專利名稱：：用于弱減廢氣的方法及設備的制作方法
技術領域：
：本發明一般是關于半導體組件的制造，且特別是關于弱減(abating)半導體組件制造設備的方法及設備。
背景技術：
：氟碳化合物、氯氟碳化合物、碳氫化合物及其它含氟氣體常用于制程室中制造主動與被動電子電路，或者在此制造過程中，常會產生此類的副產物。這些氣體會毒害人類與環境。此外，其也可能會吸收大量紅外線，而導致全球暖化。特別是氟化的化合物或全氟化物(PFCs)影響甚鉅，其為長久穩定的化合物，通常可存在數千年之久。PFC的例子有四氟化碳(CF4)、六氟化乙烷(C2Fe)、全氟環丁烷(C4Fs)、二氟甲烷(CH2F2)、全氟環丁烷(C4F6)、全氟丙烷(C3Fs)、三氟曱烷(CHF3)、六氟化硫(SFs)、三氟化氮(NFs)、與氟化碳醯(C0F2)等。另一有毒氣體為分子氟(F2)。長期暴露在F2濃度1ppm的微量下都會遭到毒害，并且F2很難再分解或減弱為無毒的型態。從前，含氟物質是經由夠高的煙自排放出去，如此排放物下降至地面時，空氣中的F2濃度就可低于管制值。然而，此法由環境觀點看來并不理想，亦因生成F2的含氟氣體制程空間會受限于煙囪高度，而不利于生產制造。故需要可減少排出物中有毒氣體量的設備與方法，尤其是減少制程室釋出的含F2的排放物。
發明內容根據本發明的第一態樣，提供一第一弱減設備。第一弱減設備包括(1)一氧化單元，適用于接收一半導體組件制程室的流出物流、(2)—第一水洗滌單元，適用于接收氧化單元的流出物流、以及(3)—催化單元，適用于接收第一水洗滌單元的流出物流。根據本發明的第二態樣，提供一第二弱減設備。第二弱減設備包括(1)一氧化單元，適用于接收一半導體組件制程室的流出物流與弱減此流出物流、(2)—第一水洗滌單元，適用于接收氧化單元的流出物流與洗滌此流出物流、(3)—第二水洗滌單元，適用于接收第一水洗滌單元的流出物流與洗滌此流出物流、(4)一催化單元，適用于接收第二水洗滌單元的流出物流與弱減此流出物流、(5)—第三水洗滌單元，適用于接收催化單元的流出物流與洗滌此流出物流、以及(6)—第四水洗滌單元，適用于接收第三水洗滌單元的流出物流與洗滌Jt流出物流。根據本發明的第三態樣，提供一弱減半導體組件制造系統中廢氣流的方法。方法包括(1)接收廢氣流、(2)在一氧化室中弱減此廢氣流、(3)于氧化室中弱減廢氣流后，洗滌此廢氣流、(4)在一催化室中弱減此廢氣流、以及(5)于催化室中弱減廢氣流后，洗滌此廢氣流。根據本發明的第四態樣，提供一形成弱減系統的方法。方法包括(1)提供一具一氧化室與至少一洗滌器的第一弱減系統、(2)提供一具一催化室與至少一洗滌器的第二弱減系統、以及(3)裝配第一與第二弱減系統，以形成一單一弱減單元，其中一廢物流先于第一弱減系統中進行弱減處理，再于第二弱減系統中進行弱減處理。本發明還提供許多其它態樣。本發明的其它特征和態樣在參照下述說明、申請專利范圍與所附圖式后，將變得更明顯易懂。圖1為本發明第一實施例的處理系統的示意圖。圖2為本發明圖1中弱減系統的第一實施例的示意圖。圖3為本發明圖2中弱減系統的側視圖，其已移開催化系統，故可接近氧化系統中后氧化洗滌器的側邊以供維修。圖4為本發明圖1中弱減系統的第二實施例的示意圖。圖5為本發明圖4中弱減系統的另一實施例的示意圖。圖6為本發明中用于加熱催化床的第一裝置的示意圖。圖7為本發明中用于加熱催化床的第二裝置的示意圖。圖8為本發明中用于加熱催化床的第三裝置的示意圖。圖9為本發明中用于加熱催化床的第四裝置的示意圖。圖10為本發明一實施例的交叉熱交換器的示意圖，其可做為第4、5圖中催化系統的熱交換器及/或氧化系統的熱交換器。主要組件符號說明■處理系統102處理工具104弱減系統106排放裝置108氧化室110后氧化洗滌器112催化室114后催化洗滌器204弱減系統206氧化系統208催化系統302側邊304輪子306、308箭頭404(弱減)系統406氧化系統408催化系統410氧化室412、414洗滌器416催化室418第一導管420加熱器422熱交換器424洗滌器426第二導管428洗滌器430風箱432污水槽434、436、438排水管線440泵442冷卻區444循環泵446循環水管線448熱交換器450反應器452入口組件454外壁456內壁458力口熱組件460中央流道462入口464橫向區466污水區468阻障物470柱狀區段472填料474灑水噴嘴476蒸氣釋出口478傳感器480填料482灑水噴嘴483管線484、486導管488流體管線490、492管線494蒸發單元495催化表面496、498噴嘴497、499填料504弱減系統506熱交換器508洗滌器600第一裝置602熱交換器604反應管606箭頭608、608'弱減床610內管612排放管614界面616冷卻器618廢物管620反應加熱器622絕緣裝置624廢物流加熱器626電源供應器700第二裝置800第三裝置802外管900第四裝置902輸送管1000熱交換器1002第一入口湖6第二入口1004第一組流道1008第二組流道1010隔熱材料C控制器箭頭具體實施方式本發明提出用于弱減半導體組件制造設備的方法與設備。例如，本發明可用來弱減全氟化物(PFCs)、有害空氣污染物(HAPs)、揮發性有機化合生的類似物質，其中半導體組件制造設備是例如與等離子輔助化學氣相沉積(PECVD)、低介電系數或高介電系數的材料沉積、高密度等離子化學氣相沉積(HDPCVD)、次大氣壓化學氣相沉積(SACVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、金屬化學氣相沉積(MCVD)、蝕刻、外延成長、快速熱處理(RTP)、離子植入等相關的制程及/或制程室。在一實施例中，本發明可用來弱減于潔凈CVD制程室時所產生的PFC。才艮據本發明一或多個實施例，可結合電氧化(electricoxidation)、熱催化與水洗滌(waterscrubbing)技術來改善弱減效果。此結合技術對幾乎所有的半導體氣態副產物(包括PFCs、HAPs、VOCs)的弱減率可達99%。