯化銅(copper chloride)、醋酸銅(copper acetate)、硝酸銅(coppernitrate)、氟硼酸銅(copper fluoroborate)、甲烷磺酸銅(coppermethane sulfonate)、苯磺酸銅(copper phenyl sulfonate)及對甲苯磺酸銅(p-toluenesulfonic acid)，而這些銅離子源在電鍍液中的濃度范圍大約介于10至300克/升，在本發明一較佳實施例中，正電荷聚合添加物在電鍍液中的濃度范圍大約介于55至100ppm。此外，電解液中也可加入濃度大約介于5至40ppm的觸媒劑(accelerator)，該觸媒劑可為任何商業上可利用且為已知技藝人士熟知的觸媒劑，以加速金屬電鍍沉積制程的進行。
本發明其它電化學電鍍制程的條件包括大約介于0至500rpm的電鍍rpm，大約介于0.2至20毫安/平方厘米的電鍍電流以及大約介于攝氏10至35度的電鍍液溫度。
請參閱圖1a，說明適合用來執行本發明的電化學電鍍(ECP)系統10。系統10可為傳統型，包括一具有一可調式電流源12、一電鍍容器14、一銅正極16以及一負極18的標準電鍍包，其中負極18為一欲電鍍銅的半導體晶片基底，正極16與負極18(即晶片基底118)通過一適當導線38連接電流源12，且將一電解電鍍液置于容器14中。系統10還包括已知技術人員熟知，于電鍍過程中在電鍍液中旋轉基底18的機構。
ECP系統10還包括一對過濾支管24、一泵/過濾器30以及一電解質儲存槽34，電解質儲存槽34可作為導入額外電解質至電鍍容器14之用，過濾支管24可延伸穿過正極16并開口于其上，以氧化正極16的另一端表面22。過濾支管24連接至電鍍容器14外部的泵/過濾器30，泵/過濾器30更進一步通過一槽輸入管32與電解質儲存槽34相連接，而電解質儲存槽34也通過另一槽輸入管36與電鍍容器14連接。以上描述的ECP系統10僅為適合用來執行本發明的其中一例，其它系統也可用來取代該系統。
請參閱圖1a、圖1b及圖2，說明本發明電鍍金屬的方法。如圖1b所示，提供一其上沉積有一介電層126的晶片基底118，介電層126中蝕刻有復數個溝槽127以及沉積一例如銅的金屬晶種層119于每一溝槽127的側壁及底部。電化學電鍍制程是電鍍銅或其它金屬層128至晶種層119上，以分別在溝槽127中形成金屬導線130，經本發明電鍍制程沉積的金屬層128形成一具有一突出高度133的過度覆蓋突出132，且此過度覆蓋突出的高度低于傳統電化學電鍍制程形成過度覆蓋突出134的突出高度135。
請參閱圖2步驟51，在蝕刻介電層126形成溝槽127后，沉積金屬晶種層119于溝槽127的側壁及底部，晶種層119可利用已知技藝人士熟知的傳統化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)形成，晶種層119的高度大約介于50至1500埃。
如圖2步驟52所示，于電鍍容器14中制備電化學電鍍(ECP)電解液20，電鍍液20可包括一濃度大約介于8至40ppm的觸媒添加劑，接著，如步驟53及圖1a所示，于電鍍液20中加入正電荷聚合添加物25并使兩者充分混合達到大約介于5至100ppm的聚合添加物濃度，之后，將正極16與負極18(即晶片基底118)浸入電鍍液20中，并通過導線38連接可調式電流源12。
如圖2步驟54所示，負極18(即晶片基底118)浸入電鍍液20中，遂使晶片基底118上的晶種層119接觸了電鍍液20，而由于電解液20中聚合添加物25的質量轉換作用，使晶種層119表面得以全面與聚合添加物25接觸。
如圖1b與圖2步驟55所示，金屬層128電鍍至晶種層119上。首先，加熱電鍍液溫度至大約介于攝氏10至35度，在ECP系統10的操作過程中，電流源12于正極16與負極18(即晶片基底118)間施加一選擇性電壓電位，而創造了一環繞正極16與負極18(即晶片基底118)的磁場，該磁場并進一步影響了銅離子在電鍍液20中的分布。
典型的銅電鍍制程，可施加大約2伏特的電壓電位大約2分鐘，正極16與負極18(即晶片基底118)間的電鍍電流大約介于0.2至60毫安/平方厘米，旋轉晶片基底118的電鍍rpm大約介于0至500rpm。結果，銅在正極16的氧化表面22氧化，釋出的電子同時減少了硫酸銅電鍍液20中的銅離子，而形成介于負極18(即晶片基底118)與硫酸銅電鍍液20間的銅電極(未圖示)。一般來說，會利用電鍍液執行大約100秒的時間來沉積介電層126上的金屬層128。
由于電解液20中存在的聚合添加物25，使得沉積在晶種層119上的電鍍金屬層128形成一突出高度133低于大約2000埃的過度覆蓋突出132，相較于傳統電鍍制程形成的過度覆蓋突出134，過度覆蓋突出134的突出高度135高于6500埃以上。
