等離子體前級熱反應器系統的制作方法
【專利摘要】本公開內容涉及處理真空處理系統排放氣體的方法和裝置。此外，也公開了保養前級等離子體反應器子系統的方法和裝置。在一些實施方式中，用于處理真空處理系統前級中排放氣體的裝置包括耦接于處理腔室前級的等離子體源、耦接于所述等離子體源的處理劑源、以及下游收集器以冷卻排放流及收集排放流中的粒子。在一些實施方式中，多個前級等離子體反應器子系統與真空處理系統一起使用，并且一個前級等離子體反應器子系統能夠被隔離及進行保養(例如清潔)，同時另一個前級等離子體反應器子系統中的排放氣體處理仍持續，并且所述真空處理系統中的處理持續。
【專利說明】
等離子體前級熱反應器系統
技術領域
[0001]本公開內容的實施方式總體涉及真空處理技術。尤其是，本公開內容的實施方式涉及一種用于控制來自真空處理系統的排放氣體的反應與凝結、及所述真空處理系統的清潔方法。【背景技術】
[0002]平板顯示器與半導體工業、以及其他工業都使用真空處理(例如化學氣相沉積 (CVD))技術以制造高純度的固體材料。這種工藝經常用以生產薄膜。在許多真空處理技術中，基板(例如晶片)暴露于一個或多種揮發性前驅氣體(即蒸氣)中，前驅氣體與基板表面反應且/或在基板表面上分解以產生所需要的沉積物。通常，還會產生副產物氣體，它會從反應腔室抽出。
[0003]CVD與其他真空處理設備所使用的工藝氣體包含許多種化合物，由于法規要求與對環保的考慮，這些化合物在棄置之前必須先經去除(abate)或處理。通常，某些工藝氣體并不在基板上形成沉積物，而與副產物氣體(若有的話)一起從反應腔室抽出。從反應腔室抽出的氣體統稱為排放氣體。
[0004]在被抽出反應腔室之后，從反應腔室抽出的排放氣體會與它們流經的管、栗或其他設備反應，且/或凝結于這些管、栗或其他設備上。若未采取可避免排放氣體反應或凝結的步驟，由排放氣體所沉積的化學物質累積會阻塞管并破壞栗。若沒有任何有效方式來原位清潔設備中不想要的沉積物，則必須移除或中斷所述的設備以進行“離線”清潔。若必須開啟所述的設備來完成清潔，這會導致過多的反應腔室停工時間。這個問題存在于許多類型的真空處理腔室中，例如蝕刻反應器、離子注入腔室、等離子體處理腔室、原子層沉積腔室等。
[0005]因此，存在對于改善處理與保養技術的需求。
【發明內容】
[0006]提供了一種用于處理真空處理腔室排放氣體的前級(foreline)等離子體反應器子系統(subsystem)。所述前級等離子體反應器子系統一般包括等離子體源與下游收集器， 所述等離子體源具有以耦接于所述真空處理腔室配置的進口，所述下游收集器耦接于所述等離子體源的排出口。此處所實施的方法一般包含在所述等離子體源中從一種或多種氣體產生等離子體，使等離子體與排放氣體混合，冷卻收集器中等離子體與排放氣體的混合物， 以及于收集器中收集由等離子體與排放氣體混合物形成的粒子。
[0007]在另一實施方式中，提供了一種用于處理真空處理腔室排放氣體的前級等離子體反應器子系統。所述前級等離子體反應器子系統一般包括:耦接于所述真空處理腔室的等離子體源、可操作以使所述等離子體源與所述真空處理腔室隔離的第一閥門、耦接于所述等離子體源的保養凈化氣體供應源、耦接于所述等離子體源的排出口的下游收集器、可操作以使所述下游收集器與真空栗隔離的第二閥門、以及可操作以使來自所述下游收集器的氣體繞過所述真空栗、并直接流至消除子系統的保養排氣閥門。
[0008]在另一實施方式中，提供了一種用于處理真空處理系統排放氣體的前級等離子體反應器系統。所述前級等離子體反應器系統一般包括:閥門，所述閥門可操作以引導排放氣體至至少兩個前級等離子體反應器子系統之一，其中每一個前級等離子體反應器子系統包括:耦接于所述閥門的等離子體源、耦接于所述等離子體源的下游收集器、耦接于所述等離子體源的保養凈化氣體供應源、以及保養排氣閥門，所述保養排氣閥門可操作以使來自所述下游收集器的氣體繞過所述真空處理系統的真空栗并直接流至所述真空處理系統的消除子系統;及閥門，在每一個前級等離子體反應器子系統的下游，可操作以使每一個前級等離子體反應器子系統與所述真空栗隔離。
