從電暈放電電離棒的氣體離子中分離污染物的制作方法

專利名稱：從電暈放電電離棒的氣體離子中分離污染物的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種利用電暈放電產生氣體離子的靜電中和裝置。尤其涉及一種在干凈或超凈環境下產生用于電荷中和的清潔的電離氣體流，例如常見于制造半導體、電子設備、藥物以及相似的進程和應用。2.相關領域描述在干凈環境下的進程和操作特別易于在所有電絕緣表面上生成或積聚靜電荷。所述電荷產生不必要的電場，吸引大氣氣溶膠至表面，在電介質中產生電氣應力，在半導體和導體材料中產生電流，在生產環境下弓丨起放電和電磁干擾。消除這些靜電危害最有效的方法是為帶電表面提供電離氣體流。這種類型的氣體電離可有效抵消或中和不必要的電荷，并因此減少由不必要電荷產生的污染物、電場和電場干擾。已知的一種產生氣體電離的傳統方法是電暈放電。電暈基礎離子發生器(例如，參見已公開的專利申請US20070006478，JP2007048682)的可取之處在于其可在狹小空間內節能且具有電離效率。然而，這類電暈放電裝置的一個眾所周知的缺陷在于高壓電離電極/發射器(以尖角或細線的形式)在產生預期的氣體離子的同時會產生不必要的污染物。比如，在大氣環境下電暈放電也會促使形成水汽小液滴。固態污染物副產品的形成還可以是在環境空氣/氣體中伴隨電暈放電產生發射器表面腐蝕和/或化學反應而導致的。表面腐蝕是在電暈放電過程中刻蝕或噴鍍發射器材料的結果。尤其，在電暈中存在比如空氣這種負電性氣體時，電暈放電還會發生氧化反應。其結果是在發射器頂端附著以不必要的氣體(如，臭氧和氮氧化物)和固體為形式的副產品。因此為消除污染物顆粒排放的常用方法是采用由強抗腐蝕材料制成的發射器。然而這種方法有自身的缺點其經常需要使用例如鎢的發射器材料，這種材料不適合于例如半導體制造等技術工藝。在制造半導體硅片過程中用于中和電荷的優選離子發生器的硅材料發射器不具有預期的耐蝕刻性和耐腐蝕性。另一用于減少電暈離子發生器中的發射器腐蝕和氧化效應的常用方法是持續地使清潔干燥空氣、氮氣等氣流/氣流層圍繞發射器，所述氣流/氣流層沿與主氣流相同的方向流動。所述氣流層一般由在已公開的日本申請JP 2006236763和美國專利5，847，917中所示和所描述的氣源提供。美國專利5，447，763硅離子發射器電極和美國專利5，650，203硅離子發射器電極公開了相關的發射器，這些專利的全部內容以引用的方式并入本申請。為避免半導體片的氧化，制造商利用正電性氣體(如氬氣和氮氣)環境。在上述兩個申請案中電暈離子化都會伴隨著污染物顆粒的產生，并且在后一個申請案中，電離發射器腐蝕會因電子發射和電子轟擊而加重。這些顆粒與相同氣流層一起流動并能污染中和電荷的物體。因此這種方法解決了一個問題又產生了另一個問題。 在周圍空氣或氣體中運行的交流電串聯式離子發生器和交流或直流/脈沖直流離子發生器之間具有一些重大區別串聯式離子發生器的單個發射器是與環境大氣(或氣體)隔離的，并且沒有由帶電物體產生的電場來影響離子化顆粒。與之相反，環境離子發生器發射器可以“看到”由帶電物體產生的電場，并且所述電場參與離子云運動。而且，在離子發生器中的發射器并不與環境大氣或氣體相隔離。因此，僅有離子發生器內部的真空流并不能解決發射器污染的問題。實際上，離子發生器內部的真空流能夠對一部分環境空氣產生牽引效果(吸入效果)，相應地，一部分環境空氣可使碎屑類物質圍繞發射器頂點積聚，被稱作“絨球”。

發明內容
本發明可滿足上述需要并克服上述和相關領域其他的缺陷，本發明提供一種極凈電離棒，其提供一個或多個下列優點(I)提供一種靜態中性的電荷中和目標/物體，其不暴露在必然由所述電離棒上的電暈放電電極所產生的大量顆粒污染物前；(2)提供一種靜態中性的電荷中和目標/物體，其不暴露在由于化學反應而必然由所述電離棒上的電暈放電所產生的大量副產品氣體前(如臭氧、氮氧化物等)；(3)防止或減少絨球和/或其他碎屑形成物/污染物形成在電離棒的電暈放電電極上，從而延長不需維護這種電暈放電電極的時間；以及(4)通過結合空氣(氣體)輔助技術和/或多頻電暈電離技術，改善離子輸送至電荷中和目標/物體。根據本發明的電離棒包括單殼體組件或具有與交流電高壓電源(HVPS)相適配的交流電電離電極的多殼體組件。可替換的是，根據本發明的電離棒可包括與正電性直流電高壓電源相適配的專用正電性電極和與負電性直流電高壓電源相適配的負電性電極。本發明涉及一種電離棒，所述電離棒可引導清潔電離氣體流趨向電荷中和目標的具有吸引力的非電離電場。本發明的電離棒可接收非電離氣體流，排出污染物氣體流并使其遠離電荷中和目標，并且接收足夠促使多個電極電暈放電的電離電位。本發明的電離棒包括至少一個氣體通道，所述氣體通道接收所述非電離氣體流并引導清潔電離氣體流趨向所述電荷中和目標，和至少一個排出通道，所述排出通道排出污染物氣體流并使所述污染物氣體流遠離所述電離棒和所述電荷中和目標。本發明的電離棒包括多個殼體組件，每個殼體組件包括殼體，至少一個電離電極和至少一個排出口。所述殼體具有孔口，所述孔口與所述殼體和所述氣體通道氣體連通，從而使得一部分所述非電離氣體流可進入所述殼體。所述電離電極可具有可產生等離子體區域的尖端，所述等離子體區域含有離子和污染物副產品，為響應所述電離電位的應用。所述電離電極可置入所述殼體內，因此所述尖端凹入所述殼體孔口一定距離，所述距離至少大體等于所述等離子體區域的尺寸，憑借此至少很大一部分產生的離子移入非離子氣體流從而來形成清潔電離氣體流，所述清潔電離氣體流由所述非電離電場所吸引趨向所述電荷中和目標。電離電極也可設置為拉長的細線或鋸齒帶。