對噴混流浮選機的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及納米二氧化硅加工領域，尤其涉及一種二氧化硅浮選提純裝置。
【背景技術】
[0002]納米二氧化硅因為具有很好的耐磨性，以及可以強烈地反射紫外線，當加入到樹脂薄膜時可大大減少紫外線對薄膜的降解作用，從而達到延緩材料老化，并提高薄膜的硬度和抗摩擦能力，因此被廣泛的應用到了薄膜的合成和添加中。
[0003]因為納米材料對純度要求很高，因此在加工納米二氧化硅粉末之前需要用各種純化設備對石英石進行提純，以滿足納米二氧化硅的性能需求；現有的石英石純化工藝通常按照以下流程進行；擦洗脫泥_>磁選_>浮選_>酸浸_>微生物浸出；擦洗是指借助機械力和砂粒間的磨剝力來除去石英砂表面的薄膜鐵、粘結及泥性雜質礦物和進一步擦碎未成單體的礦物集合體，再經分級作業達到進一步提純石英砂的效果；磁選主要用于除去石英砂中的磁性礦物，如可以通過強磁性機除去赤鐵礦、褐鐵礦、黑云母等弱磁性礦物，而強磁性礦物如磁鐵礦則可以通過弱磁選機除去；浮選用于除去石英砂中的長石、云母等一些磁選無法除去的雜質，進一步提高其純度；酸浸是利用石英不溶于除HF以外的酸，而其它雜質礦物能被酸液溶解的特點，可以實現對石英的進一步提純；微生物浸出是指利用微生物浸除石英砂顆粒表面的薄膜鐵或浸染鐵；通過以上純化工藝后最終得到純度在99.9%以上的二氧化硅原料進行加工得到納米級的二氧化硅粉末。
[0004]現有的磁選設備奧托庫姆普聯合股份公司的中國專利CN1486220中公開了一種浮選機，如圖1所示，該浮選機在浮選槽I的側壁上具有一個用于供待浮選的漿料的供料口2，并且在其壁上還固定有一個用于收集浮選槽I內產生泡沫的流槽3，在浮選槽I的底部具有一個排除尾渣的出料口 4 ;浮選槽I下部設有定子6包圍的轉子5，轉軸7帶動轉子5旋轉，轉軸7為空心將空氣供給轉子5，使得浮選槽I內產生泡沫，泡沫由泡沫移出機構8通過流槽3排出。
[0005]現有的這種浮選裝置雖然通過改進使得泡沫移出機構8較為可靠，能有效避免泡沫破裂，但是浮選裝置本身輸送泡沫以及使顆粒泡沫接觸的機構并不合理；現有裝置中的轉子5在旋轉過程中不斷釋放氣體產生泡沫，因為此轉動為單向旋轉，在此帶動下顆粒會產生一個漩渦，不會出現分散，因此泡沫與顆粒的接觸很不充分，許多待浮選的顆粒并沒有接觸到泡沫，因此就算所有的泡沫都不會破裂，完全被泡沫移出機構8收集排出，仍然無法保證浮選的效率；這種缺陷當被浮選顆粒為有效成份時，可能只會降低生產率，對產品質量影響不大；但當被浮選的顆粒為雜質時，就無法保證提純的效果，最終會得不到滿足純度要求的產品。
【發明內容】
[0006]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種對噴混流浮選機利用設置在浮選槽底部周向對噴的若干對噴氣管，提高物料的分散攪動程度，使得顆粒與泡沫充分接觸，這樣疏水性顆粒能夠更加徹底的被浮選出來，有力保障了納米級二氧化硅的純度。
[0007]本實用新型是這樣實現的:一種對噴混流浮選機，包括浮選槽、流槽和泡沫移出機構，所述泡沫移出機構設置在浮選槽的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，所述流槽一端與泡沫移出機構相配合，流槽另一端伸出到浮選槽外導出泡沫，所述浮選槽上連接有供料口，浮選槽底部設置有出料口，所述浮選槽的底部設置有若干沿周向噴射的噴氣管，所述噴氣管兩兩成對設置，每對噴氣管的噴射方向相反。
[0008]所述的噴氣管共有四個，分成兩對中心對稱設置在浮選槽的底部。
[0009]所述的供料口設置在浮選槽的側壁。
[0010]所述浮選槽的底部為倒圓錐形，所述出料口設置在倒圓錐形的底部軸心處。
[0011]本實用新型對噴混流浮選機利用設置在浮選槽底部周向對噴的若干對噴氣管，提高物料的分散攪動程度，使得顆粒與泡沫充分接觸，這樣疏水性顆粒能夠更加徹底的被浮選出來，有力保障了納米級二氧化硅的純度，提高了薄膜的質量。
【附圖說明】
[0012]圖1為現有的浮選設備結構示意圖；
[0013]圖2為本實用新型對噴混流浮選機的結構示意圖；
