用于防止在加工過程中和使用中出現粘附的混合mems凸塊設計的制作方法
【專利摘要】用于防止在加工過程中和使用中出現粘附的混合MEMS凸塊設計。提供了一種微機電系統(MEMS)器件和用于形成MEMS器件的方法。質量塊通過支軸懸掛在襯底表面上方的一距離處。一對感應板被設置在襯底上且位于支軸的相對側上。金屬凸塊與每個感應板相關聯并且被設置成接近質量塊的相應末端。每個金屬凸塊從襯底的表面延伸并且通常抑制與質量塊相關的電荷導致的粘附。氧化物凸塊與該對感應板中的每一個都相關聯并且被設置成位于相應的感應板和支軸之間。每個氧化物凸塊比金屬凸塊從襯底的第一表面延伸更大的距離并且通過阻止質量塊的末端在沖擊加載期間接觸金屬凸塊而充當緩沖器。
【專利說明】用于防止在加工過程中和使用中出現粘附的混合MEMS凸塊設計
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造，更具體而言，涉及微機電系統(MEMS)器件及其形成方法。
【背景技術】
[0002]在半導體制造中，在半導體晶圓上形成微機電系統(MEMS)使用先前已經開發用于集成電路(IC)產業的工具和技術來構建微型機械。可以在晶圓的整個表面同時構建這些MEMS器件，從而需要少量的組裝甚至不需要組裝。
[0003]體微機械加工是通過從硅晶圓開始，然后蝕刻掉不想要的部分，并留下有用的機械器件來構建機械元件的制造技術。通常利用體微機械加工形成MEMS器件，其中在MEMS制造中利用光刻工藝。在這種體微機械加工中，圖案化硅晶圓，隨后將其浸沒在液體蝕刻劑中以便溶解任何暴露出來的硅。剩余的硅或其他材料通常形成MEMS器件。
[0004]舉例來說，通常采用MEMS制造技術形成各種壓力傳感器、位置傳感器和加速度傳感器。這些MEMS器件相對于傳統傳感器具有諸多優勢，如它們通常具有更高的能效比、更可靠、相對更易于生產，并且器件之間通常具有非常好的重復性。
[0005]但是，對于MEMS器件通常所觀察到的一個可靠性問題是粘附，或由于表面力引起的接觸表面粘著。通常，粘附是為了使相互接觸的靜止物體能夠相對運動所需要克服的靜摩擦力。當具有低于測微計量程的區域的兩個表面極為接近時，諸如MEMS器件中顯示的，它們可能粘附在一起，從而限制MEMS器件的可靠性。在該數值范圍下，MEMS器件的兩個主要故障因素是靜電粘附或電荷導致的粘附和/或范德華力導致的粘附。這些粘附問題示出了迄今為止難以解決的各種問題。
【發明內容】
[0006]下面提出簡要總結以提供對本發明的一個或多個方面的基本理解。這個總結不是本發明的廣泛概述，并且本義不是確定本發明的重要元件或關鍵元件，也不是劃定本發明的范圍。而是，該總結的主要目的是以作為后面呈現的更詳細描述的簡化形式來呈現本發明的一些概念。
[0007]在一個實施例中，本發明涉及一種微機電系統(MEMS)器件。舉例來說，MEMS器件包括通過支軸懸掛在襯底的第一表面上方第一距離處的質量塊。舉例來說，支軸從質量塊的重心移開。質量塊被配置成繞著支軸旋轉。
[0008]一對感應板被設置成位于襯底的第一表面上，其中感應板被設置成位于支軸的相對側上。舉例來說，該對感應板和質量塊形成當在一個方向上誘導襯底加速時發生變化的電容。
[0009]根據一個示例性方面，金屬凸塊與每個感應板相關聯并且被設置成接近質量塊的相應末端。舉例來說，每個金屬凸塊從襯底的第一表面延伸一距離并且通常抑制與質量塊相關的電荷導致的粘附。在另一實例中，每一個金屬凸塊通常抑制與質量塊相關的范德華力粘附。在又一實例中，金屬凸塊被布置成位于質量塊的每個相應角部處的襯底的第一表面上。
[0010]根據一個方面,氧化物凸塊與該對感應板中的每一個都相關并且位于相應的感應板和支軸之間。每個氧化物凸塊比金屬凸塊從襯底的第一表面延伸更大的距離，并且通過阻止質量塊的末端在沖擊加載期間接觸金屬凸塊而充當緩沖器。在一個實例中，多個氧化物凸塊與該對感應板中的每一個相關聯，其中多個氧化物凸塊通常被布置成位于襯底的第一表面上且平行于支軸。
