專利名稱：包含壓電薄膜的器件和用于制造該器件的方法
技術領域：
本發明涉及包含壓電薄膜的器件和制造該器件的方法，尤其涉及可用于諸如移動電話、無線LAN裝置等的無線通信終端的射頻電路中的聲共振器和微電機開關，以及用于制造該器件的方法。
背景技術：
內置于諸如移動電話等電子設備中的組件需要是緊湊、輕便和小損耗的，并提供高可靠性。為了滿足這些需求，已提出了包含壓電薄膜的各類器件。期望是緊湊、輕便和小損耗的器件是例如使用聲共振器的濾波器和微電機開關。
圖13A是一種示例性常規聲共振器(參見日本專利公開No.60-68711)的橫截面示圖。在該常規聲共振器中，包含置于上電極2和下電極3之間的壓電體1的振動部分放置在襯底5上。在襯底5中，通過使用從其上未形成上述元件的表面執行的精密處理方法部分蝕刻襯底5來形成諧振腔4。
當由上電極2和下電極3在厚度方向上向壓電體1施加電場時，該聲共振器在壓電體1的厚度方向上振動。在下文中，參照圖13B-13D，將描述聲共振器在使用無限平板的厚度縱向振動的情形中的操作。圖13B是聲共振器的示意性軸測投影視圖，它示出其操作。圖13C是示出聲共振器導納的頻率特性。圖13D示出聲共振器的等效電路配置。
當電場施加在上電極2和下電極3之間時，電能通過壓電體1轉換成機械能。所激發的機械振動是在厚度方向上擴展的振動，并在與電場相同的方向上擴展和收縮。聲共振器使用壓電體1厚度方向上的共振來以厚度等于1/2波長處的頻率通過諧振操作。壓電體1的厚度縱向振動由諧振腔4來確保。如圖13D所示，聲共振器的等效電路包括包括電容器C1、電感器L1和電阻器R1的串聯諧振部分，以及與串聯諧振部分并聯連接的電容器C0。因此，聲共振器的導納在諧振頻率fr處最大，而在反諧振頻率fa處最小。fr=1/{2π·√(L1·C1)},]]>而fa=fr·√(1+C1/C0)。]]>圖14是使用壓電效應的示例性常規微電機開關的軸測投影視圖(參見例如日本專利公開No.2003-217421)。常規微電機開關包括置于襯底11上的信號導線12、用于屏蔽射頻信號的通路的驅動短路機構15、以及作為用于給出控制信號以移動驅動短路機構15的驅動裝置的壓電體16。
參照圖14，為屏蔽信號，向壓電體16施加作為控制信號的電壓，以使信號導線12和接地導線13與設置在驅動短路機構15的下表面上的導電層17接觸。為了允許信號通過，不向導電體16施加電壓。
實際上，除了厚度方向振動模式(縱向模式)之外，上述常規的聲共振器還具有沿平行于電極傳播的振動模式(橫向模式)。在聲共振器中，振動部分的一部分固定于襯底5。因此，平行于電極表面傳播的振動在固定位置上反射，從而變成不必要的振動。該不必要的振動引起頻率特性中的亂真。
為了避免由橫向模式引起的亂真，提出了如圖15所示的在聲共振器中形成多邊形諧振腔的技術(參見例如日本專利公開No.2000-332568)。因為聲共振器的諧振腔是多邊形的，所以在固定位置上反射的橫向模式振動在不同于入射方向的方向上傳播。因而，減少了亂真。即，避免了聲共振器的厚度方向振動模式的頻帶中亂真的出現。
然而，該技術具有這樣的問題例如需要為每個聲共振器設計電極和諧振腔，以及每當傳輸路徑的頻率或阻抗改變時都需要重新設計。
常規的聲共振器具有局部應力集中于壓電薄膜的結構。因此，在制造過程中發生分層和裂紋的問題。
為了解決這些問題，公開了圖16所示的聲共振器(參見例如日本專利公開No.2005-45694)。在該聲共振器中，在壓電薄膜32與下電極31之間的界面的對應于間隙V的邊緣的階梯部分上，與襯底30表面不平行、并具有相對襯底30表面不同角度α、β和γ的多個平面從襯底30向間隙V的頂部層疊。由于這種結構(風橋)，可防止局部應力集中于壓電薄膜32。
