專利名稱：：用于處理包含四氟化硅和氯化氫的氣流的方法
技術領域：
：本發明涉及用于處理包含四氟化硅和氯化氫的氣流的方法。例如，本發明涉及處理這樣的氣流的方法，所述方法包括將氣流與和氯化氫反應的金屬接觸以提供氯化氫含量下降的經處理的氣流。本發明還涉及用于使包含四氟化硅和氯化氫的氣流經受高壓以提供適合運輸的氣流的方法。
背景技術：
：在硫酸催化劑的存在下通過氟硅酸(FSA)的分解可以制備包含四氟化硅(STF)的氣流。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>以這種方式制備的包含STF的氣流通常包含含有鹵化物的雜質(例如氯化氫)。例如，用于制造四氟化硅的工業化生產過程中利用的FSA通常來源于利用天然存在的磷酸鈣的磷酸工廠。由于磷酸鈣源通常包含一種或多種污染物，包括例如氯化鈣，因此這最終導致氯化氫存在于四氟化硅產物中。不期望在STF產物料流中存在氯化氫，因為它會與同樣存在于產物料流中的水分結合而導致STF產物的進一步加工中所用設備(例如管道、反應器、管道拖車等等)的腐蝕。用于處理包含四氟化硅的氣流的方法是已知的，所述方法包括例如包括在洗滌器中吸收和分解一種或多種雜質的方法(即，“濕”法)，而其它方法包括通過將氣體穿過填料塔來凈化氣流的方法(即，“干”法)，所述填料塔包括包含滲透到多孔載體如活性炭中的堿性組分的凈化劑。然而，這些干法和濕法通常都具有一種或多種缺點，例如，由于濕法制備的廢料是堿性水溶液，因此濕法通常的問題在于進一步處理以及與此相關的費用。在現有技術中也描述了包括用包含氧化鋅、氧化鋁和堿性組分的凈化劑處理氣流以除去有害氣體(例如鹵化物，如氯化氫和四氟化硅)的方法(例如參見Akita等人的第5，597，540號美國專利)。亟需提供適當除去污染物以提供適當純度的STF產物料流的簡單和有效的方法。發明概述簡言之，因此，本發明涉及用于純化具有一定濃度氯化氫的四氟化硅氣流的方法。在多個實施方案中，本發明涉及用于從四氟化硅氣體中除去氯化氫的方法。該方法包括將氣流與金屬源接觸，其中所述金屬與氯化氫反應，由此優先從氣流中除去氯化氫并提供包含四氟化硅且具有下降的氯化氫含量的經處理的氣流，所述下降的氯化氫含量不大于約90%(v/v)的初始氯化氫含量。在其它實施方案中，本發明涉及用于從包含四氟化硅并具有初始壓力和初始氯化氫含量的氣流中除去氯化氫的方法。該方法包括在一個或多個增加壓力的階段將氣流壓縮至大于初始壓力；并且該方法進一步包括將氣流與金屬源接觸，由此提供具有下降的氯化氫含量的經處理的氣流，該下降的氯化氫含量不大于約90%(v/v)的初始氯化氫含量。附圖簡述圖1提供本發明方法的示意圖。優選實施方案詳述本發明的方法包括使包含四氟化硅(STF)和氯化氫的氣流與可用金屬源如鋅接觸來制備具有一種或多種期望性質的四氟化硅氣流。有利地，本發明的方法從STF氣流中除去氯化氫，同時提供較高純度的STF氣流。將金屬與氯化氫反應，由此從STF氣流中除去污染物，并且已經發現金屬對于待除去的雜質顯示出選擇性使得所需的STF保留在經處理的氣流中。在這點上，應注意到通過本發明方法實現的雜質除去超出任何附帶除去，所述附帶除去與氣流和包含金屬的工藝設備的接觸相關。包含STF的氣流通常包含與雜質如氯化氫結合的水分，這通常導致氣流加工和運輸中使用的設備(例如管道、反應器、管道拖車等等)的腐蝕。通常，使包含STF的氣流經受高壓以提供適合運輸的氣流。通過本發明方法制備的STF氣流顯示有助于減少STF氣流的運輸和/或進一步加工中使用的設備(例如壓縮機、管道、反應器、管道拖車等等)腐蝕的氯化氫的水平。通常使包含STF的氣流經歷一個或多個高壓階段以提供適合運輸的氣流。