一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于單晶硅拋光片清洗技術領域，具體涉及一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺。
【背景技術】
[0002]單晶硅拋光片是IC行業的基礎材料，拋光片的潔凈度是非常重要的指標，因此拋光片預清洗機是保證拋光片潔凈度的必要設備。目前我公司使用的韓國ATIS拋光片預清洗機采用濕法進料的方法，濕法進料是指拋光片在從拋光機下車一直到清洗機進料的整個過程中，拋光片的表面一直要處于濕潤狀態。具體流程是拋光機一濕法傳遞窗一清洗機濕法進料臺。拋光片從拋光機下車后，表面有一層水膜，顆粒附著在水膜上，屬于物理沾污，容易清洗。當拋光片表面干燥后，水膜消失，顆粒就會附著在暴露在空氣中的拋光片表面，物理沾污就會變成化學沾污，清洗困難。因此為了達到較好的清洗效果，濕法進料是非常必要的。ATIS拋光片預清洗機的濕法進料臺主要有三部分組成，一是用來盛滿純水的水槽，二是水槽底部的片盒定位卡槽，三是在水槽內部兩側的片盒光電對射傳感器，片盒定位卡槽和片盒光電對射傳感器都在水槽的液面下。當片盒進入濕法進料臺放在定位卡槽上后，水槽兩側的片盒光電對射傳感器就會感應到片盒的信息，并及時把信息傳遞到清洗機，清洗機開始自動清洗。在進料的過程中，要求兩盒拋光片為一組，每次進一組，拋光片和片盒要全部在水槽的液面下，片盒要準確定位，片盒傳感器要及時準確的傳出片盒信息。但在生產使用中發現，ATIS拋光片預清洗機的濕法進料臺存在著以下兩個問題:1、操作者在往濕法進料水槽的片盒定位卡槽放片盒時，由于片盒定位卡槽在水槽底部，受到水的折射和浮力影響，要把片盒迅速準確的放在定位卡槽上非常困難。稍不小心片盒就會放偏，甚至片盒會跌倒，導致拋光片滑出片盒，使拋光片產生劃傷和沾污，降低拋光片的潔凈度，同時降低生產效率。2、由于濕法進料的片盒光電對射傳感器在水中，當片盒光電對射傳感器周圍有氣泡或水波動時，片盒光電對射傳感器會給出錯誤的信息，這些錯誤的信息會讓清洗機做出誤動作。長期下去就會使清洗機的程序錯亂，影響正常的生產。同時，光電對射傳感器長期泡在水中，給維修和保養造成很大困難，也會大大降低片盒光電對射傳感器的使用壽命。
【實用新型內容】
[0003]為解決上述技術問題，本實用新型提供一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，該裝置有效地解決了操作者放片盒困難，潔凈度差，片盒光電對射傳感器給出錯誤信號的問題，大大提高了生產效率。
[0004]本實用新型所采用的技術方案是:一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，升降臺設置在清洗水槽正上方并能上下移動，升降臺包括呈“L”形設置的側壁和底壁，所述側壁上部設有用于將升降臺固定在升降電機上的螺孔，側壁的下部沿豎直方向設有長條形的傳感通孔，所述底壁上均勻分布有通水孔，底壁的上端還固定設有片盒定位卡槽；所述升降臺還包括片盒光電對射傳感器，片盒光電對射傳感器的發射端和接收端分別設置在清洗水槽的兩側，片盒光電對射傳感器的接收端可通過傳感通孔接收發射端發出的光電信號。
[0005]進一步優化，所述傳感通孔為兩個。
[0006]進一步優化，所述的片盒定位卡槽為U型結構。
[0007]進一步優化，所述的側壁長為500-600mm，寬為190-230mm ;底壁長為380_420mm，寬為 190-230mm。
[0008]進一步優化，所述的傳感通孔長為130_160mm，寬為23_28mm。
[0009]進一步優化，所述的片盒定位卡槽高8_12mm。
[0010]進一步優化，所述的通水孔為直徑為8-llmm的圓孔。
[0011]與現有技術相比，本實用新型至少具有下述優點及有益效果:
[0012]1、本實用新型的濕法進料升降臺，所用的各種組件安裝操作方便，有效地解決操作者放片盒困難，潔凈度差，片盒光電對射傳感器給出錯誤信號的問題，大大提高了生產效率。
[0013]2、本實用新型在清洗水槽的正上方設有一個L形的升降臺，升降臺的底壁上設有片盒定位卡槽，讓片盒定位裝置暴露在清洗水槽液面的上方，使操作者在放片盒時避免水的折射和浮力的影響，準確快速的把片盒放到位。
[0014]3、本實用新型把片盒傳感器從水槽的內部移到水槽側面的平臺上，使片盒光電對射傳感器與升降臺的底部處于一個平面，暴露在空氣中，避免了水中氣泡和水波動造成的誤動作，使片盒光電對射傳感器準確的感應到片盒信息。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型結構示意圖的主視圖；
[0016]圖2為本實用新型結構示意圖的俯視圖；
[0017]圖3為本實用新型結構示意圖的側視圖；
[0018]附圖標記:1、清洗水槽，2、側壁，3、底壁，4、螺孔，5、傳感通孔，6、通水孔，7、片盒定位卡槽，8、片盒光電對射傳感器。
【具體實施方式】
[0019]為使本實用新型的內容更明顯易懂，以下結合具體實施例，對本實用新型進行詳細描述。
[0020]如圖所示，一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，升降臺設置在清洗水槽I正上方并能上下移動，升降臺包括呈“L”形設置的側壁2和底壁3，所述側壁2上部設有用于將升降臺固定在升降電機上的螺孔4，側壁2的下部沿豎直方向設有長條形的傳感通孔5，所述底壁3上均勻分布有通水孔6，底壁3的上端還固定設有片盒定位卡槽7 ;所述升降臺還包括片盒光電對射傳感器8，片盒光電對射傳感器8的發射端和接收端分別設置在清洗水槽I的兩側，片盒光電對射傳感器8的接收端可通過傳感通孔5接收發射端發出的光電信號。
