專利名稱：尖端上的催化劑顆粒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
所述技術(shù)一般涉及納米結(jié)構(gòu)，更具體地涉及尖端上的催化劑顆粒。
背景技術(shù)：
近來，關(guān)于碳納米管(CNT)和CNT應(yīng)用已經(jīng)進(jìn)行了大量研究。所述應(yīng)用中的一種涉及將CNT應(yīng)用于場發(fā)射器件(FED)的電子發(fā)射器。通常，F(xiàn)ED將外部電場施加到電子發(fā)射器的表面以利用量子力學(xué)隧道向外發(fā)射表面上的電子。CNT具有良好的導(dǎo)電率、良好的場增強(qiáng)效應(yīng)、比金屬低的功函和良好的場發(fā)射性能。此外，CNT具有良好的耐化學(xué)性能和良好的W^強(qiáng)度，因此允許用于制造耐用的電子發(fā)射器。
J. Kong等A^Chem. Phys. Lett. 292, 567 (1988)中和J. Hafner等人在Chem. Phys. 296,195 (1998)中描述了 一種采用Fe和Mo或Fe金屬顆粒作為催化劑、通過熱化學(xué)氣相沉積(CVD)法形成CNT的方法。最近，已經(jīng)對利用各種金屬催化劑在陰極上形成CNT的方法進(jìn)行了研究。例如，S. H. Heo等人在Applied. Lett.卯，183109 (2007)中描述了 一種使用鎳催化劑、通過等離子體增強(qiáng)CVD方法在鎢尖上形成多壁CNT的方法。
為了將CNT用作FED的場發(fā)射器，有必要在電場集中的陰極頂點(diǎn)周圍形成CNT以使場發(fā)射器是電學(xué)上可靠的。因此，需要在陰極頂點(diǎn)周圍形成催化劑顆粒。目前的一個缺點(diǎn)是難以可靠地控制催化劑顆粒。
發(fā)明內(nèi)容
在一個實(shí)施方案中， 一種在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的方法包括配置金屬尖端與包含金屬催化劑離子的電解質(zhì)溶液相間隔。所述方法還包括向電解質(zhì)溶液施加電壓以從電解質(zhì)溶液發(fā)射金屬催化劑離子和使發(fā)射的金屬催化劑離子附著到金屬尖端。
在一個實(shí)施方案中， 一種在金屬尖端上形成納米結(jié)構(gòu)的方法包括在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒和在金屬尖端上由所述金屬催化劑顆粒形成納米結(jié)構(gòu)。在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒包括向包含金屬催化劑
催化劑離子，并且使所iiiL射的金屬催化劑離子附著到金屬尖端。
提供本發(fā)明內(nèi)容是為了以簡化的形式引入構(gòu)思的選擇，該構(gòu)思的選擇將在下文的具體實(shí)施方式
中進(jìn)一步描述。本發(fā)明內(nèi)容無意于確定所要求保護(hù)主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也無意于用作確定所要求保護(hù)主題范圍的輔助內(nèi)容。
圖1是在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的一種方法的一個示例性實(shí)施方案的流程圖。
圖2~4是在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的一種方法的一個示例 性實(shí)施方案的示意圖。
圖5是在金屬尖端上形成納米結(jié)構(gòu)的一種方法的一個示例性實(shí)施方案的流程圖。
圖6是在金屬尖端上形成納米結(jié)構(gòu)的一種方法的一個示例性實(shí)施方案的示意圖。
圖7A和7B顯示了示出場發(fā)射穩(wěn)定性和場發(fā)射發(fā)射器I-V性能評價結(jié)果的圖的示例性實(shí)施方案。
具體實(shí)施例方式
