專利名稱：納米突載體及其制造方法
技術領域：
本發明申請涉及納米突(nano horn)載體及其制造方法。更具體地說，本發明申請涉及能夠更有效且更簡便地利用碳納米突前端部分的納米突載體及其制造方法。
背景技術：
本申請的發明者們發現的碳納米突，具有碳納米管的前端部分以角狀突出的形狀，與碳納米管同樣地主要由石墨結構的碳原子面構成。此外，該碳納米突通常作為所謂大麗花狀碳納米突聚集體制造，所謂大麗花狀碳納米突聚集體是指多個碳納米突的角狀前端部朝外聚集為直徑80～100nm左右的球狀。此外，還已知與大麗花狀碳納米突聚集體不同，在其表面沒有發現角狀的突起而具有相當平滑表面，相對于大麗花的花表現為花蕾狀的花蕾狀碳納米突聚集體。該花蕾狀碳納米突聚集體為多個直徑0.3nm～3nm左右、長數nm～50nm左右、大致管狀的碳納米突聚集形成的球狀體。
這些碳納米突聚集體的表面積非常大，容易以高純度大量合成，因此期待其作為輕量、低成本的吸附材料等利用。另一方面，將角狀的前端角約20°的碳納米突的銳利前端形狀用于例如薄型顯示器用電場電子發射元件，即利用碳納米突的前端形狀的應用等也具有很高的可能性。
但是，對于后者應用碳納米突前端形狀的研究，雖然進行了有關碳納米突材料特性的基礎研究，但對于實用化時實際的利用形態的研究幾乎沒有進行。即，例如，本申請的發明者們雖然確認利用其特長的前端形狀，碳納米突顯示出電場電子發射特性，但是對于將該碳納米突實際用作元件等時設置的形態或其控制等還沒有深入的研究。
因此，本發明申請鑒于以上情況而提出，其課題在于解決以往技術的問題點，提供能夠更有效且更簡便地利用碳納米突前端形狀的納米突載體及其制造方法。
發明內容
因此，本發明申請為了解決上述課題，提供了如下所述的發明內容。
即，首先第1、本發明申請提供納米突載體，其特征在于1個或2個以上的碳納米突聚集體的一部分或全部被固體材料附載。
此外，本發明申請提供在上述發明中，第2、納米突載體，其中固定材料為有機高分子、金屬或合金，或無機物的任何一種；第3、納米突載體，其中固定材料為在1500℃以下加熱軟化的材料；第4、納米突載體，其中固定材料為熔點1500℃以下的金屬或合金；第5、納米突載體，其中固定材料為在1500℃以下形成碳化物的材料；第6、納米突載體，其中2個以上的碳納米突聚集體結合并相互附載；第7、納米突載體，其中附載的碳納米突聚集體的一部分或全部被固定在基材上；第8、納米突載體，其中碳納米突聚集體通過固定材料固定在基材上；第9、納米突載體，其中基材具有任意形狀；第10、納米突載體，其中基材為玻璃、陶瓷、金屬、合金、半導體或有機物的任何一種；第11、納米突載體，其形狀可變；第12、納米突載體，其中碳納米突的前端從固定材料的表面突出。
另一方面，本發明申請提供第13、納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于含有固定材料的分散液中，將該分散液供給到基材上并使其固化；第14、納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于分散液中，將該分散液供給到基材上后，通過只將分散液除去來配置碳納米突聚集體，然后用固定材料被覆該碳納米突聚集體的一部分或全部，使其附載于固定材料上；第15、納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于分散液中，將該分散液供給到預先形成了固定材料層的基材上后，通過只將分散液除去而配置碳納米突聚集體，然后在使固定材料層軟化的狀態下從上方擠壓碳納米突聚集體，使其附載到固定材料上；第16、納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于分散液中，將該分散液供給到基材上后，通過只將分散液除去來配置碳納米突聚集體，通過在1200～2000℃下加熱使碳納米突聚集體之間結合，使其相互附載。
