專利名稱：：具有與機械及電功能分離的光學功能的微機電裝置的制作方法具有與機械及電功能分離的光學功能的微機電裝置分案申請的相關信息本申請為發明名稱為“具有與機械及電功能分離的光學功能的微機電裝置”的原中國發明專利申請的分案申請。原申請的申請號為200880022893.2；原申請的申請日為2008年6月24日；原發明專利申請案的優先權日為2007年7月2日(美國專利申請)和2008年3月25日(歐洲專利申請)。
背景技術：
：微機電系統(MEMS)包含微機械元件、激活器和電子裝置。可使用沉積、蝕刻和/或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調制器。如本文所使用，術語干涉式調制器或干涉式光調制器指的是一種使用光學干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調制器可包括一對導電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當電信號時進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細描述，一個板相對于另一個板的位置可改變入射在干涉式調制器上的光的光學干涉。這些裝置具有廣范圍的應用，且在此項技術中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發掘用于改進現有產品和創建尚未開發的新產品，將是有益的。
發明內容在某些實施例中，一種微機電(MEMS)裝置包括具有頂表面的襯底、在所述襯底上的可移動元件及與反射表面橫向地安置的激活電極。所述可移動元件包括可變形層及以機械方式耦合到所述可變形層的反射元件。所述反射元件包含反射表面。所述可移動元件通過在大體垂直于所述襯底的所述頂表面的方向上移動來對施加于所述激活電極與所述可移動元件之間的電壓差作出響應。在某些實施例中，一種微機電(MEMS)裝置包括用于移動所述裝置的一部分的裝置、用于支撐所述移動裝置的裝置及用于激活所述移動裝置的裝置。所述移動裝置包括用于變形的裝置及用于反射的裝置。所述激活裝置與所述反射裝置橫向地安置。在某些實施例中，一種制造微機電(MEMS)裝置的方法包括在襯底上形成激活電極；在所述激活電極上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成可變形層；在所述犧牲層上形成反射元件且所述反射元件以機械方式耦合到所述可變形層；及移除所述犧牲層。所述反射元件包含與所述激活電極橫向地安置的反射表面。在某些實施例中，一種調制光的方法包括提供包括襯底、在所述襯底上的可移動元件及激活電極的顯示器元件。所述可移動元件包括可變形層及反射元件。所述反射元件以機械方式耦合到所述可變形層且包含反射表面。所述激活電極與所述反射表面橫向地安置。所述方法進一步包括將電壓施加到所述激活電極。所述電壓對所述可移動元件產生吸引力，從而使所述可移動元件朝向所述襯底移動。圖1是描繪干涉式調制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調制器的可移動反射層處于激活位置。圖2是說明并入有3X3干涉式調制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統框圖。圖3是圖1的干涉式調制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅動干涉式調制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明圖2的3X3干涉式調制器顯示器中的顯示器數據的一個示范性幀。圖5B說明可用于寫入圖5A的幀的行和列信號的一個示范性時序圖。圖6A和圖6B是說明包括多個干涉式調制器的視覺顯示器裝置的實施例的系統框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調制器的替代實施例的橫截面。圖7C是干涉式調制器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是干涉式調制器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是干涉式調制器的額外替代實施例的橫截面。圖8A為MEMS裝置的實例實施例的俯視平面圖。圖8B為圖8A的MEMS裝置的3X3陣列的俯視平面圖。圖9A到圖9B為圖8A的MEMS裝置的實例實施例的沿著線A-A截取的橫截面。圖9C到圖9D為圖9A到圖9B的實施例的沿著圖8A的線C-C截取的橫截面。圖9E到圖9F為圖9A到圖9D的實施例的沿著圖8A的線E-E截取的橫截面。圖9G到圖9H為圖9A到圖9F的實施例的沿著圖8A的線G-G截取的橫截面。圖IOA到圖IOB為圖8A的MEMS裝置的另一實例實施例的沿著線A-A截取的橫截圖IOC到圖IOD為圖IOA到圖IOB的實施例的沿著圖8A的線C-C截取的橫截面。圖IlA到圖IlB為圖8A的MEMS裝置的又一實例實施例的沿著線A-A截取的橫截圖IlC到圖IlD為圖IlA到圖IlB的實施例的沿著圖8A的線C-C截取的橫截面。圖12A到圖12C為MEMS裝置的另外的實例實施例的沿著圖8A的線C-C截取的橫截面。圖13A到圖13B為MEMS裝置的另外的實例實施例的俯視平面圖。圖13C為圖13A的MEMS裝置的3X3陣列的俯視平面圖。圖13D為MEMS裝置的再一實例實施例的俯視平面圖。圖14A到圖14H為制造MEMS裝置的方法的實例實施例的橫截面。圖15A到圖15H為制造圖9A到圖9H的MEMS裝置的方法的實例實施例的橫截面。圖16A到圖16B2為圖8A的MEMS裝置的實例實施例的沿著線A-A截取的橫截面，其包含第二激活電極。圖16C到圖16D2為圖16A到圖16B2的實施例的沿著圖8A的線C-C截取的橫截面。圖16E到圖16F2為圖16A到圖16D2的實施例的沿著圖8A的線E-E截取的橫截面。圖16G到圖16H2為圖16A到圖16F2的實施例的沿著圖8A的線G-G截取的橫截面。圖17A到圖17F為制造圖16A到圖16H2的MEMS裝置的方法的實例實施例的橫截面。具體實施例方式以下詳細描述針對本發明的某些特定實施例。然而，本發明可以許多不同方式實施。在本描述內容中參看了附圖，附圖中所有相同部分用相同標號表示。如從以下描述中將了解，所述實施例可實施在經配置以顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關聯，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數據助理(PDA)、手持式或便攜式計算機、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、計算機監視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結構、包裝和美學結構(例如，一件珠寶上的圖像顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結構的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置的非顯示器應用中。此外，本文中的所有圖已經繪制來描繪某些元件之間的關系，且因此為高度圖解性的且不應被考慮為按比例的。在某些實施例中，提供與反射元件的反射表面橫向地安置的激活電極。所述激活電極不處于光學路徑中，此允許其包括非透明導體且較厚，從而改進功率消耗。在一些實施例中，激活電極作用于以機械方式耦合到反射元件的可變形層上，使得在激活之后，所述可變形層而非反射表面接觸MEMS裝置的固定部分，這又減小了靜摩擦、彈簧常數、靜電力及電容器面積，因此啟用快速且低功率操作。在一些實施例中，表面粗糙化及其它抗靜摩擦特征可形成于激活電極與可變形層之間，而并不影響光學性能，因為其不處于光學路徑中。在一些實施例中，在激活之后，反射表面并不接觸任何事物，從而允許其大體上平滑且平坦，而無靜摩擦危險。在一些實施例中，將第二激活電極提供于可變形層及/或反射表面之上或之下，使得反射表面在至少三個狀態下穩定。圖1中說明包括干涉式MEMS顯示器元件的一個干涉式調制器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態或黑暗狀態。在明亮(“接通”或“開啟”)狀態下，顯示器元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當在黑暗(“斷開”或“關閉”)狀態下時，顯示器元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據實施例而定，可顛倒“接通”和“斷開”狀態的光反射性質。MEMS像素可經配置以主要在選定顏色下反射，除了黑與白之外，其還允許彩色顯不。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉式調制器。在一些實施例中，干涉式調制器顯示器包括這些干涉式調制器的一行/列陣列。每一干涉式調制器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學間隙。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光相長地或相消地進行干涉，從而為每一像素產生全反射狀態或非反射狀態。