在該加工期間本發明的處理方法可以在多處應用。例如，可以在單階段高壓之前利用該處理方法降低STF氣流的氯化氫含量，或者可在多階段高壓的第一階段之后利用該處理方法減少氯化氫。耐蝕性材料為市售的(例如多種金屬合金如耐熱鎳鉻鐵合金(Incoloy)、莫內爾合金(Monel)和哈氏合金(Hastelloy))，但是這些專用材料的成本通常阻礙其廣泛應用于包含STF的氣流的加工和運輸。因此，本發明不僅依靠選擇性除去氯化氫來提供高純度STF料流，而且通過降低或消除加工和運輸包含STF的氣流中對專用材料使用的需求而提供經濟效益。雜質除去通常，本發明的方法包括將待處理氣流(例如包含STF的氣流)與金屬源接觸，該金屬源促進從氣流中除去不期望雜質。例如，包含STF的氣流通常包含一種或多種雜質例如諸如氯化氫。在多個實施方案中，該方法包括將包含STF的氣流與鋅源接觸以根據以下反應式從氣流中除去氯化氫2HC1+Zn—ZnCl2+H2以下討論集中在利用鋅從包含STF的氣流中除去氯化氫，但是應該理解本發明通常應用于使用鋅以外的金屬除去其它雜質，以及除去氯化氫和其它雜質。如上所述，本發明的方法包括反應性過程，其中通過使雜質與金屬反應產生可以從氣流中除去的物種來除去雜質(例如當通過與鋅源接觸除去氯化氫時，產生氯化鋅和氫)。在其它實例中，當通過與鎂源接觸除去氯化氫時，產生氯化鎂和氫。可以使用常規方法回收這些產物，并且這些產物還可以表示有效產物。用于從包含STF的氣流中除去雜質的多種已知方法涉及在不存在任何反應的情況下除去雜質，包括例如通過將雜質與吸收劑接觸以除去雜質。這樣的方法的缺點是難以優先除去雜質并難以提供高純度產物。因此，本發明的反應性過程代表相對于此類方法的進步，因為其可以用于除去雜質同時提供較高純度的產物。特別地，在這點上，應該注意到本發明適合從包含另一氣態組分的包含STF的氣流中除去一種氣態雜質。這代表相對現有技術的進步，因為包含雜質的氣流通常包含所需的STF氣態組分連同氣態雜質，并且常規方法(例如使用吸收劑)通常不能選擇性地從氣流中除去雜質，或者至少通常不能在除去雜質的同時提供期望純度的產物料流。本發明的該特征通常可以通過雜質除去效率表示。例如，在多個實施方案中，金屬通常提供的雜質(例如氯化氫)除去效率至少為約75%、至少約80%、至少約90%、至少約95%、至少約98%，或者至少約99.9%。通常，雜質除去效率為約75%-約99.9%、更通常為約90%-約99.9%以及再更通常為約95%-約99.9%。不受特定理論束縛，目前認為與包含STF的氣流接觸用以除去雜質的金屬的電負性至少在某種程度上有助于選擇性除去雜質。特別地，已經發現電負性低于待除去雜質(例如氯化氫)電負性的多種金屬選擇性除去雜質。例如，在多個實施方案中(例如其中待除去雜質為氯化氫的那些)，通常與鐵相比金屬的電負性通常低于約1.65(例如鋅)，低于約1.55(例如鈦)，或者低于約1.3(例如鎂)。因此，通常出現在周期表第2-4族和第12-14族的金屬適合在本發明的方法中使用。族數參考目前的國際純化學和應用化學聯盟(IUPAC)編碼系統。本發明的方法可以用于處理不同組成的包含STF和氯化氫的氣流。待處理氣流的STF濃度不太重要，并且通常可以為至少約80%(按體積計)、至少約90%(按體積計)、至少約95%(按體積計)、至少約98%(按體積計)，或者至少約99%(按體積計)。通常，氣流期望的組分以約90%-約99%(按體積計)、約95%-約99%(按體積計)，或約98%-約99%(按體積計)的濃度存在。應該注意到待用本發明的方法處理的氣流可以按不同的比例包含多種惰性組分。這些惰性組分的存在不影響本方法。