石墨烯納米帶及其制備方法
【專利摘要】本發明屬于石墨烯材料【技術領域】,具體涉及一種石墨烯納米帶及其制備方法。石墨烯納米帶的導電率為112S/cm~500S/cm,比表面積為312m2/g~700m2/g,密度為0.4g/cm-3~1.2g/cm-3,長度為200nm~50μm,制備此石墨烯納米帶的技術方案為:將一定濃度的氧化石墨烯溶液迅速冷凍固化,使氧化石墨烯折疊收縮形成帶狀結構,再進行冷凍干燥,即為氧化石墨烯納米帶,最后將其經還原處理得到石墨烯納米帶。本發明制備的石墨烯納米帶可廣泛應用于導熱復合材料、儲能材料、吸附材料、超級電容器電極材料等領域,并且制備石墨烯納米帶的方法簡單,成本較低,有望實現石墨烯納米帶的大規模生產。
【專利說明】石墨烯納米帶及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及石墨烯材料制備【技術領域】,具體涉及一種導電率高、比表面積大、低密度的石墨烯納米帶及其制備方法。
【背景技術】
[0002]石墨烯是由單層碳原子組成的二維晶體,具有超高比表面積、優良的導電、導熱性能以及超高的機械強度等優異的性能,因此使其在很多領域有良好的應用前景,例如:場效應晶體管、高頻器件、超級微處理器和單分子探測器、可控透氣膜、各向異性離子傳導體、超級電容器等領域。然而石墨烯應用的一大阻礙問題就是石墨烯宏觀結構的組裝,目前在石墨烯薄膜以及塊體組裝方面有較多成功案例,但目前石墨烯納米帶的制備方法較少。
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【發明者】閔永剛, 范天舉, 宋建軍, 劉屹東 申請人:南京新月材料科技有限公司, 鹽城增材科技有限公司, 鑫月華科技(杭州)有限公司