[0011]根據另一方面，提供了一種用于形成MEMS器件的方法。在一個實例中，該方法包括在襯底上方形成金屬層，并圖案化金屬層以形成一對感應板和多個金屬凸塊。舉例來說，在襯底上沉積或者以其他方式形成金屬層。在該對感應板之間限定質量塊的樞軸，并且多個金屬凸塊中的每一個被設置成接近質量塊的相應末端。因此，每個金屬凸塊通常抑制與質量塊相關的電荷導致的粘附。
[0012]在襯底上方進一步形成氧化物層，并圖案化氧化物層以形成與該對感應板中的每一個都相關聯的氧化物凸塊。舉例來說，每個氧化物凸塊被設置成位于相應的感應板和樞軸之間，其中每個氧化物凸塊通常通過阻止質量塊的末端在沖擊加載期間接觸金屬凸塊而充當緩沖器。舉例來說，每個氧化物凸塊比金屬凸塊從襯底延伸更大的距離。
[0013]根據另一實例，進一步在襯底上方形成質量塊，其中質量塊的下表面通過與樞軸相關聯的支軸懸掛在襯底的第一表面上方的第一距離處。在一個實例中，質量塊包括矩形桿，并且其中每個金屬凸塊都與矩形桿的相應角部相關聯。
[0014]根據本發明的一個方面，提供了一種微機電系統(MEMS)器件,包括:襯底，具有第一表面；質量塊，具有支軸，其中，所述質量塊的下表面通過所述支軸懸掛在所述襯底的第一表面上方的第一距離處，并且，所述質量塊被配置成繞著所述支軸旋轉；一對感應板，與所述襯底的第一表面相關聯并且被設置成位于所述支軸的相對側上；金屬凸塊，與所述一對感應板中的每一個相關聯并且被設置成接近所述質量塊的相應末端，其中，每個金屬凸塊從所述襯底的第一表面延伸第二距離；以及氧化物凸塊，與所述一對感應板中的每一個相關聯并且被設置成位于相應的所述感應板和所述支軸之間，其中，每個氧化物凸塊從所述襯底的第一表面延伸第三距離。
[0015]所述的MEMS器件還包括與所述一對感應板中的每一個相關聯的多個金屬凸塊，其中，所述多個金屬凸塊被布置成位于所述襯底的第一表面上且位于所述質量塊的相應角部處。
[0016]所述的MEMS器件還包括與所述一對感應板中的每一個相關聯的多個氧化物凸塊，其中，所述多個氧化物凸塊通常被布置成平行于所述支軸且位于所述襯底的第一表面上。
[0017]在所述的MEMS器件中，所述襯底包含硅。
[0018]在所述的MEMS器件中，所述襯底包含硅，其中，所述襯底還包括形成在所述硅上方的氧化物層和金屬層中的一種或多種，在其中限定出所述襯底的第一表面。
[0019]在所述的MEMS器件中，所述金屬凸塊中的每一個均抑制與所述質量塊相關的范德華力粘附。[0020]在所述的MEMS器件中，所述支軸從所述質量塊的重心移開。
[0021]在所述的MEMS器件中，所述一對感應板和所述質量塊形成隨著在一個方向上誘導所述襯底加速而發生變化的電容。
[0022]根據本發明的另一方面，提供了一種形成微機電系統(MEMS)器件的方法，所述方法包括:提供襯底；在所述襯底上方形成金屬層；圖案化所述金屬層以形成一對感應板和多個金屬凸塊，其中，在所述一對感應板之間限定出質量塊的樞軸，并且，所述多個金屬凸塊中的每一個被設置成接近所述質量塊的相應末端，并且，每個金屬凸塊均抑制與所述質量塊相關的電荷導致的粘附；在所述襯底上方形成氧化物層；以及圖案化所述氧化物層以形成與所述一對感應板中的每一個相關聯的氧化物凸塊，其中，每個氧化物凸塊被設置在相應的所述感應板和所述樞軸之間，并且，每個氧化物凸塊均通過阻止所述質量塊的末端在沖擊加載期間接觸所述金屬凸塊而充當緩沖器。
[0023]所述的方法還包括在所述襯底上方形成所述質量塊，其中，所述質量塊的下表面通過與所述樞軸相關聯的支軸懸掛在所述襯底的第一表面上方第一距離處。
[0024]所述的方法還包括在所述襯底上方形成所述質量塊，其中，所述質量塊的下表面通過與所述樞軸相關聯的支軸懸掛在所述襯底的第一表面上方第一距離處，其中，所述質量塊包括矩形桿，并且，每個金屬凸塊與所述矩形桿的相應角部相關聯。