類似地，氯化氫的含量可以在較寬的范圍內變化，但通常至少為約0.5%(按體積計)、至少約(按體積計)、至少約3%(按體積計)，或者至少約6%(按體積計)。通常，氣流的氯化氫的含量為約0.5%-約10%(按體積計)、約約6%(按體積計)，更通常為約1.5%-約4.5%(按體積計)，再更通常為約2%-約4%(按體積計)。待處理的包含STF的氣流的水分含量通常至少為約100份/百萬(ppm)、至少約300ppm、至少約800ppm，或者至少約1700ppm。通常，包含STF的氣流的水分含量為約lOOppm-約2500ppm、約300ppm-約1700ppm、約300ppm-約800ppm，或約400ppm-約600ppm。如上所述，本發明的方法包括將待處理的包含STF的氣流與和雜質反應的金屬接觸以從氣流中除去雜質并提供經處理的氣流。金屬源不太重要并且通常可以選自第2-4族和第12-14族金屬的金屬氧化物和金屬氫氧化物及其組合。在多個優選的實施方案中，金屬包括鋅和/或鎂，以及在進一步優選的實施方案中，金屬包括鋅或基本上由鋅組成。在金屬包括鋅的情況下，金屬源可以包括氧化鋅、氫氧化鋅和/或鋅。在另一實例中，在金屬包括鎂的情況下，金屬源可以包括氧化鎂、氫氧化鎂和/或鎂。圖1提供一般性描述本發明方法的示意圖。如圖所示，包含STF的氣流2穿過管道5的低壓部分(例如“分離罐”)，其用于從然后進入容器11并與金屬源14接觸的氣流中除去可冷凝雜質。然后將離開容器11的包含STF的氣流17送至第一壓縮機20以提供第一個壓縮的包含STF的氣流23。然后將第一個壓縮的包含STF的氣流23傳遞至第二壓縮機26以提供最終經處理的包含STF的氣流29。如在本文其它地方所詳細說明的，本發明的方法不限于圖1中所示的安排。例如，在多個實施方案中，最初可以將待處理的包含STF的氣流送至第一壓縮機以提供壓縮的氣流，所述壓縮的氣流然后在容器中與金屬源接觸，然后在一個或多個隨后的壓縮機中與經處理的氣流接觸。為了促進包含STF的氣流和金屬之間的充分界面接觸，金屬源通常為粉末或粒子的形式。在多個實施方案中，將包含STF的氣流與包含金屬源的床接觸。通常，金屬源可以為填充床、流化床，或移動床的形式。在多個優選實施方案中，金屬源為填充床的形式。沿著金屬源床的壓力降不太重要，并且通常取決于例如床設計和填料密度。通常，沿著金屬源床的壓力降為約lpsig-約25psig，更通常為約2psig-約lOpsig，以及再更通常為約3psig-約7psig。應該注意到金屬源的確切形式和性質不太重要，但通常選擇金屬源以提供氣流和金屬的密切接觸并提供氣流在床內的充分停留時間。不管金屬源或包含金屬源的床的確切形式如何，在多個實施方案中，金屬源為粒子形式，表面積至少約為80ft2/ft3，至少約120ft2/ft3，或者至少約200ft2/ft3。通常，粒子形式金屬源的表面積為約80ft2/ft3-600ft2/ft3，更通常為約120ft2/ft3-約500ft2/ft3，以及再更通常為約200ft2/ft3-約400ft2/ft3。根據這些或其它實施方案，通常至少部分金屬源為顆粒的形式，尺寸為約500um-約5000um、約1000um-約4000um,或者約2000um-約3000um。金屬源或包含金屬源的床的孔隙率同樣不太重要，但通常為約30%-約80%，更通常為約40%-約70%，以及再更通常為約50%-約70%。為了促進包含STF的氣流和金屬源之間的充分界面接觸，單位體積氣流中金屬源的面積和/或質量可以期望在某值或在某范圍內。例如，通常包含STF的氣流以至少約0.05磅、至少約0.1磅、至少約0.2磅，或者至少約0.3磅(lb)氣流/小時(hr)ft2金屬源表面積的速率與金屬接觸。