此外，本發明申請提供在上述發明的方法中，第17、納米突載體的制造方法，其中基材具有任意的形狀；第18、納米突載體的制造方法，其中基材為玻璃、陶瓷、金屬、合金、半導體或有機物的任何一種；第19、納米突載體的制造方法，其中基材由化學不穩定或熱不穩定的材料構成；第20、納米突載體的制造方法，其將基材除去；第21、納米突載體的制造方法，其用溶劑將基材除去；第22、納米突載體的制造方法，其通過加熱將基材除去；第23、納米突載體的制造方法，其中固定材料為有機高分子、金屬或無機物的任何一種；第24、納米突載體的制造方法，其中固定材料為在1500℃以下加熱軟化的材料；第25、納米突載體的制造方法，其中固定材料為熔點1500℃以下的金屬或合金；第26、納米突載體的制造方法，其中固定材料為在1500℃以下形成碳化物的材料；第27、納米突載體的制造方法，其選擇性地將被覆碳納米突聚集體的固定材料的一部分除去；第28、納米突載體的制造方法，其用溶劑選擇性地將固定材料除去；第29、納米突載體的制造方法，其通過氧等離子蝕刻選擇性地將固定材料除去；第30、納米突載體的制造方法，其通過在氧氣氛中加熱而選擇性地將固定材料除去。
圖1表示本發明申請的納米突載體。
圖2表示本發明申請的納米突載體。
圖3表示本發明申請的納米突載體。
圖4表示用分子間力顯微鏡(AFM)觀察實施例中制造的納米突載體表面的結果。
具體實施方案本發明申請具有如上所述的特征，以下對其實施方案進行說明。
圖1(a)～(f)表示本發明申請提供的納米突載體的一例。本發明申請提供的納米突載體的特征在于1個或2個以上的碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被固定材料(2)附載。在該納米突載體中，作為碳納米突聚集體(1)，可以使用多個碳納米突的角狀前端部朝外而聚集為直徑80～100nm左右球狀的大麗花狀碳納米突聚集體(1)或在其表面沒有發現角狀的突起而具有光滑表面的花蕾狀碳納米突聚集體(1)。此外，在該納米突載體中，可以例如如(a)所示，只附載1個碳納米突聚集體(1)，也可以如(b)～(f)所示，附載2個以上。此外，在該納米突載體中，當附載2個以上的碳納米突聚集體(1)時，可以例如如(b)所示，以任意的規則或不規則間隔配置碳納米突聚集體(1)，也可以如(c)所示，緊密地規則或不規則地配置以使其鄰接。此外，在該納米突載體中，可以在厚度方向配置一個碳納米突聚集體(1)，也可以配置2個以上的碳納米突聚集體(1)。即，本發明申請的納米突載體，可以對碳納米突聚集體(1)進行配置以獲得所需的特性或形狀等。此外，在本發明申請的納米突載體中，可以例如如(a)～(e)所示，用固定材料(2)附載全部的碳納米突聚集體(1)，也可以例如如(f)所示，用固定材料(2)附載碳納米突聚集體(1)的凝集體等的一部分。
此外，在本發明申請中，可以例如如(a)～(c)所示，使固定材料(2)附載碳納米突聚集體(1)的全部，也可以如(d)～(f)所示，使其附載一部分。作為固定材料(2)，如果可以如上所述供給到所需配置的碳納米突聚集體(1)之間，例如可以附載固化的碳納米突聚集體(1)的一部分或全部，其種類等并無特別限定。
作為該固定材料(2)，可以使用各種有機高分子、金屬或合金、或無機物等。具體地說，可以列舉例如根據目的使用的環氧樹脂類粘接劑、橡膠類粘接劑、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)等高分子等。此外，可以考慮在1500℃以下加熱軟化的材料，例如，具體地說，包括銦、鎵、鉛、金等熔點為1500℃以下的金屬或合金等，進一步可以考慮例如硅(Si)或鈦(Ti)等在1500℃以下形成碳化物的材料等。
此外，例如如圖2所示，本發明申請的納米突載體可以考慮2個以上的碳納米突聚集體(1)結合并相互附載。對于該2個以上的碳納米突聚集體(1)的配置，如上所述，可以為任意的配置。
如上所述的本發明申請的納米突載體，例如如圖3(a)～(d)所示，可以進一步考慮其一部分或全部固定在基材(3)上。在該基材(3)上的固定，可以利用各種材料，例如可以利用上述的固定材料(2)等。
此外，在本發明申請中，作為基材(3)，對于其材質和形狀并無特別限制，可以使用玻璃、陶瓷、金屬、合金、半導體、無機物或有機物等各種材料。此外，對于形狀，可以使用例如板狀、網狀、纖維狀、針狀、球體狀、幾何學形狀等任意形狀，此外對于這些表面形狀，當然可以為平面，也可以賦予凹凸或曲面或狹縫等。
該本發明申請的納米突載體，通過適當地選擇固定材料(2)和基材(3)的材質等，也可以實現具有一定形狀的納米突載體，也可以實現形狀可變的納米突載體。更具體地說，例如，通過使用紙或高分子等各種材料構成的布、片或纖維等作為基材(3)，可以實現彎曲、折曲、伸縮等自由的納米突載體。如上所述，本發明申請的納米突載體可以根據目的適當地選擇固定材料(2)和基材(3)，實現比應用時具有更大可能性的納米突載體。
