膜圖案的形成方法、器件、電光學裝置、電子設備、以及有源矩陣基板的制造方法

專利名稱：膜圖案的形成方法、器件、電光學裝置、電子設備、以及有源矩陣基板的制造方法
技術區域本發明涉及一種膜圖案的形成方法、器件、電光學裝置、電子設備、以及有源矩陣基板的制造方法。
背景技術：
作為形成用于電子電路或集成電路等的由規定圖案構成的布線等的方法，例如，光刻法被廣泛利用。
該光刻法需要真空裝置、曝光裝置等大型設備。
而且，在所述裝置中，為了形成規定圖案構成的布線等，需要復雜的工序，另外材料使用效率也只有百分之幾左右，大部分不得不廢棄掉，因此存在制造成本高的問題。
針對這種情況，提出了用液體吐出頭將液體材料以液滴狀吐出的液滴吐出法，即、用噴墨法在基板上形成規定圖案構成的布線等的方法。
例如，特開平11-274671號公報和特開2000-216330號公報中公開了用噴墨法在基板上形成規定圖案構成的布線等的方法。
在這種噴墨法中，將圖案用的液體材料(功能液)直接圖案配置在基板上，之后經過熱處理和激光照射形成所要的圖案。
因此，根據此方法，省略了光刻工序，大幅地簡化工藝，并且能夠將原材料直接配置在圖案位置上，因此具有能夠減少使用量的優點。
然而，近年來隨著構成器件的電路的高密度化的進展，例如，布線也被要求更加微細化、細線化。
但是，在所述使用液滴吐出法的圖案形成方法中，因為吐出的液滴落下后在基板上擴展，所以難以穩定地形成微細的圖案。
尤其是將圖案做成導電膜的情況下，由于所述液滴的擴散，產生液滴積存(凸起)，其有可能成為造成斷線或短路等故障發生原因。
因此，如特開2005-12181號公報所公開的那樣，提出了使用具備寬幅布線形成區域，和與此布線形成區域連接形成的微細布線形成區域的圖案結構的技術。
此技術為向寬幅布線形成區域吐出功能液，利用毛細管現象使功能液流入微細布線形成區域，形成微細的布線圖案。
在此，如果微細布線形成區域的寬度和功能液被吐出的布線形成區域的寬度之差變大時，通常功能液會沿著劃分寬幅布線形成區域的圍堰流動，因此利用毛細管現象流入微細布線形成區域的功能液的量會不足。
于是，存在形成的微細布線圖案的膜厚與其他布線圖案相比變薄的問題。
因此，可以考慮一種方法，例如縮小寬幅布線形成區域的一部分的寬度，使從此布線形成區域流入微細布線形成區域的功能液的量增加，從而實現微細布線圖案的厚膜化。
但是，如上所述，在縮小寬幅布線形成區域(圖案形成區域)的一部分的寬度，使流入微細布線形成區域(第一圖案形成區域)的功能液的量增加時，難以適當地調節功能液的流入量。
例如，當流入微細布線形成區域的功能液的量過多時，微細布線圖案與其他布線圖案相比膜厚變厚，導致微細布線部分和其他布線部分之間產生膜厚差。
于是，例如將此技術應用到形成柵(gate)布線和與此連接的柵電極的形成時，由于這些柵布線與柵電極之間的膜厚不同，難以獲得穩定的晶體管特性。

發明內容
本發明鑒于所述問題而形成，其目的在于，提供一種膜圖案形成方法，其通過在具有不同寬度區域的圖案形成區域內配置功能液，從而能夠穩定、均勻地形成膜圖案。
為了解決所述問題，本發明的膜圖案形成方法，具有在基板上配置第一圍堰形成材料形成第一圍堰層的工序；在所述第一圍堰層上配置第二圍堰形成材料形成第二圍堰層的工序；通過將所述第一圍堰層以及第二圍堰層進行圖案形成，形成具有由第一圖案形成區域以及第二圖案形成區域構成的圖案形成區域的圍堰的工序，該第二圖案形成區域與所述第一圖案形成區域連續且與所述第一圖案形成區域相比寬度寬；在被所述圍堰劃分的所述圖案形成區域配置功能液形成所述膜圖案的工序，所述第一圍堰形成材料及第二圍堰形成材料均為以硅氧烷鍵為主鏈形成的材料，所述第二圍堰形成材料為側鏈上具有氟鍵的材料。
根據此形成方法，由于使用具有包含氟鍵的側鏈的第二圍堰形成材料形成被配置在上層一側的第二圍堰層，因此使第二圍堰層能夠獲得優異的憎液性。
由此，能夠將配置到圖案形成區域的功能液良好地封閉在同區域內。
另外，由于下層一側的第一圍堰層使用側鏈上不含氟鍵的材料，第一圍堰層對功能液的親合性變高，能夠使功能液圓潤地在圖案形成區域內潤濕擴展。
所以，根據本發明，能夠均勻且迅速地使功能液在圖案形成區域內擴展，并且也能夠利用毛細管現象向細部迅速、準確地供給功能液。
由此，能夠在短時間內穩定地形成均勻膜厚的膜圖案。
另外，由于第一圍堰形成材料及第二圍堰形成材料使用的是以無機性的硅氧烷鍵為主鏈構成的材料，因此能夠形成由無機材料構成的具有優異耐熱性能的圍堰，例如，將膜圖案做成導電膜的情況下，能夠提高其燒成溫度，能夠提高導電膜的結晶性能而獲得低阻抗的膜。
另外，本發明的膜圖案的形成方法，具有在基板上配置第一圍堰形成材料形成第一圍堰層的工序；在所述第一圍堰層上配置第二圍堰形成材料形成第二圍堰層的工序；通過將所述第一圍堰層以及第二圍堰層進行圖案形成，形成具有由第一圖案形成區域以及第二圖案形成區域構成的圖案形成區域的圍堰的工序，該第二圖案形成區域與所述第一圖案形成區域連續且與所述第一圖案形成區域相比寬度寬；在被所述圍堰劃分的所述圖案形成區域配置功能液形成所述膜圖案的工序，所述第一圍堰形成材料及第二圍堰形成材料均為以硅氧烷鍵為主鏈構成的材料，所述第二圍堰形成材料為包含含有氟的硅烷化合物或界面活性劑的材料。
根據此形成方法，因為用包含含有氟的硅烷化合物或界面活性劑的材料構成的第二形成材料形成被配置在上層一側的第二圍堰層，所以第二圍堰層能夠獲得優異的憎液性。
由此，能夠將向圖案形成區域配置的功能液良好地封閉在同區域內。
另外，由于下層一側的第一圍堰層使用側鏈上不含氟等的材料，因此第一圍堰層對功能液的親合性變高，能夠使功能液圓潤地在圖案形成區域內潤濕擴展。
所以，根據本發明，能夠均勻且迅速地使功能液在圖案形成區域內擴展，并且也能夠利用毛細管現象向細部迅速、準確地供給功能液。
由此，能夠在短時間內穩定地形成均勻膜厚的膜圖案。
另外，本發明的膜圖案的形成方法，具有在基板上配置第一圍堰形成材料形成第一圍堰層的工序；在所述第一圍堰層上配置第二圍堰形成材料形成第二圍堰層的工序；通過將所述第一圍堰層以及第二圍堰層進行圖案形成，形成具有由第一圖案形成區域以及第二圖案形成區域構成的圖案形成區域的圍堰的工序，該第二圖案形成區域與所述第一圖案形成區域連續且與所述第一圖案形成區域相比寬度寬；在被所述圍堰劃分的所述圖案形成區域配置功能液形成所述膜圖案的工序，所述第一圍堰形成材料為以硅氧烷鍵為主鏈構成的材料，所述第二圍堰形成材料由氟系的表面處理材料構成。
根據此形成方法，因為用氟系的表面處理材料形成配置在上層一側的作為第一圍堰層的表面處理層的第二圍堰層，因此第二圍堰層能夠獲得優異的憎液性能。
因此，能夠將配置到圖案形成區域的功能液良好地封閉在同區域內。
另外，因為下層一側的第一圍堰層使用的是側鏈上不含氟等的材料，所以第一圍堰層對于功能液的親和性變高，能夠使功能液圓潤地在圖案形成區域內潤濕擴展。
所以，根據本發明，能夠均勻且迅速地使功能液在圖案形成區域內擴展，并且也能夠利用毛細管現象向細部迅速、準確地供給功能液。
由此，能夠在短時間內穩定地形成均勻膜厚的膜圖案。
在本發明的膜圖案的形成方法中，優選將所述圍堰設為所述圖案形成區域中的所述第一圍堰層側壁對于所述功能液的接觸角低于50°，所述第二圍堰層對于所述功能液的接觸角大于所述第一圍堰層的接觸角。
根據這樣的形成方法，因為將配置在下層一側的第一圍堰層的側壁對于功能液的接觸角設為低于50°，所以能夠使配于圖案形成區域內的功能液按特定形狀濕潤擴展。
即、能夠將功能液濕潤擴展的前端形狀形成為沿著圖案形成區域的側壁的部分呈向前進方向延伸的俯視凹形狀，從而能夠均勻且迅速地使功能液在圖案形成區域內擴展，并且也能夠利用毛細管現象向細部迅速、準確地供給功能液。
由此，能夠在短時間內穩定地形成均勻膜厚的膜圖案。
在本發明的膜圖案的形成方法中，優選將所述圖案形成區域的底面部上的對于所述功能液的接觸角設為在所述的第一圍堰層側壁的接觸角以下的角度。
通過此形成方法，能夠使功能液均勻地涂展在所述圖案形成區域的全面，非常有助于形成均勻的膜圖案。
當所述底面部的接觸角比第一圍堰層的側壁上的接觸角大時，濕潤擴展時的功能液的前端形狀容易變成俯視凸形狀，變得難以獲得均勻的濕潤擴展。
在本發明的膜圖案的形成方法中，優選將所述第二圍堰層相對于所述功能液的接觸角設為50°以上。
由此，能夠用上層一側的第二圍堰層良好地反彈功能液，由于第一圍堰層和第二圍堰層的接觸角的差異能夠良好地將功能液封閉在圖案形成區域內，能夠容易地形成正確的平面形狀的膜圖案。