通常，金屬源和氣流接觸的速率為約0.051b/hrXft2-約0.51b/hrXft2、約0.051b/hrXft2-約0.41b/hrXft2，或者約0.llb/hrXft2-約0.31b/hrXft2。根據有關待處理的包含STF的氣流的組成、金屬源的形式等的任何或全部上述詳細說明，金屬源和包含STF的氣流之間接觸的條件不太關鍵。例如，一般是包含STF的氣體和金屬的接觸溫度通常為至少約25°C、至少約35°C，或者至少約45°C。通常，接觸溫度為約25°C-約90°C，更通常為約35°C-約80°C，以及再更通常為約45°C-約70°C。作為附加條件或作為替換，包含STF的氣體和金屬的接觸壓力通常至少為約50psig、至少約250psig，或者至少約500psig。通常，金屬和包含STF的氣體的接觸壓力為約50psig-約1500psig，更通常為約250psig-約1250psig，以及再更通常為約500psig-約lOOOpsig。雖然對于雜質除去效率不太重要時，但是料流與金屬源接觸的速率可以表明和/或有助于方法的經濟性。即，在較寬范圍的氣流流速下通常可以充分除去，在假設同等雜質除去的情況下，增加氣體流速使得方法在經濟上優勢增加。通常，包含STF的氣流以至少約0.lft/分鐘、至少約1ft/分鐘、至少約2ft分鐘，或者至少約4ft/分鐘的空速通過金屬源的床。通常，氣流以約0.lft/分鐘-約8ft/分鐘、約0.5ft/分鐘-約5ft/分鐘，或者約lft/分鐘-約4ft/分鐘的空速通過金屬源的床。氣流的壓縮如上所述，通常在使用金屬管和/或管道拖車運輸料流之前處理(例如通過壓縮)包含STF的氣流。通常，在運輸之前將包含STF的氣流壓縮以減少運輸需要的設備容積。例如，可以在一個或多個包括使料流經受不斷升高的高壓的階段壓縮包含STF的氣流。本發明的方法降低氣流的雜質含量，該雜質會與存在于氣流中的水分結合而在進一步加工中腐蝕設備。具體地，本發明的方法通常提供經處理的包含STF的氣流，其中的氯化氫含量不大于約90%(按體積計)、或不大于約80%(按體積計)的氣流的初始氯化氫含量。即本發明的方法提供遠超過任何附帶除去氯化氫的氯化氫除去，所述附帶除去氯化氫可以通過將包含STF的氣流和金屬工藝設備接觸來提供。例如，在多個實施方案中，可以在第一個較低壓力的壓縮機中壓縮料流，包括使包含STF的氣流經受至少約lOOpsig、至少約200psig，或者至少約300psig(例如約lOOpsig-約700psig、約200psig-約600psig,或者約300psig-約500psig的壓力)的壓力。可以使包含STF的氣流進一步經受一個或多個更高壓力的階段，例如至少約SOOpsig、至少約lOOOpsig，或者至少約1200psig。在多個實施方案中，使包含STF的氣流經受一個或多個為約lOOOpsig-約1800psig、約1200psig-約1600psig,或者約1300psig-約1500psig的高壓階段。本發明的處理方法在該加工期間可以應用于多處。例如，可以在一個或多個高壓階段的第一個之前除去雜質，或者可以在一系列高壓階段的階段之間進行(例如在第一高壓階段之后，但在一個或多個隨后階段之前)。如圖1所示和如前所述，可以將經處理的包含STF的氣流4引入第一個較低壓力的壓縮機9，隨后在第二個較高壓力的壓縮機13中進一步處理。不管階段的準確數目如何，在經受高壓之前，通常根據本方法將水分含量為例如至少約lOOppm、至少約300ppm，或者至少約800ppm(例如約300ppm_約1700ppm)的包含STF的氣流與金屬接觸。