處理系統和處理方法與流程

本發明涉及處理系統和處理方法。

背景技術：

1、專利文獻1中公開了一種排水處理系統，其包括：處理裝置，其用于使有機氟化合物等的含有比率降低；陰離子交換柱，其填充有包含陰離子交換體的離子交換體；和分解裝置，其用于對在陰離子交換柱中流通的再生液進行分解處理。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2010-125352號公報

技術實現思路

1、發明要解決的技術問題

2、本發明提供能夠順利地實施有機氟化合物的無毒化處理的處理系統和處理方法。

3、用于解決技術問題的手段

4、本發明的一個方式的處理系統包括：濃縮部，其用于對從半導體制造裝置排出的包含有機氟化合物的廢液進行濃縮；和藥液處理部，其用于使由濃縮部濃縮后的濃縮液分解和揮發。

5、發明效果

6、采用本發明，能夠順利地實施有機氟化合物的無毒化處理。

技術特征：

1.一種處理系統，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的處理系統，其特征在于：

3.如權利要求2所述的處理系統，其特征在于，還包括：

4.如權利要求3所述的處理系統，其特征在于，還包括：

5.如權利要求4所述的處理系統，其特征在于：

6.如權利要求1～5中任一項所述的處理系統，其特征在于：

7.如權利要求6所述的處理系統，其特征在于：

8.如權利要求1～5中任一項所述的處理系統，其特征在于：

9.如權利要求8所述的處理系統，其特征在于：

10.一種處理方法，其特征在于，包括：

11.如權利要求10所述的處理方法，其特征在于：

12.如權利要求10或11所述的處理方法，其特征在于：

13.如權利要求10或11所述的處理方法，其特征在于：

技術總結
本發明提供能夠順利地實施有機氟化合物的無毒化處理的處理系統和處理方法。PFAS無毒化系統(1)包括濃縮器(11)，其用于對從半導體制造裝置(100)的光刻裝置(111)排出的含有PFAS的抗蝕劑廢液進行濃縮。另外，PFAS無毒化系統(1)包括硫酸處理槽(12)，其用于使由濃縮器(11)濃縮后的濃縮液分解和揮發。

技術研發人員：小林真二
受保護的技術使用者：東京毅力科創株式會社
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21