[0009]在另一實施方式中，提供了一種用于避免粒子在真空栗與真空處理系統的前級中累積的方法。所述方法一般包含:使等離子體與來自所述真空處理系統的排放氣體混合，并由此形成排放流，冷卻所述的等離子體與排放氣體混合物，以及收集由等離子體與排放氣體混合物形成的粒子。[〇〇1〇]在另一實施方式中，提供了一種用于保養真空處理中所用的前級等離子體反應器子系統的方法。所述方法一般包含:通過操作閥門使所述前級等離子體反應器子系統與下列物體隔離:排放氣體和真空栗，對所述前級等離子體反應器子系統供應(即引入)凈化氣體，開啟從所述前級等離子體反應器子系統至消除子系統的閥門，及于所述消除子系統中去除所述凈化氣體和所述前級等離子體反應器子系統中所形成(例如由所述凈化氣體與排放氣體所形成)的化合物。
[0011]在另一實施方式中，提供了一種用于處理來自真空處理(例如CVD)操作的排放氣體、同時保養(例如清潔)第一前級等離子體反應器子系統的方法。所述方法一般包含:操作第一閥門以引導排放氣體從所述第一前級等離子體反應器子系統離開而進入第二前級等離子體反應器子系統中，操作第二閥門以使所述第一前級等離子體反應器子系統與真空栗隔離并使所述第二前級等離子體反應器子系統連接于所述真空栗，引入至少一種凈化氣體至所述第一前級等離子體反應器子系統中，操作第三閥門以使氣體從所述第一前級等離子體反應器子系統流至消除子系統，以及在所述消除子系統中去除所述凈化氣體及在所述第一前級等離子體反應器子系統中所形成的化合物。
[0012]附圖簡述
[0013]上述簡要總結的本公開內容的上述特征能夠被詳細理解的方式、以及對本公開內容的更特定的描述可參考實施方式而獲得，本公開內容實施方式中的一些實施方式示出于附圖中。然而，應注意，附圖僅圖示了本公開內容的典型實施方式，因而不應被視為對發明范圍的限制，因為本發明也能允許有其它的等效實施方式。
[0014]圖1圖示根據本公開內容特定方面的真空處理系統的示意圖。
[0015]圖2圖示根據本公開內容特定方面用以避免粒子累積于真空栗與真空處理系統的前級的示例性操作。
[0016]圖3圖示根據本公開內容特定方面的真空處理系統的示意圖。
[0017]圖4圖示根據本公開內容特定方面的用于保養真空處理中所用的前級等離子體反應器子系統的示例性操作。
[0018]圖5圖示根據本公開內容特定方面的真空處理系統的示意圖。
[0019]圖6圖示根據本公開內容特定方面的用于處理真空處理系統排放氣體的示例性操作。
[0020]為了便于理解，盡可能使用了相同的數字標號來標示附圖中共通的相同元件。考慮到一個實施方式中所公開的元件在沒有特定描述下可有益地運用于其他實施方式中。【具體實施方式】
[0021]提供了一種用于處理真空處理系統排放物的前級等離子體反應器子系統與方法。 前級等離子體反應器子系統能處理真空處理排放氣體，使經處理的排放氣體具有降低的粒狀物累積及對于真空栗和下游排放流處理設備的破壞性。舉例而言，本文所述的前級等離子體反應器子系統處理排放氣體，使得排放氣體于收集粒子的所述的前級等離子體反應器子系統中形成粒子，而于下游的栗、管和其他設備中形成減量的粒子。
[0022]本文所公開的一個實施方式產生等離子體、使等離子體與排放氣體混合、冷卻排放氣體和等離子體的混合物、并收集由排放氣體與等離子體的混合物形成的粒子。等離子體加熱排放氣體，并可能與排放氣體反應而形成其他物質。冷卻排放氣體和等離子體的混合物可使氣體凝結于收集器表面上或與收集器表面反應。[〇〇23]另一個實施方式(不與第一個實施方式絕對相關)是借由使用閥門將前級等離子體反應器子系統與下列物體隔離:排放氣體和真空栗、對所述前級等離子體反應器子系統供應凈化氣體、及開啟從子系統到消除系統的閥門，以清潔所述前級等離子體反應器子系統。舉例而言，前級等離子體反應器子系統可以與排放氣體隔離，并以氧進行凈化。在所述前級等離子體反應器子系統與燃燒/濕式消除子系統之間的閥門會被開啟，而氧會挾帶來自所述前級等離子體反應器子系統的粒子，并將粒子帶到所述燃燒/濕式消除子系統中，粒子會在所述燃燒/濕式子系統處進行燃燒與收集。[〇〇24]另一個實施方式(不與第一及第二實施方式絕對相關)是一種前級等離子體反應器子系統，包括至少兩個前級、各個前級的等離子體源、在各個前級上的下游收集器、在收集器下游且可操作以使各個前級與真空栗隔離的閥門、及可使來自前級的氣體繞過所述真空栗并直接流至消除子系統的保養排氣閥門。