然而，使用這種技術，支承層40需要具有復雜的形狀，以便于提供壓電薄膜32和下電極31的界面相對于襯底30表面的多個不同角度。這具有例如復雜化制造方法的問題，盡管它緩和了應力集中。
在上述常規的微電機開關中，驅動短路機構15和支承部分9彼此垂直地連接。因此，當驅動短路機構15機械地移動時，應力集中于連接點上，因而降低了機械可靠性。
發明內容
因此，本發明的一個目的是提供一種包含壓電薄膜的器件，該器件能通過橫向模式防止產生不必要的振動因而抑制了亂真，并且還能避免因應力集中引起可靠性的降低。
本發明的另一個目的是提供一種用于制造這種器件的有效方法。
本發明涉及一種以預定頻率振動的聲共振器，以及一種利用壓電效應和靜電效應的微電機開關。為實現上述目的，根據本發明的聲共振器包括襯底；包括由壓電薄膜形成的壓電體、以及將壓電體夾在其間的上電極和下電極的振動部分；以及置于振動部分和襯底之間的支承部分，該支承部分具有其至少一部分具有曲率的垂直橫截面。根據本發明的微電機開關包括襯底；置于襯底上的驅動電極；可移動部分，包括由壓電薄膜形成的壓電體、將壓電體夾在其間的上電極和下電極、以及信號線的可移動電極；以及置于可移動部分和襯底之間的支承部分，該支承部分具有其至少一部分具有曲率的垂直橫截面。
支承部分的垂直橫截面較佳地在其厚度方向的中央部分或其附近最窄或最寬。支承部分中與襯底接觸的表面和支承部分中與下電極接觸的表面較佳地彼此平行。
上述聲共振器和微電機開關獨立工作，或者可置于復合器件、濾波器、雙工器或包括多個聲共振器和/或微電機開關的通信裝置中。
具有上述結構的聲共振器和微電機開關各自通過以下步驟制造在第一襯底上形成壓電體；在該壓電體的一主表面上形成下電極；在該下電極上形成第一支承件；在第二襯底上形成第二支承件；將第一支承件和第二支承件接合在一起；在接合步驟之后分離第一襯底，從而將具有在其上形成的下電極的壓電體從第一襯底轉移至第二襯底；以及在該壓電體的另一個主表面上形成上電極。
通常，接合步驟是通過第一支承件和第二支承件的共晶結晶接合來進行的。在該情形中，第一支承件和第二支承件較佳地是含有至少金錫(AuSn)或金硅(AuSi)的多層膜。第一支承件和第二支承件可被形成為具有不同寬度或厚度。
根據本發明，支承部分用作具有多個諧振頻率的元件，從而分散(衰減)因振動滲漏而產生的不必要振動。結果，可獲得振動部分的諧振頻率和反諧振頻率之間無亂真的導納曲線。
從以下本發明參照附圖的詳細描述中，本發明的這些和其它目的、特征、方面以及優點將變得更加顯而易見。
圖1是示意性地示出根據本發明一實施例的聲共振器的結構的橫截面示圖。
圖2A-2F是示意性地示出根據本發明其它實施例的聲共振器的結構的橫截面示圖。
圖3A-3B示意性地示出用于制造圖1所示的聲共振器的一種方法。
圖4A示出根據本發明一實施例的聲共振器的頻率特性。
圖4B示出常規聲共振器的頻率特性。
圖5A和5B分別是根據本發明一實施例的微電機開關的軸測圖和橫截面示圖。
圖6A-6G示出本發明其它實施例的微電機開關的結構。
圖7A和7B示意性地示出用于制造圖5B所示的微電機開關的方法。
圖8A示出微電機開關的一示例性驅動電路。
圖8B示出圖8A所示的微電機開關的一示例性操作。
圖9示出包括根據本發明的聲共振器的梯式濾波器的一示例性電路。
圖10示出包括根據本發明的聲共振器和微電機開關的合成器件的一示例性電路。
圖11示出包括梯式濾波器的雙工器的一個示例。
圖12示出包括雙工器的通信裝置的一個示例。
圖13A-13D示出一常規聲共振器。
圖14是常規微電機開關的軸測圖。
