包含不飽和氟化烴的溶劑組合物的制作方法

專利名稱：：包含不飽和氟化烴的溶劑組合物的制作方法
技術領域：
：本發明涉及包含不飽和氟化烴的清潔組合物。本發明進一步涉及所述清潔組合物在清潔、除脂、去焊劑、脫水和沉積氟化碳潤滑油的方法中的用途。本發明進一步涉及新型不飽和氟化烴及其作為清潔組合物和在上列方法中的用途。
背景技術：
：氯氟烴(CFC)化合物已經廣泛用在半導體制造領域中以清潔磁盤介質之類的表面。但是，含氯化合物，例如CFC化合物，被認為對地球臭氧層有害。此外，用于替代CFC化合物的許多氫氟烴(hydrofluorocarbons)已經凈皮發現是造成全球變暖的原因之一。因此，需要找出用于清潔用途，例如用于除去殘留焊劑、潤滑劑或油污染物和顆粒的新的環境安全的溶劑。還需要找出用于氟化碳潤滑油的沉積和用于在水溶液中加工后的基底的干燥或脫水的新型溶劑。本發明提供了包含不飽和氟化烴的新型組合物。這些組合物可用在之前使用CFC化合物的許多應用領域中。本發明的組合物具有幾乎或完全沒有環境影響的一些或所有所需性質，具有溶解油、油脂或潤滑劑(特別是含氟潤滑劑)的能力、不燃性、和溶解干燥或脫水方法中所用的表面活性劑化合物的能力。發明概述本文公開了使用包含至少一種不飽和氟化烴的組合物的新型方法，該不飽和氟化烴選自具有式E-或Z-R^CI^CHR2的化合物，其中R1和R4蟲立地為d至C6全氟烷基，或d至Q氫氟烷基。在一個實施方案中，本文公開的方法是使用具有式E-或Z-R^CHK:HR2的化合物來清潔制品或基底的方法，其中R^和R4蟲立地為d至C6全氟烷基，或d至Q氬氟烷基。在另一實施方案中的是在表面上沉積氟化碳潤滑油的方法，包括(a)將氟化碳潤滑油與包含不飽和氟化烴的溶劑組合，該不飽和氟化烴選自具有式E-或Z-R^CH-CHR2的不飽和氟化烴，其中R1和W獨立地為d至C6全氟烷基，或Ci至C6氬氟烷基；從而形成潤滑劑-溶劑的組合；(b)使潤滑劑-溶劑的組合與表面接觸；和(c)使溶劑從表面上蒸發以便在表面上形成氟化碳潤滑油涂層。在再一實施方案中的是從被潤濕的基底表面上除去至少一部分水的方法，所述方法包4舌a)使基底與進一步包含表面活性劑的本發明組合物接觸，然后b)使基底與所述組合物脫離接觸。在再一實施方案中的是包含具有式！^CH-CHR2的不飽和氟化烴的組合物，其中W和W獨立地為d至C6全氟烷基，或Q至C6氫氟烷基。本領域技術人員參照下列詳述能夠清楚看出本發明的其它目的和優點。發明詳述上文已經描述了許多方面和實施方案并且僅是示例性而非限制性的。在閱讀此說明書后，技術人員會認識到，可能具有不背離本發明的范圍的其它方面和實施方案。根據下列詳述和根據權利要求書，可以看出任何一個或多個實施方案的其它特征和益處。在列出下述實施方案的詳情之前，定義或澄清一些術語。本文所用的術語"包含"、"包括"、"含有"、"涵蓋"、"擁有"、"具有"或其任何其它變型旨在表示非窮盡性的包含。例如，包含所列要素的工藝、方法、制品或裝置不一定僅限于這些要素，而是還可以包括沒有明確列出的或是這類工藝、方法、制品或裝置所固有的其它要素。此外，除非明確作出相反的論述，"或"是指可兼具的"或"而非排他性的"或"。例如下列任何一種情況滿足條件A或B:A是真(或存在)且B是假(或不存在)，A是假(或不存在)且B是真(或存在)，和A和B都是真(或存在)。此外，使用"a"或"an"描述本文所述的要素和組分。其僅為方便起見使用并且給出本發明的范圍的一般意義。該描述應該被理解為包括一種或至少一種，單數也包括復數形式，除非其明顯地意味著相反情況。除非另行指明，否則本文所用的所有技術和科學術語具有本發明所屬領域普通技術人員通常理解的相同含義。盡管可以在本發明的實施方案的實踐或測試中4吏用與本文所述的類似或相當的方法和材泮牛，^f旦下面將描述合適的方法和材料。本文提到的所有出版物、專利申請、專利和其它參考文獻均全文經此引用并入本文，除非列出具體的段落。在沖突的情況下，以本說明書，包括定義為準。此外，材料、方法和實例僅是示例性而非限制性的。申請人明確地將所有列舉的參考文獻的全部內容并入本公開中。申請人還經此引用并入共有的臨時申請2005年11月1日提交的60/732,396、2005年11月1日提交的60/732,090、2005年11月1曰提交的60/732,292和2005年11月1日提交的60/732,581。此外，當量、濃度或其它值或參數作為范圍、優選范圍、或優選上限值和優選下限值的列表給出時，這被理解為具體公開了由任何范圍上限或優選值和任何范圍下限或優選值任意成對構成的所有范圍，無論是否單獨公開這些范圍。當本文中列舉數值范圍時，除非另行指明，該范圍旨在包括其端點和在該范圍內的所有整數和分數。本發明的范圍不限于界定一個范圍時所列舉的具體值。在一個實施方案中，本發明提供了具有式E-或Z-R、I^CHR2(式I)的化合物，其中R^和I^獨立地為d至Cs全氟烷基，或d至C6氫氟烷基。R1和R2基團的實例包括，但不限于，CF3、C2F5,CF2CF2CF3、CF(CF3)2、CF2CF2CF2CF3、CF(CF3)CF2CF3、CF2CF(CF3)2、C(CF3)3、CF2CF2CF2CF2CF3、CF2CF2CF(CF3)2、C(CF3)2C2F5、CF2CF2CF2CF2CF2CF3、CF(CF3)CF2CF2C2F5、C(CF3)2CF2C2F5、CHF2、CH2F、C2HF4、C2H2F3、C2H3F2、C3HF6、i-C孤、C3H2F5、C3H3F4、C4HF8、C4H3F6、C5HF10、CsH3F8或C6HF12。當位置異構體可行時，氫氟烷基的化學式旨在表示所有可能的位置異構體。也就是說，例如，C2HF4旨在表示-CHFCF3和-。？2(^^2基團。在一個實施方案中，氬氟烷基的具體實例包括，但不限于，-CHF2、-CH2F、-CF2CHF2、-CHFCF3、-CH2CHF2、-CF2CH3、-CH2CF3、-CH2CF2CHF2、-CF2CHFCF3、-CF2CF2CF2CH3、-CH2(CF2)3CHF2。示例性的非限制性的式I化合物列在表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>在一個實施方案中，式I的化合物可以通過使式R11的全氟烷基碘與式R2CH=CH2的全氟烷基三氫烯烴接觸來制備，以形成式R、H2CHIR2的三氫碘代全氟烷烴。這種三氫碘代全氟烷烴隨后可以脫氫碘(dehydroiodinated)以形成R^CH-CHR2。在另一實施方案中，烯經RiCHK^HR2可以通過式R^CHICH2R2的三氫捵代全氟烷烴的脫氫碘來制備，后者又通過使式r2i的全氟烷基碘與式r、hk:h2的全氟烷基三氬烯烴反應來形成。在一個實施方案中，全氟烷基碘與全氟烷基三氫烯烴的所述接觸可以以分批模式通過在能夠在反應溫度下在反應物與產物的自壓下運行的合適的反應器中組合反應物來進行。合適的反應器包括由不銹鋼，特別是奧氏體型不銹鋼，和公知的高鎳合金，例如Monel⑧鎳-銅合金、Hastelloy⑧鎳基合金和Inconel⑧鎳-鉻合金制成的那些。在另一實施方案中，反應可以以半分批模式進行，其中將全氟烷基三氫烯烴反應物借助合適的添加裝置，例如泵，在反應溫度下添加到全氟烷基碘反應物中。在一個實施方案中，全氟烷基碘與全氟烷基三氫烯烴的比率為大約1:1至大約4:1。在另一實施方案中，全氟烷基碘與全氟烷基三氬烯烴的比率為大約1.5:1至2.5:1。如Jeanneaux等人在JournalofFluorineChemistry,巻4,第261-270頁(1974)中所報道，低于1.5:1的比率容易產生大量的2:1加合物。在一個實施方案中，使所述全氟烷基碘與所述全氟烷基三氫烯烴接觸的溫度為大約150。C至大約300°C。在另一實施方案中，溫度為大約170。C至大約250。C。在再一實施方案中，溫度為大約180。C至大約23(TC。