在本發明的膜圖案的形成方法中，所述第一圍堰形成材料，優選為具有從如下任選一種以上的材料，即側鏈上具有-H、-OH、-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COOK、-COONa、-CONH2、-SO3H、-SO3Na、-SO3K、-OSO3H、-OSO3Na、-OSO3K、-PO3H2、-PO3Na2、-PO3K2、-NO2、-NH2、-NH3Cl、-NH3Br、≡HNCl、≡HNBr。
通過使用這樣的圍堰形成材料，能夠容易地將第一圍堰層的接觸角調整為低于50°，可以使功能液迅速地在圖案形成區域內濕潤擴展。
在本發明的膜圖案的形成方法中，所述第一圍堰形成材料優選為在側鏈的一部分上具有烷基、烯基、或者芳基的材料。
本發明中，能將第一圍堰層側壁的接觸角調整為低于50°即可，因此即使是對于功能液親和性較低的材料也可以使用。
所以，即使在側鏈的一部分上含有與功能液的親和性低的有機基亦可。
在本發明的膜圖案的形成方法中，所述第二圍堰形成材料，優選在側鏈上具有從F基、-CF3基、-CF2-鏈、-CF2CF3、-(CF2)nCF3、-CF2CFCl-中選出的一種以上。
由于使用這些側鏈上包含氟鍵的圍堰形成材料，能夠容易地給第二圍堰層的表面付與良好的憎液性。
在本發明的膜圖案的形成方法中，優選將所述第二圍堰層形成為比第一圍堰層薄。
如果采用此方法，能夠將更多的功能液配置在圖案形成區域內，也能夠容易、均勻地形成比較厚的膜圖案。
在本發明的膜圖案的形成方法中，優選為具有在所述圖案形成區域上配置第一功能液的工序；使所述圖案形成區域內的第一功能液干燥而形成第一干燥膜的工序；在所述第一干燥膜上配置第二功能液的工序，將使所述第一功能液干燥而成的第一干燥膜的膜厚形成為比所述第一圍堰層的厚度薄。
即、本發明也適用于層疊結構的膜圖案的形成。
另外本發明中，由于第一圍堰層、第二圍堰層的接觸角各自被調整，被層疊形成，因此像現有的通過等離子處理付與憎液性的形成方法那樣，在形成層疊結構的膜圖案時，在各層的形成工序之間無需設置等離子處理等憎液化處理，能夠極有效地形成層疊結構的膜圖案。
在形成層疊結構的膜圖案時，為了使第一干燥膜形成后在其表面配置的第二功能液也能獲得良好的濕潤擴展性能，優選將第一干燥膜的厚度設為比第一圍堰層薄，并使第二功能液也能利用因第一圍堰層的側壁的促進濕潤擴展的作用。
在本發明的膜圖案的形成方法中，優選為具有向所述圖案形成區域配置功能液的工序；使所述圖案形成區域內的功能液干燥而形成干燥膜的工序；將所述圍堰與所述干燥膜一起燒成的工序。
根據這種形成方法，因為能夠省略僅圍堰的燒成工序，所以能夠實現縮短膜圖案形成工序的處理時間，能夠提高器件的制造效率。
在本發明的膜圖案的形成方法中，優選為在所述圖案形成區域內層疊形成多層的干燥膜后，將所述干燥膜和所述圍堰一起燒成。
在形成的膜圖案具有層疊結構的情況下，也能夠將圍堰的燒成和膜圖案的燒成一起進行，可以提高膜圖案形成工序的效率。
本發明中的器件，具有使用前面記載的形成方法在基板上形成的圍堰；被所述圍堰圍住的圖案形成區域；在所述圖案形成區域形成的膜圖案。
由于這種器件具備均勻膜厚的膜圖案，不易產生斷線、短路等，具有優異的電特性。
在本發明的器件中，優選為具備將成形于所述第二圖案形成區域的膜圖案作為柵布線，將形成于所述第一圖案形成區域的膜圖案作為柵電極。
如此，由于使用所述膜圖案的形成方法，能夠使柵布線和柵電極的膜厚大致相等。
由此，能夠使晶體管特性穩定，具備此晶體管的器件的可靠性變高。
在本發明的器件中，優選為具備將形成于所述第二圖案形成區域的膜圖案作為源布線，將形成于所述第一圖案形成區域的膜圖案作為源電極。
如此，通過使用所述的膜圖案的形成方法，可以將源布線和源電極的膜厚設為大致相等。
由此，能夠使晶體管特性穩定，具備此晶體管的器件的可靠性變高。
在本發明的器件中，優選為具備將形成于所述第二圖案形成區域的膜圖案作為漏(drain)布線，將形成于所述第一圖案形成區域的膜圖案作為漏電極。
如此，通過使用所述的膜圖案的形成方法，可以將漏布線和漏電極的膜厚設為大致相等。
由此，能夠使晶體管特性穩定，具備此晶體管的器件的可靠性變高。
本發明的電光學裝置，具備前面記載的器件。
根據本發明的電光學裝置，因為具備具有高精度的電氣特性的器件，所以能夠實現品質和性能獲得提高的電光學裝置。
在此，本發明中所謂的電光學裝置，是包括具有因電場的作用導致物質的折射率變化后使光透過率變化的電光效應的裝置，以及將電能轉換為光能的裝置等的總稱。
具體地說，有利用作為電光學物質的液晶的液晶顯示裝置、利用作為電光學物質的有機EL(Electro-Luminescence)的有機EL裝置、利用無機EL的無機EL裝置、利用作為電光學物質的等離子用氣體的等離子體顯示裝置等。
還有電泳顯示裝置(EPDEloctrophoretic Display)、場發射顯示裝置(FEDField Emission Display)等。
本發明的電子設備，具備前面記載的電光學裝置。
根據本發明的電子設備，由于具備品質及性能獲得提高的電光學裝置，成為高信賴性的產品。
另外，本發明的有源矩陣基板的制造方法，具有在基板上形成柵布線的第一工序；在所述柵布線上形成柵絕緣膜的第二工序；通過所述柵絕緣膜層疊半導體層的第三工序；在所述柵絕緣膜上形成源電極及漏電極的第四工序；在所述源電極及所述漏電極上配置絕緣材料的第五工序；在配置了所述絕緣材料后形成像素電極的第六工序，在所述第一工序、所述第四工序以及所述第六工序的至少一個工序中，采用上述的膜圖案的形成方法。
另外，本發明的有源矩陣基板的制造方法，具有在基板上形成源電極及漏電極的第一工序；在所述源電極及所述漏電極上形成半導體層的第二工序；在所述半導體層上通過柵絕緣膜形成柵電極的第三工序；形成與所述漏電極連接的像素電極的第四工序，在所述第一工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一個工序中，采用上述的膜圖案的形成方法。
另外，本發明的有源矩陣基板的制造方法，具有在基板上形成半導體層的第一工序；在所述半導體層上通過柵絕緣膜形成柵電極的第二工序；通過形成于所述柵絕緣膜上的接觸孔(contact hole)，形成與所述半導體層的源區域連接的源電極和與所述半導體層的漏區域連接的漏電極的第三工序；形成與所述漏電極連接的像素電極的第四工序，在所述第二工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一個工序中，采用上述的膜圖案的形成方法。
由于以上的各種制造方法采用上述的膜圖案的形成方法來形成電極，所以能夠制造出高可靠性的有源矩陣基板。


圖1是表示本發明的液滴吐出裝置的大致結構立體圖。
圖2是用于說明壓電式液狀體吐出原理的圖。
圖3A是圍堰結構的俯視圖，圖3B是圖3A的側剖面圖。
圖4A～圖4D是表示形成圍堰構造的工序的側剖面圖。
圖5A～圖5C是用于說明布線圖案的形成工序的俯視圖。
圖6A～圖6C是用于說明布線圖案的形成工序的側剖面圖。
圖7是模式地表示顯示1個像素顯示區域的俯視圖。
圖8A～圖8E是表示1個像素的形成工序的剖面圖。
圖9是從相對基板一側看到的液晶顯示裝置的俯視圖。
圖10是沿圖9中的H-H’線的液晶顯示裝置的剖面圖。
圖11是液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖12是有機EL裝置的部分放大剖面圖。
圖13是表示本發明的電子設備的具體例的圖。
圖14是模式地顯示有源矩陣基板的一例的剖面圖。
圖15是模式地顯示有源矩陣基板的不同例的剖面圖。
具體實施例方式
(第一實施方式)以下，參照附圖對本發明的一個實施方式進行說明。
還有，以下說明的實施方式，表示本發明的一部分的狀態，并非限定本發明。
另外，在以下說明中使用的各附圖中，因為將各層或各構件的大小表示為在圖紙上能夠識別的程度，所以各層或各構件的每個都能適當地按比例縮小。
(液滴吐出裝置)首先，在本實施方式中，參照圖1對用于形成膜圖案的液滴吐出裝置進行說明。
圖1作為使用本發明的膜圖案形成方法的裝置的一例，所示為通過液滴吐出法在基板上配置液體材料的液滴吐出裝置(噴墨裝置)IJ的大概結構的立體圖。