圖15示出在常規聲共振器中使用的諧振腔的一個示例。
圖16示出另一常規聲共振器。
具體實施例方式
(聲共振器的示例性結構)圖1是示意性地示出根據本發明一實施例的聲共振器的結構的橫截面示圖。圖1所示的聲共振器包括襯底105、置于襯底105上的支承部分104、置于支承部分104上的下電極103、置于下電極103上的壓電體101、以及置于壓電體101上的上電極102。下電極103、壓電體101和上電極102構成振動部分107。由襯底105、支承部分104和下電極103所包圍的區域用作諧振腔106。諧振腔106是為了不妨礙振動107的厚度縱向振動的激發而設置的空間。
壓電體101由比如氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、鋯酸鈦酸鋁(PZT)-系統材料、鈮酸鋰(LiNbO3)、鉭酸鋰(LiTaO3)或鈮酸鉀(KNbO3)等壓電材料制成。上電極102和下電極103由比如鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、鉑(Pt)、金(Au)、鈦(Ti)或銅(Cu)、其多層金屬或其合金等導電材料制成。襯底105由硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅等制成。
根本發明的聲共振器的一個特征是用于支承振動部分107的支承部分104成形為其垂直橫截面的至少一部分具有曲率。支承部分104中與襯底105接觸的表面和支承部分104中與下電極103接觸的表面較佳地彼此平行。例如，如圖1所示，支承部分104在其厚度方向的中央部分或其附近變窄。支承部分104被形成為具有防止在諧振頻率附近產生引起亂真的不必要的振動的垂直橫截面。支承部分具有這種防止產生不必要振動的形狀的原因被視為如下所述。
如上所述對于常規技術，不必要的振動因為振動在固定位置上滲漏到襯底而產生。因此，在支承部分104的諧振頻率接近振動部分107的諧振頻率的情形中，由振動部分107激發的振動在這種振動經由支承部分104滲漏到襯底105時變為不必要的振動。常規聲共振器的支承部分的垂直橫截面是矩形、梯形或不具有曲率的其它形狀。因此，只有支承部分104的一個諧振頻率會導致大的不必要的振動。
根據本發明，支承部分104被成形為具有有曲率的垂直橫截面。由于這種結構，使支承部分104用作具有多個諧振頻率的元件，從而分散(衰減)了由振動滲漏產生的不必要振動。結果，獲得諧振頻率和反諧振頻率之間無亂真的導納曲線(參見如下所述的圖4A)。
只要支承部分104形成為其垂直橫截面的至少一部分具有曲率，根據本發明的聲共振器就可提供上述效果。因此，支承部分104的形狀并不限于圖1所示的形狀，并且可以是圖2A-2F所示的形狀。支承部分104可以是一個環狀元件、或者可包括多個柱。
(用于制造聲共振器的示例性方法)圖3A和3B示意性地示出用于制造具有上述結構的聲共振器的較佳方法。通過該方法，如圖1所示的聲共振器使用晶片到晶片接合方法來制造。
首先，制備由硅、玻璃、藍寶石等形成的層狀襯底108。在層狀襯底108上，形成壓電體101(圖3A，步驟a)。在壓電體101上，通過薄膜形成和圖案形成來形成下電極103(圖3A，步驟b)。然后，在下電極103上，形成要成為支承部分104的一部分的支承件104a(圖3A，步驟c)。然后，制備用于支承振動部分107的襯底105。在襯底105上，形成要稱為支承部分104的一部分的支承件104b(圖3A，步驟d)。支承件104a和104b由金、錫等形成。