在一個實施方案中，全氟烷基碘與全氟烷基三氫烯烴的反應的接觸時間為大約0.5小時至大約18小時。在另一實施方案中，接觸時間為大約4至大約12小時。在再一實施方案中，全氟烷基碘與全氟烷基三氫烯烴的接觸在催化劑存在下進行。在一個實施方案中，合適的催化劑是VIII族過渡金屬絡合物。代表性的VIII族過渡金屬絡合物包括，但不限于，0價NiL4絡合物，其中配體L可以是膦配體、亞磷酸根配體、羰基配體、異腈配體、鏈烯配體或其組合。在一個這樣的實施方案中，M(0)L4絡合物是NiL2(CO)2絡合物。在一個具體實施方案中，VIII族過渡金屬絡合物是二羰基雙(三苯膦)鎳(O)。在一個實施方案中，全氟烷基碘與全氟烷基三氫烯爛的比率為大約3:1至大約8:1。在一個實施方案中，所述全氟烷基碘與所述全氟烷基三氬烯烴在催化劑存在下的接觸溫度為大約80。C至大約130。C。在另一實施方案中，該溫度為大約90。C至大約120°C。在一個實施方案中，全氟烷基碘與全氟烷基三氫烯烴在催化劑存在下的接觸時間為大約0.5小時至大約18小時。在另一實施方案中，接觸時間為大約4至大約12小時。在一個實施方案中，通過全氟烷基碘與全氟烷基三氳烯烴的反應制成的三氫碘代全氟烷烴可以直接用在脫氫碘步驟中。在另一實施方案中，在脫氬碘步驟之前回收三氬全氟烷烴并通過蒸餾提純。在一個實施方案中，脫氬碘步驟通過使三氫碘代全氟烷烴與堿性物質接觸來進行。在一個實施方案中，堿性物質包括堿金屬氫氧化物(例如氫氧化鈉或氫氧化鉀)、堿金屬氧化物(例如氧化鈉)、堿土金屬氫氧化物(例如氫氧化釣)、堿土金屬氧化物(例如氧化鈣)、堿金屬醇鹽(例如曱醇鈉或乙醇鈉)、氨水、氨基化鈉、或堿性物質的混合物，例如堿石灰。在另一實施方案中，堿性物質是氫氧化鈉或氫氧化鉀。在一個實施方案中，三氬碘代全氟烷烴與堿性物質的接觸可以在液相中進行。在另一實施方案中，在液相中的接觸進一步在能夠溶解至少一部分這兩種反應物的溶劑存在下進行。在一個實施方案中，適用于脫氬硪步驟的溶劑包括一種或多種極性有機溶劑，例如醇(例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、和^又丁醇)、腈(例如乙腈、丙腈、丁腈、千腈、或己二腈)、二甲亞砜、N,N-二甲基曱酰胺、N,N-二曱基乙酰胺、或環丁砜。在一個實施方案中，根據產物的沸點和在提純過程中從產物中分離痕量溶劑的方便性來選擇溶劑。在一個實施方案中，乙醇或異丙醇是用于該反應的良好溶劑。在一個實施方案中，脫氫碘反應通過在合適的反應器中將反應物之一(堿性物質或三氬碘代全氟烷烴)添加到另一反應物中來進行。所述反應器可以由玻璃、陶瓷或金屬制成并優選用葉輪或攪拌裝置攪拌。在一個實施方案中，脫氫碘反應的溫度為大約l(TC至大約100°C。在另一實施方案中，脫氫碘反應的溫度為大約2(TC至大約70°C。在一個實施方案中，脫氬碘反應在環境壓力下進行。在另一實施方案中，脫氪碘反應在減壓或升壓下進行。在脫氫碘反應的一個實施方案中，式I的化合物在形成時從反應器中餾出。在另一實施方案中，脫氪石典反應可以通過使所述石咸性物質的水溶液與三氫碘代全氟烷烴在一種或多種較低極性的有機溶劑(例如烷烴(例如己烷、庚烷或辛烷)、芳烴(例如甲苯)、鹵化烴(例如二氯甲烷、氯仿、四氯化碳或全氟乙烯)或醚(例如二乙醚、曱基叔丁基醚、四氫呋喃、2-曱基四氫呋喃、二氧雜環己烷、二甲氧基乙烷、二甘醇二曱醚或四甘醇二甲醚))中的溶液在相轉移催化劑存在下接觸來進行。在一個這樣的實施方案中，相轉移催化劑包括卣化季銨(例如溴化四丁銨、硫酸氫四丁銨、氯化三乙基千銨、氯化十二烷基三曱銨、和氯化三辛酰基甲銨)、卣化季鑄(例如，溴化三苯基甲基鑄和氯化四苯基鑄)、或本領域中被稱作冠醚的環聚醚化合物(例如18-冠-6和15-冠-5)。在又一實施方案中，脫氫碘反應在不存在溶劑的情況下通過將三氫碘代全氟烷烴添加到固體或液體堿性物質中來進行。在一個實施方案中，脫氬碘反應的反應時間根據反應物的溶解度為大約15分鐘至大約6小時或更久。在另一實施方案中，脫氪碘反應的完成需要大約30分鐘至大約3小時。在一個實施方案中，通過添加水后的相分離從脫氫碘反應混合物中回收式I的化合物。在另一實施方案中，通過蒸餾從脫氫碘反應混合物中回收式I的化合物。在再一實施方案中，通過添加水后的相分離與蒸熘的組合從脫氬碘反應混合物中回收式I的化合物。在一個實施方案中，本發明的組合物可以包含單獨一種式I的化合物，例如表l中的化合物之一。在另一實施方案中，該組合物可以包含式I的化合物的組合。式I的許多化合物作為不同的構型異構體或立體異構體存在。當沒有指定具體的異構體時，本發明意在包括所有的單一構型異構體、單一立體異構體或其任意組合。例如，F11E意在表示E-異構體、Z-異構體或這兩種異構體的任何比率的任何組合或混合物。另一實例是F33E,其代表E-異構體、Z-異構體或這兩種異構體的任何比率的任何組合或混合物。除了上述本發明的化合物外，表2中所列的不飽和氟化烴可以作為清潔組合物或作為清潔劑用于清潔表面或基底。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>述的方法制備。在一個實施方案中，清潔組合物可以包含如表2中所列的單一化合物。在另一實施方案中，清潔組合物可以包含表2中的化合物的組合。在再一實施方案中，清潔組合物可以包含表2中的化合物與一種或多種式I的化合物的組合。表2中的許多化合物作為不同的構型異構體或立體異構體存在。當沒有指定具體的異構體時，本發明意在包括所有的單一構型異構體、單一立體異構體或其任意組合。例如，3,4,4，5,5,6,6,6-八氟-2-己烯(HFC-1558szy)意在表示E-異構體、Z-異構體或這兩種異構體的任何比率的任何組合或混合物。另一實例是1，1，1,2,2,4,5，5,6,6,7,7,7-十三氟-3-庚烯(HFC-162-13mczy),其代表E-異構體、Z-異構體或這兩種異構體的任何比率的任何組合或混合物。除了上述本發明的化合物外，表3中所列的含溴的不飽和氟化烴可以用作清潔表面或基底用的清潔組合物。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表3中所列的化合物可購得或可以通過本領域已知的方法制備。1_溴_3,3,4，4,4-五氟-1-丁烯可以通過三步次序制備，其從三溴化磷與3,3,4,4,4-五氟-l-丁醇反應產生4-溴-l,l,l,2,2-五氟丁烷開始。4-溴-1,1,1,2,2-五氟丁烷在350-400。C下的熱溴化產生4,4-二溴-1,1,1,2，2-五氟丁烷，其又可以與粉狀氫氧化鉀一起加熱以產生所需溴丁烯。2-溴-3,4，4，4-四氟-3-(三氟曱基)-l-丁烯可以通過將溴添加到3,4,4-四氟-3-(三氟曱基)-l-丁烯中然后用氫氧化鉀乙醇溶液(ethanolicpotassiumhydroxide)處理所得二溴化物來制備。除了上述本發明的化合物外，表4中所列的含氯的不飽和氟化烴可用作清潔表面或基底用的清潔組合物。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表4中所列的化合物可購得或可以通過本領域已知的方法制備。2-氯-3,3,4,4,4-五氟-l-丁烯可以通過3,3,4,4，4-五氟-1-丁烯氯化成3,4-二氯-1，1,1,2,2-五氟-丁烷隨后使該二氯化物與氬氧化鉀乙醇溶液反應來制備。l-氯-3,3，4,4,4-五氟-l-丁烯可以通過首先將1,1,1,2,2-五氟丁烷光氯化成末端氯化的五氟丁烷的混合物來制備。在通過蒸餾分離4,4-二氯-1,1,1,2,2-五氟丁烷后，將二氯衍生物用粉狀氫氧化鉀回流以產生所需的l-氯-3,3,4，4,4-五氟-l-丁烯。如Zapevalov等人在RussianJournalofOrganicChemistry,巻24,第1466至1472頁(1988)中所報道，l-氯-2,3,3,4，4,5,5-七氟-l-戊烯可以通過使2,2,3,3，4,4,5,5-八氟-1-戊醇與二氯三苯基正膦反應然后使所得氯曱基書f生物與》咸反應來制備。