液滴吐出裝置具有液滴吐出頭301；X軸方向驅動軸304；Y軸方向導向軸305；控制裝置CONT；平臺307；清潔裝置308；基臺309；以及加熱器315。
平臺307支撐通過此液滴吐出裝置IJ能夠設置墨水(液體材料)的基板P，具備固定在標準位置上的未圖示的固定機構。
在本實施方式的情況，支撐后述的基板18。
液滴吐出頭301為具備多個吐出噴嘴的多噴嘴型液滴吐出頭，使長方向與Y軸方向一致。
多個的吐出噴嘴在液滴吐出頭301的下面沿Y軸方向排列，以一定間隔設置。
從液滴吐出頭301的吐出噴嘴，向被平臺307支撐的基板P吐出所述含有導電性微粒的墨水(功能液)。
在X軸方向驅動軸304上連接有X軸方向驅動軸電機302。
X軸方向驅動軸電機302為步進電機等，當從控制裝置CONT供給X軸方向驅動信號時，使X軸方向驅動軸304轉動。
X軸方向驅動軸304轉動時，液滴吐出頭301在X軸方向移動。
Y軸方向導向軸305被固定為相對于基臺309不能活動。
平臺307具備Y軸方向驅動電機303。
Y軸方向驅動軸電機303為步進電機等，當從控制裝置CONT供給Y軸方向驅動信號時，將平臺307在Y軸方向移動。
控制裝置CONT向液滴吐出頭301供給液滴吐出控制用的電壓。
另外，向X軸方向驅動軸電機302供給控制液滴吐出頭301的X軸方向移動的驅動脈沖信號，向Y軸方向驅動軸電機303供給控制平臺307的Y軸方向移動的驅動脈沖信號。
清潔裝置308用于對液滴吐出頭301進行清潔。
在清潔裝置308中，配備有未圖示的Y軸方向的驅動電機。
在此Y軸方向驅動電機的作用下，清潔裝置308沿著Y軸方向導向軸305移動。
清潔裝置308的移動也受到控制裝置CONT的控制。
在此加熱器315是通過燈加熱退火(lamp anneal)對基板P進行熱處理的機構，對涂敷在基板P上的液體材料中所含的溶媒進行蒸發及干燥。
該加熱器315的電源的開/斷也由控制裝置CONT控制。
液滴吐出裝置IJ與支撐液滴吐出頭301和基板P的平臺307一邊相互掃描，一邊向基板P吐出液滴。
在此，在以下的說明中，將X軸方向定為掃描方向，將與X軸方向直交的Y軸方向定為非掃描方向。
因此，液滴吐出頭301的吐出噴嘴被以一定間隔排列而設在非掃描方向的Y軸方向上。
還有，在圖1中，雖然液滴吐出頭301被配置為相對于基板P的前進方向呈直角，也可以調整液滴吐出頭301的角度，使之與基板P的前進方向交叉。
如此，通過調整液滴吐出頭301的角度，能夠調節噴嘴之間的間距。
另外，也可以將基板P和噴嘴面之間的距離設為可以任意調節。
圖2為用于說明壓電式液狀體吐出原理的圖。
在圖2中，壓電元件322被設在與收納液體材料(布線圖案用墨水、功能液)的液體室312相鄰的位置上。
通過包含收納液體材料的材料罐的液體材料供給系統323向液體室312供給液體材料。
壓電元件322被連接在驅動電路324上，通過此驅動電路324向壓電元件322施加電壓，由于使壓電元件322變形導致液體室312變形，液體材料從噴嘴325吐出。
這種情況下，通過使施加電壓的值發生變化，能夠控制壓電元件322的畸變量。
另外，通過使施加電壓的頻率發生變化，能夠控制壓電元件322的畸變速度。
還有，作為液體材料的吐出原理，在使用所述的壓電體元件即壓電元件吐出墨水的壓電方式之外，也可以適用通過加熱液體材料后產生的氣泡(bubble)的作用吐出液體材料的氣泡方式等公知技術。
其中，所述的壓電方式，因為不加熱液體材料，所以具有不給材料的組成等造成影響的優點。
在此，功能液L(參照圖5A)由使導電性微粒分散到分散媒的分散液或有機銀化合物或將氧化銀納米微粒分散到溶媒(分散媒)中的溶液構成。
作為導電性微粒，除了含有例如Au、Ag、Cu、Pd、Mn、Cr、Co、In、Sn、ZnBi、Ni中的任何一種金屬微粒之外，也可以使用這些金屬微粒的氧化物、合金、金屬間化合物、有機鹽、有機金屬化合物、以及導電性聚合體和超導體微粒。
這些導電性微粒，為了提高分散性可以在其表面上涂敷有機物等后使用。
優選導電性微粒的粒徑為1nm以上0.1μm以下。
比0.1μm大時，后述的液體吐出頭的噴嘴有堵塞的危險。
另外，比1nm小時，相對于導電性微粒的涂敷劑的體積比變大，獲得的膜中的有機物的比例變得過多。
分散媒不做特別的限定，只要能夠分散所述的導電性微粒，不產生凝聚的即可。
例如，除了水之外，可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類，正庚烷、正壬烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、四甲基苯、茚、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環己基苯等碳化氫系化合物，還有乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、對二氧六環等醚系化合物，另外還有碳酸丙烯、γ-丁內酯、N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、環己酮等極性化合物。
其中，從微粒的分散性和分散液的穩定性，還有適用于液滴吐出法(噴墨法)的容易程度等來看，優選為水、醇類、碳氫化合物、醚系化合物，作為分散媒，更優選水、碳化氫系化合物。
所述導電性微粒的分散液的表面張力優選在0.02N/m以上0.07N/m以下的范圍內。
用液滴吐出法吐出液滴時，當表面張力低于0.02N/m時，由于墨水組成物對于噴嘴面的濕潤性增大，變得容易產生飛行彎曲，超過0.07N/m時，由于噴嘴前端的彎月面的形狀不穩定，對吐出量和吐出時機的控制變得困難。
為了調整表面張力，在不使與基板的接觸角大幅減小的范圍內，也可以在所述分散液中添加微量的氟系、硅系、非離子系等表面張力調節劑。
非離子系的表面張力調節劑，能夠提高液體對基板的濕潤性，改良膜的水平(levelling)性能，有益于防止膜上產生細微的凹凸。
所述表面張力調節劑，根據需要也可以包含醇類、醚類、酯、酮等有機化合物。
所述分散液的粘度優選為1mPa·S以上50mPa·S以下。
用液滴吐出法將液體材料以液滴吐出時，在粘度比1mPa·S小時，噴嘴周圍部分容易受到墨水流出的污染，另外粘度比50mPa·S大時，噴嘴孔的堵塞頻度變高而導致液滴難以順利吐出。
(圍堰結構體)其次，參照圖3A和圖3B對本實施方式中的對基板上的功能液(墨水)進行位置限制的圍堰結構體進行說明。
圖3A為表示圍堰結構體的大概結構的俯視圖。
另外，圖3B為圖3A所示的F-F’線的所述圍堰結構體的側剖面圖。
本實施方式的圍堰結構體，如圖3A及圖3B所示，具有在基板18上形成圍堰34的結構。
被此圍堰34劃分的區域是成為為了配置功能液的區域的圖案形成區域13。
本實施方式的圖案形成區域13，為用于形成后述的構成TFT的柵布線、以及柵電極的被設在基板18上的區域。
所述圖案形成區域13，由與柵布線(膜圖案)對應的槽狀的第一圖案形成區域55，和與該圖案形成區域55連接的、與柵電極(膜圖案)對應的第二圖案形成區域56構成。
此處所謂的對應的意思是指通過對被配置在所述第一圖案形成區域55，或者所述第二圖案形成區域56內的功能液進行硬化處理等，而各自成為柵布線或者柵電極。
具體地說，如圖3A所示，第一圖案形成區域55在圖3A中沿Y軸方向延伸而形成。
而且，第二圖案形成區域56被形成為相對第一圖案形成區域55呈大致垂直方向(圖3A中、X軸方向)，且被設置為與所述第一圖案形成區域55相連續(連接)。
另外，所述第一圖案形成區域55的寬度被形成為比所述第二圖案形成區域56的寬度寬。
本實施方式中，第一圖案形成區域55的寬度形成為和從所述液滴吐出裝置IJ吐出的功能液的飛翔直徑大致相等，或者稍為大一些。
由于采用了這樣的圍堰結構，利用毛細管現象，使向所述第一圖案形成區域55吐出的功能液能夠流入到微細的圖案即第二圖案形成區域56中。
還有，各圖案形成區域55、56的寬度表示相對于各圖案形成區域55、56延伸方向(X、Y)的直交方向的各圖案形成區域55、56的端部之間的長度。
如圖3A所示，所述第一圖案形成區域55的寬度為長H1，所述第二圖案形成區域56的寬度為長H2。
另一方面，圍堰結構體的剖面形狀(F-F’剖面)具有如圖3B所示的結構。
具體地講，基板18上具備多層結構的圍堰34而成，本實施方式中從基板18一側起為第一圍堰層35和第二圍堰層36的2層結構。
