包括機械加強蓋并且具有吸氣效應的封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種包括機械加強蓋并且具有吸氣效應的封裝結構。一種用于封裝至少一個微型裝置(104)的結構(100)，所述至少一個微型裝置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一個在所述基底和剛性地附接到所述基底上的蓋(106)之間形成的腔(110)中，其中，所述蓋至少包括：一層第一材料層(112)，所述第一材料層(112)的一個表面(114)形成了所述腔的內壁，以及剛性地附接到所述第一材料層的至少所述表面上的機械加強部分(116)，所述機械加強部分(116)部分地覆蓋所述第一材料層的所述表面并且具有氣體吸收和/或吸附性能，并且其中，所述機械加強部分的第二材料的楊氏模量高于所述第一材料的楊氏模量。
【專利說明】包括機械加強蓋并且具有吸氣效應的封裝結構
【技術領域】
[0001] 本發明涉及封裝結構的領域，所述封裝結構包括以密封形式（例如，在受控大氣 中）被封裝在一個或多個腔中的一個或多個微型裝置。本發明有利地應用于微電子機械系 統（electromechanical microsystem，MEMS)類型的共振微型裝置的封裝。
【背景技術】
[0002] 術語"微型裝置"表示微電子機械系統（electromechanical microsystem, MEMS)類型、納米機電系統（electromechanical nanosystem，NEMS)類型和微光機電系統 (opto-electromechanical microsystem，M0EMS)類型連同任何類型的電子、光學或光電部 件或微部件的任何微系統。
[0003] 當前存在兩個系列的微型裝置的封裝技術或"預包裝"技術，在處理所述微型裝置 時并且在隨后的實施步驟（切割、包裝等）期間，所述技術使這些微型裝置能夠被保護并且 具體地使這些微型裝置的移動部分能夠被保護：
[0004] -晶片蓋包裝（Wafer Cap Packaging),其中，所述蓋由基體或娃或玻璃的晶片形 成，所述蓋通常是微加工的并且被接合到布置有微型裝置的基體，其中，該蓋于是被制造得 較薄，直到獲得數十微米的厚度，以通過其最終包裝或通過考慮到將其在三維尺寸中與其 它部件堆疊而使該部件的封裝優化；
[0005] -薄膜封裝（Thin Film Packaging,TFP)，包括在微型裝置的正上方制造形成封裝 有所述微型裝置的結構的蓋的薄膜（例如，厚度在1和10微米之間）。
[0006] 考慮到以這種方式被封裝的微型裝置受到的處理操作，重要的是，保護這些微型 裝置的蓋具有足夠的機械抗耐性，以便抵抗由這些處理操作引起的應力。
[0007] 多個類型的機械加強件已經被提出，以增大這些薄蓋或較薄蓋的穩健性，所述薄 蓋或較薄蓋例如在包覆成型的步驟期間受到等于或大約100巴的壓力，所述壓力通常導致 重大變形，所述重大變形可以導致所述蓋受到該力而破裂。
[0008] 文件FR 2 901 264描述了從蓋（通過沉積一個或多個薄層獲得）的上壁突出的 形式的機械加強件的制造。然而，該方法僅與由薄層制成的蓋的制造兼容并且不與通過晶 片蓋包裝的蓋的制造兼容。另外，通過在所述腔的外部制造的這種加強件，存在以下的高風 險：分層可在所述加強件和所述蓋之間發生，因為如果由突出元件限定的組件比所述蓋的 更機械剛性，施加在所述蓋上的力于是能夠導致所述蓋和所述加強件之間的分層。最后，在 該文件中描述的加強件不能滿足能夠承受高于或等于大約100巴的壓力的封裝結構，所述 壓力為當按照這種方式實施被封裝的微型裝置的包覆成型的步驟時受到的壓力。