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉式調制器1和12b。在左側干涉式調制器12a中，說明可移動反射層Ha處于距包含部分反射層的光學堆疊16a預定距離處的松弛位置中。在右側干涉式調制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學堆疊16a和16b(統稱為光學堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer)，所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質。因此，光學堆疊16是導電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。部分反射層可由為部分反射的多種材料(例如，各種金屬、半導體及電介質)形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施例中，光學堆疊16的層經圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進一步描述，可在顯示器裝置中形成行電極。可移動反射層14a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當蝕刻去除犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示器裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，間隙19保留在可移動反射層1與光學堆疊16a之間，其中可移動反射層Ha處于機械松弛狀態，如圖1中像素1所說明。然而，當將電位差施加到選定的行和列時，形成在相應像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動反射層14變形且被迫抵靠光學堆疊16。光學堆疊16內的介電層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現均相同。以此方式，可控制反射像素狀態對非反射像素狀態的行/列激活在許多方面類似于常規LCD和其它顯示技術中所使用的行/列激活。圖2到圖5B說明在顯示器應用中使用干涉式調制器陣列的一個示范性工藝和系統。圖2是說明可并入有本發明各方面的電子裝置的一個實施例的系統框圖。在所述示范性實施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium、PentiumII、PentiumIII、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS,PowerPC,ALPHA)，或任何專用微處理器(例如數字信號處理器、微控制器或可編程門陣列)。如此項技術中常規的做法，處理器21可經配置以執行一個或一個以上軟件模塊。除了執行操作系統外，所述處理器可經配置以執行一個或一個以上軟件應用程序，包含網絡瀏覽器、電話應用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應用程序在一個實施例中，處理器21還經配置以與陣列驅動器22通信。在一個實施例中，所述陣列驅動器22包含將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅動器電路24和列驅動器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對于MEMS干涉式調制器來說，行/列激活協議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質。可能需要(例如)10伏的電位差來促使可移動層從松弛狀態變形為激活狀態。然而，當電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回10伏以下時維持其狀態。在圖3的示范性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全松弛。因此，在圖3中所說明的實例中，存在約3到7V的經施加電壓窗口，在所述窗口內，裝置在松弛狀態或激活狀態中均是穩定的。此窗口在本文中稱為“滯后窗口”或“穩定窗口”。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設計行/列激活協議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約10伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩態電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態中。在此實例中，每一像素在被寫入之后經歷3-7伏的“穩定窗口”內的電位差。此特征使圖1中說明的像素設計在相同的施加電壓條件下在激活或松弛預存在狀態下均是穩定的。因為干涉式調制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態)本質上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內的一電壓下維持此穩定狀態而幾乎無功率消耗。本質上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應用中，可通過根據第一行中所需組的激活像素斷言所述組列電極來產生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而激活對應于所斷言的列線的像素。接著改變所述組已斷言列電極以對應于第二行中所需組的激活像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據已斷言的列電極而激活行2中的適當像素。行1像素不受行2脈沖影響，且維持在其在行1脈沖期間被設定的狀態中。可以連續方式對整個系列的行重復此過程以產生幀。通常，通過以每秒某一所需數目的幀的速度連續地重復此過程來用新的顯示器數據刷新且/或更新所述幀。用于驅動像素陣列的行和列電極以產生顯示幀的廣泛種類的協議也是眾所周知的且可結合本發明使用。圖4、圖5A和圖5B說明用于在圖2的3X3陣列上形成顯示幀的一個可能的激活協議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實施例中，激活像素涉及將適當列設定為-Vbias，且將適當行設定為+ΔV，其分別可對應于_5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當列設定為+Vbias，且將適當行設定為相同的+AV，從而在像素上產生零伏電位差而實現的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+Vbias還是-Vbias，像素在任何其最初所處的狀態中均是穩定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當列設定為+Vbias，且將適當行設定為_Δν。在此實施例中，釋放像素是通過將適當列設定為-Vbias，且將適當行設定為相同的_Δν，從而在像素上產生零伏電位差而實現的。圖5Β是展示施加到圖2的3X3陣列的一系列行和列信號的時序圖，所述系列的行和列信號將產生圖5Α中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對圖5Α中說明的幀進行寫入之前，像素可處于任何狀態，且在本實例中所有行均處于0伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或松弛狀態中均是穩定的。在圖5A的幀中，像素(1，1)、(1,2),(2,2),(3,2)和(3,3)被激活。為了實現此目的，在行1的“線時間(linetime)”期間，將列1和2設定為-5伏，且將列3設定為+5伏。因為所有像素均保留在3-7伏的穩定窗口中，所以這并不改變任何像素的狀態。接著用從0升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這激活了(1，1)和(1,像素且松弛了(1，3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設定行2，將列2設定為-5伏，且將列1和3設定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2,且松弛像素(2，1)和0，3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設定為-5伏且將列1設定為+5伏來類似地設定行3。行3選通設定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進行寫入之后，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩定的。將了解，可將相同程序用于數十或數百個行和列的陣列。