經處理的氣流如上所述，根據本發明待處理的包含STF的氣流的組成不太重要。不管除去的雜質和保留的所需產物的比例如何，通常經處理的包含STF的氣流中雜質的濃度低于約6%(按體積計)、低于約4%(按體積計)、低于約2%(按體積計)，或者低于約(按體積計)。通常，經處理的氣流的雜質含量低于約0.75%(按體積計)，更通常低于約0.5%(按體積計)、再更通常低于約0.25%(按體積計)，甚至更通常低于約0.1%(按體積計)。根據這些和多種其它實施方案，經處理的氣流的雜質含量可以甚至更低(例如不大于約500ppm、不大于約250ppm，或者不大于約lOOppm)。作為附加特征或可選特征，經處理的氣流的多種其它特征可以是工藝性能的指標。本發明方法處理具有初始雜質含量的氣流以提供雜質含量下降的經處理的氣流。例如，在包含氯化氫作為雜質的包含STF的氣流的情況下，本發明的方法可以提供具有下降的氯化氫含量的經處理的包含STF的氣流，所述下降的氯化氫含量不大于約80%(v/v)、不大于約70%(v/v)、不大于約60%(v/v)、不大于約50%(v/v)、不大于約40%(v/v)、不大于約30%(v/v)，或者不大于約20%(v/v)的初始氯化氫含量。根據這些和多種其它實施方案，可以實現甚至更高的雜質除去以提供氯化氫含量下降的經處理的氣流，所述氯化氫含量不大于約10%(v/v)、不大于約5%(v/v)、不大于約2.5%(v/v)，或者不大于約(v/v)(例如不大于約0.5%)的初始氯化氫含量。相當于如上所述的全部雜質除去通常提供優勢方法，但會期望實現適當的除去而不要求較長期的操作過程。隨著除去適當雜質需要的時間縮短，本方法的經濟優勢提高。在多個實施方案中，已經觀察到在氣流和金屬源接觸的不大于約60分鐘、不大于約30分鐘、不大于約2分鐘，或者不大于約0.1分鐘的時間內，本發明的方法提供雜質含量的適當下降。通常，在接觸約0.1分鐘-約60分鐘，更通常為接約2分鐘-約30分鐘以及更通常為接約5分鐘-約15分鐘的時間內實現雜質含量的適當下降。在這點上，應該注意到本發明的方法可以使用單床或多床進行。在多床的情況下，可以串聯地或并聯地排列床，多床內的停留時間可以相應地改變。如上所述，本發明的方法代表進步，因為其提供了優選的雜質除去。因此，在氣流中期望產物如STF的保留也可以用作工藝性能的指標。通常，通過與金屬源接觸以從氣流中除去最初存在于待處理氣流中的不大于約10%(v/v)、不大于約5%(v/v)，或者不大于約2%(v/v)的四氟化硅。根據這些和其它實施方案，可以實現四氟化硅的更多保留。例如通常從氣流中除去不大于約(v/v)，更通常不大于約0.5%(v/v)，以及再更通常不大于約0.25%(v/v)(例如不大于約0.)的STF。即，在多個實施方案中，經處理的氣流的STF含量可以超過99%的初始STF含量(例如約99.9%)。本發明通過以下實施例進一步例示。這些實施例不被認為是限制本發明的范圍或者限制本發明可以實施的方式。實施例實施例1本實施例描述對根據本發明的包含氯化氫(HC1)和四氟化硅(STF)的氣流的處理。在14天過程中進行測試。氣流包含大約1.6體積％-1.9體積％的HC1，大約97體積％的STF，并具有大約600ppm-800ppm的水分含量。以大約0.llb/hrXft2的速率將氣流與包含大約20g鋅箔的填充床接觸。氣流和填充床接觸的溫度為大約50°C-80°C并且壓力為大約0psig-200psig。在測試期間，將氣流的HC1含量降低至大約0.3%-0.6%(按體積計)。如表1所示，這表明氯化氫的除去效率為大約87%-大約92%。