[0009] 文件FR 2 955 999描述了經由覆蓋所述蓋的一部分機械加強件的局部沉積的通 過一個或多個薄層的沉積獲得的蓋的機械加強件。盡管獲得的機械加強件在給予所述蓋的 機械抗耐性方面是令人滿意的，但是按照這種方式制造的覆蓋所述蓋的整個表面的連續加 強區域防止進入所述蓋或所述微型裝置，例如，防止所述蓋的內部上或所述封裝微型裝置 上的檢查或光學測量。另外，位于所述加強材料和所述封裝層之間的界面處的殘留應力能 夠對所述界面的機械性能起到有害的作用。最后，該方法僅與由薄層制成的蓋的制造兼容 并且不與通過晶片蓋包裝形成的蓋的制造兼容。
[0010] 最后，在以上描述的機械加強方案中，沒有描述控制封裝有所述微型裝置的大氣 的方案。
【發明內容】
[0011] 本發明的一個目的在于提出一種封裝結構，所述封裝結構的蓋被機械地加強，所 述封裝結構與通過薄膜包裝或通過晶片蓋包裝的制造相匹配，并且所述封裝結構的環境能 夠容易地控制。
[0012] 為此，本發明提出一種用于封裝至少一個微型裝置的結構，所述至少一個微型裝 置被制造在基底上和/或基底中并且被定位在至少一個在所述基底和剛性地附接到所述 基底上的蓋之間形成的腔中，其中，所述蓋至少包括：
[0013] -一層第一材料層，所述第一材料層的一個表面形成了所述腔的內壁，以及
[0014] -剛性地連接到所述第一材料層的至少所述表面上的機械加強部分，所述機械加 強部分部分地覆蓋所述第一材料層的所述表面并且具有氣體吸收和/或吸附性能，其中， 這些機械加強部分包括至少一種第二材料，所述第二材料的楊氏模量高于所述第一材料的 楊氏模量。
[0015] 按照這種方式包含在所述蓋中的機械加強部分加強并且極大地鞏固了所述封裝 結構并且具體地使得對所述封裝結構經受的處理和包裝的最后階段具有抵抗性。另外，通 過在所述腔的內壁中制造其材料的楊氏模量高于所述蓋的層的材料的楊氏模量的這些機 械加強部分，該蓋的制造與有利的變薄基底的薄膜包裝和晶片蓋包裝相匹配。該封裝結構 僅使用與傳統微電子技術相匹配的兀件。
[0016] 另外，所述機械加強部分具有氣體吸收和/或吸附性能，即，所述機械加強部分包 括根據腔中的殘余氣體的性質和分壓力將使所述腔中的環境能夠被控制的更好的功能。
[0017] 該封裝結構有利地被用于在微型裝置被包含在最終的包裝線中之前保護例如包 括可移動部件（自由梁或嵌入式梁、膜片、測震質量塊、微型管等）的慣性類型的MEMS的微 型裝置。即，另外通過使用低成本的制造技術被實施。該封裝結構還能夠被直接轉移到印 刷電路或印刷電路板（"Printed Circuit Board", PCB)上。
[0018] 所述第二材料可以為金屬吸氣材料。因此，可以通過具有具有氣體吸收和/或吸 附性能和高的機械抗耐性的材料來制造機械加強部分。
[0019] 每個所述機械加強部分可以包括至少一個所述第二材料的第一層和至少一個第 三金屬吸氣材料的第二層，使得所述第二材料的第一層被定位為抵靠所述第一材料的層并 且抵靠所述第三材料的第二層和/或被所述第三材料的第二層覆蓋。
[0020] 利用這種方式，將所述機械加強部分的每一個制造為具有材料的這些不同層使與 用于形成所述機械加強部分的材料的最大制造厚度有關的應力能夠被克服。所述機械加強 部分的該多層結構有利地被用于制造厚度大于大約〇. 5微米的機械加強部分。
[0021] 另外，按照該構造，所述第二材料的第一層能夠被用作用于調節所述金屬的第三 吸氣材料的熱活化溫度的子層。所述第二材料可以在該情況下為例如為鉻（Cr)和/或鈦 (Ti)和/或鈷（Co)和/或鐵（Fe)和/或錳（Mn)和/或鑰（Mo)和/或鉭（Ta)和/或釩 (V)和/或鎢（W)和/或有利地為釕（Ru)和/或鉬（Pt)和/或鉻（Cr)和/或鎳（Ni)的 金屬。用于該調節子層的制造的細節例如在文件FR 2 922 202中被描述。
