一種硅烷生產塔的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于硅烷的制備領域，特指一種新型的硅烷生產塔。
【背景技術】
[0002]硅烷是生產多晶硅的基本原料，廣泛應用電子及半導體工業中。
[0003]傳統硅烷生產塔內部從上往下依此設置為填料壓圈、填料、支撐柵欄、液體再分布器、填料壓圈、填料、支撐柵欄。傳統硅烷塔的填料及進料結構存在反應速度慢、反應效率低和原材料利用率低的缺點。
【發明內容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種結構簡單，安全可靠，反應效率高的新型的硅烷生產塔。
[0005]本實用新型的目的是這樣實現的:
[0006]—種硅烷生產塔，包括塔身，所述塔身內部從上往下依次設有冷凝器、填料壓圈、上填料層、叔胺類催化劑層、下填料層、支撐柵欄和再沸器，所述塔身的中部一側設有進氣管路，塔身上部和下部分別設有出氣管路，所述進氣管路導通至上填料層，所述上部的出氣管路導通至冷凝器上部，所述下部的出氣管路導通至再沸器下方，這樣的設計使得原料和在催化劑的作用下，大大提高反應效率，使得原材料得到充分利用，符合綠色環保的理念。
[0007]所述填料壓圈壓緊上填料層，所述支撐柵欄托住下填料層；上填料層、叔胺類催化劑層和下填料層緊密壓實，這樣的設計使得原料和叔胺類催化劑接觸的更加充分，從而讓反應效率提高，使得原材料得到充分利用，符合綠色環保的理念。
[0008]所述塔身底部設有固定底座，固定底座側邊設有加強筋，使得生產塔在加工過程中塔身更加的穩定，不易出現意外。
[0009]所述進氣管路6通入SiCl4、SiHCl3、SiH2CV混合物，并控制混合物的壓力0.1-0.6MPa，溫度 30-100。。。
[0010]反應完成后，SiH2Cl2W上部的出氣管路輸出；SiCl 4從下部的出氣管路輸出；
[0011]本實用新型的原料和叔胺類催化劑接觸的更加充分，從而讓反應效率提高，使得原材料得到充分利用，符合綠色環保的理念。
【附圖說明】
[0012]圖1是硅烷生產塔的結構示意圖。
[0013]1-塔身；2_冷凝器；3_上填料層；4_叔胺類催化劑層；5_再沸器；6_進氣管路；7-出氣管路(上部)；8_出氣管路(下部)；9_填料壓圈；10_支撐柵欄；11-底座；12-加強筋；13-下填料層。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖以具體實施例對本實用新型作進一步描述:
[0015]—種硅烷生產塔，包括塔身1，所述塔身1內部從上往下依次設有冷凝器2、填料壓圈9、上填料層3、叔胺類催化劑層4、下填料層13、支撐柵欄10和再沸器5，所述塔身1的中部一側設有進氣管路6，塔身1上部和下部分別設有出氣管路7，所述進氣管路6導通至上填料層3，所述上部的出氣管路7導通至冷凝器2上部，所述下部的出氣管路8導通至再沸器5下方。
[0016]所述填料壓圈9壓緊上填料層3，所述支撐柵欄10托住下填料層13 ;上填料層3、叔胺類催化劑層4和下填料層緊密13壓實。
[0017]所述塔身1底部設有固定底座11，固定底座11側邊設有加強筋12。
[0018]所述進氣管路6通入SiCl4、SiHCl3、SiH2CV混合物，并控制混合物的壓力0.l-ο.6MPa，溫度30-100°C。反應完成后，SiH2Cl2W上部的出氣管路輸出；SiCl 4從下部的出氣管路輸出。
[0019]本實用新型有結構簡單，安全可靠，反應效率高的特點。
[0020]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【主權項】
1.一種硅烷生產塔，包括塔身，其特征在于，所述塔身內部從上往下依次設有冷凝器、填料壓圈、上填料層、叔胺類催化劑層、下填料層、支撐柵欄和再沸器，所述塔身的中部一側設有進氣管路，塔身上部和下部分別設有出氣管路，所述進氣管路導通至上填料層，所述上部的出氣管路導通至冷凝器上部，所述下部的出氣管路導通至再沸器下方。2.根據權利要求1所述的一種硅烷生產塔，其特征在于，所述填料壓圈壓緊上填料層，所述支撐柵欄托住下填料層；上填料層、叔胺類催化劑層和下填料層緊密壓實。3.根據權利要求1所述的一種硅烷生產塔，其特征在于，所述塔身底部設有固定底座，固定底座側邊設有加強筋。
【專利摘要】本實用新型屬于硅烷制備領域，特指一種硅烷生產塔，包括塔身，所述塔身的中部一側設有與進氣管路，所述塔身上部和下部分別設有出氣管路，所述塔身內部從上往下依此設有冷凝器、填料壓圈、填料、叔胺類催化劑、填料、支撐柵欄、再沸器，所述填料壓圈、填料、叔胺類催化劑、填料、支撐柵欄緊密的層疊，所述冷凝器設置在上部出氣管路下方，所述再沸器設置在下部出氣管路上方；采用此結構，實現了反應物充分接觸反應，使得反應效率高，原材料充分的使用。
【IPC分類】B01J8/00, C01B33/04
【公開號】CN204952856
【申請號】CN201520677954
【發明人】陶剛義
【申請人】內蒙古興洋新材料科技有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年9月1日