本發明的實施例可修改并應用到現有產品，如控制分解與氧化(CDO)系統，其可/人美國力口州圣^^西市的美呈牙牛一支(MetronTechnology)的Ecosys部門取得。例如，CDO系統可結合一熱弱減系統，如從愛爾蘭都柏林的GuildAssociates耳又4尋的Trinity系統。因弱減處理是使用水與電，故不需使用如曱烷或氫氣等可燃或易燃的燃料。本發明的實施例將配合圖1至10描述于下。圖1為根據本發明的第一實施例的處理系統100的示意圖。參照圖1,處理系統100包括一或多個連接于一弱減系統104的處理工具102。弱減系統104則連接于一排放裝置106,如排氣房(houseexhaust)。一或多個處理工具102可包括例如一或多個蝕刻室、沉積室、或其它用于半導體組件制造的制程室。弱減系統104可用來弱減一單一制程室或工具、或多個制程室或工具。如圖1所示，弱減系統104包括一連接于一或多個處理工具102的氧化室108、一連接于氧化室108的后氧化洗滌器110、一連接于后氧化洗滌器110的催化室112、以及一連接于催化室112與排放裝置106的后催化洗滌器114。氧化室108、后氧化洗滌器110、催化室112與后催化洗滌器114的實施例將參考第2至5圖描述于后。在操作使用時，一或多種廢氣流從處理工具102生成而傳遞到氧化室108。例如，廢氣流可于處理工具102所進行的蝕刻、沉積、潔凈或其它半導體制程中產生。在氧化室108內，一試劑(如氫氣)會與各廢氣流結合，此結合后的混合物被加熱到一適當溫度后，會轉化成較易處理的形態。例如，含囟素的氣體可與一試劑(如氫氣)結合而產生酸性氣體，如氟生成氟化氫(HF)、氯生成氯化氫(HCI)，其隨后可在后氧化洗滌器110中洗滌而移除。易燃性與自燃性材料、HAPs與VOCs也可使用類似的弱減方式。試劑的例子例如包括氫氣、碳氫化合物(如曱烷、丙烷、天然氣等)、氨氣、空氣、氧氣、水蒸氣、醇類、醚類、鈣化合物、胺類、其混合氣體、液體及/或固體等，然其它試劑亦可使用。弱減及/或轉化廢氣流為較易處理形態的溫度例如是介于約650'C至950。C之間，然其它溫度范圍亦可采用。在后氧化洗滌器110內，固態氧化副產物(如二氧化硅、三氧化鎢等)、酸及/或微粒可從廢氣流中移除。例如，氧化室108中氟或氯與氫的反應可能產生酸性氣體(如氟化氫或氯化氫)，其可在后氧化洗滌器110內經由水洗滌而移除的。在后氧化洗滌器110內洗滌之后，廢氣流會進入催化室112。在催化室112內將額外弱減此廢氣流。例如，PFCs、殘余卣素(如氟)、HAPs、及/或VOCs可經由廢氣流與催化室112內催化劑間的反應而被弱減。來自后氧化洗滌器110的廢氣流內的水蒸氣有助于弱減處理，此將進一步說明于后。舉例來說，催化室112可包括一催化表面，其為催化減少廢氣流中有毒氣體含量的反應。催化表面例如為由催化材料所構成或支撐微細分裂催化劑的結構、泡沫狀或顆粒狀催化床、或為催化室1112壁上或其零件上的涂布層。例如，催化表面可包含支撐結構的表面，支撐結構包含具催化劑埋設其中的蜂巢狀構件，以形成一具高表面積的結構，流出物經由此構件而由催化室112的入口流至出口。催化表面例如可設在一含陶瓷材料的結構上，陶瓷材料例如為螢青石、氧化鋁、硅鋁合金、鋁硅酸鹽礦物、碳化硅、氮化硅、沸石、及其均等物；或者催化表面可包含如氧化鋯(Zr02)、氧化鋁(八1203)、氧化鈦(，02)、或其與其它氧化物的組合的涂布材料。催化表面還可注入催化金屬，如鉑(Pt)、鈀(Pd)、銣(Rh)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈷(Co)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鴒(W)、釩(V)、鑭(La)或其組成物、或其它已知可用來提高催化活性的材料。當廢氣流流出催化室112后，會流進后催化洗滌器114。在后催化洗滌器114內將移除廢氣流中可溶解的催化作用副產物與酸等等。接著，任一處理后的廢氣流將提供至排放裝置106。須注意的是，排放裝置106可依需求增加弱減及/或洗滌功能。圖2為圖1中弱減系統104的第一實施例的示意圖，其對應于圖2中的弱減系統204。參照圖2,弱減系統204類似圖1中的弱減系統104，且包括氧化室108、后氧化洗滌器110、催化室112、及后催化洗滌器114。然而，圖2中的弱減系統204更修改為包括一具氧化室108與后氧化洗滌器110的氧化系統206、及一具催化室112與后催化洗涂器114的催化系統(或稱為催化背負式器械；catalyticbackpack)208。根據一或多個實施例，弱減系統204可結合控制分解與氧化(CDO)系鄉充(其可/人美國力口州圣荷西市的美呈牙牛4支(MetronTechnology)的Ecosys部門取得)與一熱弱減系統(如可從愛爾蘭都柏林的GuildAssociates取得的Trinity系統)。美國專利證書號6,261,524與6,423,284所描述的氧化系統范例可再加以修改并與如美國專利證書號6,468,490與6,824,748所述的催化系統結合。這些專利將一并附上以供參考。上述CDO系統是一電氧化爐，用以移除廢氣流中的易燃物、自燃物、HAPs、及/或VOCs(如使用氫氣或其它適合的試劑)。CDO系統中之后氧化洗滌器是用來移除氧化副產物、酸與其它微粒。連接于氧化系統(如CDO系統)的催化系統可利用催化室與其洗涂器(如并流及/或逆流水洗滌器)，來弱減未經氧化系統弱減的PFCs與額外的HAPs或VOCs、及移除酸與可溶解的催化作用副產物等。催化系統弱減額外的HAP與VOC的特性可有效增加頻寬及/或整體弱減系統的使用時間，此將進一步說明于后。在至少一實施例中，一連鎖控制系統可設于催化系統中，其連通于氧化系統206、處理工具102與處理系統100的泵，以降低工具/系統所遭受的沖擊。例如，控制系統可監控及/或調節弱減系統104的入口壓力，如此任何連接至弱減系統的處理工具將不會因弱減系統而產生變異。在此或其它實施例中，催化系統可使用氧化系統中現存的水輸送列(watertrain)(如下所述)。