然后，層狀襯底108和襯底105被放置成使層狀襯底108的支承件104a和襯底105的支承件104b彼此相對。支承件104a和104b通過金和錫的共晶結晶接合在一起(圖3A，步驟e)。例如，通過在375℃和0.3Mpa一次性地熔化金錫，然后凝固該金錫，可簡便地實現具有不是通過蝕刻獲得的結構的支承部分104(圖3B，步驟f)。然后，從兩個層105和108的組合件中去除層形成襯底108(圖3B，步驟g)。層狀襯底108可通過例如濕法蝕刻或干法蝕刻來去除。通過步驟e到g，最初形成于層狀襯底108上的元件被轉移到襯底105上。然后，在壓電層101上，通過薄膜形成和圖案形成來形成上電極102(圖3B，步驟h)。最后，通過蝕刻去除壓電體101的不必要部分(圖3B，步驟i)。因而，完成圖1所示的聲共振器。
根據本發明的制造方法將金錫用作支承部分104的材料，并使用金屬材料一次性熔化然后凝固的共晶結晶的簡單接合方法。通過這種方法，支承部分104可具有不是通過蝕刻等獲得的具有曲率的復雜形狀的垂直橫截面(諧振腔106可具有有曲率的復雜形狀的垂直橫截面)。
圖4A示出根據本發明的方法制造的聲共振器的頻率特性。圖4B示出通過常規制造方法(例如在襯底上從下到上地依次疊加各層、同時去除犧牲層(sacrificelayer)的一部分以形成諧振腔的方法)制造的聲共振器的頻率特性。如從圖4A和4B可理解的，在常規聲共振器中的諧振頻率或其附近產生的亂真不會在根據本發明的聲共振器中產生。
在本實施例中，金和錫用于共晶結晶以形成支承部分104。也可使用其它可通過共晶結晶接合的材料(例如金和硅)。通過使用具有不同程度可熔性的材料，可簡便地形成具有曲率的橫截面的支承部分。支承件104a或104b中至少任一個需要包括金和錫，或者可具有含有金和錫的多層結構。支承件104a和104b的厚度和寬度可自由設置。
在本實施例中，壓電體101在襯底108上直接形成。或者，另一個薄膜可置于襯底108和壓電體101之間。例如，在AlN的壓電體101要置于襯底108上的情形中，較佳的是在襯底108上形成AlN層、在AlN層上形成鉬層、然后在鉬層上形成壓電體101。這樣，就提供了壓電體101不直接受去除襯底108時所發生的損壞的影響的效果。
(微電機開關的示例性結構)圖5A和5B分別是示出根據本發明一實施例的微電機開關結構的軸測圖和橫截面圖。圖5A和圖5B所示的微電機開關包括襯底205、置于襯底205上的支承部分204、置于支承部分204上的下電極203、置于下電極203上的壓電體201、置于壓電體201上的上電極202、置于壓電體201的置有下電極203的主表面上的信號線的可移動電極207、以及置于襯底205上的驅動電極206。下電極203、壓電體201和上電極202構成一可移動部分200。壓電體201、上電極202、下電極203、以及襯底205可由上文關于聲共振器所描述的相同材料制成。在襯底205上，信號線的兩個固定電極208和209設置在這樣的位置上信號線的固定電極208和209通過接觸信號線的可移動電極207變得導電。
根據本發明的微電機開關的一個特征是用于支承可移動部分200的支承部分204成形為其垂直橫截面的至少一部分具有曲率。支承部分204中與襯底205接觸的表面和支承部分204中接觸下電極203的表面較佳地彼此平行。例如，如圖5B所示，支承部分204在其厚度方向的中央部分或其附近變窄。支承部分104被形成為具有緩和在可移動部分200和支承部分204的連接部分上的應力集中(在轉換時發生)的垂直橫截面。支承部分具有這種緩和應力集中的形狀的原因被視為如下所述。
可移動部分200通過轉換操作轉移到襯底205上。此時，支承部分204固定且不移動。因為可移動部分200由支承部分204支承和固定，所以應力集中在可移動部分200和支承部分204的連接部分或其附近。
