專利名稱：電鍍陶瓷片電子元件的電極的方法
技術領域：
本發明涉及制造陶瓷片(ceramic chip)電子元件的電極的方法。具體地說，本發明涉及一種電鍍陶瓷片電子元件的電極的方法和具有由該方法電鍍的電極的陶瓷片電子元件。
背景技術：
通常用錫-鉛合金電鍍由陶瓷、玻璃、塑料等制成的電子元件的電極，以改進其焊接附著性(solder wettability)。由于非常希望無鉛電鍍，所以用錫代替錫-鉛合金用于電鍍電極。然而，錫的固有物理性能在電鍍時會引起各種問題。
尤其是，當對包含陶瓷和玻璃的陶瓷片電子元件(芯片)鍍錫時，芯片易于相互粘結。這種粘結，例如，是使用眾所周知的包含硫酸亞錫的弱酸性電鍍浴進行鍍錫造成的。
如圖1A-1C所示，這種粘結是指在鍍錫過程中至少兩塊芯片1的鍍錫部分(錫沉積部分)5相互粘結。據認為，粘結是由于比鍍錫-鉛膜軟的鍍錫膜的硬度造成的。
尤其是，當對芯片進行滾筒鍍時，在電鍍筒中各不相同地攪動各芯片。例如，在芯片很難攪動的區域中，芯片與相鄰的芯片接觸很長的一段時間。結果，這些相鄰的芯片相互粘結。
當在某一時間增加電鍍芯片的數目，則這種粘結問題變得尤其顯著。若發生粘結，則粘結的芯片本身是有缺陷的。另外，某些弱粘結的芯片在電鍍或干燥的過程中很有可能發生分離。在這些芯片分離部分上的電鍍膜的厚度是非常薄的，因此這些芯片是有缺陷的。這樣，有缺陷的芯片很有可能混在正常的芯片中。
尤其是，如圖1A所示，當相互粘結的兩塊芯片1分開時，在相互粘結的電鍍膜部分(分開部分5a)上的厚度會變得小得多，如圖2所示。例如，實際上測得的分開部分5a的厚度為0.1μm，這個厚度比正常鍍錫膜5的厚度(5μm)小得多。
具有這種非常薄的電鍍膜的芯片的安裝特性(如焊接性)退化。當芯片元件變得較小時，估計這種粘結問題會變得更為嚴重。
為了防止粘結問題，曾改進了芯片的加工條件。例如，減少在某一時間電鍍芯片的數目，以減少粘結。然而，為了防止工作效率下降并開發無鉛鍍錫，需要一種根本的解決方法。
發明內容
因此，本發明的一個目的是提供一種電鍍陶瓷片電子元件的電極的方法，此方法將鍍錫粘結限制在一定的程度，本發明還提供一種具有由該方法電鍍的電極的陶瓷片電子元件。
為此，一方面，本發明提供一種電鍍陶瓷片電子元件的電極的方法。該方法包括一個在電鍍浴中進行電鍍的步驟。電鍍浴包含氨基磺酸錫(II)作為錫(II)鹽；配合劑，它包括選自檸檬酸、葡糖酸、焦磷酸、庚酸、丙二酸、蘋果酸、這些酸的鹽和葡糖酸內酯(gluconic lactone)中的至少一種；和增亮劑，它包括至少一種HLB值為10或更大的表面活性劑。
使用氨基磺酸錫(II)作為錫鹽，就可以對陶瓷片電子元件進行無鉛鍍錫，獲得鍍錫的電極，同時能明顯減少粘結破壞。這是因為氨基磺酸錫(II)能形成這樣的電鍍膜，該電鍍膜由于氨基磺酸根離子的作用，即使電鍍膜不含鉛，也難以相互粘結。
鍍錫浴較好包含抗氧化劑，它包括選自氫醌、抗壞血酸、焦兒茶酚和間苯二酚中的至少一種。
將抗氧化劑加到鍍錫浴中，就可以防止電鍍浴中的錫(II)離子氧化成錫(IV)。這樣，就可以延長電鍍浴的壽命。
氨基磺酸錫(II)的濃度較好約為0.05-1.0mol/L。單位L代表103cm3。將氨基磺酸錫(II)的濃度設置在此范圍內，就可以獲得焊接附著性優良的光滑電鍍膜。