在以下詳細(xì)說明中，參考所述附圖，所述附圖形成該詳細(xì)說明的一部分。在附圖中，類似的附圖標(biāo)記通常表示類似的組件，除非上下文另有說明。在詳細(xì)說明、附圖和權(quán)利要求中描述的示例性實(shí)施方案不是意圖限制。在不脫離本文提出的主題的精神或范圍的情況下，可以使用其它的實(shí)施方案，并且可以做出其它變化。將會容易地理解，可以以各種不同的配置來布置、取代、組合和設(shè)計(jì)如在本文中一般性描述和在附圖中示出的本^^開申請的組件，所述各種不同的配置全部是明顯可預(yù)期的，并且構(gòu)成4^〉開申請的一部分。
6還應(yīng)理解，當(dāng)一個元件或?qū)拥vL稱為在另一個元件或?qū)?上"時，所述元件或?qū)涌梢允侵苯釉谒隽?一個元件或?qū)由?，或者可以存在中間元件或?qū)?。如本文所用的，表?和/或"可包括一個或更多相關(guān)列出項(xiàng)目的任意和全部組合。
在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的方法圖1是在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的一種方法的一個示例性實(shí)
施方案的流程圖。參考圖1,以框110開始，將金屬尖端布置與電解質(zhì)溶
液相間隔。例如，可將金屬尖端布置在電解質(zhì)溶液上方。電解質(zhì)溶液包含
金屬催化劑離子。在框120中，電源(例如外部電源)向電解質(zhì)溶液施加電壓，由此使電解質(zhì)溶^JL射金屬催化劑離子。在框130中，由于在金屬尖端周圍形成電場，所以發(fā)射的金屬催化劑離子附著到金屬尖端上。結(jié)果，在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒。
圖2~4是在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的一種方法的一個示例性實(shí)施方案的示意圖。參考圖2,具有頂點(diǎn)202的金屬尖端201布置為與電解質(zhì)溶液203相間隔。金屬尖端201例如可由金屬(例如鵠、鎳、鋁、鉬、鉭或鈮)或其合金形成。在一個實(shí)施方案中，金屬尖端201上的頂點(diǎn)202可通過在電解質(zhì)溶液中電化學(xué)腐蝕金屬絲來形成。例如，可在氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液中電化學(xué)腐蝕鵠絲來形成具有頂點(diǎn)的鎢尖端。又如，可以在混有氬硫酸的氯化氬溶液中電化學(xué)腐蝕鋁絲來形成具有頂點(diǎn)的鋁尖端。在另一個實(shí)施方案中，金屬尖端201上的頂點(diǎn)202可通it^J"削金屬絲來形成。
可以將包含金屬催化劑離子204的電解質(zhì)溶液203設(shè)置在電極容器205內(nèi)。金屬催化劑離子204可由電解質(zhì)溶液203中的金屬催化劑形成。在一個實(shí)施方案中，金屬催化劑離子204可以是當(dāng)金屬催化劑將其一些電子釋放到電解質(zhì)溶液203中時具有正電荷的金屬陽離子。在另一個實(shí)施方案中，金屬催化劑離子204可以是當(dāng)金屬催化劑從電解質(zhì)溶液203獲得一些電子時具有負(fù)電荷的金屬陰離子。金屬催化劑離子204例如可以包括鎳離子、鈷離子、鉬離子、鐵離子等或其組合。
參考圖3,外部電源301向電解質(zhì)溶液203施加電壓，這導(dǎo)致電解質(zhì)溶液203從電解質(zhì)溶液203向外發(fā)射金屬催化劑離子204。在一個實(shí)施方案中，外部電源301連接在金屬尖端201和電極容器205之間，以向電解質(zhì)溶液203施加電壓。在一個實(shí)施方案中，當(dāng)金屬催化劑離子204具有正電荷時，可施加電壓以4吏得金屬尖端201具有負(fù)電位且電解質(zhì)溶液203具有正電位。在另一個實(shí)施方案中，當(dāng)金屬催化劑離子204具有負(fù)電荷時，可施加電壓以使金屬尖端201具有正電位且電解質(zhì)溶液203具有負(fù)電位。
施加到電解質(zhì)溶液203的電壓產(chǎn)生靜電力。所產(chǎn)生的靜電力可4吏金屬催化劑離子204朝電解質(zhì)溶液203的表面聚集。朝電解質(zhì)溶液203表面聚集的金屬催化劑離子204可以表現(xiàn)出相互的靜電排斥。此時，當(dāng)施加超過閾值電壓的電壓時，金屬催化劑離子204可克服電解質(zhì)溶液203的表面張力，從而使金屬催化劑離子204從電解質(zhì)溶液203表面發(fā)射出去。閾值電壓是指施加到電解質(zhì)溶液203中的臨界電壓，它是金屬催化劑離子650可存在于電解質(zhì)溶液203中的上限電壓(盡管存在金屬催化劑離子650相互之間的靜電排斥和與電解質(zhì)溶液203之間的靜電排斥)。