[0022] 每個所述機械加強部分可以包括堆疊的層，所述堆疊的層的至少兩層形成了在所 述蓋上施加指向所述腔外部的力的雙金屬條。
[0023] 所述第一材料可以由硅和/或二氧化硅和/或氮化硅制成，并且所述第二材料可 以由鉻（Cr)和/或鈦（Ti)和/或鈷（Co)和/或鐵（Fe)和/或錳（Mn)和/或鑰（Mo)和 /或鉭（Ta)和/或釩（V)和/或鎢（W)和/或鈀（Pd)和/或銠（Rh)和/或鉬（Pt)和/ 或釕（Ru)和/或锫（Zr)制成。當所述金屬吸氣材料中的一種材料包含锫（Zr)時,該材料 可以與上述的另一種材料中的一種材料相關聯，所述另一種材料中的一種材料的楊氏模量 高于所述第一材料的楊氏模量。
[0024] 所述金屬吸氣材料可以由鉻（Cr)和/或鈦（Ti)和/或鈷（Co)和/或鐵（Fe)和 /或錳（Mn)和/或鑰（Mo)和/或鉭（Ta)和/或釩（V)和/或鎢（W)和/或鈀（Pd)和/ 或銠（Rh)和/或鉬（Pt)和/或釕（Ru)和/或鋯（Zr)制成。
[0025] 語句"制成"可同等地表示討論中的材料和其合金中的一種。
[0026] 每個所述機械加強部分可以具有大致直角的平行六面體形狀，并且所述機械加強 部分可以被定位成大致相互平行。作為變形，所述機械加強部分可以在所述第一材料的層 的該表面上形成網格。機械加強部分的這些構造使這些部分可以在所述第一材料的層中出 現裂縫的意外情況下通過轉移所述第一材料的層和所述機械加強部分之間的界面處的這 些裂縫而起到積極的作用。
[0027] 比率r = h/H可以介于大約0. 6和0. 9之間，并且比率R = b/t可以大于或等于 大約0.7,其中：
[0028] h :所述第一材料的層的厚度；
[0029] H :h和一個所述機械加強部分的厚度之和；
[0030] b :-個所述機械加強部分的寬度；
[0031] t :在所述第一材料的層上定位所述機械加強部分的周期性間距。
[0032] 所述封裝結構還可以包括始終經過所述基底和/或所述第一材料的層并且靠近 所述腔制造的導電通路。該通路可以形成例如連接到所述封裝的微型裝置上的電力點。
[0033] 本發明涉及一種微型電子裝置，所述微型電子裝置包括至少兩個彼此上下定位的 上述封裝結構，其中，所述兩個封裝結構中的第一封裝結構的至少一個導電通路直接地或 通過插入器被電連接到所述兩個封裝結構中的第二封裝結構的至少一個導電通路上。因 此，例如可將按照這種方式被封裝的至少兩個微型裝置電氣性地連接，所述微型裝置的封 裝結構被彼此上下疊覆。當這些封裝結構的蓋為薄層或變薄的基底時，按照這種方式獲得 的裝置是薄的并且方便沿所述封裝結構的三個尺寸的組裝（即，這些封裝結構的疊覆）。所 述疊覆的微型裝置可以具有不同的功能，一個功能例如對應于陀螺儀并且另一個功能對應 于加速度計。該微型電子裝置可以被直接轉移到PCB上。
[0034] 本發明還涉及一種封裝至少一個微型裝置的方法，所述方法至少包括以下步驟：
[0035] -在基底上和/或基底中制造所述微型裝置；
[0036] -制造剛性地附接到第一材料層的至少一個表面上的機械加強部分，所述機械加 強部分部分地覆蓋所述第一材料層的所述表面并且具有氣體吸收和/或吸附性能，其中， 所述第一材料層和所述機械加強部分形成了蓋；
[0037] -將所述蓋剛性地附接到所述基底上，使得所述微型裝置被封裝在所述蓋和所述 基底之間形成的腔中；
[0038] 并且其中，所述機械加強部分包括至少一種第二材料，所述第二材料的楊氏模量 高于所述第一材料的楊氏模量。
[0039] 通過晶片蓋包裝的封裝的該方法使上述的封裝結構可以被獲得。該方法還對應于 通過轉移由一個或多個薄層沉積到模具中形成的蓋而封裝的方法。
