專利名稱：大量合成納米氧化亞銅空心立方體結構的方法
技術領域：
本發明涉及一種納米材料，尤其涉及一種大量合成空心立方體結構的納米氧化亞銅的制備方法。
背景技術：
Cu2O是一種環境友好的P型半導體，帶隙約為2.2ev,具有很好的吸光系數，因此Cu2O的納米結構廣泛應用于太陽能轉化，光催化等領域。而在納米結構中空心結構又因其具有較大的比表面及物化性質出色在催化、藥物釋放、離子存儲等領域都有比較廣泛的應用。因此Cu2O的空心納米結構具有很好的應用前景。但是目前已報道的合成Cu2O納米空心結構的方法相對復雜，造價昂貴，為工業化生產帶來比較多的困難。
發明內容
本發明的目的，是克服現有技術合成空心結構納米Cu2O的方法相對復雜、造價昂貴的缺點，提供了一種綠色環保的在室溫下大量合成空心立方體結構納米Cu2O的方法。本發明通過如下技術方案予以實現。一種大量合成納米氧化亞銅空心立方體結構的方法，具有如下步驟:(I)以CuCl為原料，用ρΗ=0 I的稀HCl清洗CuCl，清洗至溶液呈無色，得到含有純凈的CuCl白色粉末的酸性溶液；(2)將步驟(I)的純凈的CuCl溶液按1:100的體積比加入到pH值為5 7的水中，放置0.5 2.5h，制得空心立方體結構的納米Cu20。
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其反應方程式如下:
權利要求
1.一種大量合成納米氧化亞銅空心立方體結構的方法，具有如下步驟: (1)以CuCl為原料，用PH=O I的稀HCl清洗CuCl，清洗至溶液呈無色，得到含有純凈的CuCl白色粉末的酸性溶液。
(2)將步驟(I)的純凈的CuCl溶液按1:100的體積比加入到pH值為5 7的水中，放置0.5 2.5h，制得空心立方體結構的納米Cu20。
2.根據權利要求1的大量合成納米氧化亞銅空心立方體結構的方法，其特征在于，其反應方程式如下:
全文摘要
本發明公開了一種大量合成納米氧化亞銅空心立方體結構的方法，步驟為(1)以CuCl為原料，用pH=0～1的稀HCl清洗至溶液呈無色；(2)將純凈的CuCl溶液按1100的體積比加入到pH值為5～7的水中，放置0.5h～2.5h，制得空心立方體結構的納米Cu2O。本發明納米Cu2O的尺寸均勻，操作方法簡單，不含有毒有害物質，是一種新型的綠色環保的可以大量合成納米Cu2O材料的方法。
文檔編號B82Y30/00GK103121704SQ201210505339
公開日2013年5月29日 申請日期2012年11月30日 優先權日2012年11月30日
發明者杜希文, 劉輝, 周玥 申請人:天津大學