還將應了解，用于執行行和列激活的電壓的時序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內廣泛變化，且上文的實例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文描述的系統和方法一起使用。圖6A和圖6B是說明顯示器裝置40的實施例的系統框圖。顯示器裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示器裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器的各種類型的顯示器裝置。顯示器裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風46。外殼41通常由所屬領域的技術人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可去除部分(未圖示)，所述可去除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標記、圖畫或符號的可去除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示器裝置40的顯示器30可為包含雙穩態顯示器(bi-stabledisplay)在內的多種顯示器的任一者。在其它實施例中，如所屬領域的技術人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED,STNIXD或TFTIXD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉式調制器顯示器。圖6B中示意說明示范性顯示器裝置40的一個實施例的組件。所說明的示范性顯示器裝置40包含外殼41且可包含至少部分封圍在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示范性顯示器裝置40包含網絡接口27，所述網絡接口27包含耦合到收發器47的天線43。收發器47連接到處理器21，處理器21連接到調節硬件52。調節硬件52可經配置以調節信號(例如，對信號進行濾波)。調節硬件52連接到揚聲器45和麥克風46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅動器控制器四。驅動器控制器四耦合到幀緩沖器觀且耦合到陣列驅動器22，所述陣列驅動器22進而耦合到顯示器陣列30。根據特定示范性顯示器裝置40設計的要求，電源50將功率提供到所有組件。網絡接口27包含天線43和收發器47使得示范性顯示器裝置40可經由網絡與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網絡接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領域的技術人員已知的用于發射和接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據IEEE802.11標準(包含IEEE802.11(a)、(b)或(g))來發射和接收RF信號。在另一實施例中，所述天線根據藍牙(BLUETOOTH)標準來發射和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經設計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線手機網絡內通信的已知信號。收發器47預處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進一步對所述信號進行處理。收發器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經由天線43從示范性顯示器裝置40發射所述信號。在一替代實施例中，收發器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網絡接口27可由可存儲或產生待發送到處理器21的圖像數據的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為數字視頻光盤(DVD)或含有圖像數據的硬盤驅動器，或產生圖像數據的軟件模塊。處理器21大致上控制示范性顯示器裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網絡接口27或圖像源的壓縮圖像數據的數據，并將所述數據處理成原始圖像數據或處理成易被處理成原始圖像數據的格式。處理器21接著將已處理的數據發送到驅動器控制器29或發送到幀緩沖器28以供存儲。原始數據通常是指識別圖像內每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示器裝置40的操作。調節硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號發射到揚聲器45，且用于從麥克風46接收信號。調節硬件52可為示范性顯示器裝置40內的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內。驅動器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產生的原始圖像數據，并適當地重新格式化所述原始圖像數據以供高速發射到陣列驅動器22。具體來說，驅動器控制器29將原始圖像數據重新格式化為具有類似光柵的格式的數據流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進行掃描的時間次序。接著，驅動器控制器29將已格式化的信息發送到陣列驅動器22。盡管驅動器控制器29(例如IXD控制器)通常與系統處理器21關聯而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅動器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅動器22從驅動器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數據重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數百且有時數千個引線。在一個實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅動器控制器29是常規顯示器控制器或雙穩態顯示器控制器(例如，干涉式調制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅動器22是常規驅動器或雙穩態顯示器驅動器(例如，干涉式調制器顯示器)。在一個實施例中，驅動器控制器29與陣列驅動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩態顯示器陣列(例如，包含干涉式調制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示器裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區的鍵區、按鈕、開關、觸敏屏幕或壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風46是用于示范性顯示器裝置40的輸入裝置。當使用麥克風46將數據輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示器裝置40的操作。電源50可包含此項技術中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，在一個實施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經配置以從壁式插座接收功率。在某些實施例中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅動器控制器中，所述驅動器控制器可位于電子顯示器系統中的若干位置中。在某些實施例中，控制可編程性駐存在陣列驅動器22中。所屬領域的技術人員將了解，上述優化可實施在任何數目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實施。根據上文陳述的原理而操作的干涉式調制器的結構的細節可廣泛變化。舉例來說，圖7A-7E說明可移動反射層14及其支撐結構的五個不同實施例。圖7A是圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸置下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支柱。圖7D中說明的實施例具有支柱插塞42，可變形層34擱置在所述支柱插塞42上。如圖7A-7C所示，可移動反射層14保持懸置在間隙上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔而形成所述支柱。而是，支柱由平坦化材料形成，其用于形成支柱插塞42。圖7E中說明的實施例是基于圖7D中展示的實施例，但也可適于與圖7A-7C中說明的實施例以及未圖示的額外實施例的任一者一起發揮作用。