[0025]在所述的方法中，形成所述金屬層包括在所述襯底上沉積金屬。
[0026]在所述的方法中，每個氧化物凸塊比每個金屬凸塊從所述襯底延伸更大的距離。
[0027]根據本發明的又一方面，提供了一種微機電系統(MEMS)器件，包括:襯底；質量塊，通過支軸懸掛在所述襯底上方，其中，所述質量塊被配置成繞著所述支軸旋轉；第一感應板和第二感應板，設置在所述襯底上的支軸的相應側上；多個金屬凸塊，設置在所述襯底上并且被設置成接近所述質量塊的每個末端，其中，所述多個質量塊中的每一個從所述襯底延伸；以及多個氧化物凸塊，設置在所述襯底上并且被設置成位于相應的所述第一感應板和所述第二感應板與所述支軸之間，其中，所述多個氧化物凸塊中的每一個比所述多個金屬凸塊從所述襯底延伸更大的距離。
[0028]在所述的MEMS器件中，所述質量塊均是矩形的，并且，所述多個金屬凸塊被布置成位于所述襯底的表面上且接近所述質量塊的相應角部。
[0029]在所述的MEMS器件中，所述多個氧化物凸塊包括布置成位于所述襯底的表面上的至少兩個氧化物凸塊，所述至少兩個氧化物凸塊均平行于所述支軸并且位于所述支軸的
每一側上。
[0030]在所述的MEMS器件中，所述多個金屬凸塊均抑制與所述質量塊相關的范德華力粘附。
[0031]在所述的MEMS器件中，所述支軸從所述質量塊的重心移開。
[0032]在所述的MEMS器件中，所述第一感應板和所述第二感應板及所述質量塊形成電容，隨著在一個方向上誘導所述襯底加速所述電容發生變化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033]圖1A示出根據一個實例經受電荷導致的粘附的MEMS器件的截面圖。
[0034]圖1B示出根據另一實例具有金屬刮痕問題的另一 MEMS器件的截面圖。[0035]圖2A示出根據本發明的一個方面的示例性MEMS器件的平面圖。
[0036]圖2B示出根據另一實例的圖2A的MEMS器件的截面圖。
[0037]圖3示出根據又一實例通過金屬凸塊減輕電荷導致的粘附的MEMS器件的截面圖。
[0038]圖4示出根據又一實例通過氧化物凸塊減輕沖擊導致的金屬刮痕的MEMS器件的截面圖。
[0039]圖5示出根據又一實例的另一 MEMS器件的截面圖。
[0040]圖6示出用于形成MEMS器件的方法的示例性流程圖。
【具體實施方式】
[0041]參照附圖進行本文中的描述，在所有附圖中相似的參考標號通常用于表示相似的元件，并且其中各種結構不必按比例繪制。在下面的說明書中，為了闡述的目的，提出各種具體細節以便于理解。但是，本領域技術人員可以了解到，這些具體細節的一小部分可以實踐本文中描述的一個或多個方面。在其他實例中，公知結構和器件以方框圖示出以便于理解。
[0042]在阻止粘附設計中，當MEMS器件到達下面的襯底的表面時，可以利用氧化物凸塊來防止粘附。然而，關于MEMS器件中的粘附存在兩個主要故障因素；一個因素是電荷導致的粘附，另一因素是范德華力導致的粘附。
[0043]減少粘附問題的一種方式涉及通過利用氧化物凸塊設計使MEMS器件和下面的襯底之間的接觸面積最小。如圖1A所示，用于MEMS器件12的氧化物凸塊設計10提供了在襯底16上形成的小氧化物凸塊14以限制MEMS器件的質量塊18和襯底之間的接觸。在MEMS器件12的所需操作中，當質量塊18繞著樞軸22旋轉時，位于襯底16上的感應板(sensingplate) 20被配置成感應電容變化。然而，因為氧化物通常是不導電的，僅使用氧化物凸塊設計10的氧化物凸塊14仍可能出現上面提到的故障因素。因此，當單獨利用氧化物凸塊設計10時，由于與質量塊18和氧化物凸塊14之間的接觸相關的粘附問題，MEMS器件12的剛度局限于某個范圍并且不能降低。