2國氯-3,3,4，4,5,5，5-七氟國l國戊烯可以通過3,3,4,4,5，5,5陽七氟國1畫戊烯6勺氯化隨后用氬氧化鉀乙醇溶液處理所得二氯化物來制備。2-氯-3,4，4,4-四氟-3-(三氟甲基)-l-丁烯可以通過3，4,4,4-四氟-3-(三氟曱基)-l-丁烯的氯化隨后用氬氧化鉀乙醇溶液處理所得二氯化物來制備。2誦氯誦3,3，4，4,5,5,6,6,6-九氟-l國己烯可以通過3,3，4,4,5，5,6,6,6-九氟國l畫己烯的氯化隨后用氫氧化鉀乙醇溶液處理所得二氯化物來制備。1畫氣國3,3,4,4,5,5,6,6，6誦九氟-1畫己烯可以通過首先^1奪1,1,1,2,2,3,3，4,4畫九氟己烷光氯化成末端氯化的五氟己烷的混合物來制備。在通過蒸餾分離6,6-二氯-1,1，1,2,2,3,3,4，4-九氟己烷后，將該二氯衍生物用粉狀氫氧化鉀回流以產生所需l-氯-3,3,4,4,5,5,6，6,6-九氟-l-己烯。清潔組合物可以包含如表3或4中所列的單一的不飽和氟化烴，或可以包含表3中的化合物的組合，或表4中的化合物的組合，或來自任意表2、3或4化合物的化合物與式I化合物的組合。不飽和氟化烴的這些組合可用于優化溶劑組合物對特定溶質的溶解能力。表3和表4中的許多化合物作為不同的構型異構體或立體異構體存在。當沒有指定具體的異構體時，本發明意在包括所有的單一構型異構體、單一立體異構體或其任意組合。例如，2-溴-l,3，3,3-四氟丙烯(CHF=CBrCF3)意在表示E-異構體、Z-異構體或這兩種異構體的任何比率的任何組合或混合物。另一實例是l-氯-l,3,3,3-四氟丙烯(CFC1=CHCF3),其代表E-異構體、Z-異構體或這兩種異構體的任何比率的任何組合或混合物。在一個實施方案中，所公開的組合物具有不大于1000的全球變暖潛勢(GWP)。在另一實施方案中，所公開的組合物具有不大于500的全球變暖潛勢(GWP)。在再一實施方案中，所公開的組合物具有不大于150的全球變暖潛勢(GWP)。在又一實施方案中，所公開的組合物具有不大于100的全球變暖潛勢(GWP)。在再一實施方案中，所公開的組合物具有不大于50的全球變暖潛勢(GWP)。如經此引用并入本文的"TheScientificAssessmentofOzoneDepletion,2002，areportoftheWorldMeteorologicalAssociation'sGlobalOzoneResearchandMonitoringProject,"中所定義，本文所用的"GWP"相對于二氧化碳并經過IOO年時間范圍測量。在一個實施方案中，本組合物具有不大于0.05的臭氧消耗潛勢(ODP)。在另一實施方案中，本組合物具有不大于0.02的臭氧消耗潛勢(ODP)。在再一實施方案中，本組合物具有大約0的臭氧消耗潛勢(ODP)。本文所用的"ODP，，如經此引用并入本文的"TheScientificAssessmentofOzoneDepletion,2002,AreportoftheWorldMeteorologicalAssociation'sGlobalOzoneResearchandMonitoringProject"中所定義。本組合物中所含的不飽和氟化烴(例如來自式I和表2、3或4)的量可以隨特定用途而大幅變化，并且含有多于痕量和少于100%的該化合物的組合物在本發明的寬范圍內。在一個實施方案中，本發明可以進一步包含氣溶膠推進劑。氣溶膠推進劑可以輔助將本組合物以氣溶膠形式從儲存容器中輸送到表面上。氣溶膠推進劑任選以總組合物的最多大約25重量％包含在本組合物中。代表性的氣溶膠推進劑包括空氣、氮氣、二氧化碳、二氟甲烷(CF2H2,HFC-32)、三氟曱烷(CF3H,HFC-23)、二氟乙烷(CHF2CH3,HFC-152a)、三氟乙烷(CH3CF3，HFC-143a;或CHF2CH2F,HFC-143)、四氟乙烷(CF3CH2F,HFC-134a;或CF2HCF2H，HFC畫134)、五氟乙烷(CF3CF2H,HFC-125),和烴，例如丙烷、丁烷或戊烷，或二曱醚。在另一實施方案中，本組合物可以進一步包含至少一種表面活性劑。本發明的表面活性劑包括本領域中已知的用于基底的脫水或干燥的所有表面活性劑。代表性表面活性劑包括烷基磷酸胺鹽(例如2-乙基己基胺和磷酸異辛酯的1:1鹽)；乙氧基化醇、硫醇或烷基酚；烷基磷酸的季銨鹽(在銨或磷酸根上具有氟烷基)；和氟化胺的單-或二-烷基磷酸鹽。在經此引用并入本文的美國專利No.5,908,822中描述了其它氟化表面活性劑化合物。本發明的脫水組合物中所含的表面活性劑的量可以隨使用所述組合物的特定干燥用途而大幅變化，但卻是本領域技術人員顯而易見的。在一個實施方案中，溶解在不飽和氟化烴溶劑中的表面活性劑的量不大于表面活性劑/溶劑組合物總重量的大約1重量％。在另一實施方案中，如果在用組合物處理后，此后用不含或含有極少表面活性劑的溶劑處理干燥的表面，則可以使用更大量的表面活性劑。在一個實施方案中，表面活性劑的量為至少大約百萬分之50份(ppm,按重量計)。在另一實施方案中，表面活性劑的量為大約100至大約5000ppm。在再一實施方案中，所用表面活性劑的量為脫水組合物總重量的大約200至大約2000ppm。任選地，用在脫水中的本發明的包含溶劑和表面活性劑的組合物中可以包括其它添加劑。這類添加劑包括具有抗靜電性質——使靜電荷從不導電基底如玻璃和二氧化硅上散逸的能力——的化合物。在從不導電部件，如玻璃透鏡和鏡子上干燥水或水溶液時，為了防止污點和色斑，可能必須在本發明的脫水組合物中使用抗靜電添加劑。本發明的多數卣代烴溶劑也可用作介電流體，即它們是差的電流導體并且不容易耗散靜電荷。脫水組合物在傳統干燥和清潔設備中的沸騰和一般循環可以產生靜電荷，特別是在干燥過程的已經從基底上除去大部分水的較后階段中。這類靜電荷聚集在基底的不導電表面上并阻礙水從表面上釋放。殘留的水原位干燥，從而在基底上留下不合意的污點和色斑。留在基底上的靜電荷可以從清潔過程中帶出雜質或可以從空氣中吸引雜質，例如棉絨，這造成不可接受的清潔性能。在一個實施方案中，合意的抗靜電添加劑是極性化合物，其可溶于本不飽和氟化烴溶劑并造成不飽和氟化烴溶劑電導率的提高，這造成靜電荷從基底上耗散。在另一實施方案中，抗靜電添加劑具有接近不飽和氟化烴溶劑的正常沸點并具有最低程度至沒有水溶性。在再一實施方案中，抗靜電添加劑具有小于大約0.5重量％的水溶性。在一個實施方案中，抗靜電劑在不飽和氟化烴溶劑中的溶解度為至少0.5重量％。在一個實施方案中，抗靜電添加劑為硝基甲烷(CH3N02)。在一個實施方案中，含有抗靜電添加劑的本脫水組合物在如下所述將基底脫水或干燥的方法中的脫水和干燥和漂洗步驟中均有效。另一實施方案涉及將基底脫水或干燥的方法，包括a)使基底與本發明的包含表面活性劑的組合物接觸，由此將所述基底脫水，和b)從該組合物中回收脫水的基底。許多工業將含水組合物用于金屬、陶瓷、玻璃和塑料的表面處理。涂層的清潔、鍍敷、和沉積通常在水性介質中進行并通常跟隨著除去殘留水的步驟。熱空氣干燥、離心干燥和溶劑基排水是用于除去這類殘留水的方法。盡管已經提出氬氟烴(HFC)在干燥或脫水用途中替代之前所用的CFC溶劑，許多HFC對水具有有限的溶解能力。有助于從基底上除水的表面活性劑的使用因此在許多干燥或脫水法中是必要的。已經在脫水或干燥溶劑中添加疏水表面活性劑以從基底上移走水。脫水或干燥溶劑(不飽和氟化烴溶劑)在脫水或干燥組合物中的主要作用是減少干燥中的基底表面上的水量。表面活性劑的主要作用是從基底表面上移走任何殘留的水。當結合不飽和氟化烴溶劑和表面活性劑時，獲得高度有效的排水干燥組合物。在一個實施方案中，本公開的干燥或脫水溶劑包括表1和表2中所列的那些不飽和氟化烴化合物。在一個實施方案中，表1和表2中的用于基底的脫水或干燥的氟化烯烴具有大約25。