在圖7E中所示的實施例中，已使用金屬或其它導電材料的額外層來形成總線結構44。這允許信號沿著干涉式調制器的背面進行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，干涉式調制器充當直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側觀看圖像，所述側與上面布置有調制器的一側相對。在這些實施例中，反射層14以光學方式遮蔽在反射層的與襯底20相對側的干涉式調制器的部分，其包含可變形層34。這允許對遮蔽區域進行配置和操作而不會消極地影響圖像質量。此遮蔽允許圖7E中的總線結構44，其提供使調制器的光學性質與調制器的機電性質分離的能力，例如，尋址或由所述尋址引起的移動。這種可分離的調制器結構允許選擇用于調制器的機電方面和光學方面的結構設計和材料且使其彼此獨立而發揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學性質與其機械性質脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執行。這允許用于反射層14的結構設計和材料在光學性質方面得以優化，且用于可變形層34的結構設計和材料在所需的機械性質方面得以優化。在某些實施例中，通過與反射元件的反射表面橫向地安置激活電極，使可移動元件的光學性質與可移動元件的電及機械性質兩者分離。在所述實施例中，所述可移動元件通過在大體垂直于所述襯底的所述頂表面的方向上移動來對施加于所述激活電極與所述可移動元件之間的電壓差作出響應。明確地說，可變形層34(而非反射元件14)由靜電力吸引朝向激活電極。反射元件14以機械方式耦合到可變形層34，使得當可變形層34被吸引向激活電極時，反射元件14還在大體垂直于所述襯底的所述頂表面的方向上移動。在某些實施例中，激活電極與可移動元件之間的電壓差的施加導致可變形層34的位移及與可變形層34的位移平行的反射元件14的反射表面的位移。圖8A說明MEMS裝置800(例如，干涉式調制器)的實例實施例的俯視圖，其中可移動元件810的光學性質與可移動元件810的電及機械性質兩者分離。圖9A到圖9H描繪圖8A的MEMS裝置800的實例實施例的橫截面。當MEMS裝置800處于未激活(或“松弛”)狀態下時，圖9A為沿著線A-A截取的橫截面，以及圖9C為沿著線C-C截取的橫截面。圖9B及圖9D分別描繪當MEMS裝置800處于激活狀態下時沿著線A-A及C-C的橫截面。當MEMS裝置800處于未激活狀態下時，圖9E為沿著線E-E截取的橫截面，以及圖9G為沿著線G-G截取的橫截面。圖9F及圖9H分別描繪當MEMS裝置800處于激活狀態下時沿著線E-E及G-G的橫截面。MEMS裝置800包括具有頂表面88的襯底20及在襯底20上的可移動元件810。可移動元件810包括可變形層34及以機械方式耦合到所述可變形層34且包含反射表面92的反射元件814。MEMS裝置800進一步包括與反射表面92橫向地安置的激活電極82。可移動元件810通過在大體垂直于襯底20的頂表面88的方向上移動來對施加于激活電極82與可移動元件810之間的電壓差作出響應。在某些實施例中，MEMS裝置800可用以通過將電壓施加到激活電極82來調制光(例如，以干涉方式調制光)。電壓對可移動元件810產生吸引力，這使可移動元件810朝向激活電極82移動。襯底20可包括至少部分透明或半透明且至少部分反射的材料，其實例包含(但不限于)玻璃或塑料。襯底20還可制造成多種形式，包含(但不限于)均質物質或非均質物質，或具有均勻厚度或非均勻厚度。襯底20還可具有若干子層、較短擴張區或區域或多個擴張區或區域。在某些實施例中，襯底20包含如上所述的光學堆疊16。舉例來說，襯底20可與第一反射層94、黑色掩模(未圖示)或其它層或結構集成。如本文中所使用，短語“襯底的頂表面”為廣義短語，其包含(但不限于)在反射元件814的反射表面92下面的結構的最上部表面。舉例來說且不受限制，襯底20的頂表面88可為襯底20的頂表面自身、絕緣層86的頂表面、絕緣層87的頂表面(例如，如圖10C、圖10D、圖IlC及圖IlD中所說明)、第一反射層94的頂表面(例如，如圖9C、圖9D、圖9G及圖9H中所說明)或黑色掩模的頂表面。在某些實施例中，襯底20的頂表面88為一個或一個以上絕緣結構(例如，安置于激活電極82及/或第一反射層94上的絕緣或導電凸塊)的頂表面。可變形層34優選地包括導電的柔性材料(例如，鎳)。在一些實施例中，可變形層34在若干行的MEMS裝置800上延伸(例如，如圖8B中所描繪)，且一行MEMS裝置800的可變形層34與其它行MEMS裝置800的可變形層34電隔離，以便實現上述激活協議。在一些實施例中，可變形層34在若干列的MEMS裝置800上延伸，且一列MEMS裝置800的可變形層34與其它列MEMS裝置800的可變形層34電隔離，以便實現上述激活協議。反射元件814的反射表面92優選地包括例如鋁的反射材料，但反射元件814不必須具有任何特定電性質。如本文中所使用，術語“反射表面”為廣義術語，其包含(但不限于)反射元件814的經配置以反射光的部分。在圖9A到圖9H中所說明的實施例中，可移動元件810包括反射元件814，其以機械方式耦合到可變形層34的頂表面。其它配置也是可能的(例如，圖IOA到圖IiD中所說明的實施例)。在某些實施例中，可移動元件810包括一個或一個以上連接元件84，且反射元件814通過一個或一個以上連接元件84以機械方式耦合到可變形層34。在一些實施例中，連接元件84包括至少一個突起，其從反射元件814延伸且以機械方式耦合到可變形層34(例如，如圖8A中所描繪)。連接元件84優選地包括具有合適機械性質的材料，但連接元件84不必須具有任何特定光學及/或電性質。舉例來說，某些實施例的連接元件84包括具有類似于反射元件814的主體的內應力及/或熱膨脹系數的內應力及/或熱膨脹系數的材料。在某些實施例中，連接元件84包括可熔合到反射元件814及可變形層34的材料的材料。在某些實施例中，鋁層包括連接元件84及反射元件814的反射表面92。在一些實施例中，可變形層34由柱18支撐。柱18優選地包括氧化物(例如，SiO2)，但可包括任一合適的剛性材料。雖然圖9A到圖9H中所說明的可變形層34由柱18按如在圖7A及圖7D的可變形層34中的類似方式支撐，但應了解，可變形層34的配置可對應圖7B、圖7C及圖7E中所說明的實施例或其它配置。激活電極82由圖8A及圖8B中的虛線說明，以指示在一些實施例中激活電極82的至少一部分處于可變形層34的至少一部分之下(例如，如圖9A到圖9H的橫截面中所說明)。在某些實施例中，MEMS裝置800包括多個激活電極82(例如，激活電極82中的每一者的至少一部分在可變形層34的至少一部分之下)。激活電極82優選地由絕緣層86、87(例如，包括SiO2)覆蓋(例如，囊封于其中)，使得激活電極82與可移動元件810及第一反射層94絕緣。絕緣層86、87可包括相同材料(例如，SiO2)或不同材料(例如，SiO2及Al2O3)。激活電極82可連接于MEMS裝置800的列之間(例如，如圖8B中所描繪)或MEMS裝置800的行之間，以便實現上述激活協議。激活電極82與反射元件814的反射表面92橫向地安置，因此激活電極82可有利地包括不透明導體而非例如上述ITO的透明導體。此外，使用不透明激活電極82允許使用具有比透明導體低的電阻的材料形成激活電極82，從而減少功率消耗及響應時間τ。舉例來說，激活電極82可包括鎳、鋁、銅、銀、金及其合金。此外，通過與反射表面92橫向地安置激活電極82，在某些實施例中，與其中將透明導體安置于光學路徑中的實施例相比，可有利地提供更好的對比率。例如ITO的某些透明導體對高溫工藝敏感，使得在形成激活電極902之后，MEMS裝置的最大處理溫度受到限制。舉例來說，在大約350°C及更高的溫度下，ITO降級，從而增加包括ITO的激活電極的電阻率。因此，通常不對包括ITO的結構執行某些工藝(例如，大于350°C的化學氣相沉積(CVD))。然而，包括與反射表面92橫向地安置的激活電極82的MEMS裝置可具有包括多種可承受高溫處理的導體的激活電極82，這增加MEMS裝置800的組件的工藝靈活性。舉例來說，可在高溫下執行某些沉積(例如，支撐結構18的沉積)。對于另一實例，某些沉積工藝可為CVD而非物理氣相沉積(PVD)(例如，濺射)，這可增強沉積保形性及均勻性。在光學路徑中的激活電極的厚度受到限制，以便避免不利地影響MEMS裝置的光學性質，但與反射表面92橫向地安置的激活電極82可具有多種厚度，因為其不處于光學路徑中。舉例來說，增加激活電極的厚度可有利地增加導電率，從而減少響應時間及/或MEMS裝置的功率消耗。此外，厚激活電極82使得能夠使用替代沉積方法(例如，涂布、噴墨印刷、可印刷導體)，其可降低制造成本。再次參看圖8A，反射元件814的反射表面92與激活電極82橫向地安置。與以上關于圖7A到圖7E描述的MEMS裝置相對比，可移動元件810的經歷歸因于靜電力的電吸引的部分不調制光。在一些實施例中，在MEMS裝置800的其中可移動元件810經歷電吸引的部分中，將黑色掩模(未圖示)安置于襯底20上(例如，襯底20與激活電極82之間)，以防止不當的光調制。在一些實施例中，在未由反射元件814覆蓋的區中(例如，在支撐結構18之下，在激活電極82與反射表面92之間)，將黑色掩模(未圖示)安置于襯底20上，例如，以使不調制光的區的反射比最小化，從而改進對比率。如上所述，可變形層34包括柔性材料，其可由靜電力吸引朝向激活電極82。