加工極疏水性表面的方法及具有極疏水性表面的蒸發器的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種加工表面強度優異的極疏水性表面的方法及具有通過該方法加工的疏水性表面的蒸發器。本發明的加工極疏水性表面的方法，包括以下步驟：準備金屬基材；對金屬基材進行陽極氧化，以在金屬基材的表面上形成具有微米結構體和納米纖維結構體的復合結構體的陶瓷層；以及在復合結構體的上面涂敷疏水性高分子物質，以形成具有與復合結構體相同的表面形狀的高分子層。
【專利說明】加工極疏水性表面的方法及具有極疏水性表面的蒸發器
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種加工極疏水性表面的方法，更為詳細地涉及一種加工表面強度優異的極疏水性表面的方法及具有通過該方法加工的疏水性表面的蒸發器。
【背景技術】
[0002]荷葉表面為在?IOym大小的微小突起表面上配置有數百納米大小的納米突起的結構，具有極疏水性和自凈功能。已知有由表面能量低的物質復制出微米-納米復合突起結構并通過多種方法加工極疏水性表面的方法。極疏水性表面具有接觸角滯后性(前進角和后退角之間的差距)小的優點，因此可應用在各種工業領域。
[0003]在已知的加工極疏水性表面的方法中，有一種方法在薄片上通過微型機電系統(MEMS, micro-electromechanical system)加工極疏水性表面。但是，通過微型機電系統不能制造出面積比薄片大的極疏水性表面，而且有制造成本很高的缺點。
[0004]在為了克服這些缺點而提出的方法中，有一種方法①在金屬基材的表面上施加沖擊能量以形成微米槽，②對金屬基材進行陽極氧化以在微米槽上形成納米槽，③在金屬基材的表面上涂敷高分子物質后進行分離，從而在金屬基材的表面上復制出微米-納米復合突起結構。該方法沒有大小限制，而且復制的高分子物質又柔軟，因此具有能夠在多種三維物品上附著的優點。
[0005]然而，前述的方法在陽極氧化和復制高分子物質的工序中需要相當長的時間，而且只用高分子物質實現極疏水性表面，因此與金屬表面相比表面強度弱。而且，在要實現極疏水性表面的物品的表面上需要附著復制的高分子物質，因此難以在復雜而立體的物品表面上適用。
【發明內容】
[0006]本發明的目的是提供一種加工極疏水性表面的方法及具有通過該方法加工的極疏水性表面的蒸發器，該加工極疏水性表面的方法及具有通過該方法加工的極疏水性表面的蒸發器具有與金屬表面類似的表面強度，同時能夠縮短整個加工時間。
[0007]本發明的一實施例的加工極疏水性表面的方法，包括以下步驟:準備金屬基材；對所述金屬基材進行陽極氧化，以在金屬基材的表面上形成具有微米結構體和納米纖維結構體的復合結構體的陶瓷層；在復合結構體的上面涂敷疏水性高分子物質，以形成具有與復合結構體相同的表面形狀的高分子層。
[0008]金屬基材可包括選自鋁、鎳、鈦、鎂及鋅中的至少一種金屬。
[0009]可在陽極氧化的初始階段中在陶瓷層上形成納米孔，隨著陽極氧化的進行，納米孔擴張，并且導致納米孔的壁面崩潰，從而在中心殘留密度高的壁面，形成由納米纖維結構體和山脊模樣的所述微米結構體構成的復合結構體。
[0010]在陽極氧化中，電解液的溫度可在0°C至40°C的范圍內，對金屬基材和對電極施加的電壓可在20V至200V的范圍內。對金屬基材和對電極施加的時間可在5分鐘至10分鐘的范圍。