[0025]另一個實施方式(不與第一、第二及第三實施方式絕對相關)是操作第一閥門以引導排放氣體至第一前級等離子體反應器子系統中且離開第二前級等離子體反應器子系統， 操作第二閥門以使氣體從所述第一前級等離子體反應器子系統流至真空栗、同時使所述第二前級等離子體反應器子系統與所述真空栗隔離，將凈化氣體引入至所述第二前級等離子體反應器子系統中，以及操作第三閥門以使氣體從所述第二前級等離子體反應器子系統流至消除子系統。[〇〇26]圖1為根據一個實施方式的真空處理系統100的示意圖，真空處理系統100含有前級等離子體反應器子系統150。在一個實施方式中，前級等離子體反應器子系統150包含等離子體源152、前級氣體冷卻器(即收集器)154及處理劑(例如反應氣體)源156。[〇〇27] 真空處理系統100包含真空處理腔室106,例如蝕刻反應器處理腔室、離子注入腔室、等離子體處理腔室、原子層沉積腔室等。在圖1所描繪的實施方式中，真空處理腔室106 是CVD腔室。可選的加熱器122(例如電阻式帶加熱器)可設置為與前級108相鄰，以加熱前級 108和前級108內的排放氣體。加熱器122可用以使設在真空處理腔室106與等離子體源152之間的前級108的表面保持在可防止排放氣體中材料凝結在前級108的側壁上的溫度。 [〇〇28]將等離子體源152設置于真空處理腔室106的下游，其中等離子體源152的進口是耦接于真空處理腔室106。將等離子體源152的排出口耦接于前級氣體冷卻器154。前級氣體冷卻器154可包括冷卻劑線圈158以冷卻等離子體和排放氣體混合物。前級108使排放氣體從真空處理腔室106流至等離子體源152、從等離子體源152流至前級氣體冷卻器154、以及從前級氣體冷卻器154流至工藝真空栗110。排放線路112使氣體從工藝真空栗110流至消除子系統114。
[0029]等離子體源152、前級108、工藝真空栗110以及相關的硬設備(hardware)可由一種或多種與工藝相容的材料制成，例如錯、陽極氧化錯(anodized aluminum)、鍍鎳錯、不銹鋼、及這些材料的組合與合金。例如，前級氣體冷卻器154是由類似的可與工藝相容的材料所形成，或由可使排放氣體凝結的材料所形成。例如，如半導體制造業中所已知，消除子系統114可為燃燒/濕式消除子系統。
[0030]等離子體源152可由處理劑源156供以一種或多種處理劑(未示)，例如氧02,等離子體源152從處理劑產生等離子體。等離子體源152可通過多種技術產生等離子體，包括射頻式(RF)、直流式(DC)或微波式(MW)放電(power discharge)技術。等離子體也可利用加熱式技術、氣體分解技術、高強度光源(例如紫外線能量)、或暴露于X射線源來產生。等離子體源152使所產生的等離子體與排放氣體混合，并且加熱排放氣體。在一些實施方式中，等離子體也與排放氣體反應以形成其他物質，這些物質可能不具氣體的形式。舉例而言，等離子體可與排放氣體反應，以形成二氧化硅Si〇2粒子。在下文中，等離子體、排放氣體及其他物質的混合物會被稱為排放流。
[0031]前級氣體冷卻器154冷卻排放流。為了冷卻前級108與通過前級的排放流，對前級氣體冷卻器154供以工藝冷卻水(PCW，未示)或二氧化碳C02(未示)。舉例而言，PCW、C02或氟利昂類的冷劑(refrigerant)會循環通過冷卻劑線圈158，以冷卻所述排放流。根據特定的實施方式，除冷卻劑線圈158以外、或取而代之，前級氣體冷卻器154可包括冷卻收集板160， 以于排放流和冷卻表面之間提供良好的表面區域界面。例如，可以對前級氣體冷卻器154供以PCW，以使排放流冷卻至約10攝氏度。冷卻排放流會使部分的排放流凝結在前級氣體冷卻器154的表面上、和/或與表面反應，前級氣體冷卻器154的表面含有收集器結構以收集凝結或反應至前級氣體冷卻器154表面上的粒子。