根據本發明，支承部分204被成形為具有有曲率的垂直橫截面。由于這種結構，應力被分散而不會集中在可移動部分200和支承部分204的連接部分。結果，可降低轉換時的最大變形，因而可改進機械可靠性。因為支承部分204的上表面與襯底205平行，所以還可減小初始應力。因而，進一步減小最大變形。
只要支承部分204形成為其垂直橫截面的至少一部分具有曲率，根據本發明的微電機開關就可提供上述效果。因此，微電機開關并不限于可移動部分200在其一端由圖5A和5B所示的支承部分204支承的懸臂形狀，并且可以是其它形狀。
例如，圖6A示出可移動部分在其兩端都得到支承的雙懸臂形狀的微電機開關。圖6B示出懸臂形狀的微電機開關被連接成普通C形的一個示例。圖6C示出使用多個壓電薄膜將上電極和下電極調節成具有相同厚度的微電機開關。圖6D示出具有包含多種材料的多層結構支承部分的微電機開關。該微電機開關具有一個觸點或多個觸點。支承部分可由導電材料形成，并可用作線路。
圖6E示出包括開關部分251和可變電容部分252的微電機開關。圖6F是圖6E所示的微電機開關的等效電路配置。該微電機開關即使在開關部分251導通從而信號線的可移動電極和信號線的固定電極彼此接觸時仍在可變電容部分252之下具有間隙。使用如圖6G所示的微電機開關，可變電容部分252的電容值通過改變施加于各電極上的電壓而改變間隙寬度來改變。
(用于制造微電機開關的示例性方法)圖7A和7B示意性地示出用于制造具有上述結構的微電機開關的一優選方法。通過使用該方法，圖5B所示的微電機開關使用晶片到晶片接合方法來制造。
首先，制備由硅、玻璃、藍寶石等制成的層狀襯底108。在層狀襯底108上，形成壓電體201(圖7A，步驟a)。在壓電體201上，通過薄膜形成和圖案形成來形成下電極203和可移動電極207(圖7A，步驟b)。然后，在下電極203上，形成要成為支承部分204的一部分的支承件204a(圖7A，步驟c)。然后，制備用于可移動部分200的襯底205。在襯底205上，形成要成為支承部分204的一部分的支承件204b、驅動電極206以及信號線的固定電極208和209(未在圖7A或7B中示出)(圖7A，步驟d)。支承件204a和204b由金、錫等形成。
然后，層狀襯底108和襯底205被放置成使層狀襯底108的支承件204a和襯底205的支承件204b彼此相對。支承件204a和204b通過金和錫的共晶結晶接合在一起(圖7A，步驟e)。例如，通過在375℃和0.3Mpa一次性地熔化金錫，然后凝固該金錫，可簡便地實現具有不是通過蝕刻獲得的結構的支承部分204(圖7B，步驟f)。然后，從兩個層205和108的組合件去除層狀襯底108(圖7B，步驟g)。層狀襯底108可通過例如濕法蝕刻或干法蝕刻移除。通過步驟e到g，最初形成于層狀襯底108上的元件被轉移到襯底205上。然后，在壓電層201上，通過薄膜形成和圖案形成來形成上電極202(圖7B，步驟h)。最后，通過蝕刻去除壓電體201的不必要部分(圖7B，步驟i)。因而，完成圖5B所示的微電機開關。
根據本發明的制造方法將金錫用作支承部分204的材料，并使用金屬材料一次性熔化然后凝固的共晶結晶的簡單接合方法。通過這種方法，支承部分204可具有不是通過蝕刻等獲得的具有曲率的復雜形狀的垂直橫截面。
(微電機開關的示例性驅動)圖8A示出上述微電機開關的示例性驅動電路。圖8B示出圖8A所示微電機開關的驅動電路的示例性操作。該驅動電路包括串聯連接的開關元件A和B的連接點與串聯連接的開關元件C和D的連接點之間的微電機開關(微電機開關的上電極202和下電極203分別連接到這些連接點)。