[0011]所述高分子層可包括選自聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚四氟乙烯(PTFE)、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)、全氟烷氧基(PFA)及(十七氟-1，1，2，2-四氫十二烷基)-三氯硅烷(HDFS, (HEPTADECAFLU0R0-1,1,2, 2-TETRAHYDR0DECYL) -TRICHL0R0SILANE)中的至少一種。
[0012]高分子層可涂敷成單分子層，具有IA以上且5nm以下范圍的厚度。
[0013]本發明的一實施例的蒸發器包括制冷劑管，該制冷劑管在內部流動有制冷劑，所述制冷劑在流動的過程中與在周圍流動的空氣進行熱交換。制冷劑管構成金屬基材，制冷劑管的外周面具有通過前述方法加工的極疏水性表面。
[0014]本發明的另一實施例的蒸發器，包括:彼此間隔開距離設置的上集箱及下集箱；多個制冷劑管，兩端固定在上集箱及下集箱，并形成有制冷劑通道；以及多個熱交換翅片，與制冷劑管接觸并設置在制冷劑管之間，其表面與外部空氣接觸。熱交換翅片構成金屬基材，而且具有通過前述方法加工的極疏水性表面。
[0015]熱交換翅片可以“之”字形彎曲形成波形結構。
[0016]本實施例的極疏水性表面能夠實現與陶瓷相同的表面剛性，因此經得起外部沖擊或者摩擦，從而具有高的耐久性，并且能夠有效地縮短在加工中所需的時間。而且，在復雜而立體的物品表面上能夠容易地形成極疏水性表面。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1為表示本發明的一實施例的加工極疏水性表面的方法的工藝流程圖。
[0018]圖2為示意地表示在圖1中圖示的各步驟下的剖面狀態的圖。
[0019]圖3為表示在圖1的第二步驟中采用的陽極氧化裝置的示意圖。
[0020]圖4a為經過第二步驟的陽極氧化過程的陶瓷層表面的掃描電子顯微鏡照片。
[0021 ]圖4b為圖4a的局部放大照片。
[0022]圖5a至圖5d為表示根據陽極氧化時間所改變的陶瓷層表面的掃描電子顯微鏡照片。
[0023]圖6為比較例的陶瓷層表面的掃描電子顯微鏡照片。
[0024]圖7為表示根據陽極氧化時間所改變的極疏水性表面的接觸角的圖表。
[0025]圖8為檢測并顯示根據時間的霜生成量的圖表。
[0026]圖9a表示在本實施例的極疏水性表面上的除霜過程的照片。
[0027]圖9b為圖9a的模式圖。
[0028]圖10為表示經過陽極氧化的普通鋁、普通鋁、由疏水性高分子涂敷的普通鋁、由經過復制的疏水性高分子層單獨構成的疏水性表面及本實施例的極疏水性表面的照片。
[0029]圖11為本發明的一實施例的蒸發器的示意圖。
[0030]圖12為在圖11中圖示的蒸發器的剖視圖。
[0031]圖13為本發明的另一實施例的蒸發器的示意圖。
[0032]圖14為在圖13中圖示的蒸發器的局部放大圖。
【具體實施方式】
[0033]下面，參照附圖詳細說明本發明的實施例，以使本發明所屬【技術領域】中具有普通知識的人能夠容易實施。但本發明并不局限于在此說明的實施例，可用多種形式實現本發明。
[0034]圖1為表示本發明的一實施例的加工極疏水性表面方法的工藝流程圖，圖2為示意地表示在圖1中圖示的各步驟下的剖面狀態的圖。
[0035]參照圖1和圖2，本實施例的加工極疏水性表面100的方法包括準備金屬基材11的第一步驟SlO ;對金屬基材11進行陽極氧化，以在金屬基材11的表面上形成具有微米結構體和納米纖維結構體的復合結構體20的陶瓷層12的第二步驟S20 ;和在復合結構體20的上面涂敷疏水性高分子物質，以形成具有與復合結構體20相同的表面形狀的高分子層13的第三步驟S30。