[0032]減去了前級氣體冷卻器154中收集的全部粒子的排放流離開前級氣體冷卻器154， 并流至工藝真空栗110。排放流在前級氣體冷卻器154中的凝結與反應減少了由排放流沉積于工藝真空栗110中的粒子量，使工藝真空栗110在必須的保養之間具有較久的壽命與較長的時間。舉例而言，在保養活動之間，不使用前級等離子體反應器子系統的工藝真空栗可持續工作兩個月或三個月，但在使用前級等離子體反應器子系統時，則可在保養活動之間持續工作達六個月至十二個月。[〇〇33]圖2圖示了一種示例性操作200,示例性操作200可以實施以避免粒子在真空栗與真空處理系統(例如真空處理系統100)的前級中累積，舉例而言，示例性操作200可根據本公開內容特定方面的前級等離子體反應器子系統實施。如圖所示，在方塊202,等離子體源產生等離子體并使等離子體與排放氣體混合，形成排放流。舉例而言，參照圖1，等離子體源 152從氧產生等離子體，并將等離子體與來自真空處理腔室106的排放氣體混合，形成排放流。在方塊204(見圖2)，操作以冷卻排放流繼續。舉例而言(見圖1)，前級氣體冷卻器154能使冷卻水通過圍繞在前級108周圍的線圈，使前級與排放流冷卻至10攝氏度。在方塊206(見圖2)，操作以自排放流收集粒子繼續。舉例而言(見圖1)，在前級氣體冷卻器154內部，粒子會被收集在一組檔板中，粒子會凝結在檔板上。
[0034]根據特定的實施方式，前級氣體冷卻器154可借由使鹵碳類冷卻劑(例如氟氯碳化物或氫氟碳化物)或冷卻的C02通過前級周圍的線圈、或借由該領域中所已知的其他方式來冷卻等離子體與排放氣體的混合物。
[0035]圖3為根據本公開內容一個實施方式的含有前級等離子體反應器子系統350的真空處理系統300的示意圖。圖3中所示的真空處理系統300與圖1中所示的真空處理系統100 類似，但真空處理系統300另具有可用于保養所述前級等離子體反應器子系統的額外構件。 [〇〇36] 真空處理系統300包括真空處理腔室306,例如蝕刻反應器處理腔室、離子注入腔室、等離子體處理腔室、原子層沉積腔室等。在圖3所描繪的實施方式中，真空處理腔室306 是CVD腔室。可以將加熱器322設置為與前級308相鄰，以加熱前級308與排放氣體。[〇〇37]在一個實施方式中，前級等離子體反應器子系統350包括等離子體源352、前級氣體冷卻器(即收集器)354、處理劑(例如反應氣體)源356、保養凈化氣體供應源366、第一閥門358、第二閥門370、以及保養排氣閥門372。第一閥門358設于真空處理腔室306和前級等離子體反應器子系統350之間的前級308上。保養凈化氣體供應源366連接至第一閥門358與等離子體源352之間的前級308。例如，保養凈化氣體供應源366對前級等離子體反應器子系統供應凈化氣體(例如空氣、氮N2、氧02、三氟化氮NF3或全氟碳化物(PFC))，以作為保養活動的一部分凈化來自前級等離子體反應器子系統350的排放氣體(例如排放流)。[〇〇38]將等離子體源352設置于保養凈化氣體供應源366的下游，以及前級氣體冷卻器 354的上游。保養排氣閥門372連接至前級氣體冷卻器354的下游的前級308。將第二閥門370 設置于連接至前級308的保養排氣閥門372和工藝真空栗310之間。前級308使排放氣體(例如排放流)從真空處理腔室306流至第一閥門358、從第一閥門358流至等離子體源352、從等離子體源352流至前級氣體冷卻器354、從前級氣體冷卻器354流至保養排氣閥門372與第二閥門370,以及從第二閥門370流至工藝真空栗310。保養線路324使氣體可從保養排氣閥門 372流至消除子系統334。[〇〇39]排放線路312可使氣體從工藝真空栗310流至消除子系統334。等離子體源352、前級308、工藝真空栗310、第一閥門358、第二閥門370、保養排氣閥門372、保養線路324及相關的硬設備可由一種或多種與工藝相容的材料形成，例如鋁、陽極氧化鋁、鍍鎳鋁、不銹鋼、及這些材料的組合與合金。例如，前級氣體冷卻器354是由類似的可與工藝相容的材料所形成，或由可使排放氣體凝結的材料所形成。例如，如半導體制造業中所已知，消除子系統334 可為燃燒/濕式消除子系統。