通過電壓在金屬尖端201周圍形成的電場將從電解質(zhì)溶液203發(fā)射的金屬催化劑離子204引向金屬尖端201。在一個實(shí)施方案中，該電場集中在金屬尖端201的頂點(diǎn)202上，因此所發(fā)射的金屬催化劑離子204可以附著到金屬尖端201的頂點(diǎn)202上。所附著的金屬催化劑離子204可從金屬尖端201接受電子或者將電子供給到金屬尖端201,從而使金屬催化劑離子204還原或氧化成金屬尖端201上的金屬催化劑原子。
參考圖4,金屬催化劑顆粒401形成于金屬尖端201上。在金屬尖端201上還原或氧化的金屬催化劑原子彼此結(jié)合形成金屬催化劑顆粒401。金屬催化劑顆粒401可以以薄膜的形式形成于金屬尖端201上。在一個實(shí)施方案中，金屬催化劑顆粒401可以在電場集中的金屬尖端201的頂點(diǎn)202周圍形成。金屬催化劑顆粒401的尺寸可以通過調(diào)節(jié)從電解質(zhì)溶液203移動至金屬尖端201的金屬催化劑離子204的量來確定。從電解質(zhì)溶液203移動至金屬尖端201的金屬催化劑離子204的量可通過測量金屬催化劑離子204所產(chǎn)生的電荷量來監(jiān)測，由此可以通過改變施加到電解質(zhì)溶液203中的電壓或保持所施加電壓的工藝時間來調(diào)節(jié)。因此，在金屬尖端201上形成的金屬催化劑顆粒401 ,皮控制到期望的尺寸。
如上所述，通過使用電場運(yùn)送金屬催化劑離子，可在金屬尖端上容易地控制金屬催化劑顆粒的尺寸。金屬催化劑顆?？梢栽陔妶黾械慕饘偌舛说捻旤c(diǎn)周圍形成。此外，如在一個或更多實(shí)施方案中所述的形成金屬催化劑顆粒的方法允許在金屬尖端的頂點(diǎn)周圍形成納米結(jié)構(gòu)，其將在下文中
8進(jìn)一步描述。
在金屬尖端上形成納米結(jié)構(gòu)的方法
圖5是在金屬尖端上形成納米結(jié)構(gòu)的一種方法的一個示例性實(shí)施方案的流程圖。參考圖5，以框510開始，在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒?？梢詤⒖紙D1~4如上所^金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒。因此，為簡明起見，省略在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的方法的詳述。
在框520中，在金屬尖端上由金屬催化劑顆粒形成納米結(jié)構(gòu)。納米結(jié)構(gòu)可由金屬催化劑顆粒并利用例如化學(xué)氣相沉積(CVD)法或各種公知的蒸鍍方法中的任意 一種來形成。
圖6是在金屬尖端上形成納米結(jié)構(gòu)的一種方法的一個示例性實(shí)施方案的示意圖。納米結(jié)構(gòu)例如可包括碳納米管、納米線或者納米棒?，F(xiàn)在將描述一種形成作為納米結(jié)構(gòu)的一個示例的碳納米管的方法。參考圖6,碳納米管601由參考圖4描述的金屬尖端201表面上的金屬催化劑顆粒401形成。在一個實(shí)施方案中，碳納米管601可通過CVD方法使用例如熱等離子體或者微波作為能源來形成。在CVD方法中，將包含烴的反應(yīng)氣體603引入到金屬催化劑顆粒401上。所述烴可包括一氧化碳、乙炔、乙烯、乙烷、甲烷、丙烷或其組合。包含烴的反應(yīng)氣體603通過例如熱、等離子體或賴t波在金屬催化劑顆粒401上溶解。從溶解的及JI氣體603中的烴分離
顆粒401內(nèi)。當(dāng)^^子的填充超過碳在金屬催化劑顆粒401中的溶解度時，發(fā)生碳原子沉淀。由于沉淀，碳原子從金屬催化劑顆粒40l41取出來。此時，所提取的碳原子在與金屬催化劑顆粒401的界面上重新排列。重新排列的碳原子從所Hf面生長而形成碳納米管601。
碳納米管601可通過底部生長或頂部生長來形成。如圖6所示，底部生長允許在金屬催化劑顆粒401的頂部表面上方形成碳納米管601，而金屬催化劑顆粒401附著到金屬尖端201上。作為一個替代方案，頂部生長允許碳原子從金屬催化劑顆粒的頂部表面擴(kuò)散到金屬催化劑顆粒的底部表面中并l^從金屬催化劑顆粒的底部表面提取出來，由此在金屬催化劑顆粒下方形成碳納米管。在由金屬催化劑顆粒401形成碳納米管601之后，金屬催化劑顆粒401可保留在碳納米管601之上。