例如，催化系統可排放廢水流(如水與氫氟酸的廢棄物)至氧化室的污水槽。在一些實施例中，當一催化系統連接到一CDO系統時，其下的氧化系統會因催化系統的存在而變得不易檢修。例如，CDO系統一般是從CDO單元中后氧化洗滌器的側邊維修。因此，在檢修氧化系統時是期望催化系統的位置能輕易移動及/或調整。例如，圖3為弱減系統204的側視圖，其已移開催化系統208,故可從氧化系統206中后氧化洗滌器的側邊302進行檢修。催化系統208例如可包括輪子304、滑橇、滾軸、軌道等，使催化系統208可以相對于氧化系統206而依箭頭306、308所指的方向移動。適當的電纜及/或鉛錘固定裝置也可配加，使催化系統208相對于氧化系統206可進行側向移動。催化系統208相對于氧化系統206的前后移動(箭頭308方向)可容許接近氧化室108正面、后氧化洗滌器110側邊、催化室112正面、及后催化洗滌器114側邊。圖4為圖1中弱減系統104的第二實施例的示意圖，其對應于圖4中的弱減系統404。弱減系統404類似圖2中的弱減系統，且包括一連接于催化系統408的氧化系統406。氧化系統406包括一連接于第一(水)洗滌器412的氧化室410。第二(水)洗滌器414連接于第一洗滌器412與下述的催化系統408。催化系統408包括一催化室416，其藉由流經第一加熱器420與第一熱交換器422的第一導管418而連接到氧化系統406的第二洗滌器414(如圖所示)。催化室416還藉由流經第一熱交換器422的第二導管426而連接到一第三(水)洗滌器424。一第四(水)洗滌器428連接于第三洗滌器424與風箱430。風箱430例如可連接至排氣房(如圖1的排放裝置106)。用以在弱減系統404中產生引流或流動的引出裝置(eductor)或類似裝置亦可取代風箱430。氧化室410、第一洗滌器412與第二洗滌器414排出的液體經由第一排水管線434流至污水槽432。催化系統408可采用自有的排水管線/污水槽。但在圖4的實施例中，催化系統408的第三洗滌器424與第四洗滌器428分別藉由第二排水管線436及第三排水管線438而排放液體至污水槽432。一污水槽泵440連接于污水槽432,以抽吸污水槽432內的廢棄物至例如一排放室或其它排水裝置。污水槽432中的水可利用循環泵444與循環水管線446,而再循環供應至氧化室410的冷卻區442(如下述的液態渦流)、氧化系統406的第一洗滌器412、及催化系統408的第三洗滌器424。此再循環水可由第二熱交換器448或類似機構而加以冷卻。或者，可供應干凈的水至洗滌器412、424。同樣地，干凈水(如圖標)或再循環水可分別提供給氧化系統406與催化系統408最終的洗滌器414、428。在圖4的實施例中，氧化室410包括一熱氧化反應器450，其連接于入口組件452以輸送制程氣體與輔助流體至反應器450。熱氧化反應器450包括一外壁454與一內壁456,二者圍出環狀或其它形狀的加熱組件458。內壁456圍住一反應器的中央流道460。加熱組件458例如可藉由電氣加熱而提供內壁456—熱表面，以提高溫度而處理待處理的流出物。內壁456或「內村」可由任一適合材料所組成，例如鎳合金(如lncone啦金屬合金)。雖然熱氧化反應器450在此為一電氣加熱單元，然其亦可采用其它適合的型式。可替代型式的例子包括運用火焰(flame-based)的熱氧化器(如使用氧做為氧化劑并使用氬或甲烷做為燃料)、催化性氧化器、蒸發氧化器等。熱氧化器可釆用任一適合的加熱方式，如電阻加熱、紅外線照射、微波照射、對流傳熱、或固態傳導等。熱氧化反應器450可裝配一控制熱電耦(未繪示)。熱電耦是用來監控加熱組件458的溫度。熱電耦可適當安排而傳遞訊號給一熱能控制器(未繪示)。此熱能控制器可調整電氣加熱能量并響應給環狀加熱組件458，因而使內壁456的熱壁面達到預定溫度。如此，壁面可維持在一適合熱氧化處理流經熱氧化單元的流出物(沿圖4中箭頭F所指方向)的溫度范圍。此實施例的熱氧化反應器450是用來接收來自CDA供應管線(未繪示)的CDA入口462的清潔干空氣(CDA)。CDA供應管線可連結至適當的CDA供應源。引入的空氣流入熱氧化單元的外壁454與內壁456間的環狀空間，并與加熱組件458接觸而加熱至適當溫度。加熱后的空氣接著流過內壁456中的孔洞(未繪示)而流入反應器的中央流道460。在此可混入氧化劑至流出氣體中，以形成可氧化的流出氣體混合物，以供反應器450進行熱氧化。另外，氧化劑可加在入口組件452做為另一引入流體流，以助熱氧化反應器450內的氧化反應進行。熱氧化反應器450的下端連結于冷卻區442(如一冷卻單元)。在一些實施例中，冷卻區442包括一灑水噴嘴數組(未繪示)，藉由相關的入水導管(如循環水管線446)而提供水。當熱氧化反應器450排出氣流至冷卻區442時，灑水噴嘴數組用來初步冷卻此熱流出氣流。或者，冷卻區442可包括一如前述美國專利證書號6,261,524所揭露的液態渦流(未繪示)來冷卻流出氣流。冷卻區442包括延伸至第一洗滌器412的橫向區464。橫向區464接著再連結至冷卻區442的污水區466。污水區466下端連接于一斜面排出/汽化阻障物468。一導電性液位傳感器/制程室清除組件(未繪示)可連結至污水區466,并連接至供應此構件CDA的CDA供應支線。冷卻區442的污水區466上端連接至一洗滌除霧柱狀區段470的下端，而洗涂除霧柱狀區段470是由第一與第二洗滌器412、414所構成。洗滌除霧柱狀區段470可在其第一洗滌器412下部填入二次洗滌填料472。柱狀區段470的第一洗滌器412上部為裝配一灑水噴嘴474,藉由水在填料472上方往下逆流而可洗滌其中往上流動的流出氣體。或者也可使用并流流入的水。灑水噴嘴474中的水是由循環水管線446提供，但也可使用干凈的水。第一洗滌器412上部可裝配一蒸氣釋出口476,其連接于一蒸氣釋出管線(未繪示)以釋放柱狀區段470內過大的壓力。一排放溫度傳感器478還可設置在第一洗滌器412上部，以監控柱狀區段470的溫度。洗滌除霧柱狀區段470的第二洗滌器414內同樣可填入二次洗滌填料480，且配裝一連接于干凈水供應管線483的灑水噴嘴482。