[0040]圖4圖示了一種用于保養(例如清潔)真空處理系統(例如化學氣相沉積(CVD)系統)中所用的前級等離子體反應器子系統的示例性操作400。操作400開始于方塊402,通過操作閥門使前級等離子體反應器子系統與排放氣體和真空栗隔離。舉例而言，參照圖3,可以操作第一閥門358和第二閥門370以自真空處理腔室306與工藝真空栗310隔離前級等離子體反應器子系統350。[〇〇41]在方塊404,操作400(見圖4)以對前級等離子體反應器子系統供應(即引入)凈化氣體來繼續。舉例而言(見圖3)，前級等離子體反應器子系統350可利用從保養凈化氣體供應源366引入的流率受控的氧O2予以凈化，以確保任何殘留的反應性或發火性(pyrophoric)化合物(來自例如排放流)的完全反應，后接以氮N2凈化，以使前級等離子體反應器子系統350被移除以進行清潔和保養。
[0042]在方塊406(見圖4)，操作由開啟從前級等離子體反應器子系統至消除子系統(例如燃燒/濕式減弱子系統)的閥門來繼續。舉例而言(見圖3)，保養排氣閥門372可以于前級308和保養線路324之間開啟。
[0043]在方塊408，操作400(見圖4)以于消除子系統中去除在前級等離子體反應器子系統中形成(例如由凈化氣體與排放氣體所形成)的凈化氣體與化合物來繼續。舉例而言(見圖3)，氮他和氧O2凈化氣體、反應的排放氣體、以及粒子會流至消除子系統334(例如燃燒/濕式消除子系統)并且被去除。
[0044]圖5圖示了根據本公開內容一個實施方式的真空處理系統500的示意圖，真空處理系統500含有前級等離子體反應器系統540，前級等離子體反應器系統540包括第一前級等離子體反應器子系統550A與第二前級等離子體反應器子系統550B。雖然前級等離子體反應器系統540是以兩個前級等離子體反應器子系統550A和550B加以說明，但本公開內容并沒有特別限制，在真空處理系統的前級等離子體反應器系統中可含有任何數量的前級等離子體反應器子系統。圖5中所示的真空處理系統500與圖3所示的真空處理系統300類似，但真空處理系統500具有所述的其他構件。其他構件使真空處理腔室506工作，同時保養前級等離子體反應器子系統550A、550B中的一個。真空處理系統500包括前級508、前級等離子體反應器系統540、工藝真空栗510、排放線路512、消除子系統514及真空處理腔室506。前級等離子體反應器系統540包括第一閥門558、第二閥門570、第一前級等離子體反應器子系統550A及第二前級等離子體反應器子系統550B。真空處理腔室506可為蝕刻反應器處理腔室、離子注入腔室、等離子體處理腔室、原子層沉積腔室等。在圖5所描繪的實施方式中，真空處理腔室506是CVD腔室。可以設置加熱器522為與前級508相鄰，以加熱前級508及前級508內的排放氣體。
[0045]在一個實施方式中，兩個等離子體反應器子系統550A和550B包括前級509A和前級509B、等離子體源552A和552B、處理劑(例如反應氣體)源556A和556B、前級氣體冷卻器(SP收集器)554A和554B、保養凈化氣體供應源566A和566B、以及保養排氣閥門572A和572B。
[0046]設置第一閥門558以連接前級508與前級509A和509B，且于真空處理腔室506與前級等離子體反應器子系統550A和550B之間。保養凈化氣體供應源566A和566B于第一閥門558與等離子體源552A和552B之間連接至前級509A和509B。根據特定的實施方式，保養凈化氣體供應源566A和566B為一個供應源，但具有連接至各個前級509A和509B的閥門與管。