[0036]高分子層13在微米結構體之間及納米纖維結構體之間含有空氣，從而最大限度地減小與水之間的接觸面積。因此高分子層13能夠實現水滴無法滲透的極疏水性表面。此時，高分子層13不會與金屬基材11分離而單獨存在，而是位于經陽極氧化的陶瓷層12 (金屬氧化層)上，因此具有與陶瓷相當的表面剛性。
[0037]在此,微米級意味著屬于I μ m以上且小于1，000 μ m范圍的大小,納米級意味著屬于Inm以上且小于1，OOOnm范圍的大小。
[0038]在第一步驟SlO中金屬基材11為能夠陽極氧化的金屬，可包括鋁、鎳、鈦、鎂及鋅等。金屬基材11并不局限于特定的形狀，包括需要實現極疏水性表面的所有金屬物品。在圖2中以平板形狀的金屬基材11為例來圖示，但是金屬基材11的形狀不局限于圖示的例。
[0039]圖3為表示在圖1的第二步驟中采用的陽極氧化裝置的示意圖。
[0040]參照圖3，陽極氧化裝置30包括供冷卻水循環的循環式水槽31和按規定的速度攪拌水槽31內部的電解液的磁力攪拌機32。
[0041]第二步驟S20的陽極氧化工序由以下過程構成:以彼此間隔開距離的狀態將金屬基材11和對電極33浸潰在水槽31內部的電解液中，而且對金屬基材11和對電極33分別施加陽極電源和陰極電源。在此，電解液可包括在乙二酸(C2H2O4)、磷酸(H3PO4)及硫酸(H2SO4)中的至少一種，對電極33可包括鋁或白金。
[0042]此時，電解液的溫度范圍可為0°C至40°C，對金屬基材11和對電極33施加的電壓范圍可為20V至200V的范圍。此外，施加電壓的時間可為5分鐘至10分鐘。當滿足上述條件時，能夠在金屬基材11上的陶瓷層12 (金屬氧化層)表面上形成微米結構體和納米纖維結構體的復合結構體20。
[0043]具體來講，當電解液的溫度、金屬基材11和對電極33之間的電壓差脫離前述的范圍時，在陶瓷層12的表面上不能形成微米結構體和納米纖維結構體的復合結構體。即，當不滿足前述的條件時，在陶瓷層12的表面上不能形成微米結構體，也不能形成納米纖維結構體。當施加電壓的時間滿足5分鐘至10分鐘的范圍時，能夠實現接觸角為150°以上的極疏水性。
[0044]本實施例的陽極氧化工序由在陶瓷層12的表面上形成納米孔后，將所述納米孔擴張的過程構成。如此一來，納米孔的壁面開始崩潰，在中心只留下密度高的壁面，因此最終完成由納米纖維結構體和山脊模樣的微米結構體構成的復合結構體20。
[0045]圖4a為經過第二步驟的陽極氧化過程的陶瓷層表面的掃描電子顯微鏡照片，圖4b為圖4a的局部放大照片。[0046]參照圖4a和圖4b，在陶瓷層12的表面上形成細長的纖維形狀的納米纖維結構體。納米纖維結構體由殘留的密度高的壁面形成，并且不是單獨殘留，而是在中心由密度高的壁面聚集殘留的，因此能夠同時形成山脊模樣的微米結構體。
[0047]納米纖維結構體可描述為線狀或者棒狀，統稱為縱橫比大的薄而長的形狀。為了方便，在本實施例中將這種納米結構體稱為“納米纖維結構體”。陶瓷層12具有親水性，通過形成前述的復合結構體20具有極親水性。
[0048]圖5a至圖5d為表示根據陽極氧化時間所改變的陶瓷層表面的掃描電子顯微鏡照片。在圖5a至圖5d中，上側照片表示陶瓷層的表面照片，下側照片表示陶瓷層的剖面照片。
[0049]參照圖5a至圖5d，在陽極氧化的初始階段，金屬基材11的表面被氧化而形成陶瓷層12，并且在陶瓷層12的表面上形成微小的納米孔(圖5a)。隨著陽極氧化的進行，納米孔的大小和深度逐漸擴張(圖5b)，由于納米孔的擴張，導致納米孔周圍的壁面開始崩潰，并且在中心只留下密度高的壁面(圖5c及圖5d)。