所述排出口與所述排出通道氣體連通，在所述殼體內鄰近所述殼體孔口處產生氣壓，所述氣壓低于所述殼體外部鄰近所述殼體的所述非電離氣體流的氣壓，憑借此一部分所述非電離氣體流流入所述殼體，并使至少很大一部分污染物副產品涌入由所述排出通道排出的所述污染物氣體流中。在相關的構造中，本發明可涉及一種電離棒，所述電離棒引導清潔電離氣體流趨向電荷中和目標的具有吸引力的非電離電場。本發明電離棒接收非電離氣體流，排出污染物氣體流使其遠離所述電荷中和目標，接收足夠促使在正電性電離電極上電暈放電的正電性電離電位，以及接收足夠促使在負電性電離電極上電暈放電的負電性電離電位。本發明 涉及的電離棒包括至少一個氣體通道，所述氣體通道用于接收所述非電離氣體流并引導所述清潔電離氣體流趨向所述電荷中和目標，并且包括至少一個排出通道，所述排出通道排出來自所述電離棒的污染物氣體流并使其遠離所述電荷中和目標。在這個構造中，本發明的電離棒可包括至少一個正極殼體組件，包括正極殼體，其具有與所述氣體通道氣體連通的孔口，這樣一部分所述非電離氣體流進入所述正極殼體，和包括至少一個具有尖端的正電性電離電極，所述正電性電離電極可產生等離子體區域，所述等離子體區域含離子和污染物副產品，為響應所述正電性電離電位的應用，所述正電性電離電極被設置在所述正極殼體內，這樣所述尖端自所述殼體孔口處凹入一定距離，所述距離大體上相當于所述等離子體區域的尺寸，憑借此至少很大一部分產生的離子移入所述非電離氣體流，從而形成清潔電離氣體流，所述清潔電離氣體流通過所述非電離電場被引導趨向所述電荷中和目標。所述正極殼體組件還可包括至少一個排出口，所述排出口與所述排出通道和所述殼體氣體連通，在所述正極殼體內鄰近所述孔口處產生氣壓，所述氣壓低于在所述正極殼體外部鄰近所述孔口的非電離氣體流的氣壓，憑借此一部分所述非電離氣體流流入所述正極殼體內，并使至少很大一部分所述污染物副產品涌入由所述排出通道排出的所述污染物氣體流中。在這個構造中，本發明電離棒可進一步包括至少一個負電性殼體組件，包括負電性殼體，所述負電性殼體具有與所述氣體通道氣體連通的孔口，這樣一部分所述非電離氣體流進入所述負極殼體內，并且包括至少一個負電性電離電極，所述負電性電離電極具有尖端，所述負電性電離電極可產生等離子體區域，所述等離子體區域含離子和污染物副產品，為響應所述負電性電離電位的應用。所述負電性電離電極被設置在所述負極殼體內，這樣所述尖端自所述殼體孔口處凹入一定距離，所述距離大體上相當于所述等離子體區域的尺寸，憑借此至少很大一部分產生的離子移入所述非電離氣體流，從而形成清潔電離氣體流，所述清潔電離氣體流通過所述非電離電場引導趨向所述電荷中目標。所述負極殼體組件可進一步包括至少一個排出口，所述排出口與所述排出通道和所述殼體氣體連通，所述負極殼體內鄰近所述孔口處產生氣壓，所述氣壓低于所述負極殼體外鄰近所述孔口的所述非電離氣體流的氣壓，憑借此一部分所述非電離氣體流流入所述負極殼體內并使至少很大一部分所述污染物副產品涌入由所述排出通道排出的所述污染物氣體流中。當然，本發明的上述方法非常適合用于本發明的上述裝置。同樣，本發明的上述裝置非常適合實現本發明的上述方法。通過 結合權利要求和附圖對本發明優選實施例進行描述，對于本領域一般技術人員來說，本發明許多其他優點、特征將會更加明顯。


本發明的優選實施例將會結合附圖進行說明，相同的附圖標記代表相同的步驟和/或結構，其中圖Ia是根據本發明的一個優選實施例的一部分電離棒,其不出與一部分電荷中和目標/對象相連接；圖Ib為另一優選電離棒的橫截面示意圖，所述電離棒延伸至圖紙平面的外部，且該橫截面從具有變型設計的殼體組件處剖開；圖Ic示出示范性射頻交流電電離電位，所述電離電位可適用于圖la、lb和Id的實施例所述的電離電極；圖Id仍為另一優選電離棒的橫截面示意圖，所述電離棒延伸至圖紙平面之外，且該橫截面在具有另外變型設計的殼體組件處剖開；圖2a不出根據本發明另一優選實施例的一部分電離棒,其與一部分電荷中和目標/物體相連接；圖2b示出示范性脈沖直流離子電位，其適用于圖2a實施例所描述的電離電極。
具體實施例方式一種優選極凈交流電電暈電離棒100的發明構想如圖Ia橫截面示意圖所示；如圖Ia所示，一種優選線型電離棒100包括多個直線安裝的殼體組件20 (每個殼體組件20具有發射器5和殼體4)，殼體組件20由多個噴嘴/噴口 29所分隔，噴嘴/噴口 29與非電離空氣/氣體通道2’氣體連通且被引導趨向電荷中和目標/物體T ;空氣/氣體噴口 /噴嘴29可幫助遞送電荷載體10/11趨向電荷中和目標T ;此外，電離棒100可包括低壓排出通道
14;排出通道14可與經制作/制造(in-tool/production)的真空管路(圖中未示出)相連，或與一內置的真空源(圖中未示出)相連，或與本技術領域公知的許多相似設備相連，所述設備可維持氣壓低于發射器殼體孔口 7附近的氣壓，且也低于發射器殼體4外部的氣壓；通道2’可與高壓氣源(圖中未示出)相連，高壓氣源可以為通道2’提供每個離子發生器和/或非電離噴嘴/孔口 /噴射口 29/29’每分鐘容積范圍在大約O. I至20. 00升的清潔氣體流3。然而，O. 1-10. O升/分鐘的速率最佳。該氣體可能為CDA (清潔干燥空氣)或氮氣(或另一種正電性氣體)，或在本領域公知的許多相似設置(例如一種高度清潔氣體(如，氮氣)源)。例如，在真空/排出通道14的底壁設有至少一條高電壓總線17，真空/排出通道14優選為至少鄰近總線17的部分為非導電的。總線17與管狀物26電連通，管狀物26采用中空導電管，并具有兩個功能可提供與發射器5的電連通，并且還可自發射器殼體4中排出低壓副產品流(含電暈產生的污染物)；管狀物26具有開口端，其終于真空通道14，并且管狀物26具有另一端，其形成容納套用于接收電暈放電電極/發射器5。