[0047]將等離子體源552A和552B設置于保養凈化氣體供應源566A和566B的下游、前級氣體冷卻器554A和554B的上游。保養排氣閥門572A和572B連接至前級氣體冷卻器554A和554B的下游的前級509A和509B。將第二閥門570設置在保養排氣閥門連接部與處理真空栗510之間。
[0048]前級508使排放氣體從真空處理腔室506流至第一閥門558。前級509A和509B使排放氣體從第一閥門558流至等離子體源552A或552B、從等離子體源552A和552B流至前級氣體冷卻器554A和554B、從前級氣體冷卻器554A和554B流至保養排氣閥門572A和572B與第二閥門570，以及從第二閥門570流至工藝真空栗510。保養線路524A和524B使氣體可從保養排氣閥門572A和572B流至消除子系統514。排放線路512使氣體可從工藝真空栗510流至消除子系統514。
[0049]等離子體源552A和552B、前級508、前級509A和509B、工藝真空栗510、第一閥門558、第二閥門570、保養排氣閥門572A和572B、保養線路524A和524B及相關硬設備可由一種或多種與工藝相容的材料形成，例如鋁、陽極氧化鋁、鍍鎳鋁、不銹鋼、及這些材料的組合與合金。例如，前級氣體冷卻器554A和554B可由類似的與工藝相容的材料所形成，或由可使排放氣體凝結的材料所形成。例如，如半導體制造業中所已知，消除子系統514可為燃燒/濕式消除子系統。
[0050]圖6圖示了一種示例性操作600，用以處理來自真空處理(例如CVD)操作的排放氣體、同時保養(例如清潔)第一前級等離子體反應器子系統。操作600開始于方塊602，操作第一閥門以引導排放氣體離開第一前級等離子體反應器子系統而進入第二前級等離子體反應器子系統。舉例而言，參照圖5，可以操作第一閥門558以使第一前級等離子體反應器子系統550A與真空處理腔室506隔離，第一前級等離子體反應器子系統550A包括等離子體源552A和前級氣體冷卻器554A;并且將第二前級等離子體反應器子系統550B連接于真空處理腔室506，第二前級等離子體反應器子系統550B包括等離子體源552B與前級氣體冷卻器554B。
[0051]操作600(見圖6)于方塊604繼續，操作第二閥門以使第一前級等離子體反應器子系統與真空栗隔離，并將第二前級等離子體反應器子系統連接于真空栗。舉例而言(見圖5)，可以操作第二閥門570，以使第一前級等離子體反應器子系統550A與處理真空栗510隔離，第一前級等離子體反應器子系統550A包括等離子體源552A和前級氣體冷卻器554A;并將第二前級等離子體反應器子系統550B連接于工藝真空栗510，第二前級等離子體反應器子系統550B包括等離子體源552B與前級氣體冷卻器554B。
[0052]在方塊606(見圖6)，操作600以對第一前級等離子體反應器子系統引入至少一種凈化氣體來繼續。舉例而言(圖5)，保養凈化氣體供應源566A可對在等離子體源552A上游的前級509A供應氮N2與氧O2。
[0053]在方塊608(見圖6)，操作600以操作第三閥門以使氣體從第一前級等離子體反應器子系統流至消除子系統中繼續。舉例而言(見圖5)，保養排氣閥門572A可于前級509A和保養線路524A之間開啟。
[0054]操作600(見圖6)于方塊610繼續，于消除子系統中去除凈化氣體與在第一前級等離子體反應器子系統中所形成的化合物。舉例而言，氮與氧凈化氣體、反應的廢氣以及粒子可流至消除子系統514并且被去除。
[0055]可使用系統控制器(未示)以調節真空處理系統100、300與500的運作。系統控制器可在儲存于電腦硬盤驅動器(hard di sk drive)的電腦程式的控制下運作。舉例而言，電腦程式可專管工藝次序與定時、氣體的混合(mixture)、腔室壓力、RF功率等級、基座定位、流量閥的開啟與關閉、以及特定工藝的其他參數。
[0056]上述非限制實例為提供對前述說明的更佳理解而提供。雖然這些實例可以是針對特定的實施方式，但這些實例不應被解釋為將本公開內容限制于任一特定方面。