表1天溫度12天80°C13天60°C12天50°C14天60°C實施例2本實施例描述對根據本發明的包含氯化氫(HC1)和四氟化硅(STF)的氣流的處理。進行3個試驗，持續時間為(1)456小時、(2)157小時和(3)131小時。氣流包含大約4體積％-6體積％的HC1，大約94體積％-97體積％的STF，并具有大約800ppm-1700ppm的水分含量。以大約0.llb/hrXft2-0.51b/hrXft2的速率，通常為大約0.31b/hrXft2的平均速率將氣流與包含大約1201b氧化鋅的填充床接觸。注意到在本實施例中使用的填料包含鋅金屬刨屑和鋅金屬旋屑的混合物，并且鋅表面積相近以提供這些速率。然而，本領域技術人HC1除去效率(％)87979492員可以制備表面積在相近范圍內的填料并相應地改變流速。氣流和填充床接觸的溫度為大約30°C-80°C，并且壓力為大約50psig-400psig。在測試期間，將氣流的HC1含量降低至大約-4%(按體積計)的含量。如表2-4所示，在測試期間實現了大約90%以上的氯化氫除去效率。表2試驗(1)時間(小時)0HC1除去效率(％)0.014.878048780.599.58536585399.65853659799.853658541594.231707322397.3170731736未檢測*4892.6829268372未檢測*96未檢測*120未檢測*144未檢測*168未檢測*168未檢測*192未檢測*21670.7317073224070.7317073226463.4146341528863.4146341531260.9756097633662.439024393603.65853658538456.0975609840846.3414634143253.658536594567.317073171*HC1除去效率不是根據中斷的方法計算，或測量未進行。表3試驗(2)時間(小時)HC1除去效率(％)287.271565.312785.47<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>0107]表4試馬i⑶0108]時間(小時)HC1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>權利要求用于從包含四氟化硅并具有初始氯化氫含量的氣流中除去氯化氫的方法，所述方法包括將氣流與金屬源接觸，其中金屬與氯化氫反應，由此優先從氣流中除去氯化氫并提供包含四氟化硅且具有下降的氯化氫含量的經處理的氣流，所述下降的氯化氫含量不大于約90％(v/v)的初始氯化氫含量。2.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣流的水分含量為至少約lOOppm、至少約300ppm,或者至少約800ppm。3.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣流的水分含量為約IOOppm-約2500ppm、約300ppm-約1700ppm，或者約300ppm-約800ppm。4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其中所述金屬顯示的除去效率為至少約95%、至少約98%，或者至少約99.9%。5.根據權利要求1-4任一項所述的方法，其中所述下降的氯化氫含量不大于約10%(v/V)、不大于約5%(ν/ν)、不大于約2.5%(ν/ν)、不大于約(ν/ν)，或者不大于約0.5%(ν/ν)的初始氯化氫含量。6.