管狀物26可部分或全部由導電材料或半導電材料構成，并也與電離電極5電連通，從而適用于總線17的電離電壓也將被發射器5接收。當來自高電壓電源(HVPS-未示出)的交流電電壓輸出超過發射器5的電暈閾值時氣體電離開始。如本領域公知，這可導致在發射器5頂部附近并基本從發射器5頂部發射出的球形等離子體區域12內，由交流電(或在下述可選實施例中的直流電或脈沖直流電)電暈放電產生正、負離子10、11。此電暈放電也可導致產生不必要的污染物副產品15。這將意識到，如果不是防護性發射器殼體4，由于自發射器5頂部散出的離子風、擴散物和電斥力，污染物副產品15會不斷地趨向電荷中和目標/物體T移動。因此，污染物副產品15會涌入非電離氣體流3中(和新產生的離子一起)，并且被引導趨向電荷中和物體T，于是電荷中和物體T會被污染(包括清潔電荷中和的目的)。然而，由于具有發射器殼體4和由排出通道14所體現的低氣壓，在等離子體區域12內部和/或附近形成氣體流，等離子體區域12由發射器5產生以阻止污染物15進入氣體
流3中。尤其，如圖Ia所示的結構會在孔口 7附近的非電離氣體流和等離子體區域12(在殼體4內)產生壓力差。因為該壓力差，一部分高速氣體流3從通道2’中滲出，通過孔口7，進入殼體4內。此高速氣體流3會產生牽引力引導大體上所有電暈產生的副產品15從等離子體區域12，進入排出口 14。那些一般技術人員會意識到副產品15受到如上文所述的促使離子10、11進入主氣體流的相同離子風、擴散物和電斥力的支配。然而，本發明意在創造一種條件，在這種條件下，氣體流部分足以克服此反作用力。因而，離子10、11和副產品15氣動地和電動地分離并沿不同方向移動正、負離子10、11進入非電離氣體流以由此形成電離氣體流，電離氣體流順流而下趨向電荷中和物體T ;與此相反，副產品15被排出和/或涌向排出口 14，優選，流向副產品收集器、過濾器或采集器(未示出)。進一步參考圖la，管狀物26在其鄰近發射器套端部處具有至少一個開口 /孔口，且所述開口 /孔口接近發射器5。如所示，發射器5和管狀物26的發射器套端部優選設置在空心殼體4內部，并且發射器5的發射端由孔口 7向內隔開(或者凹入)距離R(參見如圖Ib所示)。凹入距離R越大，來自等離子體區域12的污染物副產品越容易經由低壓排出流涌向排出通道14。已經確定，用于此目的，低壓氣體流通過通道在范圍大約O. I至大約20升/分鐘就足夠了。最優選，氣體流可為每個離子發生器或離子組件大約1-10升/分鐘，以確實地釋放各種粒徑(例如，10-100納米)。然而，凹入距離R越小，來自等離子體區域12的離子可能就越容易通過孔洞7并如期望地進入主氣體流2的離子漂移區。為了最佳平衡這些相對抗的考慮因素，已經確定，如果距離R被選擇為至少大致上和優選為實質上與在發射器5頂部的電暈放電所產生的等離子體區域12的尺寸相同，則可實現最佳離子/副產品分離法(等離子區域通常橫跨大約I毫米)。此外，優選的距離R大體相當于孔口7的直徑D (范圍為大約2-3毫米)。最優選，D與R的比率在范圍從大約O. 5至大約2. O。繼續參見圖Ia所示，本領域一般技術人員將很容易意識到圖中電離棒100包含表示兩種流經電離棒100的主要氣體流的方向性箭頭圍繞殼體4流動并因此促使電荷載體IOUl趨向電荷中和目標/物體T的氣體流3 ;和低壓抽吸/真空流15，低壓抽吸/真空流15因排出通道14和周圍環境的壓力差吸引污染物氣體和污染物顆粒通過排出通道14。通過這種方式，低壓抽吸/真空流15至少大體上使發射器5頂部與周圍環境隔絕。此外，如上所述，抽吸/真空流15吸入固態污染物顆粒和其他電暈副產品/氣體并輸送它們通過管狀物26并進入真空通道14內(更重要地，使固態污染物顆粒和其他電暈品/氣體遠離電荷中和目標/物體T)。尤其，氣體流3的量與氣體/顆粒流15的量之間的關系(例如，氣體流比率3/15)對于界定離子發生器的清潔度和離子輸送效率非常重要。且上述氣體流比率可隨不同環境/應用而變化以達到最優性能。例如，如果電荷中和目標/物體T設于距離電離棒100非常近的位置(如在半導體制造應用中經常是這樣的)，氣體流3的速度應受限制，例如，自大約75英尺/分鐘至大約100英尺/分鐘。處于特定氣體流比率3/15時，離子發射器5的等離子體區域12可與周圍空氣隔絕，因此抑制發射器5頂部上逐漸沉積的碎屑，且大體上全部由電暈產生的污染物副產品被清除。因此，在一些最優選實施例中，氣體流3和15兩者(并且，尤其是，氣體流比率3/15)可根據不同的因素(例如電離組件20和電荷中和目標/物體T之間的距離)來調節，從而控制污染物副產品的移動。 反之，如果電荷中和目標/物體T設在距離電離棒100較遠處，應該增加氣體流3，因為在這種情況下，由電荷中和目標/物體T所具有的電場將會減弱(如，較低的電場強度會出現在電離棒處)，并且主要會由空氣/氣體流3提供離子輸送。然而，氣體流3的流量不足以使得污染物顆粒15從等離子體區域12滲出并趨向電荷中和目標/物體T流動。再參見圖Ia所示，如上所述，當與交流電電源一起使用時，電離棒100可包括可選參比電極6用于(I)利于在發射器頂部產生離子，以及(2)提供電場使電荷載體10/11移動遠離發射器頂部5。電絕緣參比電極6優選設置成基本為平面以形成電離棒100的一個外表面，從而在形成等離子體區域12的電離電場之外產生相對低強度的(非電離)電場。發射器5所接收的電位可在約3千伏至約15千伏的范圍內，且通常為9千伏。參比電極6所接收的電位可在約O伏至約1000伏的范圍內，且30伏為最優選。非電離氣體為空氣的情況下，非電離電壓在O伏以下波動。