而且，圍堰34中上層一側的第二圍堰層36與第一圍堰層35相比具有憎液性，相反下層一側的第一圍堰層35比第二圍堰層36具有相對的親液性。
由此，即使功能液落在圍堰34的上面，由于該表面具有憎液性，該功能液流入到各圖案形成區域55、56(主要是第一圖案形成區域55)中，功能液能夠很好地在圖案形成區域55、56內流動。
在本實施方式中，第一圍堰層35相對于圖案形成區域55、56中的側壁35s中的功能液的接觸角被定為低于50°。
另一方面，第二圍堰層36使用側鏈上具有氟鍵的圍堰形成材料，或含有氟的硅烷化合物或具有界面活性劑的圍堰形成材料形成。相對于功能液的接觸角被定為比第一圍堰層35的接觸角要大。
優選為將第二圍堰層36表面相對于功能液的接觸角設為50°以上。
另外，配置有功能液的液滴的圖案形成區域13的底面部(基板18的表面18a)相對于功能液的接觸角被設為小于所述第一圍堰層35的接觸角。
在本實施方式中，為了使第一圍堰層35的側壁的所述接觸角與所述圖案形成區域13的底面部上的所述接觸角之和變小，優選調整所述第一圍堰層35的接觸角和所述底面部上的接觸角。
通過這樣的結構，能夠獲得進一步改善功能液L的濕潤擴展性的效果。
(膜圖案的形成方法)其次，對本實施方式中的圍堰結構體的形成方法，以及在被此圍堰結構體劃分的圖案形成區域13上，作為膜圖案形成柵布線的方法進行說明。
圖4A～圖4D是按順序表示所述圍堰結構體的形成工序的側剖面圖。
圖4A～圖4D所示為沿圖3A的F-F’的側剖面形成由第一圖案形成區域55及第二圖案形成區域56構成的圖案形成區域13的工序。
另外，圖5A及圖5B為說明圖4A～圖4D所示的制造工序中形成的圍堰結構上配置功能液形成膜圖案(柵布線)的工序俯視圖。
(圍堰材涂敷工序)首先，如圖4A及圖4B所示，通過旋壓覆蓋法(spin coat)在基板18的全面上涂敷第一圍堰形成材料形成第一圍堰層35a(干燥條件80℃/60秒)，再在第一圍堰層35a上，涂敷第二圍堰形成材料形成第二圍堰層36a(干燥條件80℃/60秒)。
這種情況下，作為所述圍堰形成材料的涂敷方法，可以采用噴涂法、輥涂法、模具涂覆、浸涂、噴墨法等各種方法。
作為基板18，可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金屬板等各種材料。
也可以在基板18的表面上形成半導體膜、金屬膜、電介質膜、有機膜等底層膜。
作為第一圍堰形成材料，使用對于功能液親和性相對較高的材料。
即，能夠采用以硅氧烷鍵為主鏈而成，側鏈上具有從-H、-OH、-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COOK、-COONa、-CONH2、-SO3H、-SO3Na、-SO3K、-OSO3H、-OSO3Na、-OSO3K、-PO3H2、-PO3Na2、-PO3K2、-NO2、-NH2、-NH3Cl(銨鹽)、-NH3Br(銨鹽)、≡HNCl(吡啶鹽)、≡HNBr(吡啶鹽)中選擇的1種以上的材料(高分子材料)。
另外作為第一圍堰形成材料，除所述的材料之外，也可以使用以硅氧烷鍵為主鏈而成，側鏈的一部分上具有烷基、烯基、或者芳基的材料。
本實施方式的情況，由于使用上面舉出的第一圍堰形成材料，第一圍堰層35的側壁的相對于功能液的接觸角能夠調整為低于50°。
后面進行詳細敘述，但由于將接觸角調整為低于50°，能夠使沿著第一圍堰層35的側壁延伸的功能液L在圖案形成區域13內濕潤擴展，可以迅速且穩定地形成膜圖案。
另一方面，作為第二圍堰形成材料，可以形成相對于功能液的接觸角比第一圍堰層35大的圍堰層，也能夠使用對于功能液的親和性相對較低的材料。
即，作為第二圍堰形成材料，采用以硅氧烷鍵為主鏈而成，其側鏈上包含氟鍵的材料，或者采用以硅氧烷鍵為主鏈而成，包含含有氟的硅烷化合物或界面活性劑的材料。
所述以硅氧烷鍵為主鏈而成，作為其側鏈上包含氟鍵的材料，可以舉出側鏈上具有從F基、-CF3基、-CF2-鏈、-CF2CF3、-(CF2)nCF3、-CF2CFCl-中選出的一種以上的材料。
另外，作為含有氟的硅烷化合物(憎液性硅烷化合物)，可以舉出含氟烷基硅烷化合物。
即，具有與Si鍵合的用全氟代烷基構造CnF2n+1表示的構造，可以列出下述用一般式(1)表示的化合物。
式(1)中，n和m分別表示從1到18的整數和2到6的整數。
X1及X2表示-OR2、-R2、-Cl，X1及X2包含的R2，表示碳數為1～4的烷基，a為1～3的整數。
X1的烷氧基和氯基是為了形成Si-O-Si鍵等的功能基，在水的作用下水解成乙醇和酸而脫離。
作為烷氧基可以舉出甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙基、n-丁氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、tert-丁氧基等例子。
從脫離的醇類的分子量較小，容易去除，能夠抑制被形成膜的精密性的下降的觀點來看，優選R2的碳數范圍為1～4。
由于使用含氟烷基硅烷化合物，全氟代烷基為了位于膜表面，各化合物定向而形成自組織化膜，因此可以付與膜表面均勻的憎液性。
(1)CnF2n+1(CH2)mSiX1aX2(3-a)更具體地說，可以舉出CF3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)11-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(C2H5)(OC2H5)2等。
另外，也可以舉出具有R1用全氟代烷基醚結構CnF2n+1O(CpF2pO)r表示的結構的化合物。
(2)CpF2p+1O(CpF2pO)r(CH2)mSiX1aX2(3-a)(式中m、p、r分別表示2到6的整數、1到4的整數和1到10的整數，X1和X2以及a所表示的含義與前面出現的相同。)具體的化合物能夠舉出CF3O(CF2O)6-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(C2H5)(OCH3)2等例子。
具有全氟代烷基或全氟代烷基醚結構的硅烷化合物被總稱為“FAS”。
這些化合物既可以單獨使用也可以組合2種以上使用。
還有，由于使用FAS，可以獲得與基板P之間的緊密性和良好的憎液性。
另外，作為界面活性劑，可以使用由一般式(R1Y1)表示的物質。
式中R1表示疏水性的有機基，Y1表示親水性的極性基、-OH、-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COOA、-CONH2、-SO3H、-SO3A、-OSO3H、-OSO3A、-PO3H2、-PO3A、-NO2、-NH2、-NH3B(銨鹽)、≡HNB(吡啶鹽)、-NX13B(烷基銨鹽)等。
其中，A表示1個以上的陽離子，B表示1個以上的陰離子。
另外，X1與所述相同表示碳數為1～4的烷基。
由所述一般式表示的界面活性劑為雙親媒性化合物，是親油性的有機基R1上鍵合了親水性的功能基的化合物。
Y1表示親水性的極性基，是為了與基板鍵合或吸附的功能基，有機基R1具有親油性，通過排列在親水面的相反一側而在親水面上形成親油面。
本實施方式中，因為界面活性劑是為了向第二圍堰層36付與憎液性的目的向第二圍堰形成材料添加的物質，有機基R1可以使用用全氟代烷基結構CnF2n+1表示的結構的物質。
更具體地說，可以舉出F(CF2CF2)1-7-CH2CH2-N+(CH3)3Cl-、C8F17SO2NHC3H6-N+(CH3)、F(CF2CF2)1-7-CH2CH2-SCH2CH2-CO2-Li+、C8F17SO2N(C2H5)-CO2-K+、(F(CF2CF2)1-7-CH2CH2O)1，2PO(O-NH4+)1，2、C10F21SO3-NH4+、C6F13CH2CH2SO3H、C6F13CH2CH2SO3-NH4+、C8F17SO2N(C2H5)-(CH2CH2O)0-25H、C8F17SO2N(C2H5)-(CH2CH2O)0-25CH3、F(CF2CF2)1-7-CH2CH2O-(CH2CH2O)0-25H等例子。
具有全氟代烷基的界面活性劑，既可以單獨使用，也可以將2種以上組合后使用。
而且，可以將第二圍堰層36作為第一圍堰層35的表面處理層而構成。