根據權利要求1-5任一項所述的方法，其中所述下降的氯化氫含量在開始所述接觸的約60分鐘內、約30分鐘內，或者約2分鐘內實現。7.根據權利要求1-6任一項所述的方法，其中在所述接觸期間，從氣流中除去不大于約(ν/ν)、不大于約0.5%(ν/ν)、不大于約0.25%(ν/ν)，或者不大于約0.(ν/ν)的四氟化硅。8.根據權利要求1-7任一項所述的方法，其中所述金屬源包括金屬氧化物、金屬氫氧化物，或者它們的組合。9.根據權利要求1-8任一項所述的方法，其中所述金屬顯示低于約1.65、低于約1.55，或者低于約1.3的電負性。10.根據權利要求1-9任一項所述的方法，其中所述金屬選自鋅、鎂和它們的組合。11.根據權利要求1-10任一項所述的方法，其中所述金屬包括鋅，并且金屬源選自氧化鋅、氫氧化鋅和它們的組合。12.根據權利要求11所述的方法，其中鋅與氯化氫反應以產生氯化鋅。13.根據權利要求1-12任一項所述的方法，其中所述金屬包括鎂，并且金屬源選自氧化鎂、氫氧化鎂和它們的組合。14.根據權利要求13所述的方法，其中鎂與氯化氫反應以產生氯化鎂。15.根據權利要求1-14任一項所述的方法，其中所述接觸在約25°C-約90°C、約350C-約80°C，或者約45°C-約70°C的溫度下進行。16.根據權利要求1-15任一項所述的方法，其中所述接觸在約50psig-約1500psig、約250psig-約1250psig，或者約500psig-約IOOOpsig的壓力下進行。17.根據權利要求1-16任一項所述的方法，其中所述金屬源的表面積至少為約80ft2/ft3、至少約120ft2/ft3，或者至少約200ft2/ft3。18.根據權利要求17所述的方法，其中所述金屬源的表面積為約80ft2/ft3-約600ft2/ft3、約120ft2/ft3-約500ft2/ft3，或者約200ft2/ft3-約400ft2/ft3。19.根據權利要求1-18任一項所述的方法，其中所述氣流與金屬接觸的速率至少為約0.051b/hrXft2、至少為約0.llb/hrXft2、至少為約0.21b/hrXft2，或者至少約0.31b/hrXft2。20.根據權利要求1-19任一項所述的方法，其中所述氣流與金屬接觸的速率為約0.051b/hrXft2-約0.51b/hrXft2、約0.051b/hrXft2-約0.41b/hrXft2，或者約0.Ilb/hrXft2-約0.3IbArXft2021.根據權利要求1-20任一項所述的方法，其中至少部分金屬源為顆粒的形式，尺寸為約500μm-約5000μm、約1000μm-約4000μm,或者約2000μm-約3000μm。22.根據權利要求1-21任一項所述的方法，其中所述金屬源顯示約30%-約80%、約40%-約70%，或者約50%-約70%的孔隙率。23.根據權利要求1-22任一項所述的方法，其中所述氣流與包含金屬源的床接觸。24.根據權利要求23所述的方法，其中沿著床的壓力降為約Ipsig-約25psig、約2psig-^IOpsig,3psig-^7psig。25.根據權利要求23或24所述的方法，其中所述氣流以至少約0.Ift/分鐘、至少約Ift/分鐘、至少約2ft/分鐘，或者至少約4ft/分鐘的空速通過金屬源的床。26.根據權利要求23所述的方法，其中所述床為填充床、流化床，或移動床的形式。27.一種用于從包含四氟化硅并具有初始壓力和初始氯化氫含量的氣流中除去氯化氫的方法，所述方法包括在一個或多個增加壓力大于初始壓力的階段將氣流壓縮；以及將氣流與金屬源接觸，由此提供具有下降的氯化氫含量的經處理的氣流，所述下降的氯化氫含量不大于約90%(ν/ν)的初始氯化氫含量。