在一些實施例中，干凈水供應管線483可包括一閥門(未繪示)，若有需要可激活此閥門來額外洗滌及處理特殊的流出氣流。在另一實施例中，第二洗滌器414亦可使用再循環水。洗滌除霧柱狀區段470的第二洗滌器414可連接于一排放溫度傳感器(未繪示)，用以監控流出氣流的溫度。一壓力顯示器(未繪示)亦可連接于洗滌除霧柱狀區段470的第二洗滌器414,以監控柱狀區段470內的壓力。在一些實施例中，可提供CDA至柱狀區段470，用以例如稀釋柱狀區段470上端排放的流出物。一限制流動的孔洞(未繪示)及/或一位于孔洞上游處的流動控制閥(未繪示)可用來選擇性限制CDA流至柱狀區段470上端。如圖所示，用來輸送制程氣體與輔助流體至熱氧化反應器450的入口組件452可裝配制程氣體入口導管484、486，以接收一或多個制程室的排放制程氣體。制程氣體入口導管484、486使流出的排放制程氣體流進熱氧化反應器450。該些制程氣體入口導管484、486可設置一或多個輔助流體附加管線(如流體管線488)，使輔助制程流體加入至流經制程氣體入口導管484、486的主要流出物中。入口組件452還可包括一保護氣體供應管線490與一氫或試劑供應管線492。試劑供應管線492連結至一試劑氣體供應源，如水及/或CDA供應器。保護氣體可為熱氧化反應器450、或流出物弱減系統的入口或相關管路與通道的凈化氣體。保護氣體例如包括氮氣、氦氣、氬氣等。某些實施例為引進水蒸氣至熱氧化反應器450中以做為一氫源氣體。水蒸氣在高溫下使用，此溫度適合熱氧化反應器450所進行的熱氧化制程及/或流出氣體中被弱減的面素元素。一蒸發單元494(如加熱器)可從一適當供應源(如半導體制造設備中的供水管線、都市或工業供水管線等)取得水源。或者，氫源氣體供應器可包括一半導體制造設備中的蒸氣管線或其它水蒸氣源。又或者，氫源氣體供應器可包括一化學反應容器，使試劑材料反應形成水蒸氣。例如，碳氫化合物試劑(如甲烷、丙烷、天然氣等)可引入化學反應容器內，使其與個別引入的氧化劑(如空氣、氧氣、氧氣量較高的空氣、臭氧等的含氧氣體)混合并反應生成水蒸氣。水蒸氣可提供氫源給熱氧化反應器450，并與流出氣體內的卣素成分反應，卣素成分例如為氟與氟化物、硼、硤、氯、及其它對應的含卣素化合物、錯合物與反應基。例如，氟與水蒸氣反應后會很快轉換生成氟化氫，其在洗滌步驟中可輕易從流出氣體中移除。洗滌步驟亦可移除流出物中其它酸性氣體，故可產生一卣素/酸性氣體減量的流出物。流入圖4所示的弱減系統的流出氣體中的氟或其它鹵素將在反應器450上部被弱減(如在囟素有機會攻擊熱區域(thermalsection)之前)，而其中反應器450的入口是注入蒸氣。在一些實施例中，水蒸氣可注入于制程氣體流與熱氧化反應器450內壁456之間，以避免內壁456遭到攻擊。入口組件452的設計范例說明于前述美國專利證書號6,261,524與6,423,284。其它適合的入口設計亦可采用。水蒸氣或曱烷(CH4)當作氫源試劑的使用溫度例如為65CTC至95CTC;且溫度越低，腐蝕速度與「2攻擊內壁456的機率越低。其它溫度范圍亦可使用。在至少一實施例中，氧化系統406類似先前美國專利證書號6，423,284所述的氧化系統，且操作方法亦雷同。其它氧化系統也可采用。在廢氣流于氧化室410內氧化后，此廢氣流由第一與第二洗滌器412、414洗滌。廢氣流接著流經(第一)導管418而流至催化室416。第一與第二洗滌器412、414的附加好處為廢氣流在進入催化室416前可先進行預洗滌處理。預洗滌處理移除了可能會破壞催化室416或降低其功效的廢氣流中的氣態或微粒成分。例如，若廢氣流存有四氟化硅(SiF4),則SiF4可能會因水氣存在而分解與沉積硅，進而降低催化劑活性或于催化劑上形成沉積。SiF4蒸氣例如常在蝕刻與潔凈的過程中產生。利用例如水的洗涂液洗滌廢氣流，可減少廢氣流的SiF4含量(如藉由產生氧化硅與氟化氬)。氧化硅與氟化氫產物比較容易從廢氣流中移除。氟化氫可溶于水，而氧化硅可利用過濾而移除的。催化室416可包括一催化表面495，其是催化減少廢氣流中有毒氣體含量的反應。催化表面495例如為由催化材料所構成或支撐微細分裂催化劑的結構、泡沫狀或顆粒狀催化床、或為催化室416壁上或其零件上的涂布層。例如，催化表面可包含支撐結構的表面，而支撐結構包含具催化劑埋設其中的蜂巢狀構件，以形成一具高表面積的結構，流出物則通過此構18件而由催化室416的入口流至出口。催化表面495例如可設在一含陶瓷材料的結構上，陶瓷材料例如為蓳青石、氧化鋁、硅鋁合金、鋁硅酸鹽礦物、碳化硅、氮化硅、沸石、及其均等物；或者催化表面可包含如氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦、或其與其它氧化物的組合的涂布材料。催化表面還可注入催化金屬，如鉑、4巴、銣、銅、鎳、鈷、銀、鉬、鎢、釩、鑭或其組成物、或其它已知可用來提高催化活性的材料。當第二洗滌器414流出的廢氣流流入催化室416后，第一交叉熱交換器422及/或加熱器420(如電力、氣體或其它型式加熱器)會加熱此廢氣流至一足以在催化室416中產生催化反應與弱減有毒氣體的溫度。熱可改善弱減效率并延長催化劑使用壽命。溫度等于或小于700°C、或介于約5(TC至約300。C均可使用，然其它溫度范圍亦可采用。第一交叉熱交換器422可包含任一適合的交叉熱交換器，以獲得催化室416出口所產生的熱，而將其用于加熱從催化室416入口進入的廢氣流。交叉熱交換器422的實施例將參考第6至10圖說明于后。如所述，廢氣流流經催化室416以弱減其中的有毒氣體。若已加熱此廢氣流，則經弱減的廢氣流可在洗滌與排放前先行降溫。在一些實施例中，可采用一冷卻系統，如一冷水冷卻系統(未繪示)，其噴灑冷水使已弱減的廢氣流降溫。經弱減的廢氣流接著進入第三洗滌器424，在此，弱減的廢氣流中的酸性材料會溶于例如水的溶劑，以形成較易排放或丟棄的酸性溶液。在弱減氟的過程中，催化室416內會產生HF。由于HF具有毒性且不宜接觸到皮膚，故若廢氣流含有HF會有安全的虞且不易處理。