應注意的是，射頻電離電位通過電容器優選來適用于電離電極5。同樣，參比電極可通過電容器和感應器(可為正極電感電容電路)接地，并且反饋信號源于電容器和感應器。因此，這種設置可在電離電極5和非電離電極6之間形成電場。當電極之間的電位差足以產生電暈放電時，電流會從發射器5流向參比電極6。因為發射器5和參考電極6都由電容器所隔離，相對低的直流偏移電壓會自動產生，并且可能出現的短時電離平衡偏移會減小至約為O伏的靜止狀態。同樣，自鄰近電離殼體組件20和/或位于電離殼體組件20之間的專用噴嘴29(又可參見如圖2a中所示，具有速度上限的噴嘴29’ )流出的另一氣體流，可提供一種可替代的、離子云趨向電荷中和物體的移動。噴嘴29可能與高壓/清潔氣體通道2’氣體連通，且每個噴嘴29的橫截面優選為遠小于每個殼體孔口 7的橫截面。因此，每個噴嘴29能產生高速氣體流(與殼體組件相比)，并高效吸入周圍空氣，收到(收集)離子，并使它們移動至遠處(如，1000毫米或更遠)的電荷中和目標/物體T。據此，自噴嘴29流出的氣體流有助于將離子輸送至電荷中和目標/物體T，從而大大增強離子發生器的效率。此概念披露于2006年10月6日遞交，并于2010年4月13日授權公告的，美國專利7，697，258，其專利名稱為“用于交流電離子發生器的空氣輔助”，其發明的全部內容通過引用并入本文。本發明與上述美國專利7，697，258所公開的內容相協調。
多頻高壓波形可作為電離電位被應用于此處所公開的有創造性的電離棒，且圖Ic示出這樣波形的示范性實例。這種特性的波形詳細披露于美國專利(專利號為7，813，102，申請日為2008年3月14日，授權公告日為2010年10月12日，專利名稱為“運用電子波形防止發射器污染物”)中，其全部內容通過引用并入本發明。根據這些啟示，高頻交流電電壓分量(12-15千赫茲)在信號振幅大約等于電離電極的電暈閾值電壓(最低可能的電壓)時可提供高效離子化。這也會減少發射器的腐蝕和降低電暈副產品產生的速度。此夕卜，高頻電離可中和固態顆粒的潛在電荷和發射器殼體內壁的潛在電荷。再根據前述美國專利7，813，102的啟示，電離電位可能具有將離子“極化”或“推向”目標的低頻分量。該分量的電壓振幅大致上是在電離電極和對象之間距離的函數。據此，電動力(和內在的擴散力)促使至少很大一部分離子10、11從殼體4外的等離子體區域12移出(通過排出孔口7并趨向電荷中和目標/物體T，同時又沿參比電極6的方向橫向移動)。由于電場的強度低至接近電離電極5的強度，離子10、11涌入主(非電離)氣體流3 (由此形成清潔電離氣體流)，并被引導趨向電荷中和目標表面或物體T。因此，本發明的一些實施例可采用氣體 流和交流電電位的低頻分量促使離子從離子發生器移向電荷中和目標。用于提供與此處所描述的本發明相協調的電位的另外選擇可在美國專利申請12/925，360 (申請日為2010年10月20日，專利名稱為“自平衡電離氣體流”)中找到，此美國專利的全部內容通過引用并入本發明。雖然電離電極5優選設置為具有尖角的錐形銷，但是應了解的是，根據本發明，在本領域已知的不同發射器結構可適于在根據本發明的電離殼體組件內使用。包括但不限于尖頭、小直徑金屬絲、金屬圈等。進一步，發射器5可由多種本領域已知材料制成，包括金屬、導體和半導體非金屬材料比如硅、單晶硅、多晶硅、碳化硅、陶瓷和玻璃(將使用哪種材料很大程度上依具體應用/環境而定)。通道2’和14可由多種已知金屬和非金屬材料(將使用哪種材料依具體應用/環境而定)制成，前述材料包括等離子體電阻式絕緣材料(比如聚碳酸酯、特氟綸 、非導電陶瓷、石英或玻璃)。或者，通道的有限部分也可由前述的材料制成。作為另外的可選項，一些或全部通道2’和/或14也可涂上一層等離子體電阻式絕緣材料。發射器殼體4可由多種已知金屬和非金屬材料(將使用哪種材料依具體應用/環境而定)制成，前述材料包括等離子體電阻式絕緣材料(比如聚碳酸酯、特氟綸 、非導電陶瓷、石英或玻璃)。或者，僅鄰近殼體孔口的殼體部分由前述的材料制成。作為另外的可選項，一些或全部的發射器殼體4可涂上一層等離子體電阻式絕緣材料。現參看圖lb，其示出根據本發明相關優選實施例中的極凈電離棒的一部分，其有助于顯示許多相當的設計變化。如圖Ib所示，電離棒100’可具有一些類似圖Ia中的電離棒100 (如圖用相同的附圖標記標示)的物理特性，且這一實施例的操作原則與上述闡述的相同。相應地，除了下面馬上要探討的區別之外，上述電離棒100的討論也適用于電離棒100’。如圖Ib中顯示的第一個區別在于通道2’的壁和殼體4的壁與圖Ia中所示的略有不同。進一步，為了本發明設計的目的，通道2’的壁與參比電極6’的壁之間增加了間距。此夕卜，電離導線5’ (其不與管狀物26’電連接而與電離高壓電源電連接)代替錐形銷5。進一步，因為電離導線5’不從管狀物26’處接收電位，因此管狀物26’可由絕緣材料制成。導線5’與管狀物26’軸向對齊(或同軸)，且管狀物26’可大體為吸管狀從而可在等離子體區域12附近設置大體上圓形的孔。當然，副產品15可流入所述孔內，從而通過管狀物26’的相對端被輸送至排出通道。如圖Id所示的另一可選實施例中，狹長電離棒IOOa僅包括一個細長的殼體組件20”，殼體組件20”包括電離電極，所述電離電極包括細長的(大體為線型)電暈線5”，電暈線5”設置于具有排出口 26”的細長殼體4”內，并且當出現電離電位時，電暈線5’產生大體為圓柱形的等離子體區域12a，等離子體區域12a包括電荷載體10/11和污染物副產品。細長殼體4”可具有殼體孔口 V (如狹槽)，孔口 V沿至少大致平行于電暈線5”的方向延伸(在圖紙的范圍之外)。