C至大約120。C的正常沸點。在一個實施方案中，用于脫水和干燥的表面活性劑可溶解至總溶劑/表面活性劑組合物重量的至少1重量％。在一個實施方案中，本公開的脫水或干燥方法非常有效地從多種基底上移走水，所述基底包括金屬，如鎢、銅、金、鈹、不銹鋼、鋁合金、黃銅和類似物；玻璃和陶瓷表面，如玻璃、藍寶石、硅硼酸鹽玻璃、氧化鋁、二氧化硅，如電子電路中所用的硅片，燒制氧化鋁和類似物；和塑料，如聚烯烴("Alathon",Rynite,"Tenite")、聚氯乙烯、聚苯乙烯(Styron)、聚四氟乙烯(Teflon⑧)、四氟乙烯-乙烯共聚物(Tefze1⑧)、聚偏二氟乙烯("Kynar")、離子交聯聚合物(Surlyn⑧)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物(Kralac⑧)、酚-曱醛共聚物、纖維素("Ethocel")、環氧樹脂、聚乙縮醛(Delrin⑧)、聚(對苯醚)(Noryl⑧)、聚醚酮("Ultmpek")、聚醚醚酮("Victrex")、聚(對苯二甲酸丁二酯)("Valox")、聚芳基化合物(Arylon⑧)、液晶聚合物、聚酰亞胺(Vespel)、聚醚酰亞胺("Ultem")、聚酰胺酰亞胺("Torlon")、聚(對苯硫醚)("Rython")、聚砜("Udd")和聚芳基砜("Rydel")。在另一實施方案中，本脫水或干燥方法中所用的組合物與彈性體相容。在一個實施方案中，本公開涉及從被潤濕的基底表面上除去至少一部分水的方法，即脫水的方法，其包括使基底與前述脫水組合物接觸，然后使基底與脫水組合物脫離接觸。在一個實施方案中，最初結合在基底表面上的水被溶劑和/或表面活性劑移走，并與脫水組合物一起離開。"至少一部分水"是指每一浸漬周期除去基底表面上的至少大約75重量%的水。"浸漬周期"是指一個包括將基底浸在本脫水組合物中的至少一個步驟的周期。任選地，仍然附著在基底上的極少量的表面活性劑可以通過使基底與無表面活性劑的卣代烴溶劑接觸來進一步除去。將制品保存在溶劑蒸氣或回流溶劑中將進一步降低留在基底上的表面活性劑的存在。通過蒸發除去附著在基底表面上的溶劑。可以使用在大氣壓或負壓下的溶劑蒸發，并且可以使用高于和低于卣代烴溶劑沸點的溫度。基底與脫水組合物接觸的方法不重要并且可以大幅變化。例如，基底可以浸在該組合物中，或可以使用傳統設備用該組合物噴涂基底。基底的完全浸沒是優選的，因為其通常確保組合物與基底的所有暴露表面之間的接觸。但是，可以使用容易提供這類完全接觸的任何其它方法。基底與脫水組合物的接觸時間可以大幅變化。通常，接觸時間為高達大約5分鐘，但是如果需要，可以使用更長時間。在脫水法的一個實施方案中，接觸時間為大約1秒至大約5分鐘。在另一實施方案中，脫水過程的接觸時間為大約15秒至大約4分鐘。接觸溫度也可以隨組合物的沸點而大幅變化。一般而言，接觸溫度等于或小于組合物的正常沸點。在一個實施方案中，本公開的組合物可以進一步含有助溶劑。在清潔基底上的傳統工藝殘留物，例如除去焊劑和將包含本發明的基底的機械部件除脂中使用本組合物時，這類助溶劑是理想的。這類助溶劑包括醇(如甲醇、乙醇、異丙醇)、醚(如二乙醚、曱基叔丁基醚)、酮(如丙酮)、酯(如乙酸乙酯、十二烷酸甲酯、肉豆蔻酸異丙酯和丁二酸、戊二酸或己二酸的二曱酯或二異丁酯，或其混合物)、醚醇(如丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、和三丙二醇單甲醚)和烴(如戊烷、環戊烷、己烷、環己烷、庚烷、辛烷)和氫氯烴(如反式-l，2-二氯乙烯)。當這類助溶劑與本組合物一起用于基底脫水或清潔時，其可以以總組合物重量的大約1重量％至大約50重量％的量存在。在清潔裝置，包括蒸氣除脂和蒸氣去焊劑設備中，組合物可能在操作過程中通過在軸封、軟管接頭、焊接接頭和破裂管道中的漏隙流失。此外，工作的組合物可能在設備上的維護程序中釋放到大氣中。如果該組合物不是純組分，該組合物可能在從該設備泄漏或排放到大氣中時改變，這可能造成留在設備中的組合物表現出不可接受的性能。相應地，使用包含單一不飽和氟化烴的清潔組合物是合意的。在一個實施方案中，本公開的組合物可用作清潔組合物、清潔劑、沉積溶劑和用作脫水或干燥溶劑。為了在使用中適當操作，必須清潔微電子部件的焊劑殘留物、油和油脂，和可能在制造完成后污染表面的微粒。在另一實施方案中，本公開涉及從表面或基底上除去殘留物的方法，包括使表面或基底與本發明的清潔組合物或清潔劑接觸，并任選從清潔組合物或清潔劑中回收基本不含殘留物的表面或基底。在再一實施方案中，本公開涉及通過從表面上除去污染物來清潔表明的清潔組合物接觸以使污染物溶解，并任選從清潔組合物中回收表面。該表面隨后基本不含污染物。如上所述，可以通過本方法除去的污染物或殘留物包括，但不限于油和油脂、焊劑殘留物，和微粒污染物。在本方法的一個實施方案中，接觸可以通過噴涂、沖洗、用其中或其上含有清潔組合物的底物(例如抹布或擦拭紙)擦拭來實現。在該方法的另一實施方案中，接觸可以通過將盤浸漬或浸沒在清潔組合物浴中來實現。在該方法的一個實施方案中，所述回收通過從清潔組合物浴中移出已經接觸的表面來進行(以如下針對在表面上沉積氟化碳潤滑油的方法所述類似的方式)。在該方法的另一實施方案中，回收通過使已經噴涂、沖洗或擦拭到盤上的清潔組合物排盡來進行。另外，可能在之前的步驟完成后留下的任何殘留清潔組合物也可以以與沉積法類似的方式蒸發。清潔表面的方法可用于與下述沉積方法相同類型的表面上。二氧化硅、玻璃、金屬或金屬氧化物或碳的半導體表面或磁介質盤可能具有通過該方法除去的污染物。在上述方法中，可以通過使盤與清潔組合物接觸并從清潔組合物中回收所述盤來除去污染物。在再一實施方案中，本方法還提供了通過使制品與本發明的清潔組合物接觸來從產品、部件、組件、基底、或任何其它制品或其部分上除去污染物的方法。為方便起見，術語"制品"在本文中用于表示所有這類產品、部件、組件、基底和類似物，并進一步用于表示其任何表面或部分。此外，術語"污染物"旨在表示制品上存在的任何不想要的材料或物質，即使這類物質是有意置于制品上的。例如，在半導體器件的制造中，通常將光致抗蝕劑材料沉積到基底上以形成用于蝕刻操作的掩模和隨后從基底上除去光致抗蝕劑材料。本文所用的術語"污染物"旨在包含和覆蓋這類光致抗蝕劑材料。烴基油和油脂和鄰苯二甲酸二辛酯是可能在涂碳盤上發現的污染物的實例。在一個實施方案中，本發明包括在蒸氣除脂和溶劑清潔法中使制品與本發明的組合物接觸。在一個這類實施方案中，蒸氣除脂和溶劑清潔方法包括使制品優選在室溫下暴露在沸騰清潔組合物蒸氣中。在物體上i二優,t。這類方曰法由此具有另一優點，即本清潔組合物從物:上的最終蒸發留下與在液體清潔組合物中簡單清洗該物體的情況相比相對較少的殘留物。在另一實施方案中，對于制品包含難除的污染物的用途，本方法包括提高清潔組合物的溫度至高于環境溫度或在這類用途中有效地基本改進清潔組合物的清潔作用的任何其它溫度。在一個這類實施方案中，這種方法也通常用于大體積組裝管道操作，其中制品，特別是金屬部件和裝配件的清潔必須有效和迅速地進行。在一個實施方案中，本發明的清潔方法包括將要清潔的制品浸在處于升高的溫度下的液體清潔組合物中。在另一實施方案中，本發明的清潔方法包括將要清潔的制品浸在大約處于清潔組合物的沸點的清潔組合物中。在一個這類實施方案中，該步驟從制品上除去顯著量的目標污染物。在再一實施方案中，該步驟從制品上除去大部分目標污染物。在一個實施方案中，在該步驟之后，將制品浸在新餾出的清潔組合物中，其溫度低于前一浸漬步驟中的液體清潔組合物的溫度。在一個這類實施方案中，新餾出的清潔組合物處于大約環境溫度或室溫。在再一實施方案中，該方法還包括隨后通過使制品暴露在由與最先提到的浸漬步驟相關的熱/沸騰清潔組合物產生的蒸氣中來使制品與清潔組合物的相對較熱的蒸氣接觸的步驟。在一個這類實施方案中，這造成清潔組合物蒸氣在制品上的冷凝。