[0044]因而，圖1A的氧化物凸塊設計10出現可能由充電以及范德華力所導致的粘附問題。然而，雖然氧化物凸塊設計10出現粘附，但它通過了沖擊試驗，因為氧化物凸塊14在沖擊加載期間為MEMS器件12提供足夠的緩沖。在圖1B的金屬凸塊設計26中，改善了粘附問題，但是在沖擊試驗期間，金屬凸塊24可能引發刮痕問題。
[0045]因此，根據本發明，提供了混合凸塊設計，其中接近MEMS器件12的邊緣設置金屬凸塊以減輕電荷導致的粘附和加工過程中的粘附，同時接近樞軸22設置氧化物凸塊以減輕沖擊試驗期間的粘附，并且防止上述刮痕問題。
[0046]現參照圖2A和圖2B，提供了示例性MEMS器件100。如圖2A中可見的，舉例來說，提供了具有第一表面104的襯底102。舉例來說，襯底102包含諸如硅的半導電基礎材料106，并且還可以包括在其上方形成的一個或多個其他層108。舉例來說，一個或多個其他層108包括金屬間介電(MD)層，諸如氧化物、氮化物或其他類似層。
[0047]根據一個實例，提供具有與其相關聯的支軸112的質量塊110，其中質量塊的下表面114通過支軸懸掛在襯底102的第一表面104上方的第一距離116處。質量塊110因而被配置成繞著支軸112旋轉，諸如在MEMS器件100以通常垂直于第一表面104的方向加速期間。舉例來說，支軸112進一步從質量塊的重心移開。舉例來說，質量塊110以本領域普通技術人員公知的方式由諸如氧化物的非導電材料形成。
[0048]舉例來說，一對感應板118與襯底102的第一表面104相連接，其中該對感應板通常位于支軸112的相對側上。舉例來說，該對感應板118由導電金屬形成，其中該對感應板和質量塊110形成當在一個或多個方向上誘導襯底102加速時發生變化的電容。
[0049]根據另一實例，一個或多個金屬凸塊120與該對感應板118中的每一個都相關聯，其中，每個金屬凸塊被設置成接近質量塊110的相應末端122。多個金屬凸塊120可以與該對感應板118中的每一個都相關聯，諸如圖2B的實例中所示出的，其中多個金屬凸塊被布置成位于質量塊110的相應角部123處的襯底102的第一表面104上。舉例來說，如圖2A所示，每個金屬凸塊120從襯底102的第一表面104延伸第二距離124并且通常抑制與質量塊110相關的電荷導致的粘附，如圖3所示。并且，金屬凸塊120通常抑制上述與質量塊110相關的范德華力粘附。舉例來說，由金屬層(未示出)圖案化和/或以其他方式形成一個或多個金屬凸塊120。
[0050]舉例來說，一個或多個氧化物凸塊126還與每一個感應板118相關聯并且設置在相應的感應板和支軸112之間。舉例來說，一個或多個氧化物凸塊126中的每一個從襯底102的第一表面104延伸第三距離128，其中，一個或多個氧化物凸塊通常通過阻止質量塊110的末端122在沖擊加載130期間接觸金屬凸塊120而充當緩沖器，如圖4所示。舉例來說，多個氧化物凸塊126都可以與該對感應板118中的每一個相關聯，其中多個氧化物凸塊通常被布置成平行于支軸112且位于襯底102的第一表面104上。舉例來說，每個氧化物凸塊126由諸如氧化物層或氮化物層的鈍化層(例如，介電層)形成。
[0051]圖5示出結合上述MEMS器件100的示例性CMOS封裝件132。舉例來說，CMOS封裝件132包括金屬凸塊120和氧化物凸塊126，其通常防止質量塊110和襯底102之間出現粘附，也減輕上述的沖擊導致的金屬刮痕。本領域普通技術人員將理解，CMOS封裝件132通常通過保護蓋頂134來保護MEMS器件。
[0052]根據另一個實施例，在圖6中提供了用于形成MEMS器件的示例性方法200，進一步提供了諸如上文在圖2至圖5中描述的MEMS器件100。如圖6所示，方法200包括:在動作202中，提供襯底，諸如硅襯底。在動作204中，在襯底上方形成金屬層，諸如通過在襯底上沉積金屬而形成金屬層，以及在動作206中圖案化金屬層以形成一對感應板和多個金屬凸塊。在該對感應板之間限定出質量塊的樞軸，諸如圖2A中示出的，其中在圖6的動作206中形成的多個金屬凸塊中的每一個都被設置成接近質量塊的相應末端。每個金屬凸塊通常抑制與質量塊相關的電荷導致的粘附。