正如本發明所述的其他實施例所示，本實施例還包括環繞于細長殼體4”的氣流通道2” (比如更大、細長的高壓通道)，如此一小部分從那里通過的清潔氣體3可進入細長殼體使污染物15通過排出口 26”涌入排出通道14’。當然，很大一部分電暈產生的離子10/11仍會進入非電離氣體流3以形成被引導趨向電荷中和物體的清潔電離氣體流，如其他實施例所述。使用一個或多個參比電極6’是可選的，并且本領域一般技術人員可根據提供的整體描述可領會到這個。在這個實施例的變型中，總體呈線型的細長電 暈鋸片(未示出)可替代電暈線5”作為本領域一般技術人員可領會的等同設計選擇。現參看圖Ic所示，如圖示出示范性射頻交流電電離電位40，其可適用于圖Ia和Ib所述實施例的電離電極。交流電電離信號40優選具有振幅在大約3千伏至大約15千伏之間的射頻分量，優選為12千赫茲的頻率。交流電電離信號40還可優選具有振幅在大約100伏至大約2000千伏的低頻交流電(推動)分量，優選頻率介于O. I赫茲至大約100赫茲之間。如本領域所公知，這種普遍特性的電離信號不僅可導致電離產生，而且還有助于將產生的離子推出等離子體區域并推入預定的方向。本發明的另一優選實施例中，極凈電離棒可配置為在直流電或脈沖交流電的運行模式中操作。如圖2a所示，極凈電離棒100”可具有與圖Ia中的電離棒100和圖Ib中的電離棒100’(如圖用相同的附圖標記標示)相似的結構。相應地，除以下要闡述的區別之夕卜，前述電離棒100和100’的描述也適用于電離棒100”。如圖2a所示，電離棒100”包括至少兩個殼體組件20’和20”(分別包括專用的正、負極發射器)，殼體組件20’和20”分別與正、負電性高壓總線17b、17a電連通。總線17a、17b可設置于高壓/清潔氣流通道2’和/或排出通道14的非導電部分。本領域一般技術人員可輕易地意識到(按照本發明公開的內容)，電離棒100”不需任何非電離參比電極。原因在于正、負極殼體組件20”和20’被成對設于相反電極上，其促使電暈產生的離子云在這些正、負極殼體組件之間橫向移動。因此，我們知道如圖2a中所示的參比電極6純粹是可選的，其原因我們將在下文進一步闡述。在最優選實施例中，多對正、負極殼體組件20”和20’沿電離棒100”設置，這樣每隔一個殼體組件為負極殼體組件，且所有的殼體孔口至少大體面對電荷中和物體。在這種結構中，適用于正電性電離電極的電離電位將非電離電場強加于負極殼體組件20’的等離子體區域12’，所述電場足以促使至少很大一部分負離子10移入非電離氣體流。鑒于此，應注意的是，如本領域的技術公知，99%的離子重組率是常見的，因此，甚至少于I %的離子可被認為是在給定環境下產生的很大一部分離子。同樣，適用于負電性電離電極的電離電位可將非電離電場強加于正極殼體組件20”的等離子體區域12”，所述電場足以促使大部分正離子移入非電離氣體流中。
如本領域公知，由于正極發射器腐蝕比負極發射器嚴重，正極發射器易于產生更多的污染物顆粒和碎屑。根據本發明某些直流電或脈沖直流電實施例，為正極殼體組件20”提供的真空流15 (或氣體流比率3/15)應優選高于為負極殼體組件20’提供的真空流，因此，污染物清除可發生在不相等流速下，并且在不同類型的殼體組件20’和20”中與污染物產生的速度成比例。適用于電離棒100”的脈沖直流電(正、負)電離波形(分別為50p、50n)的示范性實例如圖2b所示。如示范性波形50p和50η所述，電壓振幅、脈沖頻率和/或脈沖持續時間可變化以適合在任何給定應用中輸送已平衡的正、負離子云至電荷中和目標/物體。此外，高壓脈沖可與真空和/或可變逆行氣流同步，從而提高電離效率和使污染物顆粒產生和碎屑形成最小化。如適用于圖2a所示的優選實施例，陽性脈沖直流電信號50p通過總線17a在殼體組件20’內出現，而陰性脈沖直流電信號50η通過總線17b在殼體組件20”內出現。常規脈沖直流電振幅幅度和頻率范圍可適用于每一個信號50p和50η。僅舉例說明，信號50ρ和50η的振幅可為大約3千伏至大約15千伏，且信號50ρ和50η的頻率可為大約O. I 赫茲至200赫茲。如本領域公知，這種普遍特性的電離信號不僅可導致電離產生，而且還有助于將產生的離子推出等離子體區域并推入預定的方向。盡管本發明已經描述了目前認為的最具實踐意義和優選的實施例，但應該明白本發明不僅限于所公開的實施例，也意在涵蓋落入所附權利要求精神和范圍內的各種變型和同等設置。例如，關于上述描述，應意識到本發明部件之間的最優空間關系，包括尺寸、材料、形狀、構成、功能和操作方式、組裝和使用方式的變化，對一個本領域一般技術人員而言可以輕易獲知，且所有與附圖所示和說明書中所描述的等同關系，都意在包含在所附權利要求內。因此，前述事項僅為示范而非全面描述本發明原則。除了另外指出的，在說明書和權利要求書中使用的所有關于成分含量、反應條件等的數值或表達都應理解在所有實例中由術語“約”修正。據此，除非相反的表示，在說明書和所附權利要求中說明的數值參數是近似值，其可依據本發明所要獲取的期望性能而變化。至少且不試圖限制與權利要求的范圍等同的應用原則，每一數值參數可根據已公開的有效數字和應用一般規約理論進行解釋。盡管說明本發明寬范圍的數值范圍和參數為近似值，但是在具體實例中所說明的數值已盡可能準確。但是，任何數值因其各自測試量度的標準差必然會導致固有包含某些誤差。同樣，應當理解任何在此處引用的數值范圍意圖包含所有歸入其中的子區間。例如，范圍“1-10”意在包括所有介于所引用的最小值I和所引用的最大值10之間并且包括最小值I和最大值10的所有子區間，也就是說，具有最小數值大于等于I且最大數值小于等于10。因為所公開的數值范圍為連續的，所以該數值范圍包括最小值和最大值之間每個數值。除非有明確的相反說明，本應用中詳述的各種數值范圍為近似值。為下文所述的目的，文中的術語“上部”、“下部”、“右”、“左”、“垂直”、“水平”、“頂部”、“底部”及其派生詞須與本發明相關并在附圖中確定位置。然而，除明確的相反表示，本發明可假設各種可替代變型和步進順序。應當同樣理解，附圖中所示和說明書所描述的具體設備和步驟，僅為本發明的示范性實施例。因此，此處公開的實施例相關的具體尺寸和其他物理特性不應視為限制。