在某些優選實施方案中，在最終漂洗之前用餾出的清潔組合物噴涂該制品。許多種類和類型的蒸氣除脂設備預計可以與本方法聯用。這類設備的一個實例及其操作公開在美國專利No.3,085,918中，其經此引用并入本文。本文公開的設備包括用于容納清潔組合物的沸騰池、用于容納餾出的清潔組合物的清潔池、水分離器和其它輔助設備。本清潔方法也可以包含冷清潔，其中將被污染的制品浸在處于環境溫度或室溫條件下的本發明的流體清潔組合物中，或在這類條件下用浸透清潔組合物的抹布或類似物體擦拭。本發明還涉及在表面上沉積氟化碳潤滑油的方法，所述方法包括將氟化碳潤滑油與包含本發明的不飽和氟化烴的溶劑組合，使氟化碳潤滑油與溶劑的所述組合與表面接觸并蒸發溶劑以在表面上形成氟化碳潤滑油涂層。儲存數字信息的最先進的、最高記錄密度的和最低成本的方法涉及從涂有磁材料的旋轉磁盤上寫入和讀取磁通量圖案。在金屬載體結構上賊射磁層，其中信息以比特形式儲存。接著，在磁層上設置用于保護的頂涂層(通常碳基材料)，并最后在頂涂層上施加潤滑劑。讀取-寫入頭在潤滑劑上移動并在磁頭與磁層之間交換信息。在試圖提高信息傳遞效率時，硬驅動器制造商已經將磁頭與磁層之間的距離或浮動高度(fly-height)降至小于100埃。在正常磁盤驅動器使用過程中，磁頭與磁盤表面始終保持接觸。為了降低滑動和浮動(flying)接觸在磁盤上造成的磨損，其必須潤滑。氟化碳潤滑油廣泛用作磁盤驅動器工業中的潤滑劑以降低磁頭與磁盤之間的摩擦，即降低磨損并因此使磁盤故障的可能性最小化。在工業中需要改進的氟化碳潤滑油沉積方法。某些溶劑，例如CFC-113和PFC-5060，由于它們對環境的影響，其應用已經受到管制。因此，在此用途中使用的溶劑應該考慮環境影響。此外，這類溶劑必須溶解氟化碳潤滑油并形成基本均勻或均勻的氟化碳潤滑油涂層。另外，現有溶劑已經被發現需要更高的氟化碳潤滑油濃度以產生給定厚度的涂層并在氟化碳潤滑油涂層的均勻性方面造成不規則性。在一個實施方案中，本公開的氟化碳潤滑油包含全氟聚醚(PFPF)化合物，或包含X-1P⑧的潤滑劑，其是含膦腈的磁盤潤滑劑。這些全氟聚醚化合物有時被稱作全氟烷基醚(PFAE)或全氟聚烷基醚(PFPAE)。這些PFPE化合物從簡單的全氟化醚聚合物到官能化全氟化醚聚合物。可用作本發明中的氟化碳潤滑油的不同種類的PFPE化合物可獲自許多來源。在另一實施方案中，可用于本發明的方法的氟化碳潤滑油包括但不限于KrytoxGLP100、GLP105或GLP160(E.I.duPontdeNemours&Co.,Fluoroproducts,Wilmington,DE,19898,USA);FomblinZ-Dol2000、2500或4000,Z-Tetraol或FomblinAM2001或AM3001(SolvaySolexisS.p.A.,Milan,Italy出售)；DemnumTMLR-200或S-65(DaikinAmerica,Inc.,Osaka,Japan供應)；X-IP(部分氟化的hyxaphenoxy環三膦腈/f茲盤潤滑劑,可獲自QuixtorTechnologiesCorporation,DowChemicalCo，Midland,MI的子公司)；和它們的混合物。Krytox⑧潤滑劑是具有通用結構F(CF(CF3)CF20)n-CF2CF3的全氟烷基聚醚，其中n為10至60。Fomblin㊣潤滑劑是分子量為500至4000原子質量單位并具有通式X-CF2-0(CF2-CFrO)p-(CF20)q-CF2-X的官能化全氟聚醚，其中X可以是-CH2OH、CH2(0-CH2-CH2)nOH、CH2OCH2CH(OH)CH2OH或-0120-012-胡椒基。DemnumTM油是分子量為2700至8400原子質量單位的全氟聚醚基油。另外，正在開發新的潤滑劑，例如來自Moresco(Thailand)Co.,Ltd的那些，其可用在本發明的方法中。本發明的氟化碳潤滑油可以另外包含用于改進氟化碳潤滑油的性能的添加劑。本身可充當潤滑劑的X-1P⑧通常添加到其它較低成本的氟化碳潤滑油中以通過鈍化磁盤表面上造成PFPE降解的路易斯酸位點來提高磁盤驅動器的耐用性。可以在本發明的方法的氟化碳潤滑油中使用其它常見的潤滑劑添力口劑。本發明的氟化碳潤滑油可以進一步包括Z-DPA(HitachiGlobalStorageTechnologies,SanJose，CA),用二烷基胺端基封端的PFPE。親核的端基起到與X1P⑧相同的作用，由此在沒有任何添加劑的情況下提供相同的穩定性。可以沉積氟化碳潤滑油的表面是可獲益于潤滑的任何固體表面。半導體材料，例如二氧化硅盤、金屬或金屬氧化物表面、氣相沉積的碳表面或玻璃表面，是可以使用本發明的方法的表面類型的代表。本發明的方法特別可用于涂布磁介質，例如電腦驅動硬盤。在電腦磁盤的制造中，表面可以是帶有磁介質層的玻璃或鋁基底，其也通過氣相沉積凈皮薄(10-50埃)的非晶氫化或氮化碳層涂布。氟化碳潤滑油可以通過將氟化碳潤滑油施加到磁盤碳層上來間接沉積在表面磁盤上。組合氟化碳潤滑油和溶劑的第一步驟可以以任何合適的方式實現，例如在合適的容器，例如燒杯或可用作沉積法的浴的其它容器中混合。不飽和氟化烴溶劑中氟化碳潤滑油濃度可以為大約0.010%(wt/wt)至大約0,50%(wt/wt)。使氟化碳潤滑油與溶劑的所述組合與表面接觸的步驟可以以任何適合所述表面(考慮表面的尺寸和形狀)的方式實現。硬驅動磁盤必須以一定方式支承，例如使用心軸或可以穿過磁盤中心的孔安裝的一些其它載體。磁盤由此保持垂直以使磁盤面垂直于溶劑浴。心軸可以具有不同形狀，包括但不限于，圓柱棒或V-型棒。心軸形狀決定了與磁盤的接觸面積。心軸可以由任何強到足以支撐磁盤的材料構成，包括但不限于金屬、金屬合金、塑料或玻璃。另外，磁盤可以在紡織籃中垂直向上支承或在外緣上用1個或更多夾具夾到垂直位置上。載體可以由具有支承磁盤的強度的任何材料，例如金屬、金屬合金、塑料或玻璃構成。但是，無論磁盤怎樣支承，將磁盤降至容納氟化碳潤滑油/溶劑組合的浴中。該浴可以保持在室溫下或加熱或冷卻到大約0。C至大約50。C的溫度。或者，該磁盤可以如上所述支承，并且可以將該浴升高以浸漬磁盤。在任一情況下，隨后將磁盤從浴中移出(通過降低該浴或通過升高磁盤)。可以將過量的氟化碳潤滑油/溶劑組合排到該浴中。將磁盤降至浴中或將浴升高以浸漬磁盤的使氟化碳潤滑油/溶劑組合與磁盤表面接觸的任一方法統稱為浸涂法。可以在本發明的方法中使用其它使磁盤與氟化碳潤滑油/溶劑組合接觸的方法，包括噴涂或浸涂。當磁盤從浴中移出時，磁盤將在其表面上具有氟化碳潤滑油涂層和一些殘留溶劑(不飽和氟化烴)。可以蒸發殘留溶劑。蒸發通常在室溫下進行。但是，也可以對蒸發步驟使用高于和低于室溫的其它溫度。可以對蒸發使用大約O"C至大約IO(TC的溫度。表面，或磁盤(如果該表面是磁盤)，在涂布方法完成后留下基本不含溶劑的基本均勻或均勻的氟化碳潤滑油涂層。氟化碳潤滑油可以施加至小于大約300納米的厚度，或施加至大約100至大約300納米的厚度。磁盤的適當運行需要均勻的氟化碳潤滑油涂層，因此氟化碳潤滑油厚度不定的區域在磁盤表面上是不合意的。隨著越來越多的信息儲存在相同尺寸的磁盤上，讀取/寫入頭必須越來越接近磁盤才能適當工作。如果在磁盤表面上存在由涂層厚度的變化引起的不規則性，磁頭與磁盤上這些區域接觸的可能性大得多。盡管磁盤上需要具有足夠的氟化碳潤滑油以流入其可能被磁頭觸點或其它裝置除去的區域，太厚的涂層仍會造成"拖尾，，——與讀取/寫入頭吸取過量氟化碳潤滑油有關的問題。在工業中觀察到的一種具體的涂層厚度不規則性被稱作"兔耳條紋(rabbitears)，，效應。在使用現有溶劑體系沉積氟化碳潤滑油后，可以在磁盤表面上直觀察覺到這些不規則性。當磁盤與氟化碳潤滑油在溶劑中的溶液接觸并隨后從溶液中移出時，可能積聚溶液且不容易排盡溶液的任何點會產生不容易排盡的溶液滴。一個這類形成液滴的點是心軸或其它支承裝置與磁盤的一個或多個接觸點。