配合劑的濃度較好約為0.05-10mol/L。將配合劑的濃度設置在此范圍內，就可以從錫和配合劑制得穩定的配合物，這樣就可以在很寬的電流密度范圍內制得焊接附著性優良的光滑電鍍膜。
增亮劑的濃度較好約為0.01-100g/L。
將增亮劑的濃度設置在此范圍內，增亮劑的表面活性劑就形成膠體凝聚，從而顯著地改變溶液的特性。當表面活性劑遍及陰極(電鍍表面)并過量存在于電鍍浴中時，就會形成這種膠體凝聚。換句話說，形成膠體凝聚意味著在電鍍浴中存在足夠量的表面活性劑。因而，在電鍍浴中存在膠體凝聚就暗示陰極(電鍍表面)吸附了足夠量的表面活性劑，這樣就形成了光滑的電鍍膜。
抗氧化劑的濃度較好約為0.01-100g/L。
表面活性劑較好是在其分子結構中含至少一個苯環的非離子型表面活性劑。這樣，就可以在很寬的電流密度范圍內制得焊接附著性優良的鍍錫膜。非離子型表面活性劑較好包括選自聚氧乙烯烷基苯基醚、α-萘酚乙氧基化物和β-萘酚乙氧基化物中的至少一種。
電鍍浴的pH值較好約為3-8。這樣就可以防止陶瓷片元件的陶瓷元件組件溶解在電鍍浴中。同樣，在電鍍后的清洗過程中也可以防止使電鍍浴變混濁的氫氧化錫的形成。
電鍍較好是采用使用電鍍筒的滾筒鍍進行，所述電鍍筒選自水平式滾光筒(horizontal-rolling barrel)、傾斜式滾光筒、振動筒和搖動筒。
陶瓷片電子元件的大小較好約為5.7mm×5.0mm×4.0mm或更小。
另一方面，本發明提供一種包含用上述方法電鍍的電極的陶瓷片電子元件。所得的陶瓷片電子元件不會顯示出粘結破壞，而且具有優良的焊接附著性。
圖1A-1C是說明電鍍膜粘結性的透視圖；圖2是說明如圖1A所示的電鍍膜粘結時各分開部分的陶瓷片電子元件的截面圖；圖3A是本發明一個實施方案中的陶瓷片電子元件的平面圖，圖3B是圖3A所示陶瓷片電子元件的截面圖。
具體實施例方式
現在參考
本發明電鍍陶瓷片電子元件的電極的方法。
如圖3A所示，陶瓷片電子元件1包含基本上是平行六面體的陶瓷元件組件2和在陶瓷元件組件2縱向兩端的外電極3。陶瓷片電子元件1的大小，舉例來說，是寬度為5.0或5.7毫米，長度為5.7或5.0毫米，厚度為4.0毫米。如圖3B所示，在陶瓷元件組件2的內部，在內電極4之間交替地沉積有陶瓷層。內電極的數目是任意的。在這個實施方案中，使用鍍錫浴電鍍外電極3，在其表面上形成電鍍膜。在鍍錫前可以用鎳電鍍外電極3，形成下層。
鍍錫浴包含錫(II)鹽、配合劑和增亮劑。在此實施方案中，使用氨基磺酸錫(II)作為錫(II)鹽。
電鍍浴中氨基磺酸錫(II)的濃度較好至少約為0.05mol/L，更好約為0.1mol/L或更大。電鍍浴中氨基磺酸錫(II)的濃度較好限于約1mol/L，更好限于約0.7mol/L。這是因為當電流密度高時小于約0.05mol/L的氨基磺酸錫(II)會提高電鍍膜的表面粗糙度，而當電流密度低時大于約1mol/L的氨基磺酸錫(II)會提高表面粗糙度。這些電鍍膜的焊接附著性也會明顯變差。
配合劑包括選自檸檬酸、葡糖酸、焦磷酸、庚酸、丙二酸、蘋果酸、這些酸的鹽和葡糖酸內酯中的至少一種。