此外，本發明申請的納米突載體，可以用固定材料(2)將任意配置的碳納米突聚集體(1)完全被覆，納米突載體的表面只由固定材料(2)構成，也可以例如如圖1(d)(e)所示，碳納米突聚集體(1)的一部分露出表面。此外，作為其特征，在本發明申請的納米突載體中，例如如圖1(e)所示，可以考慮只有碳納米突的前端從固定材料(2)的表面突出。此外，該碳納米突前端突出的納米突載體將在后面詳述，但必要時也可以由上述表面被固定材料(2)完全被覆的本發明申請的納米突載體容易地制造。即，本發明申請的納米突載體，必要時可以容易地使其形態發生變化。
以上所述的本發明申請的納米突載體，可以根據目的形態采用各種方法制造。例如，本發明申請提供的納米突載體的制造方法的特征在于使碳納米突聚集體(1)分散于分散液中，將該分散液供給到基材(3)上后，通過只將分散液除去而配置碳納米突聚集體(1)，然后用固定材料(2)被覆該碳納米突聚集體(1)的一部分或全部，使其附載于固定材料(2)上。
在本發明申請中，碳納米突聚集體(1)可以使用通過已知的各種方法制造的碳納米突聚集體。例如，該碳納米突聚集體(1)可以采用在室溫下、760torr的Ar氣氛中，使用無催化劑的石墨靶的CO2激光燒蝕的合成方法等制造。
作為分散液，可以使用例如水、二硫化碳、酸等無機溶劑，苯、甲苯、二甲苯等烴，或甲醇、乙醇等醇，醚，及其衍生物等有機溶劑和它們的混合物等。此外，為了使分散液的去除變得容易，也可以使用具有揮發性的分散液。將碳納米突聚集體(1)放入該分散液中使其分散。為了使碳納米突聚集體(1)分散于分散液中，可以列舉例如用攪拌器等進行攪拌或利用超聲波洗滌器等輕微地照射超聲波等方法。
然后，將分散有該碳納米突聚集體(1)的分散液供給到基材(3)上。對于該基材(3)，如上所述對于材質和形狀等并無特別限制，可以為任意材質和形狀。此外，將碳納米突聚集體(1)的分散液供給到基材(3)上，可以利用已知的各種方法。具體地說，可以列舉例如流延法、涂布法、轉涂法、噴霧法等。
然后，通過只將該分散液除去，可以使碳納米突聚集體(1)配置在基材(3)上。這里，通過適當地選擇分散液中碳納米突聚集體(1)的濃度或分散液的供給方法，可以對納米突載體中碳納米突聚集體(1)的配置進行調整。對于分散液的去除，可以根據所使用的分散液的特性進行去除。例如，通過保持在適當的溫度，可以使分散液揮發從而將其除去等。此外，例如，通過使用金屬、玻璃或樹脂等構成的過濾器作為基材(3)，邊進行吸引過濾邊將分散液供給到基材(3)上，可以只將分散液除去。
然后，用固定材料(2)將配置于基材(3)上的該碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被覆，使其附載到固定材料(2)上。作為該固定材料(2)，如上所述，可以使用各種高分子等的有機物、金屬或合金、或無機物等、在1500℃以下加熱軟化的材料、以及在1500℃以下形成碳化物的材料等。對于被覆的方法，可以考慮各種各樣的方法。例如，通過使該固定材料(2)為液體狀，用流延法、涂布法、噴霧法等供給到碳納米突聚集體(1)之間后使其固化，從而用固定材料(2)將碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被覆，使其附載到固定材料(2)上。
此外，可以列舉使例如片狀或粉末狀等的固定材料(2)被覆于配置在基材(3)上的碳納米突聚集體(1)上，進行加熱使固定材料(2)熔解并供給到碳納米突聚集體(1)之間，然后使其固化，用固定材料(2)將碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被覆，使其附載到固定材料(2)上。
這樣可以制造碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被固定材料(2)附載、固定在基材(3)上的本發明申請的納米突載體。
此外，本發明申請提供的納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體(1)分散于含有固定材料(2)的分散液中，將該分散液供給到基材(3)上并使其固化。即，使供給到基材(3)上的碳納米突聚集體(1)的分散液自身固化。