此外，HF具高度腐蝕性，特別是在高溫、潮濕與含氧的環境下。鎳基(nickel-based)合金(例如lncone啦600或625，)在催化弱減環境中具良好的抗腐蝕性，并且可有效密封氣體而避免HF漏出系統外。當廢氣流流過第三洗滌器424,—水噴嘴496分散洗滌液給此廢氣流，洗滌液例如為由循環水管線446或干凈水管線提供的水。在至少一實施例中，噴灑液體的方向為氣體流動方向的逆流方向。r逆流J表示其至少一部分的流動方向實質上與氣體流動方向相反。如此，藉由重力與水流可促使反應生成物(如氧化硅微粒與HF)輸送到污水槽432。或者也可釆用并流方向。第三洗滌器424可選擇性加入提高表面積的材料或其它填料497，例如不同尺寸的塑料或陶瓷顆粒(如聚氯乙烯球(PVCball))，來增加柱狀區段內水/氣體間的接觸表面積，進而促進各種破壞反應。廢氣流流經第三洗滌器424而達第四洗滌器428。第四洗滌器428可包括用來分散洗滌液的噴嘴498,例如將干凈水供應管線483提供的水反向噴灑至廢氣流。或者可采用并流方向及/或循環水。第四洗滌器428更可具有提高表面積的材料或類似弱減系統404中其它洗滌器所用的填料499。第四洗滌器428利用干凈的水而對廢氣流進行另一層級的洗滌，并進一步將反應生成物傳輸到污水槽432。風箱430可提供通風效果或產生負壓而將廢氣流引出弱減系統404外。如上所述，其也可采用引出裝置或其它機構。CDA或其它干燥氣體可加到風箱430口或附近，以調節排放的濕度及/或稀釋排放物。若使用一引出裝置，則可采用干燥氣體做為驅動氣體(drivegas),以降低排放露點(dewpoint)及/或稀釋排放物。一控制器C可連接到弱減系統404并控制其操作。控制器C可包括一或多個微處理器、微控制器、專用硬件電路、或其組合物等。在至少一實施例中，控制器C為適當程序化的微處理器。例如，若催化系統為搭配現有的氧化系統，則氧化系統的控制器可被程序化來控制催化系統的操作(如利用附加的可程序邏輯控制器或合適的硬件)。圖5為圖4中弱減系統404的另一實施例的示意圖，其對應于圖5中的弱減系統504。圖5的弱減系統504類似圖4的弱減系統404，但包括一些其它的特征。例如在至少一實施例中，弱減系統504包括一附加的交叉熱交換器506。交叉熱交換器506位在氧化室410冷卻區442的橫向區464內，并用于獲得熱氧化反應器450出口所產生的熱，且使用此獲得的熱而預熱任一流入催化室416的廢氣流。交叉熱交換器506設于第一交叉熱交換器422的上游處，而在任一廢氣流進入催化室416之前，提供其額外的熱源(除了交叉熱交換器422與加熱器420所提供的熱源以外)。交叉熱交換器506可類似第一熱交換器422,然其它適合的熱交換器亦可使用。熱交換器的實施例將參考第6至10圖說明于后。在一些實施例中，可于氧化系統406的第一洗滌器412前使用一附加的濕式洗滌器508，如一高壓洗滌器。例如，濕式洗滌器508可包括復數個噴嘴(未繪示)，用以形成一廢氣流流貫其中的水簾(watercurtain)。濕式洗滌器508的入口/導管(未繪示)可加以排列以導引廢氣流幾乎沿著濕式洗滌器508的內面切線流動。如此可增加廢氣流停留在濕式洗滌器508的時間，故可提高在其內部進行的任何水洗滌制程的處理效率。其它的入口/導管配置方式亦可采用。水及/或其它氣體及/或流體可經由噴嘴(未繪示)而放射狀分散至濕式洗滌器508的內腔體中。噴嘴可為霧化型噴嘴，且可分散高壓水氣。在一些實施例中，噴嘴可分散直徑約10微米至100微米的水滴，較佳為約50微米或小于50微米的水滴。亦可分散更大及/或更小的水滴。濕式洗滌器508的至少一實施例采用霧化型噴嘴來產生直徑約10微米至100微米的水滴，而使水滴與廢氣流彼此接觸約0.1秒至5秒，較佳為約2.5秒至5秒。噴嘴及/或其它水分散器還可導引水簾沿著濕式洗滌器508內腔體的各表面流動，以防止孩i粒沉積于其表面。在一些實施例中，噴嘴所分散的水滴可藉由靜電處理而加強的。即噴嘴分散的水滴可利用偏壓電極而充電，以避免水滴聚集。其它控制水滴大小、流動方向及/或形成的系統及/或方法亦可用于濕式洗滌器508。圖6為本發明中用于加熱催化床(如第4及5圖的催化室416)的第一裝置600的示意圖。參照圖6，第一裝置600包括一位于反應管604內的熱交換器602,而反應管604用于輸送沿著箭頭606的方向進入的廢物流(如制程副產物)。一部分的反應管604可具有一弱減床608，如催化床。在此實施例中，弱減床608可置于一內管610附近。如圖6所示，內管610連接于熱交換器602。熱交換器602還可穿過反應管604管壁而在界面614處連接至一排放管612。排放管612可連接于一冷卻器616。例如，冷卻器616可為圖4中催化系統408的洗滌器424及/或428。冷卻器616連接于一廢物管618,用以處置經過處理的廢物流(例如丟到圖4的污水槽432)。第一裝置600還可包括一反應加熱器620與一位于反應管604附近的絕緣裝置622。圖6繪示反應加熱器620與絕緣裝置622的截面。一廢物流加熱器624可置于反應管604內。廢物流加熱器624連接至一電源供應器626。熱交換器602可為一鋼鐵合金(如鎳基(nickel-based)合金)的螺旋管，其例如是從美國西弗吉尼亞州杭丁頓市的lnco公司取得的Inconel600或625tm，然亦可采用其它適合的形狀及/或材料。例如，盡管本實施例是采用螺旋狀，但此或其它實施例也可采用多鰭狀。另外，材料可為任一材料，只要其能運輸廢物流、及交換熱交換器602內、外區域的熱。在一些實施例中，廢物流溫度為約800。C至約90CTC，然也可能是更高或更低的溫度。同樣地，反應管604、內管610、排放管612及廢物管618可由Inconel600或625tm構成，但也可使用其它適合的材料。例如，若廢物流的性質(如腐蝕性與溫度等)不會破壞不銹鋼，某些實施例則可使用較便宜的不銹鋼合金來制作排放管612。雖然反應管604、內管610、排放管612及廢物管618—般為圓管，但其它適合的形狀及/或尺寸亦可使用。反應管604、內管610、排放管612及廢物管618所輸送的廢物流溫度約為室溫至900。