[0057]盡管前述是針對本公開內容的實施方式，但在不脫離本公開內容的基本范圍的條件下，可設計本公開內容的其他及進一步實施方式，且本公開內容的保護范圍由以下權利要求確定。
【主權項】
1.一種用于處理真空處理腔室排放氣體的前級等離子體反應器子系統，包括:等離子體源，所述等離子體源具有第一進口，配置所述第一進口以耦接于所述真空處 理腔室;及下游收集器，所述下游收集器耦接于所述等離子體源的排出口。2.如權利要求1所述的前級等離子體反應器子系統，進一步包括:處理劑源，所述處理劑源具有排出口，所述排出口耦接于所述等離子體源的第二進口。3.如權利要求2所述的前級等離子體反應器子系統，其中所述下游收集器包括用于冷 卻所述排放氣體的線圈。4.如權利要求1所述的前級等離子體反應器子系統，其中所述下游收集器包括用于冷 卻所述排放氣體的線圈。5.如權利要求1所述的前級等離子體反應器子系統，其中所述下游收集器包括用于冷 卻所述排放氣體的冷卻收集板。6.—種用于處理真空處理腔室排放氣體的前級等離子體反應器子系統，包括:等離子體源，所述等離子體源耦接于所述真空處理腔室；第一閥門，可操作所述第一閥門以使所述等離子體源與所述真空處理腔室隔離；保養凈化氣體供應源，所述保養凈化氣體供應源耦接于所述等離子體源；下游收集器，所述下游收集器耦接于所述等離子體源的排出口；第二閥門，可操作所述第二閥門以使所述下游收集器與真空栗隔離;及 保養排氣閥門，可操作所述保養排氣閥門以使來自所述下游收集器的氣體繞過所述真 空栗并直接流至消除子系統。7.如權利要求6所述的前級等離子體反應器子系統，進一步包括:處理劑源，所述處理劑源具有排出口，所述排出口耦接于所述等離子體源的進口。8.如權利要求7所述的前級等離子體反應器子系統，其中所述下游收集器包含用于冷 卻所述排放氣體的線圈。9.如權利要求6所述的前級等離子體反應器子系統，其中所述下游收集器包含用于冷 卻所述排放氣體的線圈。10.如權利要求6所述的前級等離子體反應器子系統，其中所述下游收集器包含用于冷 卻所述排放氣體的冷卻收集板。11.一種用于處理真空處理系統排放氣體的前級等離子體反應器系統，包括:第一閥門，可操作所述第一閥門以將排放氣體引導至至少兩個前級等離子體反應器子 系統之一，其中每一個前級等離子體反應器子系統包括:等離子體源，所述等離子體源耦接于所述閥門，下游收集器，所述下游收集器耦接于所述等離子體源，保養凈化氣體供應源，所述保養凈化氣體供應源耦接于所述等離子體源，及 保養排氣閥門，可操作所述保養排氣閥門以使來自所述下游收集器的氣體繞過所述真 空處理系統的真空栗且直接流至所述真空處理系統的消除子系統;及第二閥門，所述第二閥門在各個前級等離子體反應器子系統的下游，可操作所述第二 閥門以使各個前級等離子體反應器子系統與所述真空栗隔離。12.如權利要求11所述的前級等離子體反應器系統，進一步包括:至少一個處理劑源，所述至少一個處理劑源具有排出口，所述排出口耦接于所述至少 兩個前級等離子體反應器子系統中至少一個的等離子體源的進口。13.如權利要求12所述的前級等離子體反應器系統，其中所述至少兩個前級等離子體 反應器子系統中至少一個前級等離子體反應器子系統的所述下游收集器包括用于冷卻所 述排放氣體的線圈。14.如權利要求11所述的前級等離子體反應器系統，其中所述至少兩個前級等離子體 反應器子系統中至少一個前級等離子體反應器子系統的所述下游收集器包括用于冷卻所 述排放氣體的線圈。15.如權利要求11所述的前級等離子體反應器系統，其中所述至少兩個前級等離子體 反應器子系統中至少一個前級等離子體反應器子系統的所述下游收集器包括用于冷卻所 述排放氣體的冷卻收集板。
【文檔編號】C23C16/44GK106029217SQ201580009058
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年2月9日
【發明人】科林·約翰·迪金森
【申請人】應用材料公司