配合劑的濃度較好至少約為0.05mol/L，更好約為0.1mol/L或更大。配合劑的濃度較好限于約10mol/L，更好限于約4.5mol/L。這是因為，若配合劑與錫的摩爾比小于1，則無法從錫和配合劑制成穩定的配合物。若無法形成穩定的配合物，則在寬的電流密度范圍內無法制成焊接附著性優良的電鍍膜。因此，配合劑與錫的濃度比較好至少約為1。然而，大于約10mol/L的配合劑將不溶解在電鍍浴中。
增亮劑包括至少一種親水-親油平衡(HLB)值約為10或更大的表面活性劑。HLB值代表表面活性劑在親水性和親油性之間的平衡。HLB由美國AtlasPowder Co.的研究員設計出來，現在它用作表面活性劑親水性的一個指標。
HLB值小于約10的表面活性劑，即增亮劑，不溶解在具有上述組成的電鍍浴中。表面活性劑的HLB值必須為10或更大。
增亮劑更好包含至少一種在其分子結構中含至少一個苯環的非離子型表面活性劑。由于苯環對電鍍中的陰極(電鍍表面)具有可測的吸附性，所以預計增亮劑局部集中在電鍍區域中。這樣就可以獲得焊接附著性更為提高并且難以相互粘結的鍍錫膜。
非離子型表面活性劑較好包括選自聚氧乙烯烷基苯基醚、α-萘酚乙氧基化物和β-萘酚乙氧基化物中的至少一種。
增亮劑的濃度較好至少約為0.01g/L，更好約為0.1g/L或更大。增亮劑的濃度較好限于約100g/L，更好限于約10g/L。
增亮劑濃度約為0.01g/L是增亮劑表面活性劑的臨界膠束濃度。溶液中某些濃度的表面活性劑會形成膠體凝聚，從而顯著地改變溶液的特性。這種膠體凝聚稱為膠束，形成膠束的最低濃度稱為臨界膠束濃度。另一方面，大于約10g/L的增亮劑是過多和浪費的。由于過多的增亮劑不會影響電鍍特性，所以可以加入大于約10g/L的增亮劑，但大于約100g/L的增亮劑不溶解在電鍍浴中。當表面活性劑遍及陰極(電鍍表面)并過量存在于電鍍浴中時，就形成膠束。換句話說，形成膠束意味著在電鍍浴中存在足夠量的表面活性劑。因而，在電鍍浴中存在膠束就暗示陰極(電鍍表面)吸附了足夠量的表面活性劑，這樣就形成了光滑的電鍍膜。
電鍍浴可以包含抗氧化劑。抗氧化劑包含選自氫醌、抗壞血酸、焦兒茶酚和間苯二酚中的至少一種。將抗氧化劑加到鍍錫浴中，就可以防止電鍍浴中的錫(II)離子氧化成錫(IV)。這樣，就可以延長電鍍浴的壽命。
抗氧化劑的濃度較好至少約為0.01g/L，更好約為0.1g/L或更大。這是因為小于約0.01g/L的抗氧化劑不能充分地抑制錫的氧化。電鍍浴中抗氧化劑的濃度較好限于約100g/L，更好限于約10g/L。這是因為大于約10g/L的抗氧化劑是過多和浪費的。由于過多的抗氧化劑不會影響電鍍特性，所以可以加入大于約10g/L的抗氧化劑，但大于100g/L的抗氧化劑不溶解在電鍍浴中。
電鍍浴的pH值下限較好約為3，更好約為3.5。這是因為pH值為2或更小的電鍍浴很有可能提高陶瓷元件組件2的溶解度，從而溶解陶瓷元件組件2。電鍍浴的pH值上限較好約為8，更好約為7。這是因為在電鍍后的清洗中，pH值大于9的電鍍浴會產生使電鍍浴變混濁的氫氧化錫。這樣，pH值必須限制在上述范圍內。為了控制電鍍浴的pH值，使用pH調節劑。當pH值下降時，宜使用氨基磺酸、酰氨基磺酸(amidosulfonic acid)或硫酸作為pH調節劑。當pH值提高時，可以使用任何pH調節劑。
較好是將諸如氨基磺酸、氨基磺酸鹽、硫酸或硫酸鹽等導電劑(conductingagent)加到電鍍浴中，但并不局限于這些物質。
電鍍可以使用電鍍筒進行，所述電鍍筒選自滾光筒、水平式滾光筒、傾斜式滾光筒、振動筒和搖動筒。