在一個實(shí)施方案中，將電極(未顯示)布置為與金屬尖端201相間隔，并且可以在通過CVD方法在金屬尖端201上形成碳納米管601時在金屬尖端201和電極之間施加外電壓。由外電壓產(chǎn)生的電場可防止碳納米管601在金屬尖端201上隨機(jī)生長。電場可與在金屬尖端201上生長的碳納米管601相互作用。電場可改變碳納米管601的內(nèi)部偶極極性并且產(chǎn)生扭矩和力來排列碳納米管601。因此，電場可改變金屬尖端201上的碳納米管601生長方向，由此允許碳納米管601沿電場排列。由圖6所示，可以〗吏碳納米管601基本平行于金屬尖端201的縱向排列。
通過和參考圖6描述的形成碳納米管的方法相類似的方法可形成除碳納米管以外的納米結(jié)構(gòu)。也就是說，可以在金屬催化劑顆粒上提供并溶解與納米結(jié)構(gòu)相應(yīng)的預(yù)定源氣體，并且可以通過溶解的源氣體和金屬催化劑顆粒之間的Jl應(yīng)形成納米結(jié)構(gòu)。在一個實(shí)施方案中，可以通過CVD方法利用氣化的C6H18Si2氣體作為源氣體和鐵顆粒作為金屬催化劑顆粒來形成碳化硅納米棒。在另一個實(shí)施方案中，可通過蒸鍍方法利用氣化SiO氣體作為源氣體和鐵顆粒作為金屬催化劑顆粒來形成二氧化硅納米線。
下文將關(guān)于具體的實(shí)施例詳細(xì)描述本/〉開申請的納米結(jié)構(gòu)的電性能以及包含所述納米結(jié)構(gòu)的場發(fā)射發(fā)射器，然而，提供這些實(shí)施例只是為了更好地理解本公開申請，而非意圖限制本公開申請的范圍。
實(shí)施例
在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒和碳納米管
向1.5 mol/L氫氧化鉀溶液中的鵠絲施加30 V的電壓來電化學(xué)腐蝕鵠絲，由此形成具有頂點(diǎn)的鵠尖端。將包*離子作為金屬催化劑離子的電解質(zhì)溶液布置為與鵠尖端間隔50 jim。然后以10 V/秒的電壓速率升高鎢尖端和電解質(zhì)溶液之間的電壓以將鎳催化劑離子從電解質(zhì)溶液中提取出來，
并且所提取的鎳催化劑離子附著到鵠尖端上形成鎳催化劑顆粒。在70(TC下，向形成鎳催化劑顆粒的鎢尖端供給40標(biāo)況亳升每分(sccm)的乙炔(C2HJ10分鐘。因此，在鎢尖端上形成碳納米管，并且制造出具有碳納米管的場發(fā)射發(fā)射器。
測量場發(fā)射發(fā)射器的電性能對具有碳納米管的場發(fā)射發(fā)射器的I-V性能和場發(fā)射的穩(wěn)定性進(jìn)行了評價。在鴒尖端中形成l 6V/nm的電場，并且測量由鴒尖端的碳納米管 發(fā)射的電子所產(chǎn)生的電流。此外，將相當(dāng)于約5.2￥ 111的電場恒定地施加 到鎢尖端約50小時，并且隨時間測量碳納米管所產(chǎn)生的電流。
評價
圖7A和7B是示出本實(shí)施例的場發(fā)射發(fā)射器的場發(fā)射穩(wěn)定性和I-V性 能的評價結(jié)果的圖。參考圖7A,當(dāng)施加約4V/nm或者更高的電場時，由 通過碳納米管發(fā)射的電子所導(dǎo)致的電流急劇增加。參考圖7B，在將約5.2 V/jim的電場恒定地施加到鵠尖端時，穩(wěn)定地產(chǎn)生約150 nA的電流約50 小時。因此，具有根據(jù)本實(shí)施例方法的在金屬尖端上形成的碳納米管的場 發(fā)射發(fā)射器顯示出穩(wěn)定的電5i^射性能。
如上所述，根據(jù)一些實(shí)施方案，可以施加電場以在金屬尖端的頂點(diǎn)周 圍形成金屬催化劑顆粒。由于納米結(jié)構(gòu)是從設(shè)置金屬催化劑顆粒的位置形 成的，所以可以以比相關(guān)技術(shù)低的成本通過簡單方法在金屬尖端的頂點(diǎn)周 圍形成納米結(jié)構(gòu)。此外，可調(diào)節(jié)從電解質(zhì)溶液移動至金屬尖端的金屬催化 劑離子的電荷量來控制金屬催化劑顆粒的尺寸。因此，可由在金屬尖端上 尺寸受控的金屬催化劑顆粒制造具有不同直徑和密度的納米結(jié)構(gòu)。