圖8B中的狀態(1)當開關元件A處于導通狀態時(當開關元件B處于截止狀態時)，電源電壓Vd被施加在V1端子上。此時，開關元件C處于截止狀態(開關元件D處于導通狀態)。因此，V2端子為GND電位。結果，電壓Vd被施加在微電機開關上。
圖8B中的狀態(2)當開關元件A處于導通狀態時(當開關元件B處于截止狀態時)，電源電壓Vd被施加在V1端子上。此時，開關元件C處于導通狀態(開關元件D處于截止狀態)。因此，V2端子為Vd電位。結果，0V電壓被施加在微電機開關上。
圖8B中的狀態(3)當開關元件A處于截止狀態時(當開關元件B處于導通狀態時)，V1端子為GND電位。此時，開關元件C處于導通狀態(開關元件D處于導通狀態)。因此，V2端子為Vd電位。結果，電壓-Vd被施加在微電機開關上。
圖8B中的狀態(4)當開關元件A處于截止狀態時(當開關元件B處于導通狀態時)，V1端子為GND電位。此時，開關元件C處于截止狀態(開關元件D處于導通狀態)。因此，V2端子為GND電位。結果，0V電壓被施加在微電機開關上。
通過這樣的驅動，可向微電機開關提供相對電源電壓Vd的±Vd電壓。當各開關元件處于導通狀態時、和當各開關元件處于截止狀態時，微電機開關可通過壓電效應切換。因此，可用比通過0到Vd范圍內的驅動電壓的操作更快的速度來進行操作。
(使用聲共振器的示例性結構)圖9示出包括根據本發明的聲共振器的梯式濾波器的一示例性電路。圖9所示的梯式濾波器包括在輸入/輸出端子301之間串聯插入的串聯聲共振器，以及并聯插入的并聯聲共振器303。通過將串聯聲共振器302的諧振頻率設置成高于變形聲共振器303的諧振頻率，可實現具有帶通特性的梯式濾波器。較佳地，通過基本匹配串聯聲共振器302的諧振頻率和并聯聲共振器303的反諧振頻率，可實現具有較平直帶通特性的梯式濾波器。使用根據本發明的上述聲共振器使能量僅集中于期望振動，從而實現具有較小損耗的梯式濾波器。
圖10示出包括根據本發明的聲共振器和微電機開關的合成器件的示例性電路(梯式濾波器開關電路)。圖10所示的合成器件包括由微電機開關314連接的如圖9所示的兩個梯式濾波器。
可連接的梯式濾波器的數量不限于如圖9和10所示的一個或兩個。可連接更多數量的梯式濾波器。梯式結構不限于L型，并且可以是例如T型或π型。可使用柵格式濾波器來替代梯式濾波器。在這些情形中，可提供基本上相同的效果。
圖11示出包括上述梯式濾波器的雙工器410的示例。圖11所示的雙工器410包括傳輸濾波器414、相位轉移電路415、以及傳送端子411與接收端子412之間直接串聯連接的接收濾波器416，并且還包括連接在發送濾波器414和相位偏移電路415之間的天線端子413。上述梯式濾波器可用作傳輸濾波器414和接收濾波器416的至少之一。使用這種結構，可實現具有較小損耗的雙工器。
圖12示出包括圖11所示的雙工機的通信裝置420。在圖12所示的通信裝置420中，來自傳輸端子421的信號穿過基帶部分423、由功率放大器(PA)424放大、由發送濾波器425濾波、并作為無線電波從天線428發送。由天線428接收的信號由接收濾波器426濾波、由低噪聲放大器(LNA)427放大、穿過基帶部分423、并被發送到接收端子422。上述梯式濾波器可用作發送濾波器425和接收濾波器426的至少之一。使用這種結構，可實現具有較低功耗和降低噪聲的通信裝置420。
盡管已詳細描述了本發明，但前面的描述在所有方面中都是說明性而并非限制性的。可以理解，可設計許多其它更改和變化而不背離本發明的范圍。
權利要求