在本發明申請的方法中，作為含有固定材料(2)的分散液，可以使用由于反應的進行而經時固化的分散液或通過加熱、冷卻或紫外線照射等處理而固化的分散液。具體地說，作為優選的實例，可以使用例如將聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)等，或熱塑性樹脂、熱固性樹脂、紫外線固化型樹脂等高分子與上述分散液混合而得到的分散液等。這里，對于使碳納米突聚集體(1)分散于含有固定材料(2)的分散液中的方法或將該分散液供給到基材(3)上的方法等，可以采用與上述方法相同的方法進行。這樣便可以制造碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被固定材料(2)附載、固定于基材(3)上的本發明申請的納米突載體。
此外，在本發明申請的方法中，對于除去了上述分散液后配置于基材(3)上的碳納米突聚集體(1)，通過在1200～2000℃下進行加熱可以使碳納米突聚集體(1)之間結合并相互附載。這樣便可以制造碳納米突的前端從固定材料(2)的表面突出的納米突載體。
根據該方法，可以制造碳納米突聚集體(1)的一部分或全部相互附載、固定于基材(3)上的本發明申請的納米突載體。
此外，在本發明申請中，對于采用上述發明的方法制造的碳納米突載體，可以考慮通過選擇性地將被覆碳納米突聚集體(1)的固定材料(2)的一部分除去，使碳納米突的前端從表面上突出。該固定材料(2)的選擇性除去可以在用固定材料(2)被覆碳納米突聚集體(1)并使其附載的工序后接著進行，也可以在必要的任意時間點上進行。在本發明申請的方法中，例如，通過用對于使用的固定材料(2)具有溶解能力的溶劑等將固定材料(2)溶解，可以選擇性地將固定材料(2)的一部分除去。此外，例如，通過采用氧等離子等進行的蝕刻，可以使被覆表面和碳納米突前端的固定材料(2)灰化、選擇性地除去，也可以通過在氧氣氛中加熱，選擇性地將其除去。
這樣，可以制造碳納米突的前端從固定材料(2)的表面突出的本發明申請的納米突載體。
此外，本發明申請提供的納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體(1)分散于分散液中，將該分散液供給到預先形成了固定材料(2)層的基材(3)上后，通過只將分散液除去來配置碳納米突聚集體(1)，然后在使固定材料(2)層軟化的狀態下從上方擠壓碳納米突聚集體(1)，使其附載到固定材料(2)上。即，在該納米突載體的制造方法中，與上述發明的方法不同，預先將固定材料(2)供給到基材(3)上形成固定材料(2)層，將分散液供給到其上使碳納米突聚集體(1)配置。
此外，在該方法中，作為優選例，可以例示使用通過某種手段軟化的材料作為固定材料(2)。例如，如上所述，可以使用通過1500℃以下的加熱而軟化的材料等作為固定材料。更具體地說，可以例示例如熔點1500℃以下的銦、鎵、鉛、金等金屬或其合金、氧化物或鹽等。通過任意的方法將該固定材料(2)供給到基材(3)上，形成固定材料(2)層。然后，將碳納米突聚集體(1)的分散液供給到該固定材料(2)層上，通過只將分散液除去，配置碳納米突聚集體(1)后，例如通過加熱等手段使固定材料(2)層軟化。這里，在該發明的方法中，對于使碳納米突聚集體(1)分散于分散液中的方法、將該分散液供給到預先形成了固定材料(2)層的基材(3)上的方法、只將分散液除去的方法，可以同樣地進行上述發明的方法。
然后，在使固定材料(2)層軟化的狀態下，用例如與基材(3)具有相同表面形狀的加壓板等從上方擠壓碳納米突聚集體(1)，使碳納米突聚集體(1)的一部分或全部配置在固定材料(2)層中。然后，通過使固定材料(2)固化，可以使碳納米突聚集體(1)附載到固定材料(2)上。
這樣，也可以制造碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被固定材料(2)附載且固定于基材(3)上的本發明申請的納米突載體。
此外，根據本發明申請的方法，通過調節擠壓的程度可以控制碳納米突聚集體(1)在固定材料(2)層中的配置。因此，通過使擠壓程度減小，可以制造碳納米突聚集體(1)露出于固定材料(2)的表面，或碳納米突的前端從固定材料(2)的表面突出，固定于基材(3)上的本發明申請的納米突載體。