從前文所述，將會理解，為舉例說明的目的在文中描述了本公開申請 的各種實(shí)施方案，并且可以在不脫離4^>開的范圍和精神的情況下做出各 種修改。因此，本文7>開的各種實(shí)施方案并非意圖限制，其實(shí)際范圍和精 神由所附權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
1.一種在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的方法，包括將金屬尖端布置為與電解質(zhì)溶液相間隔，所述電解質(zhì)溶液包含金屬催化劑離子；向所述電解質(zhì)溶液施加電壓以從所述電解質(zhì)溶液發(fā)射所述金屬催化劑離子；和使所述發(fā)射的金屬催化劑離子附著到所述金屬尖端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬尖端是通it^金屬氫氧化 物溶液中電化學(xué)腐蝕金屬絲形成的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述金屬氫氧化物溶液包括氫氧化鉀或氫氧化鈉。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述金屬尖端是由選自鎢、鎳、鋁、 鉬、鉭和鈮中的至少一種材料形成的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬催化劑離子包括選自鎳離 子、鈷離子、鉬離子和^l離子中的至少一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中向所述電解質(zhì)溶液施加電壓以從所 述電解質(zhì)溶^JL射所述金屬催化劑離子包括向所述電解質(zhì)溶液施加所述 電壓以使所述金屬催化劑離子之間的靜電排斥作用能夠克服所述電解質(zhì) 溶液的表面張力。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使所^JC射的金屬催化劑離子附著 到所述金屬尖端包括向所述金屬尖端施加電壓以將所^1射的金屬催化 劑離子吸引向所述金屬尖端。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使所^JL射的金屬催化劑離子附著 到所述金屬尖端包括將所U射的金屬催化劑離子還原或氧化成為所述 金屬尖端上的金屬催化劑原子。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中施加所述電壓以使所述電解質(zhì)溶液 具有正電位且所述金屬尖端具有負(fù)電位。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中施加所述電壓以使所述電解質(zhì)溶液 具有負(fù)電位且所述金屬尖端具有正電位。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使所i^射的金屬催化劑離子附著到所述金屬尖端包括調(diào)節(jié)從所述電解質(zhì)溶液向所述金屬尖端移動的所述 金屬催化劑離子的電荷量以確定所述金屬催化劑顆粒的尺寸。
12. —種在金屬尖端上形成納米結(jié)構(gòu)的方法，包括在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒；和在所述金屬尖端上由所述金屬催化劑顆粒形成納米結(jié)構(gòu)，其中在所述金屬尖端上形成所述金屬催化劑顆粒包括向包含金屬催化劑離子的電解質(zhì)溶液施加電壓以從所述電解質(zhì)溶滴發(fā) 射所述金屬催化劑離子；和使所i^射的金屬催化劑離子附著到所述金屬尖端。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述金屬催化劑離子包括選自鎳離 子、鈷離子、鉬離子和鐵離子中的至少一種。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中向包含金屬催化劑離子的所述電解 質(zhì)溶液施加所述電壓以從所述電解質(zhì)溶^L射所述金屬催化劑離子包括 向所述電解質(zhì)溶液施加所述電壓以使所述金屬催化劑離子之間的靜電排 斥作用能夠克服所述電解質(zhì)溶液的表面張力。