C,然也可能是更高或更低的溫度。反應加熱器620可為陶資加熱器型式，例如可從美國密蘇里州圣路易市的Watlow公司取得的陶資加熱器產品，然亦可使用其它適合的加熱器。反應加熱器620的陶資部分可具部分絕緣性質。為加強絕緣效果，可使用絕緣裝置622或任一合適的絕緣裝置。絕緣裝置622可避免操作員受傷及/或防止設備被破壞。如圖6所示，絕緣裝置622可圍繞反應加熱器620,然其它適當的反應加熱器620與絕緣裝置622配置亦可用來加熱反應管604及廢物流。廢物流加熱器624可為一電氣加熱裝置，然亦可采用其它適合的加熱裝置。如圖6所示，廢物流加熱器624可部分置于反應管604內，以接觸反應管604中的廢物流。雖然圖6繪示的廢物流加熱器624為桿狀，但在此及其它實施例中亦可采用其它形狀。廢物流加熱器624的溫度可高于廢物流的溫度。如此，廢物流加熱器624可加熱廢物流加熱器624周圍的廢物流至一預定溫度。廢物流加熱器624可利用電源供應器626的電力來加熱廢物流，但其亦可利用其它適合的電源供應器。在操作時，廢物流可依箭頭606方向流入反應管604,然后流動于熱交換器602外部表面。如下所述，熱交換器602的溫度可高于廢物流的溫度。因此，熱交換器602的熱可轉移到廢物流，進而加熱廢物流。廢物流可流經熱交換器602與廢物流加熱器624。廢物流加熱器624的溫度可高于熱交換器602的溫度，然其亦可具其它適當的溫度。廢物流加熱器624可加熱廢物流至一預定溫度，以例如進行弱減處理。隨后，廢物流可通過弱減床608(如圖4的催化室416)而過濾的。在過濾過程中，廢物流可與弱減床608反應(如化學反應或物理反應等)，藉以改變廢物流的化學組成，使的具有較理想的成分。此反應可在高溫下進行。須注意的是，如圖6所示，廢物流是在被廢物流加熱器624加熱前，先由熱交換器602加熱。如此，熱交換器602可使用廢物流與弱減床608反應后的余熱來預熱后續流入的廢物流。廢物流在通過弱減床608而過濾后，可經由內管610流至熱交換器602。因廢物流在過濾的過程中可能會降溫，故其溫度可能略低于弱減溫度。但弱減后的廢物流溫度一般是高于流入的廢物流的溫度。是以如上所述，熱交換器602可加熱后續流入的廢物流。弱減后的廢物流可流過熱交換器602與排放管612而至冷卻器616(如圖4中催化系統408的洗滌器424及/或428)。冷卻器616可進一步冷卻及/或弱減廢物流中的化學組成。接著，廢物管618可丟棄廢物流至例如圖4的污水槽432。一類似熱交換器(例如沒有催化床)可做為圖5中氧化系統406的熱交換器506。圖7為本發明中用于加熱催化床(如第4及5圖的催化室416)的第二裝置700的示意圖。參照圖7,第二裝置700包括一弱減床608'(如一催化床)，其類似第一裝置600的弱減床608。如圖7所示，第二弱減床608'位于內管610中。在操作時，廢物流的流動方式類似圖6所述的方式。廢物流沿著比圖6還長的路徑流過弱減床608'。因此，廢物流與弱減床608'間的反應時間及/或停留時間變得較長，故可弱減更多廢物流中的化學成分。一類似的熱交換器(例如沒有催化床)可做為圖5中氧化系統406的熱交換器506。圖8為本發明中用于加熱催化床(如第4及5圖的催化室416)的第三裝置800的示意圖。參照圖8，第三裝置800包括一連接于反應管604與熱交換器602的外管802。第三裝置800還可包括第二裝置700中的部分組件。須注意冷卻器616是連接于反應管604。如圖8所示，部分外管802可置于反應管604外、且位于絕緣裝置622與反應加熱器620之間，然亦可采用其它配置方式。例如在另一實施例中，外管802可置于反應加熱器620與反應管604之間。外管802可類似上述圖6的內管610。例如，外管802可由鎳合金(如lnconelTM)或其它適合材料構成。在操作時，廢物流可流經反應管604、弱減床608后，再進入高溫的外管802。弱減后的廢物流可由反應加熱器620與絕緣裝置622間的外管802輸送，藉以加熱或維持外管802中的廢物流溫度。接著，類似第一裝置600及第二裝置700,弱減后的廢物流可流入熱交換器602，以將熱交換器602加熱至高于接續流入的廢物流的溫度。因此如圖6與圖7所述，熱交換器602可預熱后續流入的廢物流。一類似熱交換器(例如沒有催化床)可做為圖5中氧化系統406的熱交換器506。圖9為本發明中用于加熱催化床(如第4及5圖的催化室416)的第四裝置900的示意圖。參照圖9,除圖6所述的部分組件外，第四裝置900還包括一輸送管902。輸送管902可設于反應管604內的弱減床608中。如圖9所示，輸送管902位在弱減床608的中央附近，然其亦可設置在其它適當的位置。部分輸送管902越過弱減床608而延伸至反應管604中接近廢物流流入處的區i或。輸送管902可為一熱輸送管，然亦可采用其它適合的裝置。例如，輸送管902可為一中空熱輸送管，且一熱輸送液置于其內。熱輸送液可為一工作流體，如減壓水、丙酮、溶劑、氨水等，然亦可使用其它適合的流體。輸送管902的材質可類似圖6中內管610的材質，然其亦可由其它適當的材料構成。雖然圖9的輸送管902為圓柱狀，但其亦可為其它適當的形狀。在操作時，可將反應加熱器620中輸送管902第一區域的溫度升高到弱減溫度，例如為弱減床608(如一催化床)內的廢物流溫度。藉此，熱輸送液可提高整個輸送管902的溫度。例如，部分熱輸送液可變成氣態而上升到接續流入的廢物流進入反應管604的第二區域附近。由于熱輸送液的溫度高于接續流入的廢物流的溫度，故熱輸送管902可將熱轉移給廢物流。后續流入的廢物流的溫度可因此提升，而使熱輸送液冷凝為液態并流回第一區域。一類似的熱交換器(例如沒有催化床)可做為圖5中氧化系統406的熱交換器506。圖10為交叉熱交換器1000的一實施例的示意圖，其可用于第4、5圖中催化系統408的熱交換器422及/或氧化系統406的熱交換器508。此熱交換器類似美國專利證書號6,824,748所述的熱交換器。參照圖10,待弱減的廢氣流(如位于第4、5圖的催化室416內)從第一入口1002進入交叉熱交換器1000,并分散至第一組流道1004。