陶瓷片電子元件的大小較好約為5.7mm×5.0mm×4.0mm或更小。當陶瓷片的大小比約5.7mm×5.0mm×4.0mm大時，粘結是不顯著的。
實施例現將參考實施例對本發明作進一步說明。然而，本發明并不局限于這些實施例，并且電鍍浴的組成和電鍍條件可以根據上述目的進行變動。
按下述方法評價實施例和對比例中制得的電鍍膜的焊接附著性和粘結性。
電鍍膜(具體是鍍元素錫的膜)的焊接附著性與電鍍膜的表面狀態相關，所述表面狀態可以通過Hull電池試驗用肉眼觀察。具體來說，通過形成具有光滑表面的層狀鍍錫膜來確保芯片電子元件所需的附著性。
因此，在實施例中，在Hull電池中形成電鍍膜，用肉眼觀察以確定電鍍膜是否滿足芯片電子元件的要求。Hull電池試驗使用黃銅板。
在不攪拌的情況下，在電流為0.2A時進行Hull電池試驗25分鐘。在電流密度為0.1-1.0A/dm2的范圍內，當在100％的陰極區域上形成有光澤的電鍍膜時，確定該電鍍膜是非常好的；當在80％或更多的陰極區域上形成有光澤的電鍍膜時，確定該膜是良好的；而當在小于80％的陰極區域上形成有光澤的電鍍膜時，確定該膜是不好的。
通過電鍍鋼球來評價粘結性。用作為下層的鎳電鍍鋼球，而后使用滾光筒在下述條件下用錫電鍍。所設置的電流密度比通常的高，因為評價是以加速試驗的方式在短時間內進行的。
鋼球的直徑為1.2mm，將30mL的鋼球放在體積為100mL的滾光筒中以12rpm的旋轉速度進行電鍍。
在溫度為60℃并且電流密度為3A/dm2的Watt浴中鍍鎳60分鐘；在溫度為25℃并且電流密度為0.4A/dm2下鍍錫120分鐘。
按下述公式從電鍍鋼球的重量獲得評價值粘結率(％)＝(粘結鋼球的重量(g)/鋼球的總重量(g))×100。根據這個評價值，確定粘結率小于10％是良好的，確定粘結率為10％或更大是不好的。評價時粘結率小于10％表明在成批生產線(mass production line)上的粘結率為0％。
(實施例1)參考下述實施例和對比例具體說明本發明電鍍陶瓷片電子元件的電極的方法。
表1列出了實施例1-1至1-5所用電鍍浴的組成和在這些電鍍浴中制得的電鍍膜的評價結果。
表1表明實施例1-1至1-5中的各電鍍浴在粘結率和Hull電池試驗中具有良好或非常好的結果，這樣它們可以制成優良的電鍍膜。
表2列出了對比例1-1至1-5所用電鍍浴的組成和在這些電鍍浴中制得的電鍍膜的評價結果。
如表2所示，在各對比例1-1至1-5中，用另一種錫鹽代替氨基磺酸錫(II)(對比例的數目與實施例的數目相對應)。
表2表明，與實施例1-1至1-5一樣，對比例1-1至1-5在Hull電池試驗中顯示出良好的結果，但粘結率大，因此認為它不好。換句話說，在對比例1-1至1-5中會發生粘結破壞。
實施例1-1至1-5和對比例1-1至1-5的結果，表明使用氨基磺酸錫(II)作為錫鹽會減少粘結破壞。這是因為氨基磺酸錫(II)能形成這樣的電鍍膜，該電鍍膜由于氨基磺酸根離子的作用而難以相互粘結。
在實施例1-1至1-5中氨基磺酸錫(II)的濃度為0.1-0.7mol/L，此范圍會獲得較好的結果。然而，氨基磺酸錫(II)的濃度較好約為0.05-1mol/L。這是因為，當電流密度高時小于約0.05mol/L的氨基磺酸錫(II)會提高電鍍膜的表面粗糙度，而當電流密度低時大于約1mol/L的氨基磺酸錫(II)會提高表面粗糙度。這些電鍍膜的焊接附著性也會明顯變差。