此時，作為構成第二圍堰層36的氟系表面處理劑，可以使用住友3M公司生產的EGC-1700、EGC-1720等。
但是，當表面處理層的膜厚超過1μm時，存在顯影工序中容易發生圖案形成不良的情況。
表面處理層的膜厚優選為500nm以下，例如可以設為50nm～100nm左右。
作為表面處理劑的溶媒，例如可以使用難以溶解第一圍堰層的含氫氟醚。
由于使用這些材料，可以給第二圍堰層36的表面付與良好的憎液性，能夠將配置到圖案形成區域13內的功能液封閉在同區域內。
另外，落在偏離圖案形成區域13的位置的功能液的液滴也能夠因第二圍堰層36的憎液性而流到圖案形成區域13內，可以形成具有準確的平面形狀和膜厚的膜圖案。
(曝光工序)其次，如圖4C所示，通過掩模M向設置在基板18上的圍堰層35a、36a照射來自曝光裝置(未圖示)的光，形成第一圖案形成區域55、第二圖案形成區域56。
在此，通過光照射被曝光的圍堰層35a、36a可以通過后述的顯影工序溶解去除。
并且，形成所述的具有圖案形成區域13的圍堰結構。
(顯影工序)接著，如圖4D所示，在所述曝光工序之后，例如用TMAH(四甲基氫氧化銨)對被曝光的圍堰層35a、36a進行顯影處理，選擇性地去除被曝光部分。
其后，如圖4D所示，通過燒成(300℃/60分)，能夠將仿照包含第一圖案形成區域55和第二圖案形成區域56的圖案形成區域13的圍堰34形成在基板18上。
還有，所述圍堰34是將對于功能液親和性不同的2層的圍堰層35、36層疊后的結構。上層一側的第二圍堰層36的表面對于功能液具有相對的憎液性。
另外，因為第一圍堰層35由具有親液性的材料構成，圖案形成區域13中的第一圍堰層35的內側面變得具有親液性，功能液變得容易擴展。
另外，在所述燒成工序之后，先于后面的功能液配置工序，可以用HF(氟化氫)洗凈形成有圍堰34的基板18。
因為在300℃程度的高溫下進行燒成處理，氟會從含有氟的第二圍堰層36中蒸發，附著在圖案形成區域13的底面部(基板表面18a)。
當氟附著在圖案形成區域13的底面部上時，該底面部上的親液性降低導致功能液L濕潤擴展性低下，所以優選經過HF清洗去除附著的氟。
而且，在本實施方式中，不用進行圍堰34的燒成，也可以通過顯影處理向形成的圖案形成區域13吐出配置功能液L，這種情況下，不需要進行所述的HF清洗。
(功能液配置工序)其次，對在所述工序獲得的圍堰構造所形成的圖案形成區域13上，使用所述液滴吐出裝置IJ吐出配置功能液，形成柵布線(膜圖案)的工序進行說明。
可是，難以在微細布線圖案即第二圖案形成區域56上直接配置功能液L。
所以，向第二圖案形成區域56配置功能液L，需要采用使配置到第一圖案形成區域55的功能液L，通過所述的毛細管現象流入到第二圖案形成區域56的方法進行。
首先，如圖5A所示，從液滴吐出裝置IJ向第一圖案形成區域55吐出作為布線圖案形成材料的功能液L。
如圖5B所示，通過液滴吐出裝置IJ向第一圖案形成區域55配置的功能液L，在第一圖案形成區域55內濕潤擴展。
還有，即使在圍堰34的上面配置功能液L，因為該上面具有憎液性，所以被彈開后流入第一圖案形成區域55。
另外，因為與上面相比，圍堰34的內側面(第一圍堰層35的內側面)顯示為親液性，被吐出配置的功能液L變得在圖案形成區域13的整個區域很好地流動，如圖6A圖6C所示，功能液L在第一圖案形成區域55和第二圖案形成區域56之間均勻地展開。
在本實施狀態中，如上所述，在第一圍堰層35的側壁上，通過將相對于功能液的接觸角定為低于50℃，如圖5B所示，功能液L沿著第一圍堰層35的側壁延伸濕潤擴展，可以獲得極為良好的濕潤擴展性能。
圖5C是用于比較的示意圖，表示第一圍堰層35的側壁上的接觸角在50℃以上時的功能液L的擴展方法。
圖5B所示的本實施方式的第一圍堰層35側壁的接觸角為8℃，圖5C所示例的第一圍堰層35側壁的接觸角為51℃。
在圖5B及圖5C中第一圍堰層35以外的部分的表面特性是共通的，功能液L也相同。
比較圖5B及圖5C可知，在第一圍堰層35側壁的接觸角被定為低于50℃的本實施方式中，功能液L沿著第一圍堰層35的側壁延伸，在寬廣的范圍內濕潤擴展。
與此相對，在第一圍堰層35側壁的接觸角被定為50℃以上的、圖5C的例中，功能液L在第一圖案形成區域55的延伸方向上呈俯視凸形狀濕潤擴展，與圖5B相比擴展的范圍狹窄。
另外，在利用毛細管現象使功能液L擴展的第二圖案形成區域56內，其差異更加顯著。
而且，液滴吐出后，同一經過時間內功能液L的擴展長度W1、W2分別約為220μm、80μm，圖5B所示的實施方式的液滴比圖5C所示的容易地延伸了2.7倍左右，這一點得到本發明者的確認。
另外，在所述的圖5B所示的結構中，對第一圍堰層35側壁的接觸角為8℃的情況進行了說明，根據本發明者的驗證，確認到所述接觸角為8℃～44℃時，圖5B所示的功能液L的濕潤擴展的前端部分，沿著圍堰側壁呈俯視凹狀。
另一方面，也用多個樣品對所述接觸角在50℃以上的情況進行了驗證，其結果確認到當所述前端部分呈俯視凸狀濕潤擴展時，其濕潤擴展性相對接觸角低于50℃的要差。
(中間干燥工序)接著，在向第一圖案形成區域55及第二圖案形成區域56內配置功能液L之后，根據需要進行干燥處理。
由此，能夠確保除去功能液L的分散媒以及圖案的膜厚。
具體地說，配置在所述第一圖案形成區域55內的功能液L成為第一布線圖案40，配置在第二圖案形成區域56的功能液L變成第二布線圖案41。
作為所述的干燥處理，可以通過例如加熱基板18的通常的熱板(hotplate)、電爐、燈加熱退火及其他的各種方法進行。
在此，作為燈加熱退火用光的光源，不做特別的限定，但可以使用紅外線燈、氙氣燈、YAG激光、氬激光、二氧化碳激光、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等的受激準分子激光作為光源。
一般情況下，這些光源的輸出功率為10W以上5000W以下，但本實施方式中使用100W以上1000W以下的范圍的就足夠了。
另外，為了獲得希望的膜厚，根據需要也可以在中間干燥工序后反復進行功能液配置工序。
(燒成工序)配置功能液L后，例如當功能液L的導電性材料為有機銀化合物的情況下，為了獲得導電性能，有必要進行熱處理，除去有機銀化合物的有機成分使銀分子殘留。
因此，優選對配置了功能液L后的基板進行熱處理或光處理。
熱處理或光處理通常在大氣中進行，但根據需要，也可以在氫、氮、氬、氦等惰性氣體環境中進行。
熱處理或光處理的處理溫度，考慮到分散媒的沸點(蒸氣壓)、環境氣體的種類和壓力、微粒和有機銀化合物的分散性和氧化性等的熱行為、涂層劑的有無和量、基材的耐熱溫度等而適當地決定。
例如，為了去除有機銀化合物的有機成分，需要在大約200℃的溫度下進行燒成。
另外，使用塑料等的基板的情況下，優選在室溫以上100℃以下進行。
通過以上的工序，功能液L的導電性材料(有機銀化合物)即銀粒子殘留下來，通過被變換為導電性膜，如圖6C所示，相互之間的膜厚差幾乎沒有，能夠獲得連續的導電膜圖案，即作為柵布線作用的第一布線圖案40，以及作為柵電極作用的第二布線圖案41。
如此，由于柵布線和柵電極之間的膜厚差大致消失，能夠使晶體管特性穩定。
而且，在第一實施方式中，采用的是對圍堰34進行燒成后，將功能液L吐出配置在圖案形成區域13內，其后進行功能液L的干燥，燒成膜圖案的形成方法，但也可以將圍堰34的燒成、膜圖案的燒成一起進行。
即，也可以將圍堰34圖案形成后，在不進行燒成的情況下吐出配置功能液L，在功能液L的干燥完成之后一起進行燒成。
這種情況下，能夠省略為了加熱到高溫的費時工序，可以提高制造效率。
(第二實施方式)在所述第一實施方式中，對形成的膜圖案由單一材料構成的情況進行了說明，本發明的膜圖案的形成方法，在形成的膜圖案為多種材料的層壓結構的情況也比現有的形成方法有利。
例如，在構成電光學裝置的象素的柵布線中，存在采用層疊用從Ag、Cu、Al等選出的1種或2種以上的金屬材料形成的基體層、和用從Ni、Ti、W、Mn等選出的1種或2種以上的金屬材料形成的覆蓋層形成的2層結構。
通過這樣的2層結構，覆蓋層防止構成基體層的Ag或Cu、Al向柵絕緣膜的擴散，因此防止TFT上產生運行不良和機動性的降低等。
再者，在所述基體層和基板之間，設有為了提高兩者的緊密性的緊密層(例如使用Mn)。