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中使所itJC射的金屬催化劑離子附著 到所述金屬尖端包括向所述金屬尖端施加電壓以將所iOL射的金屬催化 劑離子吸引向所述金屬尖端。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中使所iOL射的金屬催化劑離子附著 到所述金屬尖端包括將所^射的金屬催化劑離子還原或氧化成所述金 屬尖端上的金屬催化劑原子。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中使所iOL射的金屬催化劑離子附著 到所述金屬尖端包括調(diào)節(jié)從所述電解質(zhì)溶液向所述金屬尖端移動的所述 金屬催化劑離子的電荷量以確定所述金屬催化劑顆粒的尺寸。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述納米結(jié)構(gòu)包括碳納米管，并且 其中在所述金屬尖端上由所述金屬催化劑顆粒形成納米結(jié)構(gòu)包括拔:供包 含烴的反應(yīng)氣體以由所述金屬催化劑顆粒形成所述碳納米管。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述烴包括選自一氧化碳、乙炔、 乙烯、乙烷、甲烷和丙烷中的至少一種。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中在所述金屬尖端上由所述金屬催化劑顆粒形成納米結(jié)構(gòu)是通過利用選自熱、等離子體和孩i波中的至少一種作 為能源的化學(xué)氣相沉積法來實(shí)施的。
21. —種場發(fā)射發(fā)射器，包括 金屬尖端；設(shè)置在所述金屬尖端上并且以金屬離子的形式附著到所述金屬尖端的 至少一種金屬催化劑顆^:;和由所述金屬催化劑顆粒形成的納米結(jié)構(gòu)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的場發(fā)射發(fā)射器，其中所述金屬尖端的材料包括 選自鴒、鎳、鋁、鉬、鉭和鈮中的至少一種。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的場發(fā)射發(fā)射器，其中所述金屬催化劑顆粒包括 選自鎳、鈷、鉬和鐵中的至少一種。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的場發(fā)射發(fā)射器，其中所述至少一種金屬催化劑 顆粒通過施加到所述電解質(zhì)溶液的電壓以金屬離子的形式從電解質(zhì)溶液 中提取出來。
25. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的場發(fā)射發(fā)射器，其中所述至少一種金屬催化劑 顆粒由從所述金屬離子還原或氧化得到并在所述金屬尖端上相互結(jié)合的金屬原子形成。
26. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的場發(fā)射發(fā)射器，其中所述至少一種金屬催化劑 顆粒在電場集中的所述金屬尖端的頂點(diǎn)周圍形成。
27. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的場發(fā)射發(fā)射器，其中所述納米結(jié)構(gòu)包括通過包 含烴的反應(yīng)氣體和所述至少 一種金屬催化劑顆粒之間的化學(xué)反應(yīng)形成的 碳納米管。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的場發(fā)射發(fā)射器，其中所述烴包括選自一氧化 碳、乙炔、乙烯、乙烷、甲烷和丙烷中的至少一種。
全文摘要
提供了一種尖端上的催化劑顆粒。還提供在金屬尖端上形成金屬催化劑顆粒的技術(shù)和金屬尖端上的納米結(jié)構(gòu)。
文檔編號B01J37/00GK101653735SQ20081018278
公開日2010年2月24日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月21日
發(fā)明者金曰濬, 金龍協(xié) 申請人:首爾大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)