已弱減的廢氣流(如從氧化室410及/或催化室416流出的氣流)從第二入口1006進入熱交換器1000，并分散至第二組流道1008,其鄰接于輸送待弱減的廢氣流的第一組流道1004,且將熱轉移給第一組流道1004。已弱減的廢氣流中的熱因而轉移給待弱減的廢氣流。一隔熱材料1010圍住熱交換器1000，以防止熱散逸至大氣中，并增進熱交換器1000的效能。熱交換器1000可由抗腐蝕性材料構成，例如lncone啦的鎳基合金或其它適合的材料。氧化、后氧化洗滌、催化與后催化洗滌的組合提供了完全弱減的解決方案，其可應用于沉積制程(如化學氣相沉積(CVD))、蝕刻制程、潔凈制程(如NF3潔凈)、及其它半導體制程。例如，HAPs與VOCs可藉由氧化移除，而PFCs及任何殘留的HAPs與VOCs可藉由催化移除。酸及可溶性副產物可利用洗涂移除。幾乎所有的半導體相關的氣態副產物(包括HAPs、VOCs與PFCs)的弱減率均可達99%。舉例來說，原位(in-situ)CVD室進行的潔凈制程一般會產生高流量的CF4、C2F6、C3Fs及/或其它氣體，例如每一制程室含高達1.2slm的C3F8、1.5slm的C2Fe與2.0slm的CF4。在此所述的弱減系統可用來弱減原位CVD室進行的潔凈制程及/或類似制程所產生的PFC。至少一實施例中，氧化室108是使用電氣加熱，而不需使用燃料。在此實施例中，CVDPFC的弱減處理不需使用燃料，故風險低。再者，在此所述的弱減系統100或其它弱減系統可參照第2至5圖修改現有的氧化室，而具有一「背負式J催化室/洗滌器。此種配置結構不會影響CVD效能或產能、不用冒高風險來再認證現有制造設備品質、且不需耗費高成本來修改現有系統以供弱減PFC之用。上述弱減系統可有效弱減的氣體及/或化學組成例如包括乙硼烷(B2H6)、氯化硼(BCl3)、氟化硼(BFs)、溴(Bi"2)、乙烯((:21~14)、四氯化碳(。。14)、曱烷(ChU)、氯仿(CHCl3)、氯(。12)、一氧化碳(CO)、碳酰氟(C0F2)、二氯硅曱烷(dichlorosilane;DCS)、二乙基胺(diethylamine;DEA)、二甲基胺(dimethylamine;DMA)、乙醇、氟(「2)、氬化鍺(GeH4)、氫氣、溴化氫(HBr)、氯化氫(HCI)、氟化氫(HF)、氧化亞氮(N20)、氨(NH3)、臭氧(03)、八曱基環四珪氧烷(octo-methyl-cyclic-tetra-siloxane;OMCTS)、磷化氬(Phb)、四溴化硅(S舊i"4)、四氯化硅(SiCl4)、四氟化硅(SiF4)、硅烷(SiH4)、二氧化硫(S02)、4-(二甲基氨)鈦(tetra-kis-dimethyl-amino-titanium;TDMAT)、三乙基硼酸鹽(tri-ethyl-borate;TEB)、四乙氧基硅烷(tetra-ethyl-ortho-silicate;TEOS)、三乙基磷酸鹽(tri-ethyl-phosphate;TEPO)、氯化鉈(TICl4)、三曱基硅烷(trimethylsilane;TMS)、氟化鎢(WF6)、四氟乙烯(C2F4)、六氟乙烷(C2F。、八氟丙烷(C3Fs)、過氟環丁烷(C4Fs)、全氟環丁烷(C4F8)、四氟化碳(CF4)、三氟曱烷(CHF3)、三氟化氮(NF3)、六亦得知結合氧化反應與催化反應可更有效弱減面素元素。例如，只有氧化反應也許足夠弱減單一制程室。但在弱減多個制程室時，氧化室的弱減效率會降低。在此實施例中，加設催化室(如催化系統)可大幅提高弱減能力。在一些實施例中，相較于單一氧化室，多加催化室后弱減氟與氯的程度幾乎可提高二倍。在另一實施例中，氧化室108、410可弱減約2公升/分鐘的含氟廢物流，其弱減率至少為99%。藉由增加催化室416可提高弱減量為4公升/分鐘。即在一些實施例中，同時采用氧化室與催化室的弱減系統的弱減量幾乎為單一氧化室的二倍。此外，結合氧化室與催化室可有效增加催化室的效能及/或使用壽命。例如，任一制程所產生的微粒(如會毒害催化劑的SiF4)若覆蓋在催化室中的催化材料上，將會降低催化室的效能。在廢物流進入催化床之前，在催化反應前先利用氧化反應移除有害廢氣流生成物及/或副產物。由于催化材料沒有被污染物所降解，故可提高催化床的使用壽命與效能。再者，r預氧化」減少了待弱減的廢氣流的流量(如有效弱減HAPs、VOCs等)，因此可提高催化床的使用壽命與效能。下列表1說明了結合氧化反應與催化反應可增加弱減量。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>使用氧化或催化反應都可有效弱減各種氣體及/或化學組成。但若此些氣體及/或化學組成是由本發明的氧化與催化反應的結合系統所弱減，則弱減系統的整體弱減效率、弱減量與使用壽命均可大幅改善。可達上述功效的氣體及/或化學組成的例子包括C2H4、CHCI3、CO、COF2、DMA、GeH4、H2、NH3、03、PH3、SiCI4、SiF4等。上述說明僅用來揭露本發明的實施例。任何熟習此技藝者在不脫離本發明的精神和范圍內，將可修改上述的裝置與方法。例如，于氧化室108、410及/或催化室112、416之后可使用任一數量的洗滌器，如1個、2個、3個、4個等。其它型式及/或數量的熱交換器亦可使用。例如，可采用具熱氣流在內管與冷氣流在外管(或反之亦然)的同心管熱交換器，其如同氣體-至-氣體的熱交換器。在一些實施例中，催化室416可為絕緣及/或防水。催化室416后的第一個洗滌器可為一并流洗滌器，而催化室416后的最后一個洗滌器可為一逆流洗滌器。其它結構亦可釆用。一附加水熱交換器可用于催化系統408中，例如用來冷卻洗滌器的再循環水。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視權利要求所界定者為準。權利要求1.一種弱減設備，其至少包含氧化單元，其適用以接收來自半導體組件制程室的流出物流；第一水洗滌單元，其適用以接收來自該氧化單元的該流出物流；以及催化單元，其適用以接收來自該第一水洗滌單元的該流出物流。