[0040] 本發明還涉及一種封裝至少一個微型裝置的方法，所述方法至少包括以下步驟：
[0041] -在基底上和/或基底中制造所述微型裝置；
[0042]-至少在所述微型裝置上制造犧牲材料的部分，使得被所述犧牲材料的部分占據 的體積等于將要封裝所述微型裝置的腔的體積的至少一部分；
[0043]-在所術犧牲材料的部分上和/或所述犧牲材料的部分中制造具有氣體吸收和/ 或吸附性能的機械加強部分；
[0044]-沉積至少覆蓋所述機械加強部分和所述犧牲材料的部分的第一材料的層；
[0045]-蝕刻所述犧牲材料的部分，從而形成封裝所述微型裝置的所述腔；
[0046] 并且其中，所述機械加強部分包括至少一種第二材料，所述第二材料的楊氏模量 高于所述第一材料的楊氏模量。
[0047] 通過TFP封裝的該方法使上述的封裝結構可以被獲得。
[0048] 每個所述機械加強部分可以至少通過沉積所述第二材料的第一層并且沉積和第 三金屬吸氣材料的第二層來制造，使得所述第二材料的第一層被定位在所述第一材料的層 和所述第三材料的第二層之間和/或被所述第三材料的第二層覆蓋。
[0049] 每個所述機械加強部分可以通過沉積堆疊的層而被制造，所述堆疊的層的至少兩 層形成了在所述蓋上施加指向所述腔外部的力的雙金屬條。
[0050] 所述方法還可以包括在將所述蓋剛性地附接到所述基底或蝕刻所述犧牲材料的 部分之后，始終經過所述基底和/或所述第一材料的層并且靠近所述腔來制造導電通路。
[0051] 最后，本發明涉及一種用于制造微型電子裝置的方法，所述方法包括在形成有至 少兩個封裝結構的情況下實施上述的封裝的方法，其中，所述封裝結構彼此上下定位，其 中，所述兩個封裝結構中的第一封裝結構的導電通路于是直接地或通過插入器被電連接到 所述兩個封裝結構中的第二封裝結構的至少一個導電通路上。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0052] 根據閱讀參考附圖的僅作為示例給出并且決不限制的示例性實施例的說明，將更 好地理解本發明，在附圖中：
[0053] 圖1根據第一實施例表示形成本發明的目標的封裝結構的剖視圖；
[0054] 圖2和3分別表示形成本發明的目標的封裝結構的蓋的第一示例性實施例的部分 剖視圖和仰視圖；
[0055] 圖4和5表示形成本發明的目標的根據所述第一示例性實施例的封裝結構的蓋的 變形的局部剖視圖；
[0056] 圖6表示形成本發明的目標的封裝結構的蓋的第二示例性實施例的部分仰視圖；
[0057] 圖7根據第一實施例的變形表示形成本發明的目標的封裝結構的剖視圖；
[0058] 圖8根據第二實施例表示形成本發明的目標的封裝結構的剖視圖；
[0059] 圖9A和9B根據其它變形實施例表示形成本發明的目標的封裝結構的剖視圖；
[0060] 圖IOA和IOB表示形成本發明的目標的微型電子裝置的剖視圖，所述微型電子裝 置包括也形成了本發明的目標的疊覆的且被電氣性連接到彼此的數個封裝結構；
[0061] 圖IOC表示通過插入器被電氣性連接到彼此的數個封裝結構和微型電子裝置的 剖視圖；
[0062] 圖IIA-IIE表示根據第二實施例的制造本發明的目標的封裝結構的方法的步驟；
[0063] 圖12A-12F表示根據第一實施例的制造本發明的目標的封裝結構的方法的步驟。
[0064] 以上描述的各個附圖的相同的、相似的或相等的部分具有相同的附圖標記，以使 得更易于從一個附圖到另一個切換。
[0065] 附圖中示出的各個部分不一定按相同比例示出，以便使附圖更易讀。
[0066] 各種可能性（變形和實施例）必須被理解為不相互排斥并且可以相互結合。
【具體實施方式】