[0014]圖3為本實用新型中浮選槽的俯視示意圖，箭頭方向為噴氣方向；
[0015]圖中:1浮選槽、2供料口、3流槽、4出料口、5轉子、6定子、7轉軸、8泡沫移出機構、9噴氣管、10電機。
【具體實施方式】
[0016]下面結合具體實施例，進一步闡述本實用新型。應理解，這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應理解，在閱讀了本實用新型表述的內容之后，本領域技術人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。
[0017]實施例1
[0018]如圖2、3所示，一種對噴混流浮選機，包括浮選槽1、流槽3和泡沫移出機構8，所述泡沫移出機構8設置在浮選槽I的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，所述流槽3 —端與泡沫移出機構8相配合，流槽3另一端伸出到浮選槽I外導出泡沫；在本實施例中，所述泡沫移出機構8使用現有的常規結構，由電機10帶動的導流盤旋轉利用離心力將泡沫甩到流槽3上；所述浮選槽I上連接有供料口 2，浮選槽I底部設置有出料口 4，所述浮選槽I的底部設置有若干沿周向噴射的噴氣管9，所述噴氣管9兩兩成對設置，每對噴氣管9的噴射方向相反，即每對噴氣管9中，一根噴氣管沿順時針方向噴氣，另一個則沿逆時針方向噴氣，通過相對氣流的擾動，攪動顆粒，使得泡沫能夠更加充分的與所有顆粒相接觸，能夠更加徹底的浮選出疏水性顆粒，提高二氧化硅的純度。
[0019]考慮到生產的連續性，已經添加原料的便利性，在本實施例中，所述的供料口 2設置在浮選槽I的側壁，所述浮選槽I的底部為倒圓錐形，所述出料口 4設置在倒圓錐形的底部軸心處，在供料口 2不斷進料的同時，沉淀在底部的二氧化硅顆粒不斷的從出料口 4排出，實現了連續生產。
[0020]在本實施例中，所述的噴氣管9共有四個，分成兩對中心對稱設置在浮選槽I的底部。
【主權項】
1.一種對噴混流浮選機，包括浮選槽(1)、流槽(3)和泡沫移出機構(8)，所述泡沫移出機構(8)設置在浮選槽(I)的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，所述流槽(3) —端與泡沫移出機構(8)相配合，流槽(3)另一端伸出到浮選槽(I)外導出泡沫，所述浮選槽(I)上連接有供料口(2)，浮選槽(I)底部設置有出料口(4)，其特征是:所述浮選槽(I)的底部設置有若干沿周向噴射的噴氣管(9)，所述噴氣管(9)兩兩成對設置，每對噴氣管(9)的噴射方向相反。
2.如權利要求1所述的對噴混流浮選機，其特征是:所述的噴氣管(9)共有四個，分成兩對中心對稱設置在浮選槽(I)的底部。
3.如權利要求1或2所述的對噴混流浮選機，其特征是:所述的供料口(2)設置在浮選槽⑴的側壁。
4.如權利要求1或2所述的對噴混流浮選機，其特征是:所述浮選槽(I)的底部為倒圓錐形，所述出料口(4)設置在倒圓錐形的底部軸心處。
【專利摘要】本實用新型涉及納米二氧化硅加工領域，尤其涉及一種二氧化硅浮選提純裝置。一種對噴混流浮選機，包括浮選槽、流槽和泡沫移出機構，所述泡沫移出機構設置在浮選槽的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，流槽一端與泡沫移出機構相配合，流槽另一端伸出到浮選槽外導出泡沫，所述浮選槽上連接有供料口，浮選槽底部設置有出料口，所述浮選槽的底部設置有若干沿周向噴射的噴氣管，所述噴氣管兩兩成對設置，每對噴氣管的噴射方向相反。本實用新型對噴混流浮選機利用設置在浮選槽底部周向對噴的若干對噴氣管，提高物料的分散攪動程度，使得顆粒與泡沫充分接觸，這樣疏水性顆粒能夠更加徹底的被浮選出來，有力保障了納米級二氧化硅的純度，提高了薄膜的質量。
【IPC分類】B03D1-14
【公開號】CN204486042
【申請號】CN201520112002
【發明人】林峰
【申請人】浙江冠旗納米科技有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年2月16日