因此，當將電壓施加到激活電極82時，靜電力將可變形層34吸引朝向激活電極82，在所述說明的實施例中，其還朝向襯底20。響應于吸引力，可變形層34的不由柱18支撐的部分在箭頭96(例如，如在圖9B、圖9D、圖9F及圖9G中所描繪)的方向上偏轉。反射元件814以機械方式耦合到可變形層34，因此其響應于施加到激活電極82的電壓還在箭頭96的方向上移動。因此，可移動元件810在大體垂直于襯底20的頂表面88的方向上移動。圖8B說明圖8A的MEMS裝置800的3X3陣列。可變形層34從左到右連接成行且激活電極82從頂部到底部連接成列，以便實現上述激活協議。在某些實施例中，激活電極82從左到右連接成行且可變形層34從頂部到底部連接成列。在一些實施例中，支撐結構18支撐多個MEMS裝置800的可變形層34(例如，如在頂部行與中間行之間所說明)。在一些實施例中，支撐結構18支撐一個MEMS裝置800的可變形層34(例如，如在中間行與底部行之間所說明)。在一些實施例中，在MEMS裝置800的行之間延伸的激活電極82的一部分大體上僅處于可變形層34之下(例如，如在頂部行與中間行之間所說明)。在一些實施例中，在MEMS裝置800的行之間延伸的激活電極82的一部分大體上處于可變形層34及可變形層34之間的區之下(例如，如在中間行與底部行之間所說明)。在圖9A到圖9H中說明的實施例中，反射元件814以機械方式耦合到可變形層34的頂表面。然而，其它耦合方法也是可能的。當MEMS裝置800處于未激活狀態下時，圖IOA為MEMS裝置800的另一實例實施例的橫截面，例如，沿著圖8A的線A-A截取，以及圖IOC為例如沿著圖8A的線C-C截取的橫截面。圖IOB及圖IOD分別描繪當MEMS裝置800處于激活狀態下時沿著線A-A及C-C的橫截面。在圖8A中所說明的平面圖中，連接元件84與可變形層34重疊。然而，在圖IOA到圖IOD中所說明的實施例中，反射元件814的邊緣或側經由鄰接可變形層34但不與其重疊的連接元件84以機械方式耦合到可變形層34的邊緣或側。圖IOB中的虛線說明可變形層34與在可變形層34之后的連接元件84之間的接觸區。其它實施例也是可能的。舉例來說，連接元件84的多個側可鄰接可變形層34的多個側。可移動元件810經配置使得當MEMS裝置800處于激活狀態下時，反射元件814的反射表面92不接觸襯底20的頂表面88(例如，如在圖IOD中所描繪)。舉例來說，反射元件814可比可變形層34薄，使得可變形層34接觸襯底20的頂表面88，而反射表面92卻不接觸(例如，如在圖IOC及圖IOD中所說明)，或者可變形層34可經特殊成形(例如，具有垂直升高部分)以避免反射表面92與襯底20的頂表面88之間的接觸。基于圖IOA到圖IOD及圖9A到圖9H的橫截面，對于所屬領域的技術人員來說，例如沿著圖8A的線E-E及G-G截取的橫截面將顯而易見。當MEMS裝置800處于未激活狀態下時，圖IlA為MEMS裝置800的另一實例實施例的沿著圖8A的線A-A截取的橫截面，以及圖IlC為沿著線C-C截取的橫截面。圖IlB及圖IlD分別描繪當MEMS裝置800處于激活狀態下時沿著線A-A及C-C的橫截面。基于圖9E到圖9H的橫截而，對于所屬領域的技術人員來說，沿著線E-E及G-G的橫截面將顯而易見。反射元件814以機械方式耦合到可變形層34的底表面。然而，可移動元件810經配置使得當MEMS裝置800處于激活狀態下時反射元件814的反射表面92不接觸襯底20的頂表面88。舉例來說，可變形層34可包含耦合到反射元件814的垂直升高部分1102(如在圖IlA及圖lib中所說明)。其它配置也是可能的。圖9A到圖9H的MEMS裝置800的可變形層；34經配置使得當MEMS裝置800處于激活狀態下時其接觸MEMS裝置800的固定部分(例如，襯底20的頂表面88、絕緣層87的頂表面)。然而，如在圖9C、圖9D、圖9G及圖9H中所說明，反射元件814的反射表面92分別地在松弛或激活狀態下不接觸襯底20的頂表面88。反射元件814的反射表面92與襯底20的頂表面88之間的距離比可變形層34與襯底20的頂表面88之間的距離大。其中可移動元件810的反射表面92不接觸襯底20的頂表面88的實施例有利地減小了因可變形層34與襯底20的頂表面88之間機械接觸區較小所致的靜摩擦的危險。靜摩擦危險的減小允許將較低彈簧常數用于可變形層34，因為機械力僅克服在激活狀態下的可變形層34與固定部分之間的小接觸區的粘著力(例如，以使MEMS裝置800松弛)。將較低彈簧常數用于可變形層34允許在松弛狀態下將較少量的靜電力用以克服機械力(例如，以激活MEMS裝置800)。用于MEMS裝置800的激活的較少量靜電力允許使用較小電容器。因此，某些所述實施例實現MEMS裝置800的快速且低功率操作，即使對于大反射元件814，因為歸因于激活電極82與可變形層34的重疊區的MEMS裝置800的電容比其中可移動元件810的較大部分與激活電極82相互作用以產生靜電吸引力的實施例小。此外，反射元件814的尺寸有利地與機械及電元件(例如，可變形層34及激活電極82)的尺寸無關，因為反射元件814不接觸襯底20的頂表面88且因為反射元件814并不在激活之后由靜電力操作性地吸引。此外，反射元件814的反射表面92可為平滑且平坦的，因為當反射表面92在MEMS裝置800的激活或未激活狀態下不接觸襯底20的頂表面88時大大地減小了靜摩擦危險。較平滑且較平坦的反射表面92可有利地改進色域。在其中反射表面92及頂表面88為平坦(例如，以增強色域)的實施例中，表面之間的靜摩擦可不利地影響其中其所接觸的MEMS裝置的操作。例如表面粗糙化及抗靜摩擦層的某些特征可用以減小此靜摩擦，但那些特征可不利地影響MEMS裝置的光學性能。然而，在其中可變形層34接觸固定部分(例如，如在圖9B及圖9D中所描繪)的實施例中，與反射表面92橫向地安置的激活電極82允許不在光學路徑中的可變形層34的下表面及/或固定部分的上表面經調適以減小靜摩擦，而不影響光學性能。舉例來說，表面的表面構形可經粗糙化以減少接觸點的數目，或者抗靜摩擦層可形成于其間。反射元件814與第一反射層94優選地處于相同電位下，以便減小其間可導致發弧的任何靜電力或電場。在某些實施例中，反射元件814與第一反射層94經由可變形層34電連通，使得其處于相同電位下。在某些實施例中，反射元件814與可變形層34絕緣(例如，使用介電連接元件84)，且第一反射層94也絕緣，使得其處于相同電位下。其中可變形層34與襯底20的頂表面88之間的距離比反射元件814的反射表面92與襯底20的頂表面88之間的距離大的實施例也是可能的。圖12A到圖12C分別說明類似于圖9D、圖IOD及圖IlD的實施例，除了當MEMS裝置800處于激活狀態下時反射元件814的反射表面92接觸襯底20的頂表面88以外。在某些實施例中，反射表面92與襯底20的頂表面88之間的接觸允許將MEMS裝置800用于其中MEMS裝置800理想地產生低反射率(即，較暗)黑色的應用中。如果襯底20的頂表面88包括具有約90nm與IlOnm之間(例如，約IOOnm)的厚度的絕緣層87，則當反射表面92正觸碰襯底20的頂表面88時，MEMS裝置800可產生低反射率黑色。在某些實施例中，反射表面92與襯底20的頂表面88之間的接觸允許將MEMS裝置800用于其中MEMS裝置800理想地產生高反射率寬帶白色的應用中。如果襯底20的頂表面88包括第一反射層94(例如，不帶有絕緣層87或帶有具有小于約100A的厚度的絕緣層87)，則當反射表面92正觸碰第一反射層94或距第一反射層94間隔小于約100A(例如，通過觸碰具有小于約100A的厚度的絕緣層87)時，MEMS裝置800可產生高反射率寬帶白色。在某些所述實施例中，反射元件814及第一反射層94處于相同電位下以便減小發弧的機會。在某些實施例中，此接觸可簡化MEMS裝置800的制造。在其中襯底20的頂表面88包括第一反射層94且其中反射表面92距襯底20的頂表面88間隔小于約100A或處于約90nm與IlOnm之間(例如，約IOOnm)的實施例中，也可使用圖9D、圖IOD及圖1ID中所說明的MEMS裝置來產生低反射率黑色及高反射率寬帶白色。在圖8A的實施例中，反射元件814具有多個邊緣(例如，四個邊緣)且在反射元件814的邊緣中的每一者處通過至少一個連接元件84(例如，四個連接元件84，一個連接元件84用于四個邊緣中的每一者)以機械方式耦合到可變形層34。圖13A、圖13B及圖13D說明MEMS裝置800的額外實例實施例，其中激活電極82與反射元件814的反射表面92橫向地安置。在圖13A中，MEMS裝置800在反射元件814的每一邊緣上包括多個連接元件84(例如，兩個)，且所述多個連接元件84將反射元件814以機械方式耦合到可變形層34。在圖13B中，MEMS裝置800包括一對連接元件84，每一者將反射元件814的一側以機械方式耦合到可變形層34。此外，在圖13B的實施例中，MEMS裝置800包括激活電極82，其至少一部分處于可變形層34的至少一部分之下。在所述實施例中，連接元件84經優選地配置使得反射元件814大體上平行于襯底20的頂表面88(例如，通過將第一連接元件84以機械方式耦合到反射元件814的第一邊緣且將第二連接元件84以機械方式耦合到反射元件814的大體上與第一邊緣相對的第二邊緣)。所述實施例還可實現較大“填充因數”(即，反射表面92的有效面積對MEMS裝置800的總面積)，因為在MEMS裝置800陣列中的相鄰MEMS裝置800的反射元件814可經放置而在每一行上相互緊密接近。