當使用V-型心軸時，存在兩個接觸點，在此心軸與磁盤的內緣接觸。當氟化碳潤滑油溶液在這些位置形成在從浴中移出時不排盡的液滴時，在溶劑蒸發時產生具有更大氟化碳潤滑油厚度的區域。與磁盤的兩個接觸點產生"兔耳條紋"效應，因為具有更大氟化碳潤滑油厚度的區域在磁盤表面上產生直觀可察覺的類似兔耳的圖案。當使用浸涂在表面上沉積氟化碳潤滑油時，提拉速度(磁盤從浴中移出的速度)和氟化碳潤滑油的密度和表面張力在決定氟化碳潤滑油的所得薄膜厚度方面是相關的。為了獲得所需薄膜厚度，需要知道這些參數。在"Dip-CoatingofUltra-ThinLiquidLubricantanditsControlforThin-FilmMagneticHardDisks"inIEEETransactionsonMagnetics,巻31:no.6,1995年11月中給出這些參數如何影響涂層的詳情。根據本公開，可以在不過度實驗的情況下進行和實施本文公開和提出權利要求的所有組合物和方法。盡管已經參照優選實施方案描述了本發明的組合物和方法，但本領域技術人員顯而易見的是，可以在不背離本發明的原理、精神和范圍的情況下，對組合物和方法和在本文所述的方法的步驟或步驟次序中作出變動。更具體地，明顯的是，化學相關的某些清潔組合物或清潔劑可以代替本文所述的組合物，同時實現相同或類似的結果。本領域技術人員顯而易見的所有這類類似的取代和修改被視為在所附權利要求所定義的本發明的精神、范圍和原理內。實施例在下列實施例中進一步定義本發明。應該理解的是，描述本發明的優選實施方案的這些實施例僅作為例子給出。從上述論述和這些實施例中，技術人員可以弄清本發明的優選特征，并且在不背離其精神和范圍的情況下作出本發明的各種變動和修改以使其適應各種用途和條件。實施例11.1丄4,4,5丄6,6,7,7/7-十二氟庚-2-烯(F14E)的合成C^2CH2CfflCFi的合成將全氟-正丁基碘(180.1克，0.52摩爾)和2，2，2-三氟丙烯(25.0克，0.26摩爾)添加到400毫升HastelloyTM搖振管中并在增至最大428psig(3.05Mpa)的自壓下加熱至200。C8小時。在室溫下收集產物。再在這些條件下進行上述反應，并合并產物。隨后在相同的400毫升反應器中用雙倍量的全氟-正丁基碘和2，2,2-三氟丙烯重復。在這種情況下，壓力增至573psig(3.85Mpa)。合并三個反應的產物并蒸餾產生322.4克C4F9CH2CHICF3(52.2735mm)，收率70%。C￡F2CH7CHICF3向F14E轉化將C4F9CH2CHICF3(322.4克，0.73摩爾)經由加料漏斗逐滴添加到配有攪拌棒并連接到填充蒸餾塔和蒸餾頭上的2升圓底燒瓶上。該燒瓶含有異丙醇(95毫升)、KOH(303.7克，0.54摩爾)和水(303毫升)。收集產物，用偏亞硫酸氫鈉、水洗滌，用MgS04干燥，并經由配有玻璃螺旋管的6"塔蒸餾。產物F14E(173.4克，76%)的沸點為78.2°C。其特征在于，在氯仿-d溶液中19FNMR(5-66.7(CF3,m,3F),-81.7(CF3,m3F)，-124.8(CF2,m，2F),-126.4(CF2，m,2F)和-114.9ppm(CF2,m,2F))實施例2l丄1.2.2,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十四氟辛畫3隱烯(F24E)的合成ClFqCHICH,CJs的合成3奪全氟乙基系典(220克，0.895摩爾)和3,3,4,4,5，5,6,6,6-九氟己國1國烯(123克，0.50摩爾)添加到400毫升HastelloyTM搖振管中并在自壓下加熱至200°C10小時。將來自該反應和在類似條件下進行的另外兩個反應的產物合并并用兩份200毫升10重量％亞石危酸氫鈉水溶液洗滌。有機相在氯化鈣上干燥然后蒸餾產生277.4克C4F9CH2CHICF3(79-81。C/67-68mmHg),收率37°/。。C^F^HICH2C2Fi向F24E轉化在配有機械攪拌器、加料漏斗、冷凝器和熱電偶的l升圓底燒瓶中裝入C4F9CHICH2C2F5(277.4克，0.56摩爾)和異丙醇(217.8克)。向加料漏斗中裝入溶解在83.8克水中的氬氧化鉀溶液(74.5g,1.13摩爾)。將KOH溶液在迅速攪拌下在溫度從2rC緩慢升至42。C時經過大約1小時逐滴添加到燒瓶中。將反應物料用水稀釋并通過相分離回收產物。將產物用50毫升的多份10重量％亞石危酸氫鈉水溶液和水洗滌，在氯化釣上干燥，然后在大氣壓下蒸餾。產物F24E(128.7克，63%)的沸點為95.5°C。其特征在于在氯仿-d溶液中19FNMR(S-81.6(CF3,m，3F),-85.4(CF3,m3F),-114.7(CF2,m,2F),-118.1(CF2,m,2F),-124.8ppm(CF2:m,2F)，-126.3ppm(CF2,m,2F))和&NMR(§6.48)。實施例3CF^I^CHCF(CF^^(T13iE)的合成CF3CHICH7CF(CFA的合成將(CF3)2CFI(265克，0.9摩爾)和2,2,2畫三氟丙烯(44.0克，0.45摩爾)添加到400毫升HastelloyTM搖振管中并在自壓下(最大585psig(4.14MPa))加熱至200°C8小時。在室溫下收集產物以產生110克(CF3)2CFCH2CHICF3(76畫77。C/200mm),收率62%。(CF3hCFCH7CHICF3向F13iE的轉化500毫升圓底燒瓶配有攪拌棒和加料漏斗并連接到短路徑蒸餾塔和干水阱上。在燒瓶中裝入異丙醇(50毫升)、氫氧化鉀U09克，1.96摩爾)和水(109毫升)。4,(CF3)2CFCH2CHICF3(109克，0.28摩爾)經由加料漏斗在42。C下逐滴緩慢加入。在添加過程中，溫度從42升至55。C,并從燒瓶中餾出產物。在回流30分鐘后，燒瓶中的溫度升至62°C。收集產物，用水洗滌，用MgS04干燥，并蒸餾。產物F13iE(41克，55%)的沸點為48-50。C且特征在于在氯仿-d溶液中19FNMR(S-187.6(CF,mIF),-77.1(CF3,m6F)，-66.3(CF3,m3F)。實施例4C4F9CHICH2C2F5的合成^1夸3,3,4,4,5,5,6,6,6畫九氟己國1畫烯(20.5克，0.0833摩爾)、雙(三苯膦)鎳(0)二羰基(0.53克，0.0008摩爾)和全氟乙基碘(153.6克，0.625摩爾)添加到210毫升HastelloyTM搖振管中并在自壓下在100。C下加熱8小時。通過GC-MS分析產物表明，存在C4F9CHICH2C2F5(64.3GC面積％)和二元加成物(3.3GC面積o/。);3,3，4，4，5，5，6,6,6-九氟己-1-烯的轉化率為80.1%。實施例5通過在不飽和氟烯烴化合物中添加一定量的油直至混合物變混濁或分成兩相，測定不飽和氟烯烴化合物溶解氟化油的能力。表l中的結果表明，不飽和氟烯烴化合物具有高的溶解氟化油的能力。此外，在不飽和氟烯烴化合物中制備0.5重量％油的溶液。在此實施例中，不飽和氟烯烴是1,1,1,2，2,5，5,6,6,7,7,8，8，8-十四氟辛-3-烯(F24E)。將預稱重的金屬化合物浸入溶液，蒸發溶劑，并將取樣管(coupon)再稱重。表5顯示了通過這種浸涂法獲得的平均涂層。由此，不飽和氟烯烴化合物可以用作用于將氟化油沉積到基底上的載液。油在F24E中的溶解度涂層厚度KrytoxGPL102油混溶2.9pg/cm2KrytoxGPL106油混溶22.9pg/cm2實施例6將KrytoxGPL106油用藥簽擦到已知重量的潔凈的金屬取樣管上。將取樣管再稱重，然后通過在室溫下浸到1,1,1,2,2,5，5,6,6，7,7,8,8,8-十四氟辛-3-烯(F24E)中來清潔。將取樣管浸泡1分鐘然后風干。然后將取樣管再稱重，并測定除去的油的百分比。