2.如權利要求1所述的弱減設備，其中上述的氧化單元用于移除該流出物流中的有害空氣污染物(HAPs)及揮發性有機氣體(VOCs)。3.如權利要求2所述的弱減設備，其中上述的催化單元用于移除該流出物流中的全氟化物(PFCs)。4.如權利要求3所述的弱減設備，其中上述的第一水洗滌單元用于移除該流出物流中的酸性副產物。5.如權利要求1所述的弱減設備，更包含一第二水洗滌單元，用于接收來自該催化單元的該流出物流。6.如權利要求1所述的弱減設備，其中上述的弱減裝置的整體弱減量大于該氧化單元或該催化單元單獨的一弱減量。7.如權利要求1所述的弱減設備，其中上述的弱減裝置用來弱減含卣素的廢物流，且該弱減設備的整體弱減量大于該氧化單元的弱減量。8.如權利要求7所述的弱減設備，其中上述的弱減裝置用來弱減含卣素的廢物流，且該弱減設備的整體弱減量至少為該氧化單元的弱減量的兩倍。9.如權利要求1所述的弱減設備，其中上述的弱減裝置每單位催化劑體積所具的整體弱減量大于該催化單元每單位催化劑體積所具的弱減量。10.如權利要求9所述的弱減設備，其中上述的弱減裝置每單位催化劑體積所具的整體弱減量至少為該催化單元每單位催化體積所具的弱減量的兩倍。11.如權利要求1所述的弱減設備，更包含熱交換器，用于于在廢物流進入該催化單元之前，先加熱該廢物流。12.如權利要求11所述的弱減設備，其中上述的熱交換器是利用該氧化單元的已加熱廢物流，而適用以在該廢物流進入該催化單元之前來加熱該廢物流。13.如權利要求11所述的弱減設備，其中上述的熱交換器是利用該催化單元的已加熱廢物流，而適用以在該廢物流進入該催化單元之前來加熱該廢物流。14.如權利要求13所述的弱減設備，其中上述的熱交換器包含位于該催化單元內的管狀物，用以接收流過該催化單元內的催化劑的廢物流。15.如權利要求15所述的弱減設備，其中上述的催化單元用于相對于該氧化單元移動，以提供對至少該第一水洗滌單元的檢修通道。16.如權利要求1所述的弱減設備，更包含壓力調節裝置，該壓力調節裝置連接于該弱減裝置的輸出處，適用以提供氣流或產生負壓而將廢氣流引出該弱減裝置外。17.如權利要求16所述的弱減設備，其中上述的壓力調節裝置用于調節排放濕氣。18.如權利要求16所述的弱減設備，其中上述的壓力調節裝置用于稀釋該廢氣流。19.如權利要求16所述的弱減設備，其中上述的壓力調節裝置為風箱。20.如權利要求16所述的弱減設備，其中上述的壓力調節裝置為引出裝置。21.如權利要求1所述的弱減設備，其中上述的氧化單元為第一弱減系統的一部分，該催化單元為第二弱減系統的一部分，且該第二弱減系統已修改而適于該第一弱減系統。22.—種弱減設備，其至少包含氧化單元，用于接收半導體組件制程室的一流出物流，并弱減該流出物流；第一水洗滌單元，用于接收該氧化單元的該流出物流，并洗滌該流出物流；第二水洗滌單元，用于接收該第一水洗滌單元的該流出物流，并洗滌該流出物流；催化單元，用于接收該第二水洗滌單元的該流出物流，并弱減該流出物流；第三水洗滌單元，用于接收該催化單元的該流出物流，并洗滌該流出物流；以及第四水洗滌單元，用于接收該第三水洗滌單元的該流出物流，并洗滌該流出物流。23.如權利要求22所述的弱減設備，更包含熱交換器，其用于在廢物流進入該催化單元之前，先加熱該廢物流。24.如權利要求23所述的弱減設備，其中上述的熱交換器是利用該氧化單元的已加熱廢物流，而適用以在該廢物流進入該催化單元之前來加熱該廢物流。25.如權利要求23所述的弱減設備，其中上述的熱交換器是利用該催化單元的已加熱廢物流，而適用以在該廢物流進入該催化單元之前來加熱該廢物流。26.如權利要求22所述的弱減設備，其中上述的催化單元用于相對于該氧化單元移動，以提供對至少該第一水洗滌單元與該第二水洗涂單元的檢修通道。27.如權利要求22所述的弱減設備，其中上述的氧化單元、該第一水洗滌單元與該第二水洗滌單元為第一弱減系統的一部分，該催化單元、該第三水洗滌單元與該第四水洗滌單元為第二弱減系統的一部分，且該第二弱減系統已修改而適于該第一弱減系統。28.—種弱減半導體組件制造系統的廢氣流的方法，該方法至少包含接收該廢氣流;在氧化室中弱減該廢氣流；于該氧化室中弱減該廢氣流之后，洗滌該廢氣流；在催化室中弱減該廢氣流；以及于該催化室中弱減該廢氣流之后，洗滌該廢氣流。29.如權利要求28所述的方法，其中上述的于該氧化室中弱減該廢氣流之后，洗滌該廢氣流的步驟包含使該廢氣流流經至少二水洗滌器。30.如權利要求28所述的方法，其中上述的于該催化室中弱減該廢氣流之后，洗滌該廢氣流的步驟包含使該廢氣流流經至少二水洗滌器。31.如權利要求28所述的方法，更包含使用熱交換器，以于該廢氣流進入該催化室之前，先加熱該廢氣流。32.如權利要求31所述的方法，其中上述的使用該熱交換器以加熱該廢氣流的步驟包含利用該氧化室中已加熱的廢物流來加熱該廢氣流。33.如權利要求31所述的方法，其中上述的使用該熱交換器以加熱該廢氣流的步驟包含利用該催化室中已加熱的廢物流來加熱該廢氣流。34.—種形成弱減系統的方法，該方法至少包含提供具氧化室與至少一洗滌器的第一弱減系統；提供具催化室與至少一洗滌器的第二弱減系統；以及裝配該第一弱減系統與該第二弱減系統，以形成單一弱減單元，其中廢物流先于該第一弱減系統中進行弱減處理，再于該第二弱減系統中進行弱減處理。35.如權利要求34所述的方法，更包含配置該第一弱減系統與該第二弱減系統，以提供該第一弱減系統與該第二弱減系統的檢修通道。全文摘要根據本發明的第一態樣，提供一第一弱減設備。第一弱減設備包括(1)一氧化單元，適用于接收一半導體組件制程室的流出物流、(2)一第一水洗滌單元，適用于接收氧化單元的流出物流、以及(3)一催化單元，適用于接收第一水洗滌單元的流出物流。本發明尚提供許多其它態樣。文檔編號B01D53/70GK101247879SQ200680021038公開日2008年8月20日申請日期2006年6月13日優先權日2005年6月13日發明者B·菲利普,B·金斯頓,D·克拉克,K·林,M·庫里,M·邁金托什,M·霍斯特,R·福美倫,S·羅克斯,S·蘇申請人:應用材料股份有限公司