圖13C說明圖13B的MEMS裝置800的3X3陣列。可變形層34從左到右連接成行且激活電極82從頂部到底部連接成列，以便實現上述激活協議。然而，每一MEMS裝置800的激活電極82僅在列方向上的單一側上，使得一列激活電極82形成E狀結構。當在反射元件814的一側上將激活電極82連接成行時，先前用以在反射元件814的另一側上連接激活電極82(例如，如在圖8B中所說明)的空間可用于鄰近MEMS裝置800的反射元件814。圖13C的陣列中的MEMS裝置800因此比圖13B的陣列及圖13C的陣列中的MEMS裝置800更緊地在一起，且因此圖13C的陣列具有比圖8B的陣列高的填充因數。在圖8A中所說明的MEMS裝置800中，反射表面92沿著大體平行于襯底20的頂表面88的方向與可變形層34間隔開。圖13D說明MEMS裝置800的另一實施例，其中反射表面92沿著大體平行于襯底20的頂表面88的方向與可變形層34間隔開，但其中反射元件814在可變形層34上延伸。多個連接元件84包括將可變形層34與反射元件814間隔開的垂直元件(在反射元件814下的接觸點處說明為虛點線)。最接近柱的反射元件的部分(例如，在圖13D中說明的反射元件814的拐角)經成形，使得在激活MEMS裝置800之后，反射元件814不接觸可變形層34。在某些實施例中，與反射元件814的與可變形層34橫向地間隔開更遠的反射表面92(例如，如在圖8A、圖13A及圖13B中所展示)相比，通過更靠近可變形層34或在可變形層34上更遠地橫向延伸反射元件814，圖13D的反射元件814的反射表面92具有更大的面積。其它配置也是可能的。圖14A到圖14H說明制造類似于在圖9A到圖9H中描繪的MEMS裝置800的MEMS裝置800的實例方法。然而，并非在一行MEMS裝置800上延伸(例如，如在圖8B中所說明)，第一反射層94僅大體上定位于反射元件814的反射表面92之下。當第一反射層94不必須接地、可在每一MEMS裝置800內接地等等時，此類實施例可為有利的。另外，圖14A到圖14H中描繪的絕緣層86未從光學路徑移除，此可降低制造復雜性(例如，通過移除圖案化步驟)。圖14A到圖14H的左側為沿著圖8A的線A-A的橫截面(例如，類似于圖9A)，以及圖14A到圖14H的右側為沿著圖8A的線C-C的橫截面(例如，類似于圖9C)。圖14A說明包括襯底20的結構140，在所述襯底20上已形成第一反射層94。如上所述，第一反射層94可集成于襯底20中的光學堆疊中。第一反射層94安置于正由MEMS裝置800調制的光的光學路徑中，且不必須形成于不處于光學路徑中的區域中，例如，在柱18或激活電極82之下(例如，如在圖14A到圖14H中所描繪)。在某些所述實施例中，第一反射層94可處于與激活電極82相同的平面中(例如，如在圖14B中所描繪)。圖14B說明在激活電極82已經形成于襯底20上之后的結構140。如在圖8B及圖13C上所說明，激活電極82可形成于反射元件814的反射表面92周圍的條帶中。在一些實施例中，第一反射層94形成于激活電極82之后。第一反射層94與激活電極82可具有不同厚度。圖14C說明在第一反射層94及激活電極82由絕緣體86覆蓋(例如，囊封)之后的結構140。在某些實施例中，當MEMS裝置800處于激活狀態下時，絕緣體86提供可變形層34與激活電極82之間的電隔離。使可變形層34與激活電極82絕緣的其它實施例也是可能的。在某些實施例中，絕緣體86包括形成于可變形層34與激活電極82之間的一個或一個以上層，其可用以有利地使接觸點的形狀及表面能量優化及/或使可變形層34與可變形層34之下的層之間的靜摩擦最小化。舉例來說，在某些實施例中，激活電極82與可變形層34之間的絕緣體86的上表面經粗糙化以減小在與可變形層34接觸時的靜摩擦。在某些實施例中，將絕緣層86的頂表面界定為襯底20的頂表面88。圖14D說明在已形成柱18之后的結構140。如上所述，在某些實施例中，柱18將可變形層；34以機械方式耦合到襯底20，且可具有多種配置(例如，如在圖7B、圖7C及圖7E中所描繪)。在某些實施例中，黑色掩模(未圖示)形成于柱18之下且可與襯底集成。圖14E說明在犧牲層142已形成于激活電極82及絕緣體86上之后的結構140。舉例來說，犧牲層142可包括鉬、光致抗蝕劑、多晶硅或其它合適材料。在某些實施例中，犧牲層142的厚度確定可變形層34與MEMS裝置800的固定部分之間的距離及/或反射元件814的反射表面92與襯底20的頂表面88之間的距離。在一些實施例中，圖案化犧牲層142以為沉積形成可變形層34的材料作準備。圖14F說明在可變形層34已形成于犧牲層142上之后的結構140。類似于圖8A，圖14F中所說明的實施例的可變形層34包括在柱18之間延伸的一個或一個以上部分。圖14G說明在反射元件814已形成于犧牲層142上之后的結構140。反射元件814由連接元件84以機械方式耦合到可變形層34。在某些實施例中，連接元件84與反射表面92及反射元件814同時形成(例如，通過沉積單一鋁層)。在某些替代實施例中，連接元件84與反射表面92及/或反射元件814分開形成。反射元件814包含反射表面92。反射表面92與激活電極82及可變形層34橫向地安置。在一些實施例中，犧牲層142經圖案化，使得反射元件814的反射表面92相對于可變形層34而定位以避免當MEMS裝置800處于激活狀態下時接觸襯底20的頂表面88。在一些實施例中，通過在平滑且平坦的犧牲層142上(例如，在光致抗蝕劑或經拋光的鉬上)形成反射元件814，使反射表面92平滑且平坦。圖14H說明在已移除犧牲層142(例如，在其中犧牲層142包括鉬的實施例中，通過用XeF2進行蝕刻)之后的結構140，其形成具有可移動元件810的MEMS裝置800。圖15A到圖15H說明制造類似于在圖9A到圖9H中描繪的MEMS裝置800的MEMS裝置800的另一實例方法。如圖8B中所說明，第一反射層94在多個MEMS裝置800上延伸。所述實施例可有利地在數個點處將多個MEMS裝置800的第一反射層94接地。圖15A到圖15H各自展示在制造過程中的相同點處的四個橫截面。從頂部到底部，第一橫截面(“A”)是沿著圖8A的線A-A(例如，類似于圖9A)，第二橫截面(“C”)是沿著線C-C(例如，類似于圖9C)，第三橫截面(“E”)是沿著線E-E(例如，類似于圖9E)，第四橫截面(“G”)是沿著線G-G(例如，類似于圖9G)。圖15A說明包括襯底20的結構150，在所述襯底20上已形成第一反射層94及第一絕緣層86。如上所述，第一反射層94可集成于襯底20中的光學堆疊中。第一反射層94安置于正由MEMS裝置800調制的光的光學路徑中，且不必須形成于不處于光學路徑中的區域中，例如，在柱18或激活電極82下面。然而，在某些實施例(例如，如在圖15A到圖15H中所描繪)中，第一反射層94沿著與可變形層34相同的方向形成于連續條帶中(例如，行中)。在某些所述實施例中，第一反射層94與所述行的可變形層34電連通。在形成第一反射層94之后，絕緣層86(例如，包括SiO2或Al2O3)可經沉積以將第一反射層94與激活電極82絕緣，舉例來說，所述激活電極82在列中電連通。如在C-C及G-G橫截面中可見，絕緣層86在光學路徑中的部分已經移除。在替代實施例中，絕緣層86在光學路徑中的部分可保留或可通過稍后步驟加以移除。圖15B說明在激活電極82已經形成于襯底20上(例如，在絕緣層86上)之后的結構150。如上文在圖8B中所說明，激活電極82可形成于反射元件814的反射表面92周圍的條帶中。在某些實施例中，MEMS裝置800的其中激活電極82與第一反射層94重疊的一部分可包括黑色掩模152。在某些所述實施例中，視絕緣體86的折射率而定，絕緣層96的厚度優選地處于約90nm與IlOnm之間(例如，約IOOnm)厚，使得用戶看到的進入黑色掩模152的光為黑色的。如果絕緣層86太薄，則可能存在寄生電容器的形成及/或電擊穿的危險。如果絕緣層86太厚，則掩模152可能被看作彩色而非黑色，從而降低了對比度。舉例來說，在其中絕緣體86包括SiO2的一些實施例中，絕緣體86的厚度處于約280nm與300nm之間(例如，約290nm)以產生二級藍。在其中空氣占據第一反射層94與激活電極82之間的黑色掩模152的一些實施例中，空氣的厚度處于約400nm與500nm之間(例如，約440nm)以產生二級藍。在其中SiO2占據第一反射層94與激活電極82之間的黑色掩模152的一些實施例中，SiO2的厚度處于約250nm與350nm之間(例如，約280nm與300nm之間)以產生二級藍。圖15C說明在激活電極82由絕緣體87覆蓋(例如，囊封)之后的結構150。在某些實施例中，當MEMS裝置800處于激活狀態下時，絕緣體87提供激活電極82與可變形層34之間的電隔離。使可變形層34與激活電極82絕緣的其它實施例也是可能的。在某些實施例中，絕緣體87包括形成于可變形層34與激活電極82之間的一個或一個以上層，其可有利地用以使接觸點的形狀及表面能量優化及/或使可變形層34與可變形層34之下的層之間的靜摩擦最小化。舉例來說，在某些實施例中，激活電極82與可變形層34之間的絕緣體87的上表面經粗糙化以減小在與可變形層34接觸時的靜摩擦。在圖15C中所說明的實施例中，在絕緣層87的圖案化期間，到第一反射層94的開口形成于光學路徑中。在一些實施例中，例如，在其中絕緣層86、87包括相同材料的實施例中，在絕緣層87的圖案化期間形成絕緣層86中的開口。