權利要求
1.ー種電離棒，所述電離棒可引導清潔電離氣體流趨向電荷中和目標的具有吸引力的非電離電場，所述電離棒接收非電離氣體流，排出污染物氣體流并使其遠離電荷中和目標，并且接收足夠促使多個電極電暈放電的電離電位，所述電離棒包括 至少ー個氣體通道，所述氣體通道接收所述非電離氣體流并引導清潔電離氣體流趨向所述電荷中和目標； 至少ー個排出通道，所述排出通道排出來自所述電離棒的污染物氣體流并使所述污染物氣體流遠離所述電荷中和目標；以及 多個殼體組件，姆個殼體組件包括 殼體，所述殼體具有孔ロ，所述孔ロ與所述氣體通道氣體連通，從而使得一部分所述非電離氣體流可進入所述殼體； 至少ー個可產生等離子體區域的電離電極，所述等離子體區域含有離子和污染物副產品，為響應所述電離電位的應用，所述電離電極可置入所述殼體內，因此所述電離電極凹入所述孔ロー定距離，所述距離至少大體等于所述等離子體區域的尺寸，憑借此至少很大ー部分產生的離子移入非離子氣體流從而來形成清潔電離氣體流，所述清潔電離氣體流由所述非電離電場所吸引趨向所述電荷中和目標。
至少ー個排出ロ，所述排出ロ與所述排出通道和所述殼體氣體連通，在所述殼體內鄰近所述殼體孔ロ處產生氣壓，所述氣壓低于所述殼體外部鄰近所述殼體的所述非電離氣體流的氣壓，憑借此一部分所述非電離氣體流流入所述殼體，并使至少很大一部分污染物副產品涌入由所述排出通道排出的所述污染物氣體流中。
2.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在于，所述電離電極包括錐形銷，所述錐形銷具有面向所述孔ロ的尖角；并且所述排出ロ包括導電空心套，所述錐形銷安置在所述導電空心套內，這樣所述電離電位可通過所述排出口適用于所述錐形銷。
3.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在于，所述電離電位為射頻電位，其周期性超過所述電離電極的正、負電暈閾值，憑借此所述等離子體區域總體處于電平衡，且所述污染物副產品總體呈中性。
4.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在于，至少很大一部分所述污染物副產品為氣體且通過所述排出ロ排出，并所述污染物副產品從由臭氧和氮氧化物組成的混合物中被挑選出。
5.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在于，所述電離電位為射頻電位，其周期性超過所述電離電極的正、負電暈閾值，憑借此所述電離電極可產生正、負離子。
6.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在于，所述孔ロ大體呈圓形且具有一定直徑；并且所述孔ロ直徑與所述凹入距離比率介于大約O. 5至大約2. O之間。
7.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在干， 制成所述電離電極的材料選自由金屬導體、非金屬導體、半導體、單晶硅和多晶硅組成的混合物；以及 所述排出ロ與低壓源相連通，所述排出ロ在所述殼體內每分鐘提供范圍在大約1-20升的氣體流，從而排出至少很大一部分污染物副產品。
8.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在干， 所述非電離氣體為正電性氣體；所述電離電位為射頻電離電位；以及 所述電離電極產生等離子體區域，所述等離子體區域含電子、正、負離子和污染物副產品O
9.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在于，所述氣體通道還包括多個噴嘴，所述噴嘴設置在相鄰殼體組件之間，并且所述非電離氣體通過所述噴嘴可被引導趨向所述電荷中和目標，從而促使所述電離氣體流趨向所述電荷中和目標。
10.根據權利要求I所述的電離棒，所述電離棒還包括至少ー個非電離電極，所述非電離電極疊加非電離電場在所述等離子體區域中，來促使至少很大一部分離子移動通過殼體孔ロ并移入非電離氣體流，所述非電離氣體流被引導趨向電荷中和目標。
11.一種電離棒，所述電離棒引導清潔電離氣體流趨向所述電荷中和目標的具有吸引力的非電離電場，所述電離棒接收非電離氣體流，排出污染物氣體流，使污染物氣體流遠離所述電荷中和目標，并且接收足夠促使電暈放電的電離電位，所述電離棒包括 接收裝置，其用于接收所述非電離氣體流并用于引導所述清潔電離氣體流趨向所述電荷中和目標； 排出裝置，其用于排出來自電離棒的污染物氣體流，并使所述污染物氣體流遠離所述電荷中和目標；以及 多個殼體組件，姆個殼體組件包括 殼體，所述殼體具有孔ロ，所述孔ロ與用于接收裝置氣體連通，因此一部分所述非電離氣體流可進入所述殼體； 制造裝置，其用于制造離子和污染物副產品以響應電離電位的應用，這樣至少很大一部分產生的離子移入非電離氣體流，從而形成由非電離電場牽引趨向電荷中和目標的清潔電離氣體流； 產生裝置，其用于在殼體內臨近孔ロ處產生氣壓，所述氣壓低于在所述殼體外部臨近所述孔ロ的所述非電離氣體流的氣壓，所述產生裝置與所述排出裝置和所述殼體氣體連通，憑借此使一部分所述非電離氣體流流入所述殼體內并使至少很大一部分所述污染物副產品涌入由排出裝置排出的污染物氣體流中。