[0053]在動作208中，舉例來說，在襯底上方形成氧化物層，以及在動作210中，圖案化氧化物層以形成與該對感應板中的每一個相關聯的氧化物凸塊。舉例來說，在動作208和210中，形成每個氧化物凸塊并且將其圖案化以比每個金屬凸塊從襯底延伸更大的距離。舉例來說，每個氧化物凸塊進一步設置在相應的感應板和樞軸之間，諸如還是在圖2A中所述的，其中每個氧化物凸塊通常通過阻止質量塊的末端在沖擊加載期間接觸金屬凸塊而充當緩沖器。
[0054]后續加工可以包括在襯底上方形成質量塊，其中質量塊的下表面通過與樞軸相關聯的支軸懸掛在襯底的第一表面之上的第一距離處。舉例來說，質量塊可以包括矩形桿，諸如圖2B中示出的，并且每個金屬凸塊與矩形桿的相應角部相連接。
[0055]因此，如本發明所述，舉例來說，圖2A和圖2B的金屬凸塊120和氧化物凸塊可以改善以前隨先前器件(例如，諸如圖1A和圖1B的MEMS器件12)可見的粘附相關的不利問題，其中通過導電金屬凸塊120減輕電荷聚集。如圖1B所示，舉例來說，通過金屬凸塊24改善了 MEMS器件12的粘附故障率；但是，當沖擊測試MEMS器件時，金屬凸塊可能導致金屬刮痕28。(沖擊測試是各種可靠性測試中的一種，特別是對MEMS器件)。金屬刮痕28易于導致兩個相關的不利問題；一個問題是在MEMS器件12和襯底16之間由顆粒引起的電氣短路，另一問題是由金屬刮痕28引起的質量塊18的重量變化所帶來的性能變化。本發明利用金屬凸塊和氧化物凸塊的混合工藝，諸如圖2A和圖2B所示的，其中粘附問題顯著減少，同時減輕在此之前所見的刮痕問題。
[0056]盡管已經詳細地描述了本發明的實施例及其優勢，但應該理解，可以在不背離所附權利要求限定的本發明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變、替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領域普通技術人員根據本發明將很容易理解，根據本發明可以利用現有的或今后開發的用于執行與本文所述相應實施例基本上相同的功能或獲得基本上相同結果的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。因此，所附權利要求應該在其范圍內包括這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。
[0057]雖然示出本文中提供的(一種或多種)方法并將其描述為一系列動作或行為，但可以理解，所示出的這些動作或行為的次序并不以限制意義進行解釋。例如，一些動作可以以不同的次序進行和/或與除了本文示出和/或描述的動作或行為以外的其他動作或行為同時進行。此外，不是所有示出的動作都為實施本文描述的一個或多個方面或實施例所必需的。并且，本文描述的一個或多個動作可以以一個或多個分開的動作和/或階段進行實施。
[0058]應當理解，雖然在整個文件中在論述本文中描述的方法的各方面，對示例性結構做出參考，這些方法并不受論述的相應結構的限制。相反，方法(和結構)被認為是相互獨立的且能夠獨立存在，并且不管附圖中描述的任何具體方面而進行實施。
[0059]同樣，根據對說明書和附圖的閱讀和/或理解，本領域的普通技術人員可以想到等效的替換和/或修改。本發明包括所有這些修改和替換，因而通常預期并不用于限制。此夕卜，特定部件或方面可能僅參照若干實施方案中的一種進行公開，這樣的部件或方面可以與可能期望的其他實施方案的一個或多個其他部件和/或方面相結合。并且，就在本文中使用的術語“包含”、“具有”、“有”、“帶有”和/或它們的變型方面來說，這些術語旨在包含在如“包括”的意思中。而且，“示例性”僅意味著是實例，而不是最好的。還可以理解，為了簡明和易于理解的目的，本文中描述的部件、層和/或元件用相對于另一部件、層和/或元件的具體尺寸和/或方向示出，并且實際的尺寸和/或方向可以與本文中示出的顯著不同。