在某些實施例中，將第一反射層94的頂表面界定為襯底20的頂表面88。在某些實施例中，將絕緣層87的頂表面界定為MEMS裝置800的固定部分。在某些實施例中，絕緣層86、87經形成使得其不處于光學路徑中，此可減少反射表面的數目，且此可允許反射表面92與頂表面88之間的額外間隔。從光學路徑移除絕緣體86、87還允許絕緣體86為較厚，而不會不利地影響光學性能，從而改進電擊穿強度且減小第一反射層94與激活電極82之間的寄生電容。圖15D說明在已形成柱18之后的結構150。如上所述，在某些實施例中，柱18將可變形層；34以機械方式耦合到襯底20，且可具有多種配置(例如，如在圖7B、圖7C及圖7E中所描繪)。在某些實施例中，黑色掩模形成于柱18之下(例如，處于激活電極82與第一反射層94之間的黑色掩模152)，且可與襯底20集成。圖15E說明在犧牲層142已形成于激活電極82、絕緣體87及第一反射層94上之后的結構150。舉例來說，犧牲層142可包括鉬、光致抗蝕劑、多晶硅或其它合適材料。在某些實施例中，犧牲層142的厚度確定可變形層34與MEMS裝置800的固定部分之間的距離及/或反射元件814的反射表面92與襯底20的頂表面88之間的距離。在一些實施例中，圖案化犧牲層142以為沉積形成可變形層34的材料作準備。圖15F說明在可變形層34已形成于犧牲層142上之后的結構150。類似于圖8A，圖15F中所說明的實施例的可變形層34包括在柱18之間延伸的一個或一個以上部分。圖15G說明在反射元件814已形成于犧牲層142上之后的結構150。反射元件814由連接元件84以機械方式耦合到可變形層34。在某些實施例中，連接元件84與反射表面92及反射元件814同時形成(例如，通過沉積單一鋁層)。在某些替代實施例中，連接元件84與反射表面92及/或反射元件814分開形成。反射元件814包含反射表面92。反射表面92與激活電極82及可變形層34橫向地安置。在一些實施例中，犧牲層142經圖案化，使得反射元件814的反射表面92相對于可變形層34而定位以避免當MEMS裝置800處于激活狀態下時接觸襯底20的頂表面88。在一些實施例中，通過在平滑且平坦的犧牲層142上(例如，在光致抗蝕劑或經拋光的鉬上)形成反射元件814，使反射表面92平滑且平坦。圖15H說明在已移除犧牲層142(例如，在其中犧牲層142包括鉬的實施例中，通過用XeF2進行蝕刻)之后的結構140，其形成具有可移動元件810的MEMS裝置800。應了解，從頂部到底部，所描繪的MEMS裝置800分別對應圖9A、圖9C、圖9E及圖9G的橫截面。在某些實施例中，可使用與如上所述的步驟集合類似的步驟集合通過適當修改(例如，不同沉積厚度、不同圖案化掩模等)以實現所要的配置，來形成圖IOA到圖13B及圖13C中所說明的MEMS裝置800以及其中激活電極82與反射元件814的反射表面92橫向地安置的其它MEMS裝置。圖16A到圖16H2描繪圖8A的MEMS裝置800的另一實例實施例的橫截面，其包含第二激活電極164。當MEMS裝置800處于未激活(或“松弛”)狀態下時，圖16A為沿著線A-A截取的橫截面，以及圖16C為沿著線C-C截取的橫截面。圖16B1及圖16D1分別描繪當MEMS裝置800處于第一激活狀態下時沿著線A-A及C-C的橫截面。圖16B2及圖16D2分別描繪當MEMS裝置800處于第二激活狀態下時沿著線A-A及C-C的橫截面。當MEMS裝置800處于未激活狀態下時，圖16E為沿著線E-E截取的橫截面，以及圖16G為沿著線G-G截取的橫截面。圖16F1及圖16H1分別描繪當MEMS裝置800處于第一激活狀態下時沿著線E-E及G-G的橫截面。圖16F2及圖16H2分別描繪當MEMS裝置800處于第二激活狀態下時沿著線E-E及G-G的橫截面。如上所述(例如，如在圖16B1、圖16D1、圖16F1及圖16H1中所說明)，可移動元件810通過大體在第一方向上移動來對施加到可變形層34與反射元件82之間的激活電極82的電壓作出響應。可移動元件810進一步通過大體在第二方向上移動來對施加到第二激活電極164的電壓作出響應。在某些實施例中，第二方向大體上與第一方向相反(例如，如在圖16B2、圖16D2、圖16F2及圖16H2中所說明)。MEMS裝置800因此能夠穩定地產生至少三個顏色在松弛狀態下的第一顏色、在第一方向上的在激活狀態下的第二顏色及在第二方向上的在激活狀態下的第三顏色。在圖16A、圖16C、圖16E及圖16H中所說明的實施例中，第二激活電極164處于可移動元件810上。MEMS裝置800進一步包括支撐結構18a，其支撐第二激活電極164及任選的絕緣層162。在某些實施例中，支撐結構18a形成于所述反射元件814的與支撐結構18相對的側上。當將電壓施加到第二激活電極164時，靜電力作用于可移動元件810上。響應于吸引力，可變形層34在箭頭168(例如，如圖16B2、圖16D2、圖16F2及圖16G2中所描繪)的方向上朝向第二激活電極164彎曲。反射元件814以機械方式耦合到可變形層34，因此其響應于施加到第二激活電極164的電壓也在箭頭168的方向上移動。因此，可移動元件810在大體垂直于襯底20的頂表面88的方向上移動。MEMS裝置800的固定部分充當可移動元件810的移動的擋止件。在某些實施例中，絕緣層162包括固定部分(例如，如在圖16H2中所說明)。在某些實施例中，第二激活電極164包括固定部分。在某些所述實施例中，形成于反射元件814的上表面上的絕緣層(未圖示)使可移動元件810與第二激活電極164絕緣。第二激活電極164定位于反射元件814的反射表面92上，使得第二激活電極164不處于MEMS裝置的光學路徑中。因此，第二激活電極164可包括透明及/或不透明的導電材料。其中激活電極包括不透明的導電材料的實施例(例如)對于上述電性質可為有利的。圖15A到圖15G及圖17A到圖17F描繪制造圖16A到圖16H2的MEMS裝置800的方法的實例實施例。在于圖15G中反射元件814已形成于犧牲層142上之后，支撐結構18a形成于可變形層34上(例如，如在圖17A中所說明)。圖17B說明在第二犧牲層1702(例如，包括鉬)已形成于可變形層34上之后的圖17A的MEMS結構1700。第二犧牲層1702將可變形層34與第二激活電極164間隔開。第二犧牲層1702可包括與第二犧牲層142相同的材料或與第一犧牲層142不同的材料。在某些實施例中，第二犧牲層1702的厚度影響激活狀態下的MEMS裝置800的顏色。圖17C說明在絕緣層162(例如，包括SiO2)已形成于第二犧牲層1702上之后的圖17B的MEMS結構1700。在某些實施例中，在形成第二犧牲層1702之前，使絕緣層形成于反射元件814的上表面上。在所說明的實施例中，支撐結構18a形成于第二犧牲層1702之前。在某些實施例中，在形成絕緣層162(例如，通過沉積SiO2且圖案化SiO2)的同時形成支撐結構18a。圖17D說明在第二激活電極164(例如，包括鎳、鋁、銅、銀、金、其合金)已形成于絕緣層162上之后的圖17C的MEMS結構1700。在某些實施例中，第二激活電極164及絕緣層162包括至少一個孔隙以允許較容易地蝕刻犧牲層142、1702。圖17E說明在任選絕緣層166(例如，包括SiO2、聚酰亞胺)已形成于第二激活電極164上之后的圖17D的MEMS結構1700。絕緣層166可用以使包括MEMS裝置800的顯示器中的組件與第二激活電極164絕緣。圖17F說明在已移除第一及第二犧牲層142、1702之后的圖17E的MEMS結構1700，從而形成圖16A、圖16C、圖16E及圖16G的MEMS裝置800。在其中犧牲層142、1702各自包括鉬的實施例中，可(例如)通過用^CeF2進行蝕刻而將其移除。在其中犧牲層包括光致抗蝕劑的實施例中，可(例如)通過灰化(例如，通過用02及/或吐0進行蝕刻)來將其移除。反射元件814中的一個或一個以上孔隙可用以幫助蝕刻劑移除在反射元件814之下的第一犧牲層142。絕緣層162及第二激活電極164中的一個或一個以上孔隙可用以幫助蝕刻劑移除在第二激活電極164之下的第二犧牲層1702。在移除了犧牲層142、1702之后，可移動元件810可響應于施加到激活電極82、164的電壓而移動。在其中激活電極82與反射元件814的反射表面92橫向地安置的某些實施例中，反射表面92面向襯底20且遠離襯底20，且MEMS裝置800可由用戶從可移動元件810的與襯底20相對的側觀看。在一些實施例中，第一反射層94形成于可移動元件810之下。在某些所述實施例中，可移動元件810包括部分反射且部分透射材料，且第一反射層94包括完全反射材料。在一些實施例中，第一反射層94形成于可移動元件810上。在某些所述實施例中，可移動元件810包括完全反射材料，且第一反射層94包括部分反射且部分透射材料。在一些實施例中，激活電極82與反射元件814的反射表面92橫向地安置且定位于可移動元件810上。可移動元件810朝向激活電極82且在遠離襯底20的方向上被吸引。可移動元件810在松弛狀態下最接近(例如，接觸)襯底20的頂表面88而定位，且在激活后在大體垂直于襯底20的頂表面88的方向上移動。在其中激活電極82定位于可移動元件810上的一些實施例中，第一反射層94形成于可移動元件810上。在其中激活電極82定位于可移動元件810上的一些替代實施例中，可移動元件810包括完全反射材料，且第一反射層94包括部分反射且部分透射材料。在其中MEMS裝置800的激活導致反射元件814遠離襯底20移動的某些實施例中，可變形層34可經配置使得可移動元件810在松弛狀態下負“發射”(例如，朝向襯底20)。