12.根據權利要求11所述的電離棒，其特征在干， 所述制造裝置，包括至少ー個電離電極，所述電離電極具有尖端，所述電離電極可制造等離子體區域，所述等離子區域含離子和污染物副產品，為響應電離電位的應用，所述電離電極被設置在殼體內，這樣所述尖端凹入殼體孔ロー定距離，所述距離大體上相當于等離子體區域的尺寸； 所述產生裝置，包括導電空心套，所述電離電極被安置在所述導電空心套內，這樣所述電離電位通過所述產生裝置可應用于所述電離電扱。
13.根據權利要求12所述的電離棒，其特征在于，所述電離電位為射頻電位，所述電離電位周期性超過所述電離電極的正、負電暈閾值，憑借此所述等離子體區域總體處于電平衡且所述污染物副產品總體呈中性。
14.根據權利要求11所述的電離棒，其特征在于，至少很大一部分所述污染物副產品為通過所述產生裝置排出的氣體，并且所述污染物副產品是從由臭氧和氮氧化物組成的混合物中被挑選出的。
15.根據權利要求11所述的電離棒，其特征在于，所述電離電位為射頻電位，所述電離電位周期性超過所述制造裝置的正、負電暈閾值，憑借此所述制造裝置制造正、負離子。
16.根據權利要求11所述的電離棒，其特征在干， 所述制造裝置包括具有尖角的錐形發射器銷，所述錐形發射器銷在離子電暈放電時產生等離子體區域，所述尖角面向所述殼體孔ロ且從所述殼體孔ロ凹入一定距離，所述距離大體相當于所述等離子體區域的尺寸； 所述殼體孔ロ大體呈圓形且具有一定直徑；并且 所述殼體孔ロ直徑與所述凹入距離之比介于大約O. 5和大約2. O之間。
17.根據權利要求I所述的電離棒，其特征在干， 制成所述制造裝置的材料選自由金屬導體、非金屬導體、半導體、單晶硅和多晶硅組成的混合物；并且 所述產生裝置與低壓源相連通，所述產生裝置在所述殼體內每分鐘提供范圍在O. 1-20升的氣體流，從而將至少很大一部分所述污染物副產品排出。
18.根據權利要求11所述的電離棒，其特征在干， 所述非電離氣體為正電性氣體； 所述電離電位為射頻電離電位；以及 所述制造裝置制造含電子、正、負離子和污染物副產品的等離子體區域。
19.根據權利要求11所述電離棒，其還包括至少ー個非電離電極用于將非電離電場疊加在所述等離子體區域內，所述非電離電場促使至少很大一部分離子移動通過所述殼體孔ロ并移入被引導趨向所述電荷中和目標的所述非電離氣體流。
20.一種電離棒，所述電離棒引導清潔電離氣體流趨向電荷中和目標的具有吸引力的非電離電場，所述電離棒接收非電離氣體流，排出污染物氣體流使其遠離所述電荷中和目標，接收足夠促使至少ー個電極電暈放電的電離電位，所述電離棒包括 至少ー個氣體通道，其用于接收非電離氣體流且引導清潔電離氣體流趨向所述電荷中和目標； 至少ー個排出通道，其用于排出來自所述電離棒污染物氣體流，且使其遠離所述電荷中和目標；以及 至少ー個殼體組件，姆個殼體組件包括 殼體，所述殼體具有孔ロ，并與所述氣體通道氣體連通，這樣一部分所述非電離氣體流可進入所述殼體； 至少ー個電離電極，所述電離電極制造等離子體區域，所述等離子體區域含電荷載體和污染物副產品，為響應所述電離電位的應用，所述電離電極被設置在所述殼體內，這樣所述等離子體區域從所述殼體孔ロ處凹入，這樣至少很大一部分產生的電荷載體移入所述非電離氣體流，從而形成清潔電離氣體流，所述清潔電離氣體流通過所述非電離電場被引導趨向所述電荷中和目標；以及 至少ー個排出ロ，其與所述排出通道和所述殼體氣體連通，在所述殼體內鄰近所述殼體孔ロ處產生氣壓，所述氣壓低于在所述殼體外部鄰近所述殼體孔ロ的所述非電離氣體流的氣壓，憑借此一部分所述非電離氣體流流入所述殼體內并使至少很大一部分所述污染物副產品涌入由排出通道排出的污染物氣體流中。
21.根據權利要求20所述的電離棒，其特征在干， 具有多個殼體組件； 每個所述殼體組件具有ー個電離電極，所述電離電極具有錐形銷，所述錐形銷具有面對所述殼體孔ロ的尖角；以及 每個所述殼體組件具有排出ロ，所述排出ロ包括導電空心套，所述錐形銷安置在所述導電空心套內，這樣所述電離電位通過所述排出ロ可應用于所述錐形銷。
22.根據權利要求20所述的電離棒，其特征在干， 具有ー個殼體組件，所述殼體組件具有包括大體線型的電暈線的電離電極，所述電暈線產生大體圓柱形的等離子體區域，當產生電離電位時，所述等離子體區域含有電荷載體和污染物副產品； 所述殼體孔ロ為狹槽，所述孔ロ沿至少大體上平行于所述電暈線的方向延伸。
23.根據權利要求20所述的電離棒，其特征在干， 具有ー個殼體組件，所述殼體組件具有電離電極，所述電離電極包括線型電暈鋸片，所述線型電暈鋸片可產生大體上呈平面的等離子體區域，當產生電離電位時，所述等離子體區域含有電荷載體和污染物副產品； 所述殼體孔ロ為狹槽，所述殼體孔ロ沿至少大體上平行于所述電暈鋸片的方向延伸。
24.根據權利要求20所述的電離棒，進ー步包括至少ー個非電離電極，其用于疊加非電離電場在所述等離子體區域內，所述非電離電場促使至少很大一部分離子移動通過所述殼體孔ロ并移入被引導趨向所述電荷中和目標的非電離氣體流。