此外，電鍍金屬層128特別對高深寬比的溝填有利，因此，基底118上的電鍍金屬層128對形成高品質的IC元件有極大貢獻，而當進行后續用來平滑或平坦化過度覆蓋突出132的化學機械平坦化(CMP)步驟時，也由于原本過度覆蓋突出134的尺寸向下縮減，使造成缺陷主因的CMP顆粒也隨之微小化。
雖然本發明已以較佳實施例公開如上，但其并非用以限定本發明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視權利要求書所界定的范圍為準。
符號說明10ECP系統；12可調式電流源；14電鍍容器； 16正極；18負極； 20ECP電解液；22電極表面； 24過濾支管；25聚合添加物； 30泵/過濾器；32、36槽輸入管； 34電解質儲存槽；38導線； 118晶片基底；119金屬晶種層；126介電層；127溝槽； 128金屬層；130金屬導線； 132、134過度覆蓋突出；133、135突出高度。
權利要求
1.一種電化學電鍍電解液，其特征在于包括一電解液；以及一聚合添加物，于該電解液中，該聚合添加物包含具有一芳香族單體與一芳香胺單體的聚合物。
2.根據權利要求1所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群。
3.根據權利要求1所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該芳香胺單體包含一官能基，該官能基擇自咪唑與咪唑衍生物所組成的族群。
4.根據權利要求1所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群。
5.根據權利要求1所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
6.一種電化學電鍍電解液，其特征在于包括一電解液；以及一聚合添加物，于該電解液中，該聚合添加物包含具有一芳香族單體與一芳香胺單體的聚合物且該等聚合物的正電荷密度大體介于1～6meq/g。
7.根據權利要求6所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群。
8.根據權利要求6所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該芳香胺單體包含一官能基，該官能基擇自咪唑與咪唑衍生物所組成的族群。
9.根據權利要求6所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
10.根據權利要求6所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該每一聚合物的分子量大體介于2000～40000。
11.根據權利要求10所述的電化學電鍍電解液，其特征在于該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
12.一種在電鍍表面電鍍金屬的方法，其特征在于包括下列步驟提供一電解液；混合一聚合添加物與該電解液，該聚合添加物包含具有一芳香族單體與一芳香胺單體的聚合物；浸泡一電鍍表面于該電解液中；以及電鍍一金屬至該電鍍表面。
13.根據權利要求12所述的在電鍍表面電鍍金屬的方法，其特征在于該芳香族單體包含一官能基，該官能基擇自苯與吡咯烷酮所組成的族群，該芳香胺單體包含一官能基，該官能基擇自咪唑與咪唑衍生物所組成的族群。
14.根據權利要求12所述的在電鍍表面電鍍金屬的方法，其特征在于該每一聚合物具有一CH3(CH2CHX)m(CH2CHYCH2)nCH3的化學式，X為一芳香族官能基，Y為一芳香胺官能基，m與n分別為該每一聚合物中該芳香族單體與該芳香胺單體的數目。
15.根據權利要求12所述的在電鍍表面電鍍金屬的方法，其特征在于該每一聚合物的分子量大體介于2000～40000且該等聚合物的正電荷密度大體介于1～6meq/g。
全文摘要
本發明涉及一種電化學電鍍電解液及在電鍍表面電鍍金屬的方法。該電化學電鍍電解液中含有一聚合添加物，其包含具有芳香族與芳香胺官能基單體的低正電荷密度共聚物，該低正電荷密度聚合物包括苯或吡咯烷酮官能基單體及咪唑或咪唑衍生物官能基單體。使用該聚合物的該方法可在最佳溝填能力下減少電鍍金屬上金屬的過度覆蓋。
文檔編號C25D3/00GK1676672SQ200510008770
公開日2005年10月5日 申請日期2005年2月25日 優先權日2004年2月27日
發明者石健學, 眭曉林 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司