這里，當碳納米突過分埋入固定材料(2)層中時，如上所述，通過用溶劑將固定材料(2)熔解，或氧等離子蝕刻或在氧氣氛中加熱等，可以選擇性地將固體材料除去。這樣，可以制造碳納米突的前端從固定材料(2)的表面突出的碳納米突載體。
另一方面，在本發明申請的方法中，也可以考慮將通過上述各種方法制造的納米突載體的基材(3)除去等。如果這樣將基材(3)除去，可以實現沒有被基材(3)固定的本發明申請的納米突載體。而且，如果這樣將基材(3)除去，由于例如只有與基材(3)相接的碳納米突的前端從固定材料(2)的表面突出，可以更簡便地制造只有碳納米突的前端從固定材料(2)的表面突出的納米突載體。
在該基材(3)的除去中，例如，通過基材(3)和固定材料(2)的組合，可以容易地實現將一部分或全部被固定材料(2)附載的碳納米突聚集體(1)和基材(3)的剝離。當通過剝離嘗試將基材(3)除去時，優選預先使基材(3)的表面平滑。此外，作為基材(3)的除去，例如，可以列舉通過采用對于固定材料(2)不具溶解能力而對于基材(3)具有溶解能力的溶劑將基材(3)熔解，從而將基材(3)除去；通過基材(3)的材料進行加熱使其溶解或揮發等將基材(3)除去。此外，也可以通過氧等離子蝕刻選擇性地將基材(3)除去等。即，可以使用化學或熱方面穩定的材料用于固定材料(2)，使用化學或熱方面不穩定的材料用于基材(3)，可以通過化學的或熱的方法將基材(3)除去。
以下，按附圖的順序列舉實施例，對本發明的實施方案進行更為詳細的說明。
實施例(實施例1)將碳納米突聚集體裝入作為分散液的己烷中，通過照射超聲波而使其分散于己烷中。將該分散液以厚數μm左右供給到用作基材的NaCl的結晶面上，使己烷揮發而將碳納米突聚集體配置于基材上。此外，為了后面的SEM觀察，預先對NaCl的結晶面進行研磨。然后，從該碳納米突聚集體上涂布作為固定材料的環氧樹脂，在確認該環氧樹脂固化后，用水將NaCl溶解除去。這樣，便得到了碳納米突的前端部在環氧樹脂的表面上突出的納米突載體。
用掃描型電子顯微鏡(SEM)對該納米突載體的表面進行觀察，由于碳納米突在表面上突出，因此沒有產生充電，可以以高分解能進行觀察。
如上所述，本發明申請的納米突載體，在保持從碳納米突前端的電子發射特性的狀態下，碳納米突聚集體附載于固定材料上。因此，可以確認該納米突載體對于例如碳納米突聚集體的作為電場電子發射元件等的利用是非常有用的。
由于在該突出的碳納米突的一部分附著有環氧樹脂，因此通過氧等離子蝕刻將環氧樹脂除去。用分子間力顯微鏡(AFM)對該納米突載體的表面進行更為詳細的觀察。該AFM像示于圖4。可以確認，碳納米突的前端從基材的表面漂亮地突出。
(實施例2)在玻璃基材上堆積作為固定材料的厚度約50nm的銦薄膜。將碳納米突聚集體的己烷分散液滴到該基材的銦薄膜上，配置碳納米突聚集體。然后，將該基材整體加熱到120～150℃左右，使銦薄膜軟化，用平板從上方擠壓碳納米突聚集體層，使碳納米突聚集體的下部與銦熔接。
這樣便使碳納米突聚集體的下部附載到銦薄膜上，得到固定在玻璃基板上的納米突載體。
當然，本發明并不限于以上的實施例，對于細節可以有各種各樣的方式。
如以上詳述的那樣，本發明提供能更有效且更簡便利用碳納米突前端形狀的納米突載體及其制造方法。
權利要求
1.納米突載體，其特征在于1個或2個以上的碳納米突聚集體的一部分或全部被固定材料所附載。
2.權利要求1所述的納米突載體，其特征在于固定材料為有機高分子、金屬或合金、或無機物的任何一種。
3.權利要求1或2所述的納米突載體，其特征在于固定材料為在1500℃以下加熱軟化的材料。
4.權利要求3所述的納米突載體，其特征在于固定材料為熔點1500℃以下的金屬或合金。
5.權利要求1或2所述的納米突載體，其特征在于固定材料為在1500℃以下形成碳化物的材料。
6.納米突載體，其特征在于2個以上的碳納米突聚集體結合并相互附載。
7.權利要求1～6的任一項所述的納米突載體，其特征在于附載的碳納米突聚集體的一部分或全部被固定在基材上。
8.權利要求7所述的納米突載體，其特征在于碳納米突聚集體被固定材料固定在基材上。
9.權利要求7或8所述的納米突載體，其特征在于基材具有任意形狀。
10.權利要求7～9的任一項所述的納米突載體，其特征在于基材為玻璃、陶瓷、金屬、合金、半導體或有機物的任何一種。