[0067] 首先參考圖1，圖1示出了根據第一實施例的封裝結構100的剖視圖。
[0068] 封裝結構100包括基底102,微型裝置104制造在所述基底102中。該微型裝置 104例如為包括一個或多個可移動部分（梁、薄膜、測震質量塊、微型管等）的慣性類型的微 電子機械系統（electromechanical microsystem, MEMS)。蓋106通過密封焊道108被剛 性地附接到基底102上，所述密封焊道108側向地限定了腔110,微型裝置104被封裝在所 述腔110中。蓋106包括對應于厚度例如在大約5微米和100微米之間變薄基底的第一材 料層112。層112的表面114形成腔110的內壁，所述內壁在該情況下為腔110的上壁。最 后，具有氣體吸收和/或吸附特性并且包括至少一個金屬吸氣材料的機械加強部分116抵 靠層112的表面116被制造，從而使所述蓋106具有氣體泵送和機械加工的雙重功能。
[0069] 蓋106的第一示例性實施例結合圖2和3被描述，圖2和3分別示出了蓋106的 一部分的剖視圖和仰視圖。
[0070] 在該第一示例性實施例中，機械加強部分116的每一個具有直角的平行六面體形 狀并且抵靠層112的表面114定位。這些機械加強部分116相互靠近地定位并且相互平行 (并且在圖2和3中示出的示例中平行于軸線Y對準）。所述機械加強部分116的每一個 具有長度1 (沿軸線Y的尺寸），所述長度1大致等于所述表面114的形成腔110的上壁的 部分的寬度（所述寬度具體地取決于腔110的尺寸和被封裝的微型裝置104的尺寸）。機 械加強部分116分布在表面114的該部分的整個長度上，以便機械地鞏固腔110的整個上 壁。表面114的未被機械加強部分116覆蓋的外周部分具體地對應于層112的意在與密封 焊道108接觸的部分。機械加強部分116的每一個具有寬度b (沿X的尺寸），其中，這些部 分116以周期性間距t被相互靠近地定位，其中，該周期性間距等于寬度b和將兩個機械加 強部分分離的間隔的和。最后，層112具有厚度h (沿軸線Z的尺寸），并且蓋106具有總厚 度H，所述總厚度H等于層112的厚度h和機械加強部分116的厚度的和（其中，每個機械 加強部分116因此具有等于H-h的厚度。
[0071] 為了機械加強部分116起蓋106的機械加強和氣體泵送的作用，這些部分116在 該第一不例性實施例中被制造為具有金屬吸氣材料，所述金屬吸氣材料的楊氏模量高于或 等于層112的第一材料的楊氏模量（其中，所述第一材料在該情況下為娃，娃的楊氏模量大 約等于IlOGPa)。因此，在該第一示例性實施例中，機械加強部分116的每一個包括一個或 多個以下材料中的一部分：鉻、鑰、鉭、鎢、釩、鈷、鐵、錳、鎳、銅、釕、鉬。當層112由二氧化 硅制成并且包含例如玻璃時，機械加強部分116還可以包括鉿和/或鈮和/或鈦，所述玻 璃例如為派熱克斯玻璃（Pyrex?)類型的玻璃（楊氏模量等于7〇GPa)或沉積的二氧化硅 (SiO2)的玻璃（例如，在由薄層沉積形成的蓋的情況下）。
[0072] 有利地，機械加強部分116的尺寸和定位被設置為使得比率r = h/H大約位于0. 6 和0. 9之間并且使得比率R = b/t大于或等于0. 7。更準確地來說，考慮到參數M = E (X) / E 〇?) (E⑴為機械加強部分116的材料的楊氏模量并且E(Y)為層112的第一材料的楊氏 模量）、參數〇 = H/b以及慣性矩的比率Dy/D = 2,其中，Dy等于蓋106的慣性矩（第一材 料112的層+機械加強部分116)并且D等于第一材料層112本身（即，沒有機械加強部分 116)的慣性矩，比率!和R可以如下表所示地被選擇：
[0073]
【權利要求】