[0021]為了使本實用新型具有更好的使用效果，所述傳感通孔5為兩個。所述的片盒定位卡槽7為U型結構，并且共設有8個。所述的側壁2長為500-600mm，寬為190-230mm ;底壁3長為380-420mm，寬為190_230mm。傳感通孔5長為130_160_，寬為23_28mm。片盒定位卡槽7高8-12mm。通水孔6為直徑為8-llmm的圓孔，用于減小升降臺在上升和下降的過程中水的阻力。進一步優化，所述的側壁2長為550mm，寬為210mm ;底壁3長為400mm，寬為210mm。傳感通孔5長為150mm，寬為25mm。所述的片盒定位卡槽7高10mm，所述的通水孔6為直徑為1mm的圓孔。
[0022]結合上下文，本實用新型的升降臺在待料時，U形片盒定位卡槽7要暴露在清洗水槽I液面的上方，固定在清洗水槽I側面平臺上的片盒光電對射傳感器8 —直在清洗水槽I液面上方，此時兩者處于同一平面上。升降臺在放上片盒后，立即下降到清洗水槽I的液面下，當片盒進入清洗機的下個清洗槽后，升降臺即上升到清洗水槽I的液面上。
[0023]本實用新型在清洗水槽I的正上方設有一個L形的升降臺，升降臺和片盒定位卡槽7均為不銹鋼材質，升降臺的底壁上設有片盒定位卡槽7，讓片盒定位裝置暴露在清洗水槽I液面的上方，使操作者在放片盒時避免水的折射和浮力的影響，準確快速的把片盒放到位。本實用新型把片盒光電對射傳感器8從水槽的內部移到水槽側面的平臺上，使片盒光電對射傳感器8與升降臺的底部處于一個平面，暴露在空氣中，避免了水中氣泡和水波動造成的誤動作，使片盒光電對射傳感器8準確的感應到片盒信息。本實用新型所用的各種組件安裝操作方便，有效地解決操作者放片盒困難，片盒光電對射傳感器給出錯誤信號的問題，大大提高了生產效率。
[0024]本實用新型所列舉的技術方案和實施方式并非是限制，與本實用新型所列舉的技術方案和實施方式等同或者效果相同方案都在本實用新型所保護的范圍內。
【主權項】
1.一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，升降臺設置在清洗水槽(I)正上方并能上下移動，其特征在于:升降臺包括呈“L”形設置的側壁(2)和底壁(3)，所述側壁(2)上部設有用于將升降臺固定在升降電機上的螺孔(4)，側壁(2)的下部沿豎直方向設有長條形的傳感通孔(5)，所述底壁(3)上均勻分布有通水孔(6)，底壁(3)的上端還固定設有片盒定位卡槽(7);所述升降臺還包括片盒光電對射傳感器(8)，片盒光電對射傳感器(8)的發射端和接收端分別設置在清洗水槽(I)的兩側，片盒光電對射傳感器(8)的接收端可通過傳感通孔(5)接收發射端發出的光電信號。
2.如權利要求1所述的一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，其特征在于:所述傳感通孔(5)為兩個。
3.如權利要求1所述的一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，其特征在于:所述的片盒定位卡槽(7)為U型結構。
4.如權利要求1所述的一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，其特征在于:所述的側壁(2 )長為500-600mm，寬為190-230mm ;底壁(3 )長為380-420mm，寬為190_230mm。
5.如權利要求1所述的一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，其特征在于:所述的傳感通孔(5)長為130-160mm，寬為23-28mm0
6.如權利要求1所述的一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，其特征在于:所述的片盒定位卡槽(7)高8-12mm0
7.如權利要求1所述的一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，其特征在于:所述的通水孔(6)為直徑為8-llmm的圓孔。
【專利摘要】本實用新型公開一種用于清洗單晶硅拋光片的濕法進料升降臺，升降臺設置在清洗水槽正上方并能上下移動，升降臺包括呈“L”形設置的側壁和底壁，所述側壁上部設有用于將升降臺固定在升降電機上的螺孔，側壁的下部沿豎直方向設有長條形的傳感通孔，所述底壁上均勻分布有通水孔，底壁的上端還固定設有片盒定位卡槽；所述升降臺還包括片盒光電對射傳感器，片盒光電對射傳感器的發射端和接收端分別設置在清洗水槽的兩側，片盒光電對射傳感器的接收端可通過傳感通孔接收發射端發出的光電信號。本實用新型所用的各種組件安裝操作方便，有效地解決操作者放片盒困難，潔凈度差，片盒光電對射傳感器給出錯誤信號的問題，大大提高了生產效率。
【IPC分類】B08B13-00
【公開號】CN204583825
【申請號】CN201520250194
【發明人】邵奇, 趙文龍, 熊誠雷, 吳躍峰, 史舸, 魏海霞
【申請人】麥斯克電子材料有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月23日