在形成上述的層疊結構的膜圖案時，如果采用本發明的膜圖案的形成方法，由于第一圍堰層35和第二圍堰層36，根據構成各自的材料，能夠控制和其表面上的功能液的親和性(接觸角)，所以即使在向圖案形成區域13吐出配置功能液L后進行加熱，即使在使功能液L干燥固化之后，第一圍堰層35及第二圍堰層36的表面上的接觸角也不會發生變化。
所以，在所述的例子中，在形成由Ag等構成的基體層之后，即使不對圍堰34重新施以等離子處理等表面處理，也能夠繼續形成由Ni等構成的覆蓋層，可以將用于形成覆蓋層的功能液良好地封閉在圖案形成區域內，且可以使之在同區域內均勻、迅速地濕潤擴展。
而且，像本實施方式一樣形成層疊結構的膜圖案時，下側層(所述例中的基體層)的干燥后的膜厚應該薄于第一圍堰層35的膜厚，換言之，第一圍堰層35的膜厚形成得比下層的要厚。
這是因為第一圍堰層35的側壁被下側層覆蓋時，為了形成上側層(所述例中的覆蓋層)吐出配置功能液時的功能液的涂展性會降低。
而且，形成層疊結構的膜圖案的情況下，不用說也可以將圍堰34的燒成、膜圖案的燒成一起進行。
(實施例1)(器件)其次，對具有通過本發明的膜圖案形成方法形成的膜圖案的器件進行說明。
在本實施方式中，參照圖7及圖8A～圖8E對具有柵布線的像素(器件)及其像素的形成方法進行說明。
在本實施方式中，利用所述的圍堰結構體及膜圖案的形成方法，形成具有底澆口(bottom gate)型的TFT30的柵電極、源電極、漏電極等的像素。
而且，在以下的說明中，省略與所述的圖5A、圖5B、以及圖6A～圖6C所示的膜圖案形成工序相同的工序說明。
另外，對和所述實施方式所示的構成要素共通的構成要素付與相同的符號。
(像素的結構)首先對具有通過所述的膜圖案的形成方法形成的膜圖案的像素(器件)的結構進行說明。
圖7為本實施方式的像素結構250的示意圖。
如圖7所示，像素構造250，在基板上具備柵布線40(第一布線圖案)；從此柵布線40延出形成的柵電極41(第二布線圖案)；源布線42；從此源布線42延出形成的源電極43；漏電極44；被電連接在漏電極44上的像素電極45。
柵布線40在X軸方向上延伸而形成，源布線42與柵布線40交叉在Y軸方向上延伸而形成。
而且，在柵布線40和源布線42的交叉點的近旁形成有作為開關元件的TFT。
此TFT變為開啟狀態時，向被連接到TFT的像素電極45供給驅動電流。
在此，如圖7所示，柵電極41的寬度H2形成為比柵布線40的寬度H1還窄。
例如柵電極41的寬度H2為10μm，柵布線40的寬度H1為20μm。
此柵布線40以及柵電極41由所述的實施方式形成。
另外，源電極43的寬度H5也被形成為比源布線42的寬度H6窄。
例如源電極43的寬度H5為10μm，源布線42的寬度H6為20μm。
在本實施方式中，通過適用膜圖案形成方法，在毛細管現象的作用下，使功能液流入微細圖案的源電極43而形成。
另外，如圖7所示，在柵布線40的一部分上，設有布線寬度比其他區域狹窄的收斂部57。
而且，在收斂部57之上，在和柵布線40交叉的源布線42一側上也設有同樣的收斂部。
如此，通過在柵布線40和源布線42的交叉部分，將各自的布線寬度縮窄而形成，從而防止在此交叉部分上的容量蓄積。
(像素的形成方法)圖8A～圖8E為沿圖7所示的C-C’線的像素構造250的形成工序的剖面示意圖。
而且，在形成像素電極時也可以采用所述的本發明的膜圖案的形成方法。
如圖8A所示，在包含通過所述的方法形成的柵電極41的圍堰34的面上，通過等離子CVD法等，成膜柵絕緣膜39。
此處，柵絕緣膜39由氮化硅構成。
接著，在柵絕緣膜39上成膜活性層。
其次，通過光刻處理及蝕刻處理，如圖8A所示按規定形狀圖案形成而形成非晶硅膜46。
隨后，在非晶硅膜46上成膜接觸層47。
接著，通過光刻處理及蝕刻處理，如圖8A所示的規定形狀進行圖案形成。
而且，接觸層47通過使原料氣體和等離子條件變化而形成n+型硅膜。
其次，如圖8B所示，通過旋壓覆蓋法等，在包括接觸層47上的的全面涂敷圍堰材。
此時，作為所述圍堰形成材料的涂敷方法，可以適用噴涂、輥涂、模具涂覆、浸涂、噴墨法等各種方法。
在此，作為構成圍堰材的材料，因為要求在形成后具有透光性和憎液性，所以可以采用丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料。
更優選為，從燒成過程中的耐熱性、透射率的點來看，具有硅氧烷鍵的圍堰材料更能適用。
而且，為了使此圍堰材具有憎液性，對其施以CF4等離子處理等(用具有氟成分的氣體進行的等離子處理)。
另外，代替這種處理，也可以預先對圍堰原材自身充填憎液成分(氟基等)。
這種情況下，可以省略CF4等離子處理等。
其次，形成成為1個像素間距的1/20～1/10的源/漏電極用圍堰34d。
具體地說，首先，通過光刻處理，在與涂敷在柵絕緣膜39的上面的圍堰形成材的源電極43對應的位置上形成源電極用形成區域43a。同樣，在與漏電極44對應的位置上形成漏電極用形成區域44a。
而且，對該源/漏電極用圍堰34d，可以形成得與前面的實施方式中說明的具有第一圍堰層35和第二圍堰層36的層疊結構的圍堰34相同而使用。
即，形成源/漏電極的工序可以適用本發明的膜圖案的形成方法。
由于采用將對于功能液的接觸角低于50℃的第一圍堰層35，和所述接觸角比第一圍堰層35大的第二圍堰層36層疊的構造，從而能夠使功能液良好地涂展，形成均勻且均質的源電極、漏電極。
特別是，對源電極、漏電極，如前面第二實施方式說明的那樣，在采用多種材料的層疊結構的情況下，膜圖案的層疊時沒有必要重新進行圍堰的憎液化處理，所以能夠提高制造效率。
其次，向源/漏電極用圍堰34d上形成的源電極用形成區域43a以及漏電極用形成區域44a配置功能液L，形成源電極43及漏電極44。
具體地說，首先通過液滴吐出裝置IJ，向源布線用形成區域配置功能液L(省略圖示)。
如圖7所示，源電極用形成區域43a的寬度H5，也被形成為比源布線用槽部的寬度H6窄。
因此，配置到源布線用槽部的功能液L，一次性被設在源布線的收斂部堵住，通過毛細管現象流入到源電極形成區域43a。
由此，如圖8C所示，形成有源電極43。
另外，在漏電極用形成區域吐出功能液而形成漏電極44(未圖示)。
接著，如圖8C所示，在形成源電極43及漏電極44之后，除去源/漏電極用圍堰34d。
而且，將留在接觸層47上的各個源電極43及漏電極44作為掩模，對源電極43及漏電極44之間形成的接觸層47的n+型硅膜進行蝕刻處理。
通過蝕刻處理，形成于源電極43及漏電極44之間的接觸層47的n+型硅膜被去除，形成于n+硅膜的下層的非晶硅膜46的一部分露出。
如此，在源電極43的下層，形成有n+硅構成的源區域32，在漏電極44的下層，形成有n+硅構成的漏區域33。
而且，在這些源區域32及漏區域33的下層，形成有由非晶硅構成的通道(channel)區域(非晶硅膜46)。
通過以上說明的工序，形成底澆口型的TFT30。
其次，如圖8D所示，在源電極43、漏電極44、源區域32、漏區域33以及露出的硅層上，通過蒸汽淀積法、濺射法等成膜鈍化膜38(保護膜)。
接著，通過光刻處理及蝕刻處理，除去后述的形成有像素電極45的柵絕緣膜39上的鈍化膜38。
同時，為了對像素電極45和源電極43進行電連接，在漏電極44上的鈍化膜38上形成接觸孔49。
其次，如圖8E所示，在包括形成有像素電極45的柵絕緣膜39的區域上涂敷圍堰材。
在此，如上所述，圍堰材包含丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚硅氨烷等材料。
接著，通過等離子處理等在此圍堰材(像素電極用圍堰34e)上面進行憎液處理。
其次，通過光刻處理，形成劃分形成有像素電極45的區域的像素電極用圍堰34e。
而且，此像素電極用圍堰34e也優選形成為使用本發明的膜圖案的形成方法的層疊結構的圍堰。
若側面具有拒墨水性，像素電極用墨水容易被其與圍堰的接觸面彈開，另外液滴圖案也容易呈凸狀，平坦化時需要對于燥、燒成等的條件進行設定。
其次，通過噴墨法、蒸汽淀積法，在被所述像素電極用圍堰34e劃分的區域上形成ITO(Indium Tin Oxide)構成的像素電極45。
另外，通過使像素電極45填充到所述接觸孔49中，能夠確保像素電極45和漏電極44的電連接。
而且，在本實施方式中，在像素電極用圍堰34e的上面施行憎液處理，且在所述像素電極用槽部施以親液處理。
為此，能夠在不突出于像素電極用槽部的情況下形成像素電極45。