舉例來說，可變形層34與支撐結構18之間的殘余應力可經設計使得在犧牲層的移除之后可變形層34向下偏轉。在其中激活電極82定位于可移動元件810上的一些實施例中，MEMS裝置800可由用戶經由襯底20觀看。在其中可移動元件810在松弛狀態下負發射的某些所述實施例中，松弛狀態可經配置以產生高反射率寬帶白色(例如，通過使可移動元件810的反射表面92觸碰襯底20的頂表面88或與第一反射層94的間隔小于約100A)、低反射率黑色(例如，通過使可移動元件810的反射表面92與第一反射層94間隔約IOOnm)、灰色(例如，通過使可移動元件810的反射表面92與第一反射層94間隔約100A與IOOnm之間)或彩色(例如，黃色、紅色、藍色等)。在一些實施例中，可移動元件810包括部分反射且部分透射材料，且第一反射層94包括完全反射材料。在其中激活電極82定位于可移動元件810上的一些替代實施例中，MEMS裝置800可由用戶從可移動元件810的與襯底20相對的側觀看。在其中可移動元件810在松弛狀態下負發射的某些所述實施例中，松弛狀態可經配置以產生高反射率寬帶白色(例如，通過使可移動元件810的反射表面92與第一反射層94間隔小于約100A)、低反射率黑色(例如，通過使可移動元件810的反射表面92與第一反射層94間隔約IOOnm)、灰色(例如，通過使可移動元件810的反射表面92與第一反射層94間隔約100A與IOOnm之間)或彩色(例如，黃色、紅色、藍色等)。在其中MEMS裝置800可由用戶從可移動元件810的與襯底20相對的側觀看的實施例中，用戶不經由襯底20觀看反射表面92。在某些所述實施例中，襯底20包括大體上對光不穿透(例如，不透明、高反射性、半透明)的材料。在某些所述實施例中，襯底20可包括金屬(例如，不銹鋼、鋁)、陽極化金屬、硅(例如，硅晶片)、多晶硅、塑料、陶瓷、聚合物(例如，聚酰亞胺、MYLAR)及碳(例如，石墨)以及所述材料的合金及復合物。大體上不透明的襯底20可呈現許多制造及操作優勢，包含(但不限于)避免歸因于在光刻期間的光散射的處理問題、將下層電路從雜散光屏蔽、允許使用標準的半導體處理設備來制造MEMS裝置、允許MEMS裝置制造與下層控制電路制造的集成、增加控制電路的面積、減少與在MEMS裝置內集成控制電路相關聯的約束及有助于在MEMS裝置(例如，干涉式調制器)的陣列中使用照明源。在包括第二激活電極164的一些實施例中，第二激活電極164定位于反射元件814的反射表面92與襯底20之間使得第二激活電極164處于MEMS裝置的光學路徑中。因此，在其中可從可移動元件810的與襯底20相對的側觀看MEMS裝置800的實施例中，第二激活電極164可包括不透明導電材料，且在其中可經由襯底20觀看MEMS裝置800的實施例中，第二激活電極164可包括透明導電材料。其中激活電極包括不透明導電材料的實施例(例如)對于上述電性質可為有利的。以上已描述的各種特定實施例。雖然已參看這些特定實施例描述了本發明，但希望所述描述說明本發明且并不希望為限制性的。在不脫離如所附權利要求書中界定的本發明的真實范圍的情況下，對于所屬領域的技術人員來說，可發生各種修改及應用。權利要求1.一種機電裝置，其包括可移動元件，所述可移動元件包括導電的可變形層；及以機械方式耦合到所述可變形層的反射元件，所述反射元件包含反射表面；以及激活電極，其處于所述可變形層的至少一部分之下，并與所述反射表面橫向地安置，所述可移動元件可響應于所述激活電極與所述可變形層之間施加的電壓差從第一位置移動到第二位置。2.根據權利要求1所述的機電裝置，其中所述反射表面沿著大體平行于所述反射表面的方向與所述可變形層間隔開。3.根據權利要求1所述的機電裝置，其中所述反射元件以機械方式耦合到所述可變形層的頂表面。4.根據權利要求1所述的機電裝置，其中所述反射元件以機械方式耦合到所述可變形層的底表面。5.根據權利要求1所述的機電裝置，其中所述可移動元件進一步包括至少一個連接元件，所述至少一個連接元件將所述反射元件以機械方式耦合到所述可變形層。6.根據權利要求5所述的機電裝置，其中所述至少一個連接元件包括第一連接元件，其以機械方式耦合到所述反射元件的第一邊緣，和第二連接元件，其以機械方式耦合到所述反射元件的第二邊緣，所述第一邊緣大體上與所述第二邊緣相對。7.根據權利要求5所述的機電裝置，其中所述反射元件具有多個邊緣，且其中所述至少一個連接元件將所述多個邊緣的每一邊緣以機械方式耦合到所述可變形層。8.根據權利要求5所述的機電裝置，其中所述至少一個連接元件包括從所述反射元件延伸的至少一個突起。9.根據權利要求5所述的機電裝置，其中所述至少一個連接元件包括其內應力類似于所述反射元件的主體的內應力的材料。10.根據權利要求5所述的機電裝置，其中所述至少一個連接元件包括其熱膨脹系數類似于所述反射元件的主體的熱膨脹系數的材料。11.根據權利要求5述的機電裝置，其中所述至少一個連接元件的厚度小于所述反射元件的厚度。12.根據權利要求1所述的機電裝置，其中所述機電裝置經配置使得當在所述激活電極與所述可變形層之間施加電壓差時所述反射表面不與所述機電裝置的表面接觸。13.根據權利要求1所述的機電裝置，其中在所述激活電極與所述可變形層之間施加電壓差導致了所述可變形層的移動和所述反射表面的移動，所述可變形層的移動平行于所述反射表面的移動，且所述可變形層的移動與所述反射表面的移動不在同一平面上。14.根據權利要求1所述的機電裝置，其中所述可變形層和所述激活電極之間的表面經粗糙化處理。15.根據權利要求1所述的機電裝置，其進一步包括在所述可變形層和激活電極之間的抗靜摩擦層。16.根據權利要求1所述的機電裝置，其進一步包括每個拐角上的柱。17.根據權利要求16所述的機電裝置，其中反射元件包括將各個所述柱與所述反射元件橫向間隔開的切口。18.根據權利要求1至17中任一項所述的機電裝置，其中所述機電裝置經配置以當所述反射元件在所述第一位置時反射第一顏色，并當所述反射元件在所述第二位置時反射第二顏色。19.根據權利要求1所述的機電裝置，其進一步包括在所述可移動元件上的第二激活電極，其中所述可移動元件還可響應于在所述第二激活電極和所述可移動元件之間施加的電壓差從所述第一位置移動到第三位置。20.根據權利要求19所述的機電裝置，其進一步包括在所述可移動元件的上表面上的絕緣層。21.根據權利要求19所述的機電裝置，其進一步包括在所述第二激活電極的下表面上的絕緣層。22.根據權利要求19至21中任一項所述的機電裝置，所述機電裝置經配置以在所述反射元件在所述第一位置時反射第一顏色，在所述反射元件在所述第二位置時反射第二顏色，以及在所述反射元件在所述第三位置時反射第三顏色。23.根據權利要求1所述的機電裝置，其進一步包括顯不器；處理器，其經配置以與所述顯示器通信并經配置以處理圖像數據；以及存儲器裝置，其經配置以與所述處理器通信。24.根據權利要求23所述的機電裝置，其進一步包括經配置以將至少一個信號發送到所述顯示器的驅動器電路。25.根據權利要求24所述的機電裝置，其進一步包括經配置以將所述圖像數據的至少一部分發送到所述驅動器電路的控制器。26.根據權利要求23所述的機電裝置，其進一步包括經配置以將所述圖像數據發送到所述處理器的圖像源模塊。27.根據權利要求26所述的機電裝置，其中所述圖像源模塊包括接收器、收發器及發射器中的至少一者。28.根據權利要求23至27中任一項所述的機電裝置，其進一步包括經配置以接收輸入數據并將所述輸入數據傳送到所述處理器的輸入裝置。29.一種制造機電裝置的方法，其包括在激活電極上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成導電的可變形層，所述激活電極在所述可變形層的至少一部分之下；在所述犧牲層上形成反射元件，且所述反射元件以機械方式耦合到所述可變形層，所述反射元件包含與所述激活電極橫向地安置的反射表面；以及移除所述犧牲層，其中在移除所述犧牲層之后，可移動元件包括所述可變形層和所述反射元件，所述可移動元件響應于所述激活電極和所述可變形層之間施加的電壓差從第一位置移動到第二位置。30.一種采用根據權利要求四所述的方法制造的機電裝置。31.一種調制光的方法，其包括提供包括可移動元件和激活電極的機電裝置，所述可移動元件包括導電的可變形層及以機械方式耦合到所述可變形層的反射元件，所述反射元件包含反射表面，所述激活電極在所述可變形層的至少一部分之下，并與所述反射表面橫向地安置；以及在所述激活電極和所述可變形層之間施加電壓差，從而導致所述可移動元件從第一位置移動到第二位置。全文摘要本發明涉及具有與機械及電功能分離的光學功能的微機電裝置。本發明提供一種微機電(MEMS)裝置(800)，其包括具有頂表面(88)的襯底(20)、在所述襯底(20)上的可移動元件(810)及激活電極(82)。所述可移動元件(810)包括可變形層(34)及以機械方式耦合到所述可變形層(34)的反射元件(814)。所述反射元件(814)包含反射表面(92)。所述激活電極(82)與所述反射表面(92)橫向地安置。所述可移動元件(810)通過在大體垂直于所述襯底(20)的所述頂表面(88)的方向上移動來對施加于所述激活電極(82)與所述可移動元件(810)之間的電壓差作出響應。文檔編號B81B3/00GK102393562SQ20111041230公開日2012年3月28日申請日期2008年6月24日優先權日2007年7月2日發明者丹尼斯·恩迪施,馬克·米尼亞爾申請人:高通Mems科技公司