1.一種以預定頻率振動的聲共振器，包括襯底；振動部分，包括由壓電薄膜形成的壓電體、以及將所述壓電體夾在其間的上電極和下電極；以及置于所述振動部分和所述襯底之間的支承部分，所述支承部分具有其至少一部分具有曲率的垂直橫截面。
2.如權利要求1所述的聲共振器，其特征在于，所述支承部分的垂直橫截面在其厚度方向的中央部分或其附近最窄。
3.如權利要求1所述的聲共振器，其特征在于，所述支承部分的垂直橫截面在其厚度方向的中央部分或其附近最寬。
4.如權利要求1所述的聲共振器，其特征在于，所述支承部分中與所述襯底接觸的表面和所述支承部分中與所述下電極接觸的表面彼此平行。
5.一種利用壓電效應和靜電效應的微電機開關，包括襯底；置于所述襯底上的驅動電極；可移動部分，包括由壓電薄膜形成的壓電體、將所述壓電體夾在其間的上電極和下電極、以及信號線的可移動電極；以及置于所述可移動部分和所述襯底之間的支承部分，所述支承部分具有其至少一部分具有曲率的垂直橫截面。
6.如權利要求5所述的微電機開關，其特征在于，所述支承部分的垂直橫截面在其厚度方向的中央部分或其附近最窄。
7.如權利要求5所述的微電機開關，其特征在于，所述支承部分的垂直橫截面在其厚度方向的中央部分或其附近最寬。
8.如權利要求5所述的微電機開關，其特征在于，所述支承部分中與所述襯底接觸的表面和所述支承部分中與所述下電極接觸的表面彼此平行。
9.一種包括多個聲共振器和至少一個微電機開關的合成器件，其特征在于，所述合成器件包括如權利要求1所述的至少一個聲共振器以及如權利要求5所述的至少一個微電機開關。
10.一種包括如權利要求1所述的至少一個聲共振器的濾波器。
11.一種包括如權利要求9所述的至少一個合成器件的雙工器。
12.一種包括如權利要求11所述的至少一個雙工器的通信裝置。
13.一種用于制造包含壓電薄膜的器件的方法，包括以下步驟在第一襯底上形成壓電體；在所述壓電體的一主表面上形成下電極；在所述下電極上形成第一支承件；在第二襯底上形成第二支承件；將所述第一支承件和所述第二支承件接合在一起；在所述接合步驟之后分離所述第一襯底，從而將所述具有在其上形成的下電極的壓電體從所述第一襯底轉移至所述第二襯底；以及在所述壓電體的另一個主表面上形成上電極。
14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述接合步驟通過所述第一支承件和所述第二支承件的共晶結晶接合來進行。
15.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一支承件和所述第二支承件是含有至少金錫(AuSn)或金硅(AuSi)的多層薄膜。
16.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一支承件和所述第二支承件可形成為具有不同寬度。
17.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一支承件和所述第二支承件可形成為具有不同厚度。
全文摘要
根據本發明的聲共振器包括襯底105、置于襯底105上的支承部分104、置于支承部分104上的下電極103、置于下電極103上的壓電體101、以及置于壓電體101上的上電極102。下電極103、壓電體101和上電極102構成一個振動部分107。用于支承振動部分107的支承部分104成形為其垂直橫截面的至少一部分具有曲率。
文檔編號B81B3/00GK1953323SQ20061013741
公開日2007年4月25日 申請日期2006年10月18日 優先權日2005年10月19日
發明者中塚宏, 大西慶治, 山川岳彥, 巖崎智弘, 神山智英 申請人:松下電器產業株式會社