表6中的這些結果表明，溶劑在清潔氟化油方面具有優異的效率。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>權利要求1.從表面上除去殘留物的方法，包括(a)使表面與包含至少一種不飽和氟化烴的組合物接觸，該不飽和氟化烴選自具有式E-或Z-R1CH＝CHR2的化合物，其中R1和R2獨立地為C1至C6全氟烷基，或C1至C6氫氟烷基，(b)從該組合物中回收表面。2.權利要求1的方法，其中Ri和R2獨立地為CF3、C2F5、CF2CF2CF3、CF(CF3)2、CF2CF2CF2CF3、CF(CF3)CF2CF3、CF2CF(CF3)2、C(CF3)3、CF2CF2CF2CF2CF3、CF2CF2CF(CF3)2、C(CF3)2C2F5、CF2CF2CF2CF2CF2CF3、CF(CF3)CF2CF2C2F5、C(CF3)2CF2C2F5、CHF2、CH2F、C2HF4、C2H2F3、C2H3F2、C3HF6、i-C3HF6、C3H2F5、C3H3F4、C4HF8、C4H3F6、C5HF10、C5H3F8或C6HFi2f3.權利要求l的方法，其中至少一種不飽和氟化烴是下列的至少一種CF3CH=CHCF3、CF3CH=CHC2F5、CF3CH=CHCF2C2F5、CF3CH=CHCF(CF3)2、C2F5CH=CHC2F5、CF3CH=CH(CF2)3CF3、CF3CH=CHCF2CF(CF3)2、CF3CH=CHCF(CF3)C2F5、CF3CH=CHC(CF3)3、C2F5CH=CHCF2C2F5、C2F5CH=CHCF(CF3)2、CF3CH=CH(CF2)4CF3、CF3CH=CHCF2CF2CF(CF3)2、CF3CH=CHC(CF3)2C2F5、C2F5CH=CH(CF2)3CF3、C2F5CH=CHCF2CF(CF3)2、C2F5CH=CHCF(CF3)C2F5、C2F5CH=CHC(CF3)3、C2F5CF2CH=CHCF2C2F5、(CF3)2CFCH=CHCF(CF3)2、C2F5CF2CH=CHCF(CF3)2、CF3CH=CH(CF2)5CF3、CF3CH=CHCF(CF3)(CF2)2C2F5、CF3CH=CHC(CF3)2CF2C2F5、C2F5CH=CH(CF2)4CF3、C2F5CH=CHCF2CF2CF(CF3)2、C2F5CH=CHC(CF3)2C2F5、C2F5CF2CH=CH(CF2)3CF3、C2F5CF2CH=CHCF2CF(CF3)2、C2F5CF2CH=CHCF(CF3)C2F5、C2F5CF2CH=CHC(CF3)3、(CF3)2CFCH=CH(CF2)3CF3、(CF3)2CFCH=CHCF2CF(CF3)2、(CF3)2CFCH=CHCF(CF3)C2F5、(CF3)2CFCH=CHC(CF3)3、C2F5CH=CH(CF2)5CF3、C2F5CH=CHCF(CF3)(CF2)2C2F5、C2F5CH=CHC(CF3)2CF2C2F5、C2F5CF2CH=CH(CF2)4CF3、C2F5CF2CH=CHCF2CF2CF(CF3)2、C2F5CF2CH=CHC(CF3)2C2F5、(CF3)2CFCH=CH(CF2)4CF3、(CF3)2CFCH=CHCF2CF2CF(CF3)2、(CF3)2CFCH=CHC(CF3)2C2F5、CF3(CF2)3CH=CH(CF2)3CF3、CF3(CF2)3CH=CHCF2CF(CF3)2、CF3(CF2)3CH=CHCF(CF3)C2F5、CF3(CF2)3CH=CHC(CF3)3、(CF3)2CFCF2CH=CHCF2CF(CF3)2、(CF3)2CFCF2CH=CHCF(CF3)C2F5、(CF3)2CFCF2CH=CHC(CF3)3、C2F5CF(CF3)CH=CHCF(CF3)C2F5、C2F5CF(CF3)CH=CHC(CF3)3、或(CF3)3CCH=CHC(CF3)3。4.權利要求1的方法，其中所述不飽和氟化烴進一步包含至少一種選自下列的不飽和氟化烴(CF3)2CFCH=CH2、CF3CF2CF2CH=CH2、CH2=CFCF2CF2CHF2、CF2=CHCF2CH2CF3、CF3CF=C(CF3)(CH3)、CH2=CFCH(CF3)2、CHF=CHCH(CF3)2、CH2FCH=C(CF3)2、CH3CF=C(CF3)2、(CF3)2C=CHCH3、CHF2CF2CF=CFCH3、C2F5CF=CHCH3、CF3C(CH3)=CHCF3、CH2=CHCF2CHFCF3、CH2=C(CF3)CH2CF3、CF3CH=CFCH2CH3、CF3CH=C(CH3)2、CF3(CF2)3CF=CF2、CF3CF2CF=CFCF2CF3、(CF3)2C=C(CF3)2、(CF3)2CFCF=CFCF3、(CF3)2OCHC2F5、(CF3)2CFCF=CHCF3、CF3CF2CF2CF2CH=CH2、CH2=CHC(CF3)3、(CF3)2C=C(CH3)(CF3)、CH2=CFCF2CH(CF3)2、CF3CF=C(CH3)CF2CF3、CF3CH=CHCH(CF3)2、(CF3)2CFCF=CHCH3、CF3CF2CF2CF=CHCH3、CH2=CHCF2CF2CF2CHF2、(CF3)2C=CHCF2CH3、CH2=C(CF3)CH2C2F5、CF3CF2CF2C(CH3)=CH2、CF3CF2CF2CH=CHCH3、CH2=CHCH2CF2C2F5、CF3CF2CF=CFC2H5、CH2=CHCH2CF(CF3)2、CF3CF=CHCH(CF3)(CH3)、(CF3)2C=CFC2H5、(CH3)2C=CFCF2CF3、(CF3)2OC(CH3)2、CF3CF=CFCF2CF2C2F5、CF3CF2CF=CFCF2C2F5、CF3CH=CFCF2CF2C2F5、CF3CF=CHCF2CF2C2F5、CF3CF2CH=CFCF2C2F5、CF3CF2CF=CHCF2C2F5、CF3CF2CF2CF2CF=CHCH3、CF3CF2CF2CF=CHCH2CH3、(CH3)2OCFCF2CF2CF3、環-CF2CH=CHCF2CF2CF2-、W-CF2CF=CFCF2CF2CF2-、CF2=CHCF2Br、CF2=CFCBrH2、CHF=CBrCF3、CHF=CHCBrF2、CHF=CBrCHF2、CHBr=CFCF3、CHBr=CHCF3、CH2=CBrCF3、CH2CFCBrF2、CFBr=CHCF3、CFBr=CFCF3、CH2=CBrCF2CF3、CHBr=CHCF2CF3、CH2=CHCF2CF2Br、CH2=CHCBrFCF3、CF3CBr=CFCF3、CH3CBr=CHCF3、CF3CBr=CHCH3、(CF3)2C=CHBr、CF3CF=CBrCF2CF3、CHF2CBr=CFC2F5、CF2=CBrCHFC2F5、CHBr=CF(CF2)2CHF2、CH2=CBrCF2C2F5、CF2=CHCF2CH2CBrF2、(CF3)2CFCBr=CH2、CF2=C(CH2Br)CF3、CH2=C(CBrF2)CF3、(CF3)2CHCH=CHBr、(CF3)2C=CHCH2Br、CH2=CHCF(CF3)CBrF2、CF3CF2CF2CBr=CH2、CF3(CF2)3CBr=CH2、CHC1=CFCC1F2、CHC1=CC1CF3、CHC1=CHCH2F、CHC1=CFCH3、CH2=CC1CH2F、CHF=CC1CH3、CH2=CC1CC1F2、CH2=CFCC12F、CHC1=CC1CHF2、CHC1=CHCC1F2、CHF=CC1CHC1F、CC12=CFCH3、CH2=CC1CHC1F、CH2=C(CHF2)CC1F2.CH2=CHCF2CHC1F、CHC1=C(CH3)CF3、CH2=CHCHC1CF3、CH3CF=CHCC1F2、CH2=CC1CF2CF3、CHC1=CHCF2CF3、CH2=CHCF2CF2C1、CH2=CHCC1FCF3、CH3CC1=CHCF3、CF3CC1=CHCH3、CH2=CHCC1FCHC12、CH2=CC1CC1FCC1F2、CH2=CC1CH2CC1F2、CH2=CHCF2CHC12、CH2=CHCC1FCC1F2、CC12=C(CH3)CF3、CC12=CHCH2CF3、CH2=CFCC1FCC1F2、CC1F=CHC2H5、CHC1=CHCF2CH3、CH2=CC1CF2CH3、CH3CH=CHCC1F2、(CF3)2C=CHC1、CF3CH=C(CC1F2)CF3、CHC1=CHCF2CC1FCF3、CHC1=CHCF(CC1F2)CF3、CF3CF=CC1CF2CF3、CHC1=CF(CF2)2CHF2、CH2=CC1CF2C2F5、CF2=CHCF2CH2CC1F2、(CF3)2CFCC1=CH2、(CF3)2CHCH=CHC1、(CF3)2C=CHCH2C1、CH2=CHCF(CF3)CC1F2、CH2=CC1CF2CF2C2F5和CHC1=CHCF2CF2C2F5。