通過以上說明的工序，可以形成圖7所示的本實施方式的像素。
(電光學裝置)其次，對具備通過使用所述圍堰構造的膜圖案的形成方法形成的像素(器件)的本發明的電光學裝置的一例的液晶顯示裝置進行說明。
圖9是從與各構成要素同時顯示的對向基板一側看到的本發明的液晶顯示裝置的俯視圖。
圖10為沿著圖9中的H-H’線的剖面圖。
圖11為在液晶顯示裝置的像素顯示區域中呈矩陣形成的多個像素中的各種元件、布線等的等效電路圖。還有，在以下的說明中使用的各圖中，因為將各層和各構件以在圖紙上能夠識別的程度表示，比例尺因各層和各構件而不同。
在圖9及圖10中，本實施方式的液晶顯示裝置(電光學裝置)100，成對的TFT排列基板10和對向基板20被光硬化性的密封材即密封材52貼合，液晶50被封入、保留在被此密封材52劃分的區域內。
在密封材52的形成區域的內側的區域內，形成有由遮光性材料構成的周邊廢棄53。
在密封材52的外側的區域內，數據線驅動電路201及實裝端子202沿著TFT陣列(array)基板10的一邊形成，掃描線驅動電路204沿著與此邊鄰接的2邊形成。
在TFT陣列基板10殘留的一邊上，設有用于連接設在圖像顯示區域的兩側的掃描線電路204之間的多個布線205。
另外，在對向基板20的角部的至少一個位置，配設有用于取得TFT陣列基板10和對向基板20之間的電導通的基板間導通材206。
而且，代替在TFT陣列基板10上形成數據線驅動電路201及掃描線驅動電路204，也可以例如通過各向異性導電膜將實裝有驅動用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和形成于TFT陣列基板10的周邊部的端子群進行電及機械連接。
還有，在液晶顯示裝置100中使用的液晶50的種類，即，根據TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等的動作模式、和常白(normally white)模式/常黑(normally black)模式的不同，位相差板、偏光板等被配置為規定的朝向，但在此省略圖示。
另外，將液晶顯示裝置100用于彩色顯示構成時，在對向基板20上，在TFT陣列基板10的后述的各個像素電極相對的區域上，與其保護膜一起形成例如紅(R)、綠(G)、藍(B)的濾色器。
在具有這樣的結構的液晶顯示裝置100的圖像顯示區域中，如圖11所示，多個的像素100a形成矩陣狀而構成，并且在每個像素100a上，形成像素轉換用的TFT(開關元件)30，供給像素信號S1、S2、…、Sn的數據線6a與TFT30的源極電連接。
輸入數據線6a的像素信號S1、S2、…、Sn，既可以此順序按線順次供給，也可以相對于相互鄰接的多個的數據線6a彼此，按每個組進行供給。
另外，在TFT30的柵極上電連接有掃描線3a，按規定的時刻，將掃描信號G1、G2、…、Gm順序地以線順次脈沖地施加給掃描線3a而構成。
像素電極19被電連接在TFT30的漏極上，通過將開關元件TFT30僅開啟一定時間，將從數據線6a供給的像素信號S1、S2、…、Sn按規定的時刻輸入到各個像素。
如此通過像素電極19被輸入到液晶的規定標準的像素信號S1、S2、…、Sn，如圖10所示，由和對向基板20的對向電極121之間保持一定時間。
而且，為了防止被保留的像素信號S1、S2、…、Sn泄漏，與在像素電極19和對向電極121之間形成的液晶容量并列，增加了蓄積容量60。
例如，像素電極19的電壓，與源電壓施加的時間相比由僅長達3位數的時間被蓄積容量60保持。
由此，能夠改善電荷的保持特性，從而實現對比度系數高的液晶顯示裝置100。
圖12為具備通過所述圍堰構造及圖案形成方法形成的像素的有機EL裝置的側剖面圖。
以下，參照圖12，對有機EL裝置的大致結構進行說明。
在圖12中，有機EL裝置401，是在由基板411、電路元件部421、像素電極431、圍堰部441、發光元件451、陰極461(對向電極)、以及密封基板471構成的有機EL元件402上，連接了撓性基板(圖示略)的布線及驅動IC(圖示略)的裝置。
電路元件部421構成為有源元件即TFT30被形成在基板411上，多個的像素電極431在電路元件部421上排列。
而且，構成TFT30的柵布線61通過所述實施方式的布線圖案的形成方法而形成。
各像素電極431之間以格子狀形成有圍堰部441，在因圍堰部441產生的凹部開口444上，形成有發光元件451。
而且，發光元件451由紅色發光元件和綠色發光元件以及藍色發光元件構成，由此有機EL裝置401能夠實現全色顯示。
陰極461被形成在圍堰部441及發光元件451的上部整面上，在陰極461之上層疊著密封用基板471。
包含有機EL元件的有機EL裝置401制造過程具有形成圍堰部441的圍堰部形成工序；為了適當地形成發光元件451的等離子處理工序；形成發光元件451的發光元件形成工序；形成陰極461的對向電極形成工序；將密封用基板471層疊在陰極461上而密封的密封工序。
發光元件形成工序，通過在凹部開口444即像素電極431上形成正孔注入層452和發光層453而形成發光元件451，因此具備正孔注入層形成工序和發光層形成工序。
而且，正孔注入層形成工序具有用于形成正孔注入層452的液體狀材料吐出到各個像素電極431上的第一吐出工序；使吐出的液體狀材料干燥而形成正孔注入層452的第一干燥工序。
另外，發光層形成工序具有將用于形成發光層453的液體狀材料吐出到正孔注入層452之上的第二吐出工序；使吐出的液體狀材料干燥而形成發光層453的第二干燥工序。
而且，如前所述發光層453形成有對應紅、綠、藍3色的材料的3種類，因此所述的第二吐出工序為了分別吐出3種材料而由3個工序構成。
在此發光元件形成工序中，在正孔注入層形成工序的第一吐出工序，和發光層形成工序的第二吐出工序中可以使用所述的液滴吐出裝置IJ。
因此，即使在具有微細膜圖案的情況，也可以獲得均勻的膜圖案。
根據本發明的電光學裝置，因為具備擁有高精度電子特性等的器件，所以能夠實現提高品質和性能的電光學裝置。
另外，作為本發明的電光學裝置，除所述之外，也可以適用于PDP(等離子體顯示屏)或通過向基板上形成的小面積的薄膜沿膜面平行接通電流，利用產生電子發射的現象的表面傳導型電子發射原件等。
(電子設備)其次，對本發明的電子設備的具體例進行說明。
圖13所示為移動電話的一例的立體圖。
在圖13中，600表示移動電話的主體，601表示具備所述實施方式中的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖13所示的電子設備，因為具備通過具有所述實施方式的圍堰結構的圖案形成方法形成的液晶顯示裝置，所以能夠獲得高品質和高性能。
而且，雖然向本實施方式中的電子裝置配備了液晶裝置，但是也可以做成具備有機電熒光顯示裝置、等離子型顯示裝置等其他電光學裝置的電子設備。
而且，可以適用于所述電子設備以外的各種電子設備。
例如，也可以適用于具備液晶投影儀、對應多媒體的個人電腦(PC)及智能終端裝置(EWS)、尋呼機、文字處理機、電視、取景器型或監視器直視型磁帶錄像機、電子記事本、臺式電子計算機、汽車導航裝置、POS終端、觸感控制板的裝置的電子設備等。
以上，參照附圖對本發明的適合的實施的方式例進行了說明，但不用說本發明所并不限于該例。
所述例子中所示的各個構成部件的諸圖案和組合等僅為一例，在不超出本發明的主旨的范圍內，根據設計要求等可以進行各種的變更。
例如，在所述的實施方式中，通過光刻處理和蝕刻處理形成了希望圖案的圍堰結構。
與此相對，也可以通過用激光形成圖案，代替所述的形成方法，形成希望的圖案。
而且，第一圖案形成區域55的面積比功能液的落下直徑充分地大時，無需使圍堰34憎液化。
這種情況下，即使不施以憎液化處理，在圖案形成區域55、56內功能液也能夠良好地濕潤擴展。
另外，所述的本實施方式的膜圖案的形成方法，可以適用于如圖14和圖15所示的有源矩陣基板的制造。
具體地說，圖14所示為具備共面結構的晶體管的有源矩陣基板的一例的剖面模式圖，基板48上形成有半導體層46，在半導體層46上通過柵絕緣膜39形成柵電極41。
柵電極41被圍堰34包圍而形成圖案，該圍堰34也可以作為層間絕緣膜發揮作用。
而且，在圍堰34及柵絕緣膜39上形成有接觸孔，通過該接觸孔形成與半導體層46的源區域連接的源電極43，和與半導體層46的漏區域連接的漏電極44。