配合劑的濃度為1.00-4.50mol/L，此范圍會獲得較好的結果。然而，配合劑的濃度較好約為0.05-10mol/L。這是因為配合劑與錫的摩爾比若小于約1，則無法獲得穩定的配合物，因而在寬的電流密度范圍內無法獲得焊接附著性優良的較好電鍍膜。因此，配合劑與錫的濃度比較好至少約為1。然而，大于約10mol/L的配合劑將不溶解在電鍍浴中。
增亮劑的濃度為0.1-0.5g/L，此范圍會獲得較好的結果。然而，增亮劑的濃度較好至少約為0.01g/L。增亮劑的濃度較好限于約100g/L，更好限于約10g/L。增亮劑濃度約為0.01g/L是增亮劑表面活性劑的臨界膠束濃度。溶液中某些濃度的表面活性劑會形成膠體凝聚，從而明顯改變溶液的特性。這種膠體凝聚稱為膠束，形成膠束的最低濃度稱為臨界膠束濃度。然而，大于約10g/L的增亮劑是過多和浪費的。由于過多的增亮劑不會影響電鍍特性，所以可以加入大于約10g/L的增亮劑，但大于約100g/L的增亮劑不溶解在電鍍浴中。
抗氧化劑的濃度為0.5-1.0g/L，此范圍會獲得較好的結果。然而，抗氧化劑的濃度較好至少約為0.01g/L。這是因為小于約0.01g/L的抗氧化劑不能充分地抑制錫的氧化。抗氧化劑的濃度較好限于約100g/L，更好限于約10g/L。這是因為大于約10g/L的抗氧化劑是過多和浪費的。由于過多的抗氧化劑不會影響電鍍特性，所以可以加入大于約10g/L的抗氧化劑。然而，大于約100g/L的抗氧化劑不溶解在電鍍浴中。
電鍍浴的pH值為3.5-7，此范圍會獲得較好的結果。然而，電鍍浴的pH值較好約為3-8。這是因為pH值為2或更小的電鍍浴很有可能提高陶瓷元件組件的溶解度，從而溶解陶瓷元件組件。同樣，pH值大于9的電鍍浴在電鍍后的清洗過程中會產生使電鍍浴變混濁的氫氧化錫。因此，pH值必須限制在上述范圍內。為了控制電鍍浴的pH值，使用pH調節劑。當pH值下降時，宜使用氨基磺酸、酰氨基磺酸或硫酸作為pH調節劑。當pH值提高時，可以使用任何pH調節劑。
較好是將諸如氨基磺酸、氨基磺酸鹽、硫酸或硫酸鹽等導電劑加到電鍍浴中，但并不局限于這些物質。
電鍍可以使用電鍍筒進行，所述電鍍筒選自滾光筒、水平式滾光筒、傾斜式滾光筒、振動筒和搖動筒。
陶瓷片電子元件的大小較好約為5.7mm×5.0mm×4.0mm或更小。當陶瓷片的大小比約5.7mm×5.0mm×4.0mm大時，粘結是不顯著的。
(實施例2)為了獲得有光澤的電鍍膜，改變增亮劑的種類，按上述標準評價。由于已經知道表1所列的組成會獲得較好的結果，所以基于實施例1-1對增亮劑進行評價。具體來說，用表3所列實施例2-1至2-5的增亮劑代替實施例1-1的增亮劑，制備實施例2-1至2-5的電鍍浴。pH值設置為5。
表3表明在實施例2-1至2-5中的各電鍍浴在粘結率和Hull電池試驗上都具有良好或非常好的結果。尤其是，實施例2-2和2-3被認為是非常好的。這兩個實施例的增亮劑都是在其分子結構中含有至少一個苯環的非離子型表面活性劑。對在電鍍浴中形成的電鍍膜來說需要焊接附著性和抗粘結性。因此，宜使用表3中所示確定為在Hull電池試驗中是非常好的電鍍浴。具體來說，增亮劑較好包括在其分子結構中含有至少一個苯環的非離子型表面活性劑。