11.權利要求1～10的任一項所述的納米突載體，其特征在于形狀可變。
12.權利要求1～11的任一項所述的納米突載體，其特征在于碳納米突的前端從固定材料的表面突出。
13.納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于含有固定材料的分散液中，將該分散液供給到基材上并使其固化。
14.納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于分散液中，將該分散液供給到基材上后，通過只將分散液除去來配置碳納米突聚集體，然后用固定材料被覆該碳納米突聚集體的一部分或全部，使其附載于固定材料上。
15.納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于分散液中，將該分散液供給到預先形成了固定材料層的基材上后，通過只將分散液除去來配置碳納米突聚集體，然后在使固定材料層軟化的狀態下從上方擠壓碳納米突聚集體，使其附載到固定材料上。
16.納米突載體的制造方法，其特征在于使碳納米突聚集體分散于分散液中，將該分散液供給到基材上后，通過只將分散液除去來配置碳納米突聚集體，通過在1200～2000℃下加熱使碳納米突聚集體之間結合并使其相互附載。
17.權利要求13～16的任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于基材具有任意的形狀。
18.權利要求13～17的任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于基材為玻璃、陶瓷、金屬、合金、半導體或有機物的任何一種。
19.權利要求13～18的任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于基材由化學不穩定或熱不穩定的材料構成。
20.權利要求13～19任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于將基材除去。
21.權利要求20所述的納米突載體的制造方法，其特征在于用溶劑將基材除去。
22.權利要求20所述的納米突載體的制造方法，其特征在于通過加熱將基材除去。
23.權利要求13～22的任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于固定材料為有機高分子、金屬或合金、或無機物的任何一種。
24.權利要求13～23的任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于固定材料為在1500℃以下加熱軟化的材料。
25.權利要求24所述的納米突載體的制造方法，其特征在于固定材料為熔點1500℃以下的金屬或合金。
26.權利要求13～23的任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于固定材料為在1500℃以下形成碳化物的材料。
27.權利要求13～26的任一項所述的納米突載體的制造方法，其特征在于選擇性地將被覆碳納米突聚集體的固定材料(2)的一部分除去。
28.權利要求27所述的納米突載體的制造方法，其特征在于用溶劑選擇性地將固定材料除去。
29.權利要求27所述的納米突載體的制造方法，其特征在于通過氧等離子蝕刻選擇性地將固定材料除去。
30.權利要求27所述的納米突載體的制造方法，其特征在于通過在氧氣氛中加熱而選擇性地將固定材料除去。
全文摘要
本發明涉及能更有效且更簡便地利用碳納米突前端形狀的納米突載體及其制造方法，該納米突載體如下所述制備通過使碳納米突聚集體(1)分散到分散液中，將該分散液供給到基材(3)上后，只將分散液除去而配置碳納米突聚集體(1)，然后用固定材料被覆該碳納米突聚集體(1)的一部分或全部而使其附載到固定材料(2)上，從而使1個或2個以上的碳納米突聚集體(1)的一部分或全部被固定材料(2)附載。
文檔編號B01J20/30GK1639060SQ0380548
公開日2005年7月13日 申請日期2003年2月21日 優先權日2002年3月7日
發明者飯島澄男, 湯田坂雅子 申請人:獨立行政法人科學技術振興機構, 日本電氣株式會社