半導體制冷器散熱結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體散熱技術，尤其涉及一種半導體制冷器散熱結構。
【背景技術】
[0002]半導體制冷器具有體積小、重量輕、可靠性高、無磨損、工作時無噪音、無方向性、易控溫、冷卻速度快、工作壽命長等優點，在150K?270K制冷范圍內，它是一種最佳的制冷手段；因此，在微光、紅外、激光、電子和航天等高技術領域中一直受到人們的重視，并得到了成熟的應用。
[0003]半導體制冷器工作時，須要通過散熱器來將堆積在半導體制冷器熱端上的熱量向外導出，實際封裝工藝中，為了對半導體制冷器進行安裝，還需在散熱器和半導體制冷器之間設置支架，為了保證熱量的良好傳遞，支架和散熱器之間還填充有導熱硅脂；存在的問題是:導熱硅脂具有不清潔性，涂抹時易沾染在其他器件上，并且涂抹時還需精確控制其涂抹量及均勻性，操作十分麻煩，另外，導熱硅脂壽命較短、容易老化，不適合高端產品應用。
【實用新型內容】
[0004]針對【背景技術】中的問題，本實用新型提出了一種半導體制冷器散熱結構，其結構為:所述半導體制冷器散熱結構由支架、半導體制冷器、導熱層、散熱器和風扇組成；所述支架的上端面設置有內凹的凹槽，所述凹槽形成制冷器安裝腔，半導體制冷器設置于制冷器安裝腔內；所述支架的下端面與導熱層的上側面接觸，導熱層的下側面與散熱器的上端面接觸；風扇設置于散熱器下方，散熱器和風扇之間留有間隙；所述導熱層采用銦箔，支架、導熱層和散熱器三者通過螺栓緊固。
[0005]本實用新型的工作原理與現有技術基本相同，本實用新型與現有技術的最大區別在于采用銦箔來形成導熱層，相比于導熱硅脂，由銦箔形成的導熱層具有如下優點:首先，銦箔的熱導率為86W/m.K，比導熱硅脂的熱導率(lW/m.K)更高，可以更加有效地將熱量導出；其次，銦箔為固體，安裝較為方便，這就解決了導熱硅脂需要涂抹以及由涂抹操作所帶來的一系列問題，可以大幅提高封裝操作的效率；再次，銦在常溫下具有良好的塑性和延展性，當支架或散熱器上的不同部位因熱膨脹系數不同而形成應力時，能夠被銦箔吸收，從而改善器件的結構穩定性；另外，相比于導熱硅脂，采用本實用新型的方案后，散熱系統的使用壽命更長。
[0006]優選地，所述銦箔厚度為0.05mm。
[0007]優選地，所述支架采用銅材料制作。
[0008]優選地，支架上，制冷器安裝腔底部與支架下端面之間的厚度為2mm。
[0009]優選地，所述散熱器采用銅材料制作。
[0010]優選地，散熱器和風扇之間的間隙跨度為3~5cm。
[0011]本實用新型的有益技術效果是:可進一步提高器件的散熱性能，封裝更為便捷，使散熱系統的使用壽命得到延長。
【附圖說明】
[0012]圖1、本實用新型的剖面示意圖。
[0013]圖中各個標記所對應的部件名稱分別為:支架1、半導體制冷器2、導熱層3、散熱器4、風扇5。
【具體實施方式】
[0014]一種半導體制冷器散熱結構，其改進在于:所述半導體制冷器散熱結構由支架1、半導體制冷器2、導熱層3、散熱器4和風扇5組成；所述支架I的上端面設置有內凹的凹槽，所述凹槽形成制冷器安裝腔，半導體制冷器2設置于制冷器安裝腔內；所述支架I的下端面與導熱層3的上側面接觸，導熱層3的下側面與散熱器4的上端面接觸；風扇5設置于散熱器4下方，散熱器4和風扇5之間留有間隙；所述導熱層3采用銦箔，支架1、導熱層3和散熱器4三者通過螺栓緊固。
[0015]進一步地，所述銦箔厚度為0.05mm。
[0016]進一步地，所述支架I采用銅材料制作。
[0017]進一步地，支架I上，制冷器安裝腔底部與支架I下端面之間的厚度為2mm。
[0018]進一步地，所述散熱器4采用銅材料制作。
[0019]進一步地，散熱器4和風扇5之間的間隙跨度為3~5cm。
【主權項】
1.一種半導體制冷器散熱結構，其特征在于:所述半導體制冷器散熱結構由支架(1)、半導體制冷器(2)、導熱層(3)、散熱器(4)和風扇(5)組成；所述支架(I)的上端面設置有內凹的凹槽，所述凹槽形成制冷器安裝腔，半導體制冷器(2)設置于制冷器安裝腔內；所述支架(I)的下端面與導熱層(3)的上側面接觸，導熱層(3)的下側面與散熱器(4)的上端面接觸；風扇(5)設置于散熱器(4)下方，散熱器(4)和風扇(5)之間留有間隙；所述導熱層(3)采用銦箔，支架(1)、導熱層(3)和散熱器(4)三者通過螺栓緊固。
2.根據權利要求1所述的半導體制冷器散熱結構，其特征在于:所述銦箔厚度為0.05mmo
3.根據權利要求1所述的半導體制冷器散熱結構，其特征在于:所述支架(I)采用銅材料制作。
4.根據權利要求1所述的半導體制冷器散熱結構，其特征在于:支架(I)上，制冷器安裝腔底部與支架(I)下端面之間的厚度為2mm。
5.根據權利要求1所述的半導體制冷器散熱結構，其特征在于:所述散熱器(4)采用銅材料制作。
6.根據權利要求1所述的半導體制冷器散熱結構，其特征在于:散熱器(4)和風扇(5)之間的間隙跨度為3~5cm。
【專利摘要】一種半導體制冷器散熱結構，其結構為：所述半導體制冷器散熱結構由支架、半導體制冷器、導熱層、散熱器和風扇組成；所述支架的上端面設置有內凹的凹槽，所述凹槽形成制冷器安裝腔，半導體制冷器設置于制冷器安裝腔內；所述支架的下端面與導熱層的上側面接觸，導熱層的下側面與散熱器的上端面接觸；風扇設置于散熱器下方，散熱器和風扇之間留有間隙；所述導熱層采用銦箔，支架、導熱層和散熱器三者通過螺栓緊固。本實用新型的有益技術效果是：可進一步提高器件的散熱性能，封裝更為便捷，使散熱系統的使用壽命得到延長。
【IPC分類】H05K7-20, F25B21-02
【公開號】CN204555412
【申請號】CN201520222235
【發明人】陳于偉, 程順昌, 袁中朝
【申請人】中國電子科技集團公司第四十四研究所
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年4月14日