在實施例2-1至2-5中，氨基磺酸錫(II)的濃度為0.2mol/L。然而，氨基磺酸錫(II)的濃度較好約為0.05mol/L或更大，更好約為0.1mol/L或更大。這是因為當電流密度高時小于約0.05mol/L的氨基磺酸錫(II)會提高電鍍膜的表面粗糙度，而當電流密度低時大于約1mol/L的氨基磺酸錫(II)會提高表面粗糙度。這些電鍍膜的焊接附著性也會明顯變差。
電鍍浴中配合劑的濃度為1.50mol/L。然而，配合劑的濃度較好約為0.05-10mol/L。這是因為配合劑與錫的摩爾比若小于約1，則無法獲得穩定的配合物，因而在寬的電流密度范圍內無法獲得焊接附著性優良的較好電鍍膜。因此，配合劑與錫的濃度比較好至少約為1。然而，大于約10mol/L的配合劑將不溶解在電鍍浴中。
電鍍浴中增亮劑的濃度為0.3g/L。然而，增亮劑的濃度較好至少約為0.01g/L。增亮劑的濃度較好限于約100g/L，更好限于約10g/L。增亮劑濃度約為0.01g/L是增亮劑的臨界膠束濃度，也可用作表面活性劑。溶液中特定濃度或更高濃度的增亮劑會形成膠體凝聚，從而明顯改變溶液的特性。這種膠體凝聚稱為膠束，形成膠束的最低濃度稱為臨界膠束濃度。大于約10g/L的增亮劑是過多和浪費的。由于過多的增亮劑不會影響電鍍特性，所以可以加入大于約10g/L的增亮劑，但大于約100g/L的增亮劑不溶解在電鍍浴中。
電鍍浴中抗氧化劑的濃度為1.0g/L。然而，抗氧化劑的濃度較好至少約為0.01g/L。這是因為小于約0.01g/L的抗氧化劑不能充分地抑制錫的氧化。抗氧化劑的濃度較好限于約100g/L，更好限于約10g/L。這是因為大于約10g/L的抗氧化劑是過多和浪費的。由于過多的抗氧化劑不會影響電鍍特性，所以可以加入大于約10g/L的抗氧化劑。然而，大于約100g/L的抗氧化劑不溶解在電鍍浴中。
電鍍浴的pH值設置為5.0。然而，電鍍浴的pH值較好約為3-8。這是因為pH值為2或更小的電鍍浴很有可能提高陶瓷元件組件的溶解度，從而溶解陶瓷元件組件。同樣，pH值大于9的電鍍浴在電鍍后的清洗過程中會產生使電鍍浴變混濁的氫氧化錫。因此，pH值必須限制在上述范圍內。為了控制電鍍浴的pH值，使用pH調節劑。當pH值下降時，宜使用氨基磺酸、酰氨基磺酸或硫酸作為pH調節劑。當pH值提高時，可以使用任何pH調節劑。
較好是將諸如氨基磺酸、氨基磺酸鹽、硫酸或硫酸鹽等導電劑加到電鍍浴中，但并不局限于這些物質。
電鍍可以使用電鍍筒進行，所述電鍍筒選自滾光筒、水平式滾光筒、傾斜式滾光筒、振動筒和搖動筒。
陶瓷片電子元件的大小較好約為5.7mm×5.0mm×4.0mm或更小。當陶瓷片的大小比約5.7mm×5.0mm×4.0mm大時，粘結是不顯著的。
按本發明，通過使用氨基磺酸錫(II)作為錫鹽電鍍陶瓷片元件，在該芯片元件的電極上可以形成電鍍膜，同時顯著地減少粘結破壞，而不管片的大小如何。這是因為氨基磺酸錫(II)能形成這樣的電鍍膜，該電鍍膜由于氨基磺酸根離子的作用而難以相互粘結。同樣，通過使用在其分子結構中含有至少一個苯環的非離子型表面活性劑作為增亮劑，可以在寬的電流密度范圍內制得焊接附著性優良的鍍錫膜。
權利要求