而且，像素電極與漏電極44相連接。
另一方面，圖15所示為具備交錯(stagger)結構的晶體管的有源矩陣基板的一例的剖面模式圖，基板48上形成有源電極43和漏電極44，在該源電極43和漏電極44之上形成有半導體層46。
另外，在半導體層46上通過柵絕緣膜39形成柵電極41。
柵電極41被圍堰34包圍而形成圖案，該圍堰34也可以作為層間絕緣膜發揮作用。
而且，像素電極與漏電極44相連接。
如上所述，在有源矩陣基板的制造時，可以適用所述的膜圖案的形成方法。
即，例如在被圍堰34包圍的區域形成柵電極41時，如果采用本發明的所述膜圖案的形成方法，能夠形成高可靠性的柵電極。
而且，該膜圖案的形成方法，不限于柵電極的形成工序，例如也可以在源電極或漏電極、還有像素電極的形成工序中采用。
權利要求
1.一種膜圖案的形成方法，其中，具有在基板上配置第一圍堰形成材料形成第一圍堰層的工序；在所述第一圍堰層上配置第二圍堰形成材料形成第二圍堰層的工序；通過對所述第一圍堰層以及第二圍堰層進行圖案形成，形成具有由第一圖案形成區域以及第二圖案形成區域構成的圖案形成區域的圍堰的工序，該第二圖案形成區域與所述第一圖案形成區域連續且與所述第一圖案形成區域相比寬度寬；在被所述圍堰劃分的所述圖案形成區域配置功能液形成所述膜圖案的工序，并且，所述第一圍堰形成材料及第二圍堰形成材料，均為以硅氧烷鍵為主鏈而成的材料，所述第二圍堰形成材料為側鏈上具有氟鍵的材料。
2.一種膜圖案的形成方法，其中，具有在基板上配置第一圍堰形成材料形成第一圍堰層的工序；在所述第一圍堰層上配置第二圍堰形成材料形成第二圍堰層的工序；通過對所述第一圍堰層以及第二圍堰層進行圖案形成，形成具有由第一圖案形成區域以及第二圖案形成區域構成的圖案形成區域的圍堰的工序，該第二圖案形成區域與所述第一圖案形成區域連續且與所述第一圖案形成區域相比寬度寬；在被所述圍堰劃分的所述圖案形成區域配置功能液形成所述膜圖案的工序，并且，所述第一圍堰形成材料及第二圍堰形成材料均為以硅氧烷鍵為主鏈而成的材料，所述第二圍堰形成材料為包含含有氟的硅烷化合物或界面活性劑的材料。
3.一種膜圖案的形成方法，其中，具有在基板上配置第一圍堰形成材料形成第一圍堰層的工序；在所述第一圍堰層上形成第二圍堰層的工序；通過對所述第一圍堰層以及第二圍堰層進行圖案形成，形成具有由第一圖案形成區域以及第二圖案形成區域構成的圖案形成區域的圍堰的工序，該第二圖案形成區域與所述第一圖案形成區域連續且與所述第一圖案形成區域相比寬度寬；在被所述圍堰劃分的所述圖案形成區域配置功能液形成所述膜圖案的工序，并且，所述第一圍堰形成材料為以硅氧烷鍵為主鏈而成的材料，所述第二圍堰層由氟系的表面處理材料構成。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的膜圖案的形成方法，其中，將所述圍堰設為所述圖案形成區域中的所述第一圍堰層側壁相對于所述功能液的接觸角低于50°，所述第二圍堰層相對于所述功能液的接觸角為比所述第一圍堰層的接觸角大的角度。
5.根據權利要求4所述的膜圖案的形成方法，其中，將所述圖案形成區域底面部相對于所述功能液的接觸角，設為所述第一圍堰層側壁的接觸角以下的角度。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的膜圖案的形成方法，其中，將所述第二圍堰層相對于所述功能液的接觸角設為50°以上。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的膜圖案的形成方法，其中，所述第一圍堰形成材料為側鏈上具有從-H、-OH、-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COOK、-COONa、-CONH2、-SO3H、-SO3Na、-SO3K、-OSO3H、-OSO3Na、-OSO3K、-PO3H2、-PO3Na2、-PO3K2、-NO2、-NH2、-NH3Cl、-NH3Br、≡HNCl、≡HNBr中選擇的一種以上的材料。
8.根據權利要求7所述的膜圖案的形成方法，其中，所述第一圍堰形成材料為在一部分側鏈上具有烷基、烯基、或者芳基的材料。
9.根據權利要求1～8中任一項所述的膜圖案的形成方法，其中，所述第二圍堰形成材料在側鏈上具有從F基、-CF3基、-CF2-鏈、-CF2CF3、-(CF2)nCF3、-CF2CFCl-中選擇的一種以上。
10.根據權利要求1～9中任一項所述的膜圖案的形成方法，其中，將所述第二圍堰層形成為比所述第一圍堰層薄。
11.根據權利要求1～10中任一項所述的膜圖案的形成方法，其中，在所述圖案形成區域配置第一功能液的工序；使所述圖案形成區域內的第一功能液干燥而形成第一干燥膜的工序；在所述第一干燥膜上配置第二功能液的工序，并且，將使所述第一功能液干燥而成的第一干燥膜的膜厚，形成為比所述第一圍堰層的厚度薄。
12.根據權利要求1～11中任一項所述的膜圖案的形成方法，其中，在所述圖案形成區域配置功能液的工序；使所述圖案形成區域內的功能液干燥而形成干燥膜的工序；將所述圍堰和所述干燥膜一起燒成的工序。
13.根據權利要求12所述的膜圖案的形成方法，其中，在所述圖案形成區域內層疊形成多層的干燥膜之后，將所述干燥膜和所述圍堰一起燒成。
14.一種器件，其中，具有用權利要求1～13中任一項所述的膜圖案的形成方法在基板上形成的圍堰、被所述圍堰包圍的圖案形成區域、形成于所述圖案形成區域的膜圖案。
15.根據權利要求14所述的器件，其中，將形成于所述第二圖案形成區域的膜圖案作為柵布線，將形成于所述第一圖案形成區域的膜圖案作為柵電極。
16.根據權利要求14所述的器件，其中，將形成于所述第二圖案形成區域的膜圖案作為源布線，將形成于所述第一圖案形成區域的膜圖案作為源電極。
17.根據權利要求14所述的器件，其中，將形成于所述第二圖案形成區域的膜圖案作為漏布線，將形成于所述第一圖案形成區域的膜圖案作為漏電極。
18.一種電光學裝置，其中，具有權利要求14～17中任一項所述的器件。
19.一種電子設備，其中，具有權利要求18所述的電光學裝置。
20.一種有源矩陣基板的制造方法，其中，具有在基板上形成柵布線的第一工序；在所述柵布線上形成柵絕緣膜的第二工序；經由所述柵絕緣膜層疊半導體層的第三工序；在所述柵絕緣膜之上形成源電極及漏電極的第四工序；在所述源電極及所述漏電極上配置絕緣材料的第五工序；在配置了所述絕緣材料后形成像素電極的第六工序，并且，在所述第一工序、所述第四工序以及所述第六工序中的至少一個工序中，采用權利要求1～13中任一項所述的膜圖案的形成方法。
21.一種有源矩陣基板的制造方法，其中，具有在基板上形成源電極及漏電極的第一工序；在所述源電極及漏電極之上形成半導體層的第二工序；在所述半導體層之上經由柵絕緣膜形成柵電極的第三工序；形成與所述漏電極連接的像素電極的第四工序，并且，在所述第一工序、所述第三工序以及所述第四工序中的至少一個工序中，采用權利要求1～13中任一項所述的膜圖案的形成方法。
22.一種有源矩陣基板的制造方法，其中，具有在基板上形成半導體層的第一工序；在所述半導體層上經由柵絕緣膜形成柵電極的第二工序；通過形成于所述柵絕緣膜的接觸孔，形成與所述半導體層的源區域連接的源電極和與所述半導體層的漏區域連接的漏電極的第三工序；形成與所述漏電極連接的像素電極的第四工序，并且，在所述第二工序、所述第三工序以及所述第四工序中的至少一個工序中，采用權利要求1～13中任一項所述的膜圖案的形成方法。
全文摘要
一種膜圖案的形成方法，具有在基板上配置第一圍堰形成材料形成第一圍堰層的工序；在所述第一圍堰層上配置第二圍堰形成材料形成第二圍堰層的工序；通過將所述第一圍堰層以及第二圍堰層進行圖案形成，形成具有由第一圖案形成區域以及第二圖案形成區域構成的圖案形成區域的圍堰的工序，該第二圖案形成區域與所述第一圖案形成區域連續且與所述第一圖案形成區域相比寬度寬；在被所述圍堰劃分的所述圖案形成區域配置功能液形成所述膜圖案的工序，所述第一圍堰形成材料及第二圍堰形成材料均為以硅氧烷鍵為主鏈形成的材料，所述第二圍堰形成材料為側鏈上具有氟鍵的材料。
文檔編號H01L21/02GK1901157SQ20061010197
公開日2007年1月24日 申請日期2006年7月17日 優先權日2005年7月20日
發明者平井利充, 守屋克之 申請人:精工愛普生株式會社