【權利要求】
1.一種微機電系統(MEMS)器件,包括: 襯底，具有第一表面； 質量塊，具有支軸，其中，所述質量塊的下表面通過所述支軸懸掛在所述襯底的第一表面上方的第一距離處，并且，所述質量塊被配置成繞著所述支軸旋轉； 一對感應板，與所述襯底的第一表面相關聯并且被設置成位于所述支軸的相對側上；金屬凸塊，與所述一對感應板中的每一個相關聯并且被設置成接近所述質量塊的相應末端，其中，每個金屬凸塊從所述襯底的第一表面延伸第二距離；以及 氧化物凸塊，與所述一對感應板中的每一個相關聯并且被設置成位于相應的所述感應板和所述支軸之間，其中，每個氧化物凸塊從所述襯底的第一表面延伸第三距離。
2.根據權利要求1所述的MEMS器件，還包括與所述一對感應板中的每一個相關聯的多個金屬凸塊，其中，所述多個金屬凸塊被布置成位于所述襯底的第一表面上且位于所述質量塊的相應角部處。
3.根據權 利要求1所述的MEMS器件，還包括與所述一對感應板中的每一個相關聯的多個氧化物凸塊，其中，所述多個氧化物凸塊通常被布置成平行于所述支軸且位于所述襯底的第一表面上。
4.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述襯底包含硅。
5.根據權利要求4所述的MEMS器件，其中，所述襯底還包括形成在所述硅上方的氧化物層和金屬層中的一種或多種，在其中限定出所述襯底的第一表面。
6.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述金屬凸塊中的每一個均抑制與所述質量塊相關的范德華力粘附。
7.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述支軸從所述質量塊的重心移開。
8.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述一對感應板和所述質量塊形成隨著在一個方向上誘導所述襯底加速而發生變化的電容。
9.一種形成微機電系統(MEMS)器件的方法,所述方法包括: 提供襯底； 在所述襯底上方形成金屬層； 圖案化所述金屬層以形成一對感應板和多個金屬凸塊，其中，在所述一對感應板之間限定出質量塊的樞軸，并且，所述多個金屬凸塊中的每一個被設置成接近所述質量塊的相應末端，并且，每個金屬凸塊均抑制與所述質量塊相關的電荷導致的粘附； 在所述襯底上方形成氧化物層；以及 圖案化所述氧化物層以形成與所述一對感應板中的每一個相關聯的氧化物凸塊，其中，每個氧化物凸塊被設置在相應的所述感應板和所述樞軸之間，并且，每個氧化物凸塊均通過阻止所述質量塊的末端在沖擊加載期間接觸所述金屬凸塊而充當緩沖器。
10.一種微機電系統(MEMS)器件,包括: 襯底； 質量塊，通過支軸懸掛在所述襯底上方，其中，所述質量塊被配置成繞著所述支軸旋轉; 第一感應板和第二感應板，設置在所述襯底上的支軸的相應側上； 多個金屬凸塊，設置在所述襯底上并且被設置成接近所述質量塊的每個末端，其中，所述多個質量塊中的每一個從所述襯底延伸；以及 多個氧化物凸塊，設置在所述襯底上并且被設置成位于相應的所述第一感應板和所述第二感應板與所述支軸之間，其中，所述多個氧化物凸塊中的每一個比所述多個金屬凸塊從所述襯底延伸更大的距離。
【文檔編號】B81C99/00GK103569942SQ201210407222
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年10月23日 優先權日:2012年8月1日
【發明者】徐家保, 戴文川, 洪嘉明, 陳相甫 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司