25.—種電離棒，所述電離棒引導清潔電離氣體流趨向電荷中和目標的具有吸引力的非電離電場，所述電離棒接收非電離氣體流，排出污染物氣體流使其遠離所述電荷中和目標，接收足夠促使在正電性電離電極上電暈放電的正電性電離電位，以及接收足夠促使在負電性電離電極上電暈放電的負電性電離電位，所述電離棒包括 至少ー個氣體通道，所述氣體通道用于接收所述非電離氣體流并引導所述清潔電離氣體流趨向所述電荷中和目標； 至少ー個排出通道，所述排出通道排出來自所述電離棒的污染物氣體流并使其遠離所述電荷中和目標； 至少ー個正極殼體組件，包括 正極殼體，其具有與所述氣體通道氣體連通的孔ロ，這樣一部分所述非電離氣體流進入所述正極殼體； 至少ー個具有尖端的正電性電離電極，所述正電性電離電極可產生等離子體區域，所述等離子體區域含離子和污染物副產品，為響應所述正電性電離電位的應用，所述正電性電離電極被設置在所述正極殼體內，這樣所述尖端自所述殼體孔ロ處凹入一定距離，所述距離大體上相當于所述等離子體區域的尺寸，憑借此至少很大一部分產生的離子移入所述非電離氣體流，從而形成清潔電離氣體流，所述清潔電離氣體流通過所述非電離電場被引導趨向所述電荷中和目標；以及 至少ー個排出ロ，所述排出ロ與所述排出通道和所述殼體氣體連通，在所述正極殼體內鄰近所述孔ロ處產生氣壓，所述氣壓低于在所述正極殼體外部鄰近所述孔ロ的非電離氣體流的氣壓，憑借此一部分所述非電離氣體流流入所述正極殼體內，并使至少很大一部分所述污染物副產品涌入由所述排出通道排出的所述污染物氣體流中； 至少ー個負電性殼體組件,包括 負電性殼體，所述負電性殼體具有與所述氣體通道氣體連通的孔ロ，這樣一部分所述非電離氣體流進入所述負極殼體內； 至少ー個負電性電離電極，所述負電性電離電極具有尖端，所述負電性電離電極可產生等離子體區域，所述等離子體區域含離子和污染物副產品，為響應所述負電性電離電位的應用，所述負電性電離電極被設置在所述負極殼體內，這樣所述尖端自所述殼體孔ロ處凹入一定距離，所述距離大體上相當于所述等離子體區域的尺寸，憑借此至少很大一部分產生的離子移入所述非電離氣體流，從而形成清潔電離氣體流，所述清潔電離氣體流通過所述非電離電場引導趨向所述電荷中目標； 至少ー個排出ロ，所述排出ロ與所述排出通道和所述殼體氣體連通，所述負極殼體內鄰近所述孔ロ處產生氣壓，所述氣壓低于所述負極殼體外鄰近所述孔ロ的所述非電離氣體流的氣壓，憑借此一部分所述非電離氣體流流入所述負極殼體內并使至少很大一部分所述污染物副產品涌入由所述排出通道排出的所述污染物氣體流中。
26.根據權利要求25所述的電離棒，進ー步包括多對正、負極殼體組件，其中所述正、負極殼體組件設置為每隔ー個殼體組件為負極殼體組件，并且全部所述殼體孔ロ至少大體上面向所述電荷中和目標。
27.根據權利要求26所述的電離棒，其特征在于，所述氣體通道還包括多個噴嘴，所述噴嘴設置于相鄰殼體組件之間，所述非電離氣體通過所述噴嘴可被引導趨向所述電荷中和目標，從而促使所述清潔電離氣體流直接趨向所述電荷中和目標。
28.根據權利要求26所述的電離棒，還包括 正電性導電總線，其電連接至所述多個正電性電離電極，所述正電性導電總線用于接收所述正電性電離電位，并提供所述正電性電離電位至所述多個正電性電離電極；以及負電性導電總線，其電連接至所述多個負電性電離電極，所述負電性導電總線用于接收所述負電性電離電位，并提供所述負電性電離電位至所述多個負電性電離電極。
29.根據權利要求28所述的電離棒，其特征在干， 所述排出通道還包括電絕緣表面；和 所述正、負電性總線的至少ー個設置在所述排出通道的所述電絕緣表面上。
30.根據權利要求25所述的電離棒，其特征在干， 所述電離棒還包括正電性導電總線，其用于接收所述正電性電離電位； 所述正電性電離電極包括錐形銷，且在所述錐形銷的自由端處的頂端包含尖角；以及所述排出ロ包括導電空心套，所述錐形銷安置在所述導電空心套內，且所述導電空心套與所述正電性導電總線電連接，這樣所述正電性電離電位通過所述排出口和所述正電性總線可應用于所述錐形銷。
31.根據權利要求25所述的電離棒，其特征在于，至少很大一部分污染物副產品為氣體且通過所述排出ロ排出，所述污染物副產品是從由臭氧和氮氧化物組成的混合物中被挑選出的。
32.根據權利要求25所述的電離棒，其特征在干， 所述負電性電離電極包括錐形銷，所述錐形銷的自由端處的頂端包含尖角；所述負電性殼體孔口大體呈圓形并具有一定直徑；以及 所述負電性殼體孔口的直徑與所述凹入距離之比介于大約O. 5和大約2. O之間。
33.根據權利要求25所述的電離棒，其特征在于， 制成所述負電性電離電極的材料選自由金屬導體、非金屬導體、半導體、單晶硅和多晶硅組成的混合物；以及 所述負電性排出口與低壓源相連通，并在所述負極殼體內每分鐘提供范圍在1-20升的氣體流，從而排出至少很大一部分污染物副產品。
34.根據權利要求25所述的電離棒，其特征在于，所述正、負極殼體組件沿所述電離棒設置，這樣 適用于所述正電性電離電極的所述電離電位將非電離電場強加在所述負極殼體組件的等離子體區域上，所述電場足以促使至少很大一部分負離子移入所述非電離氣體流；以及 適用于所述負電性電離電極的所述電離電位將非電離電場強加在所述正極殼體組件的等離子體區域上，所述電場足以促使至少很大一部分正離子移入所述非電離氣體流。
35.根據權利要求25所述的電離棒，所述電離棒包括至少一個非電離電極，其用于在所述等離子體區域內疊加所述非電離電場，促使至少很大一部分離子移動通過所述殼體孔口并移入被引導趨向所述電荷中和目標的所述非電離氣體流。
全文摘要
清潔電暈電離棒將污染物副產品從電暈產生的離子中分離，可通過形成具有氣壓的非電離氣體流，且其被引導趨向電荷中和目標的具有吸引力的非電離電場，也可通過形成具有離子和污染物副產品的等離子體區域，其中所述氣壓足夠低于非離子氣體流阻止污染物副產品移入非電離氣體流的氣壓。電離棒可位于離電荷中和目標足夠近的位置，這樣電荷中和目標的非電離電場促使至少很大一部分的離子移入非電離氣體流并作為清潔電離氣體流趨向電荷中和目標。
文檔編號B01J19/08GK102844108SQ201180019006
公開日2012年12月26日 申請日期2011年2月8日 優先權日2010年2月11日
發明者彼得·格夫特 申請人:伊利諾斯工具制品有限公司