1. 一種用于封裝至少一個微型裝置（104)的結構（100)，所述至少一個微型裝置（104) 被制造在基底（102)上和/或基底（102)中并且被定位在至少一個在所述基底（102)和剛 性地附接到所述基底（102)上的蓋（106)之間形成的腔（110)中，其中，所述蓋（106)至少 包括： 一層第一材料層（112)，所述第一材料層（112)的一個表面（114)形成所述腔（110)的 內壁，以及 剛性地連接到所述第一材料層（112)的至少所述表面（114)上的機械加強部分（116)， 所述機械加強部分（116)部分地覆蓋所述第一材料層（112)的所述表面（114)并且具有氣 體吸收和/或吸附性能，其中，這些機械加強部分（116)包括至少一種第二材料，所述第二 材料的楊氏模量高于所述第一材料的楊氏模量。
2. 根據權利要求1所述的封裝結構（100)，其中，所述第二材料為金屬吸氣材料。
3. 根據前述權利要求中任一項所述的封裝結構（100)，其中，每個所述機械加強部分 (116)包括至少一個所述第二材料的第一層（118)和至少一個第三金屬吸氣材料的第二層 (120)，使得所述第二材料的第一層（118)被定位在所述第一材料的層（112)和所述第三材 料的第二層（120)之間和/或被所述第三材料的第二層（120)覆蓋。
4. 根據前述權利要求中任一項所述的封裝結構（100)，其中，每個所述機械加強部 分（116)包括堆疊的層（118,120)，所述堆疊的層（118,120)的至少兩層形成了在所述蓋 (106)上施加指向所述腔（110)外部的力的雙金屬條。
5. 根據前述權利要求中任一項所述的封裝結構（100)，其中，所述材料由硅和/或二氧 化硅和/或氮化硅制成，并且所述第二材料由鉻（Cr)和/或鈦（Ti)和/或鈷（Co)和/或 鐵（Fe)和/或錳（Mn)和/或鑰（Mo)和/或鉭（Ta)和/或釩（V)和/或鎢（W)和/或鈀 (Pd)和/或銠（Rh)和/或鉬（Pt)和/或釕（Ru)和/或鋯（Zr)制成。
6. 根據權利要求2-5中任一項所述的封裝結構（100)，其中，所述金屬吸氣材料由鉻 (Cr)和/或鈦（Ti)和/或鈷（Co)和/或鐵（Fe)和/或錳（Mn)和/或鑰（Mo)和/或鉭 (Ta)和/或釩（V)和/或鎢（W)和/或鈀（Pd)和/或銠（Rh)和/或鉬（Pt)和/或釕 (Ru)和/或鋯（Zr)制成。
7. 根據前述權利要求中任一項所述的封裝結構（100)，其中，每個所述機械加強部分 (116)具有大致直角的平行六面體形狀，并且其中，所述機械加強部分（116)被定位成大致 相互平行。
8. 根據權利要求1-6中任一項所述的封裝結構（100)，其中，所述機械加強部分（116) 在所述第一材料的層（112)的所述表面（114)上形成了網格。
9. 根據前述權利要求中任一項所述的封裝結構（100)，其中，比率r = h/H介于大約 0.6和0.9之間，并且比率R = b/t大于或等于大約0.7,其中： h :所述第一材料的層（112)的厚度； H:h和一個所述機械加強部分（116)的厚度之和； b :-個所述機械加強部分（116)的寬度； t :在所述第一材料的層（112)上定位所述機械加強部分（116)的周期性間距。
10. 根據前述權利要求中任一項所述的封裝結構（100)，還包括始終經過所述基底 (102)和/或所述第一材料的層（112)并且靠近所述腔（110)制造的導電通路（126)。
11. 一種微型電子裝置（1000)，所述微型電子裝置（1000)包括至少兩個彼此上下定位 的根據權利要求10所述的封裝結構（100. 1，100. 2)，其中，所述兩個封裝結構中的第一封 裝結構（100. 1)的至少一個導電通路（126)直接地或通過插入器（1010)被電連接到所述 兩個封裝結構中的第二封裝結構（100. 2)的至少一個導電通路（126)上。