28.根據權利要求27所述的方法，其中所述壓縮包括使氣流經受增加壓力至少為約lOOpsig、至少為約200psig，或者至少為約300psig的第一階段。29.根據權利要求27所述的方法，其中所述壓縮包括使氣流經受增加壓力為約IOOpsig-約700psig、約200psig-約600psig,或者約300psig-約500psig的第一階段。30.根據權利要求28或29所述的方法，其中在所述第一階段之前，氣流的水分含量為至少約lOOppm、至少約300ppm、至少約800ppm，或者至少約1700ppm。31.根據權利要求28或29所述的方法，其中在所述第一階段之前，所述氣流的水分含量為約IOOppm-約2500ppm、約300ppm-約1700ppm、約300ppm-約800ppm，或者約400ppm-約600ppm。32.根據權利要求28-31任一項所述的方法，其中所述壓縮包括使氣流經受增加壓力至少為約800psig、至少為約lOOOpsig，或者至少為約1200psig的第二階段。33.根據權利要求28-31任一項所述的方法，其中所述壓縮包括使氣流經受增加壓力為約IOOOpsig-約1800psig、約1200psig-約1600psig，或者約1300psig-約1500psig的第二階段。34.根據權利要求32或33所述的方法，其中在所述第二階段之前，所述氣流的水分含量為至少約lOOppm、至少約300ppm、至少約800ppm，或者至少約1700ppm。35.根據權利要求32或33所述的方法，其中在所述第二階段之前，所述氣流的水分含量為約IOOppm-約2500ppm、約300ppm-約1700ppm、約300ppm-約800ppm，或者約400ppm-約600ppm。36.根據權利要求28-35任一項所述的方法，其中所述接觸在所述第一階段之前進行。37.根據權利要求32-36任一項所述的方法，其中所述接觸在所述第一階段和所述第二階段之間進行。38.根據權利要求27-37任一項所述的方法，其中在所述接觸期間，金屬與氯化氫反應，由此提供包含四氟化硅且具有下降的氯化氫含量的經處理的氣流。39.根據權利要求38所述的方法，其中下降的氯化氫含量不大于約70%(ν/ν)的初始氯化氫含量。40.根據權利要求38或39所述的方法，其中下降的氯化氫含量在所述接觸開始的約60分鐘內、約30分鐘內，或者約2分鐘內實現。41.根據權利要求27-40任一項所述的方法，其中在所述接觸期間，從氣流中除去不大于約(ν/ν)、不大于約0.5%(ν/ν)、不大于約0.25%(ν/ν)，或者不大于約0.(ν/ν)的四氟化硅。42.根據權利要求27-41任一項所述的方法，其中所述金屬包括鋅，并且金屬源選自氧化鋅、氫氧化鋅和它們的組合。43.根據權利要求42所述的方法，其中鋅與氯化氫反應以產生氯化鋅。44.根據權利要求27-43任一項所述的方法，其中所述接觸在約25°C-約90°C的溫度下進行。45.根據權利要求27-44任一項所述的方法，其中所述接觸在約50psig-約1500psig的壓力下進行。全文摘要本發明涉及用于處理包含四氟化硅和氯化氫的氣流的方法。例如，本發明涉及處理此類氣流的方法，所述方法包括將氣流與和氯化氫反應的金屬接觸以提供具有下降的氯化氫含量的經處理的氣流。本發明還涉及用于使包含四氟化硅和氯化氫的氣流經受高壓以提供適合運輸的氣流的方法。文檔編號B01D53/68GK101827642SQ200880109341公開日2010年9月8日申請日期2008年9月2日優先權日2007年9月4日發明者維塔爾·雷萬卡爾,賈米勒·伊布拉希姆申請人:Memc電子材料有限公司