1.一種制造陶瓷片電子元件的電極的方法，它包括在電鍍浴中電鍍芯片元件，所述電鍍浴包含氨基磺酸錫(II)作為錫(II)鹽；配合劑，它包括選自檸檬酸、葡糖酸、焦磷酸、庚酸、丙二酸、蘋果酸、這些酸的鹽和葡糖酸內酯中的至少一種；和增亮劑，它包括至少一種HLB值約為10或更大的表面活性劑。
2.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中電鍍浴包含抗氧化劑，它包括選自氫醌、抗壞血酸、焦兒茶酚和間苯二酚中的至少一種。
3.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中氨基磺酸錫(II)的濃度約為0.05-1.0mol/L。
4.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中配合劑的濃度約為0.05-10mol/L。
5.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中增亮劑的濃度約為0.01-100g/L。
6.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中抗氧化劑的濃度約為0.01-100g/L。
7.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中表面活性劑是在其分子結構中含至少一個苯環的非離子型表面活性劑。
8.如權利要求7所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中非離子型表面活性劑包括選自聚氧乙烯烷基苯基醚、α-萘酚乙氧基化物和β-萘酚乙氧基化物中的至少一種。
9.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中電鍍浴的pH值約為3-8。
10.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中電鍍是采用滾筒鍍進行的，所述電鍍筒選自水平式滾光筒、傾斜式滾光筒、振動筒和搖動筒。
11.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中陶瓷片電子元件的大小約為5.7mm×5.0mm×4.0mm或更小。
12.如權利要求1所述的制造陶瓷片電子元件的電極的方法，其中氨基磺酸錫(II)的濃度約為0.1-0.7mol/L；配合劑的濃度約為0.1-4.5mol/L；增亮劑的濃度約為0.1-10g/L；抗氧化劑的濃度約為0.1-10g/L；和pH值約為3.5-7。
全文摘要
一種電鍍陶瓷片電子元件的電極的方法，它包括在電鍍浴中進行電鍍。電鍍浴包含氨基磺酸錫(II)作為錫(II)鹽；配合劑，它包括選自檸檬酸、葡糖酸、焦磷酸、庚酸、丙二酸、蘋果酸、這些酸的鹽和葡糖酸內酯中的至少一種；和增亮劑，它包括至少一種HLB值約為10或更大的表面活性劑。可以將所得陶瓷片電子元件的鍍錫粘結限于某一程度。
文檔編號C25D7/00GK1405359SQ0214272
公開日2003年3月26日 申請日期2002年9月13日 優先權日2001年9月13日
發明者元木章博, 樋口莊一, 高野良比古, 浜田邦彥 申請人:株式會社村田制作所