12. -種封裝至少一個微型裝置（104)的方法，至少包括以下步驟： 在基底（102)上和/或基底（104)中制造所述微型裝置（104); 制造剛性地附接到第一材料層（112)的至少一個表面（114)上的機械加強部分（116)， 所述機械加強部分（116)部分地覆蓋所述第一材料層（112)的所述表面（114)并且具有氣 體吸收和/或吸附性能，其中，所述第一材料層（112)和所述機械加強部分（116)形成了蓋 (106)； 將所述蓋（106)剛性地附接到所述基底（102)上，使得所述微型裝置（104)被封裝在 所述蓋（106)和所述基底（102)之間形成的腔（110)中； 并且其中，所述機械加強部分（116)包括至少一種第二材料，所述第二材料的楊氏模 量高于所述第一材料的楊氏模量。
13. -種封裝至少一個微型裝置（104)的方法，至少包括以下步驟： 在基底（102)上和/或基底（104)中制造所述微型裝置（104); 至少在所述微型裝置（104)上制造犧牲材料的部分（130)，使得被所述犧牲材料的部 分（130)占據的體積等于將要封裝所述微型裝置（104)的腔（110)的體積的至少一部分； 在所述犧牲材料的部分（130)上和/或所述犧牲材料的部分（130)中制造具有氣體吸 收和/或吸附性能的機械加強部分（116); 沉積至少覆蓋所述機械加強部分（116)和所述犧牲材料的部分（130)的第一材料的層 (112)； 蝕刻所述犧牲材料的部分（130)，從而形成封裝所述微型裝置（104)的所述腔（110); 并且其中，所述機械加強部分（116)包括至少一種第二材料，所述第二材料的楊氏模 量高于所述第一材料的楊氏模量。
14. 根據權利要求12或13中任一項所述的方法，其中，所述第二材料為金屬吸氣材料。
15. 根據權利要求12-14中任一項所述的方法，其中，每個所述機械加強部分（116)至 少通過沉積所述第二材料的第一層（118)并且沉積第三金屬吸氣材料的第二層（120)來制 造，使得所述第二材料的第一層（118)被定位在所述第一材料的層（112)和所述第三材料 的第二層（120)之間和/或被所述第三材料的第二層（120)覆蓋。
16. 根據權利要求12-15中任一項所述的方法，其中，每個所述機械加強部分（116)通 過沉積堆疊的層（118,120)來制造，所述堆疊的層（118,120)的至少兩層形成了在所述蓋 (106)上施加指向所述腔（110)外部的力的雙金屬條。
17. 根據權利要求12-16中任一項所述的方法，還包括在將所述蓋（106)剛性地附接到 所述基底（102)或蝕刻所述犧牲材料的部分（130)之后，始終經過所述基底（102)和/或 所述第一材料的層（112)并且靠近所述腔（110)來制造導電通路。
18. -種用于制造微型電子裝置（1000)的方法，包括在形成有至少兩個封裝結構 (100. 1，100. 2)的情況下實施根據權利要求17所述的封裝方法，其中，所述封裝結構 (100. 1，100. 2)彼此上下定位，并且其中，所述兩個封裝結構中的第一封裝結構（100. 1)的 至少一個導電通路（126)直接地或通過插入器（1010)被電連接到所述兩個封裝結構中的 第二封裝結構（100.2)的至少一個導電通路（126)上。
【文檔編號】B81B7/02GK104340948SQ201410364783
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月28日 優先權日:2013年7月26日
【發明者】格扎維埃·白琳, 伯納德·迪埃姆, 簡-菲利普·波利齊, 安德烈·羅扎德 申請人:原子能和替代能源委員會