專利名稱：計算機硬盤磷化銦基片cmp后表面潔凈方法
技術領域：
本發明屬于計算機硬盤磷化銦(InP)基片拋光液使用方法，特別是涉及計算機硬 盤InP基片CMP后表面潔凈方法
背景技術：
硬盤的容量非常關鍵，大多數被淘汰的硬盤都是因為容量不足，不能滿足日益增 長大量數據的存儲，特別是筆記本式計算機與掌上型計算機的大量應用，更是要求硬盤同 時滿足高容量與小體積的要求。硬盤主要由盤片與磁頭兩部分組成，通過增加盤片的數目 或采用硬盤陣列形式可以提高硬盤的容量，但這卻違背了個人計算機向小型化發展的潮 流。解決這兩者之間矛盾的最好方法是提高單片容量，即提高盤片的存儲密度。磁存儲密 度不斷上升，磁頭與磁盤磁介質之間的距離進一步減小，對磁盤表面質量的要求也越來越 高.當硬盤表面具有波度時，磁頭就會隨著高速旋轉的存儲器硬盤的波動上下運動，當波 度超過一定的高度時，磁頭就不再能隨著波度運動，它就會與磁盤基板表面碰撞，發生所謂 的“磁頭壓碎”導致磁盤設備發生故障或讀寫信息的錯誤.另一方面，當存儲器硬盤表面上 存在數微米的微凸起時也會發生磁頭壓碎.此外，當硬盤表面存在凹坑時，就不能完整地 寫入信息，由此導致所謂的“比特缺損”或信息讀出的失敗.因此，在盤片表面加工中，就要 求制造的磁頭浮動高度更小、具有優異的表面光滑度、沒有表面缺陷(突起劃痕和凹坑).目前，采用化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP)技術進行 硬盤基片的表面加工。它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學腐蝕作用使被拋光的介 質形成光潔平坦的表面。目前，工業上硬盤基片的拋光工藝中一般PH值都低于4，拋光設 備損耗嚴重，降低了使用壽命，而且拋光過程中會引入金屬離子污染，容易造成低擊穿、軟 擊穿、漏電流增大。且由于其采用硬度大的三氧化鋁做為磨料，容易造成劃傷；且其粘滯性 強，后續難以清洗。且計算機硬盤InP基片批量拋光生產后，存在晶片表面能量高、表面張 力大、殘留拋光液分布不均等現象，從而造成后續加工中成本的提高及器件成品率的降低。
發明內容
本發明是為了解決現有計算機硬盤InP基片拋光后晶片表面能量高、表面張力 大、殘留拋光液分布不均、沾污金屬離子等問題，而公開一種計算機硬盤InP基片CMP后表 面潔凈方法。本發明計算機硬盤InP基片CMP后表面潔凈方法，按照下述步驟進行(1)水拋液的制備取一定量的去離子水，邊攪拌邊加入活性劑、螯合劑、阻蝕劑， 活性劑的加入量為15-30g/L，螯合劑的加入量為5-20g/L，阻蝕劑的加入量為l_60g/L ；(2)計算機硬盤InP基片CMP后立即使用上述水溶液采用采用1000g/min-4000g/ min的流量進行水拋清潔，水拋時間為30s-3min。所述的活性劑為天津晶嶺微電子材料有限公司市售FA/0表面活性劑、0 π -7 ((C10 H2「C6H4-0-CH2CH20) 7-H)、0 31 -10 ( (C1(iH2「C6H4-0-CH2CH20) 10-H) ,0-20 (C12_18H25_37-C6H4-O-CH2CH
320)7(ΓΗ)、聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)的一種。所述的螯合劑為天津晶嶺微電子材料有限公司市售FA/0螯合劑，乙二胺四乙酸 四(四羥乙基乙二胺)，結構式如下
權利要求
一種計算機硬盤磷化銦基片CMP后表面潔凈方法，其特征在于按照以下步驟進行(1)水拋液的制備取一定量的去離子水，邊攪拌邊加入活性劑、螯合劑、阻蝕劑，活性劑的加入量為15 30g/L，螯合劑的加入量為5 20g/L，阻蝕劑的加入量為1 60g/L；(2)計算機硬盤磷化銦基片CMP后立即使用上述水溶液采用1000g/min 4000g/min的流量進行水拋清潔，水拋時間為30s 3min。
2.根據權利要求1所述的計算機硬盤磷化銦基片CMP后表面潔凈方法，其特征在于 所述步驟(1)的活性劑為天津晶嶺微電子材料有限公司銷售的FA/0表面活性劑、0 π-7 (( C10H2^C6H4-O-CH2CH2O) 7_Η)、0 π -10 ((C1(lH2「C6H4-0-CH2CH20) 10-Η)、0-20 (C12_18H25_37-C6H4-0_CH 2CH20) 70-H)或 JFC 的一種。
3.根據權利要求1所述的計算機硬盤磷化銦基片CMP后表面潔凈方法，其特征在于 所述步驟(1)螯合劑為天津晶嶺微電子材料有限公司銷售的FA/0螯合劑。
4.根據權利要求1所述的計算機硬盤磷化銦基片CMP后表面潔凈方法，其特征在于 所述步驟(1)的阻蝕劑為六次甲基四胺或苯丙三氮唑。
全文摘要
本發明涉及計算機硬盤InP基片表面高精密加工過程中化學機械拋光(CMP)后表面潔凈方法。當堿性拋光剛剛完成后，馬上加入活性劑、螯合劑、阻蝕劑組成的拋光液，并采用大流量水拋的方法，可將殘留的拋光液沖走，同時可迅速降低表面張力、形成單分子鈍化膜、并可使金屬離子形成可溶的螯合物，從而達到潔凈、完美的拋光表面。
文檔編號G11B5/84GK101937687SQ20101023165
公開日2011年1月5日 申請日期2010年7月21日 優先權日2010年7月21日
發明者劉玉嶺, 王勝利, 王辰偉 申請人:河北工業大學