5.權利要求l的方法，其中所述組合物進一步包含氣溶膠推進劑。6.權利要求l的方法，其中所述組合物進一步包含表面活性劑。7.權利要求l的方法，其中所述組合物進一步包含助溶劑。8.權利要求l的方法，其中接觸通過蒸氣除脂來實現。9.權利要求8的方法，其中蒸氣除脂如下進行(i)使組合物沸騰；和(ii)使制品暴露在沸騰的清潔組合物的蒸氣中。10.權利要求l的方法，其中接觸通過將制品浸在所述組合物中來實現，其中該組合物處于比環境溫度或室溫高的溫度。11.權利要求10的方法，其中所述組合物大致處于該組合物的沸點溫度。12.權利要求10的方法，包括，在將制品浸在組合物中后，將制品浸在組合物中的進一步步驟，其中該組合物的溫度低于第一浸漬步驟中的溫度。13.權利要求12的方法，其中第二浸漬步驟中的組合物處于環境溫度或室溫。14.權利要求12的方法，包括，在第二浸漬步驟后，使組合物沸騰并使制品暴露在沸騰組合物的蒸氣中的進一步步驟。15.權利要求l的方法，其中所述組合物處于環境溫度或室溫。16.權利要求1的方法，其中接觸通過用組合物浸透的物體擦拭制品來實現。17.在表面上沉積氟化碳潤滑油的方法，包括(a)將氟化碳潤滑油與溶劑組合，所述溶劑包含不飽和氟化烴，該不飽和氟化烴選自具有式E-或Z-I^CH-CHI^的不飽和氟化烴，其中1^和112獨立地為d至C6全氟烷基，或d至C6氫氟烷基，從而形成潤滑劑-溶劑的組合；(b)使潤滑劑-溶劑的組合與表面接觸；和(c)使溶劑從表面上蒸發以便在表面上形成氟化碳潤滑油涂層。18.權利要求17的方法，其中所述表面是半導體材料、金屬、金屬氧化物、氣相沉積的碳或玻璃的表面。19.權利要求18的方法，其中所述表面是磁介質的表面。20.權利要求19的方法，其中所述磁介質是計算機磁盤。21.權利要求17的方法，其中接觸步驟通過將表面浸漬或浸沒在包含氟化碳潤滑油的浴中來實現。22.權利要求17的方法，其中接觸步驟通過用氟化碳潤滑油噴涂或旋涂表面來實現。23.權利要求17的方法，其中潤滑劑-溶劑的組合中氟化碳潤滑油濃度為大約0.02重量°/。至大約0.5重量％。24.權利要求17的方法，其中蒸發步驟在大約IO"C至大約40。C的溫度下進4亍。25.權利要求17的方法，其中氟化碳潤滑油包含全氟聚醚。26.權利要求17的方法，其中氟化碳潤滑油選自全氟聚醚及其混合物。27.從^L潤濕的基底表面上除去至少一部分水的方法，所述方法包括a)使基底與權利要求1的組合物接觸，其中該組合物進一步包含表面活性劑，然后b)使基底與所述組合物脫離接觸。28.基本由具有式R^O^CHR2的不飽和氟化烴構成的溶劑組合物，其中Ri和W獨立地為d至C6全氟烷基，或d至C6氫氟烷基。29.權利要求28的溶劑組合物，其中R1和W獨立地為CF3、C2F5、CF2CF2CF3、CF(CF3)2、CF2CF2CF2CF3、CF(CF3)CF2CF3、CF2CF(CF3)2、C(CF3)3、CF2CF2CF2CF2CF3、CF2CF2CF(CF3)2、C(CF3)2C2F5、CF2CF2CF2CF2CF2CF3、CF(CF3)CF2CF2C2F5、C(CF3)2CF2C2F5、CHF2、CH2F、C2HF4、C2H2F3、C2H3F2、C3HF6、i-C3HF6、C3H2F5、C3H3F4、C4HF8、C4H3F6、C5HF10、(^511^8或C6HF12。30.權利要求28的溶劑組合物，其中所述不飽和氟化烴是下列的至少一種cf3ch=chcf3、cf3ch=chc2f5、cf3ch=chcf2c2f5、cf3ch=chcf(cf3)2、c2f5ch=chc2f5、cf3ch=ch(cf2)3cf3、cf3ch=chcf2cf(cf3)2、cf3ch=chcf(cf3)c2f5、cf3ch=chc(cf3)3、c2f5ch<:hcf2c2f5、c2f5ch=chcf(cf3)2、cf3ch=ch(cf2)4cf3、cf3ch=chcf2cf2cf(cf3)2、cf3ch=chc(cf3)2c2f5、c2f5ch=ch(cf2)3cf3、c2f5ch=chcf2cf(cf3)2、c2f5ch=chcf(cf3)c2f5、c2f5ch=chc(cf3)3、c2f5cf2ch=chcf2c2f5、(cf3)2cfch=chcf(cf3)2、c2f5cf2ch=chcf(cf3)2、cf3ch=ch(cf2)5cf3、cf3ch=chcf(cf3)(cf2)2c2f5、cf3ch=chc(cf3)2cf2c2f5、c2f5ch=ch(cf2)4cf3、c2f5ch=chcf2cf2cf(cf3)2、c2f5ch=chc(cf3)2c2f5、c2f5cf2ch=ch(cf2)3cf3、c2f5cf2ch=chcf2cf(cf3)2、c2f5cf2ch=chcf(cf3)c2f5、c2f5cf2ch=chc(cf3)3、(cf3)2cfch=ch(cf2)3cf3、(cf3)2cfch=chcf2cf(cf3)2、(cf3)2cfch=chcf(cf3)c2f5、(cf3)2cfch=chc(cf3)3、c2f5ch=ch(cf2)5cf3、c2f5ch=chcf(cf3)(cf2)2c2f5、c2f5ch=chc(cf3)2cf2c2f5、c2f5cf2ch=ch(cf2)4cf3、c2f5cf2ch=chcf2cf2cf(cf3)2、c2f5cf2ch=chc(cf3)2c2f5、(cf3)2cfch=ch(cf2)4cf3、(cf3)2cfch=chcf2cf2cf(cf3)2、(cf3)2cfch=chc(cf3)2c2f5、cf3(cf2)3ch=ch(cf2)3cf3、cf3(cf2)3ch=chcf2cf(cf3)2、cf3(cf2)3ch=chcf(cf3)c2f5、cf3(cf2)3ch=chc(cf3)3、(cf3)2cfcf2ch=chcf2cf(cf3)2、(cf3)2cfcf2ch=chcf(cf3)c2f5、(cf3)2cfcf2ch=chc(cf3)3、c2f5cf(cf3)ch=chcf(cf3)c2f5、c2f5cf(cf3)ch=chc(cf3)3或(cf3)3cch=chc(cf3)3。全文摘要公開了從表面上除去殘留物的方法，包括使表面與包含至少一種不飽和氟化烴的組合物接觸，該不飽和氟化烴選自具有式E-或Z-R¹CH＝CHR²的化合物，其中R¹和R²獨立地為C₁至C₆全氟烷基，或C₁至C₆氫氟烷基，并從該組合物中回收表面。文檔編號C10M107/38GK101351538SQ200680050209公開日2009年1月21日申請日期2006年11月1日優先權日2005年11月1日發明者A·C·西弗特,E·N·斯維林根,M·A·施維策爾,M·J·納帕申請人:納幕爾杜邦公司