[0050]于是如圖5d所示，在納米孔周圍殘留的壁面形成納米纖維結構體和微米結構體，從而完成陶瓷層12的復合結構體20。在圖4a至圖5d中，金屬基材11由鋁構成，陶瓷層12由氧化鋁構成。
[0051]圖6為在電解液的溫度及金屬基材和對電極之間的電壓差不滿足實施例條件的狀態下制作的比較例的陶瓷層表面的掃描電子顯微鏡照片。從圖6可知，在比較例的陶瓷層表面上形成有多個納米孔，沒有形成本實施例的微米結構體及納米纖維結構體的復合結構體。
[0052]再次參照圖2，在第三步驟S30中，在復合結構體20上涂敷具有疏水性的高分子物質。從而，在陶瓷層12的表面上形成具有與復合結構體20相同的表面形狀的高分子層13。高分子層13可包括(十七氟-1，1，2，2-四氫十二烷基)-三氯硅烷(HDFS，(HEPTADECAFLU0R0-1,1，2，2-TETRAHYDR0DECYL)-TRICHL0R0SILANE)、聚 二甲基硅氧烷(PDMS)、聚四氟乙烯(PTFE)、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)及全氟烷氧基(PFA)中的至少一種。
[0053]高分子層13的材料本身具有疏水性，而且在物質特性上與陶瓷層12的表面結合并以單分子形式被涂敷，從而顯示與在陶瓷層12上形成的復合結構體20相同的圖案。SP，在高分子層13上也形成有對應于陶瓷層12的復合結構體20的納米纖維結構體和微米結構體。高分子層13為單分子層，可具有IA至5nm范圍的厚度。
[0054]當為包含HDFS的高分子層13時，將HDFS和核酸以1: 1000的比例混合，并將形成有陶瓷層12的金屬基材11在所述混合溶液中浸潰10分鐘以內后，進行核酸清洗和水清洗過程，即能在陶瓷層12的表面上涂敷HDFS高分子層13。
[0055]在高分子層13上形成的微米結構體具有相當于峰的部分和相當于谷的部分，相當于峰的部分起到實現極疏水性的微米突起的作用。而且在高分子層13上形成的各納米纖維結構體起到實現極疏水性的納米突起的作用。
[0056]這種高分子層13在微米結構體之間及納米纖維結構體之間含有空氣，從而最大限度地減小與水之間的接觸面積，發揮接觸角大于150°的極疏水性。
[0057]圖7為表示根據陽極氧化時間所改變的極疏水性表面的接觸角的圖表。
[0058]從圖7可知，從開始陽極氧化到5分鐘內接觸角顯示出小于150°的值，大約超過5分鐘時接觸角顯示出大于150°的值。另一方面，即使陽極氧化的時間超過10分鐘，接觸角沒有大的變化，因此為了實現150°以上的極疏水性，陽極氧化時間優選為5分鐘至10分鐘。
[0059]根據本實施例完成的極疏水性表面100不是由高分子層單獨存在，而是依然保留金屬基材11和陶瓷層12，因此能夠實現幾乎與陶瓷層12相同的表面剛性。于是，極疏水性表面100即使在受到外部沖擊或者摩擦等的情況下也能夠保持原來的表面形狀，因此能夠確保高耐久性。
[0060]此外，在陽極氧化中所需的時間為10分鐘以內，并且隨著將高分子層13涂敷為單分子層，在涂敷中所需的時間也非常短，因此能夠有效地縮短表面加工時間。尤其是，無需將高分子層13附著在物品的表面上，而是對由金屬制造的物品本身進行表面處理而實現極疏水性表面100，因此在復雜而立體的物品表面上能夠易于形成極疏水性表面100。
[0061]圖8為檢測并顯示根據時間的霜生成量的圖表。
[0062]在圖8中A線表示普通鋁的表面，B線表示由疏水性高分子涂敷的普通鋁的表面，C線表示由疏水性高分子涂敷的本實施例的極疏水性表面。在圖8中將普通鋁表面(A線)的霜生成量假設為1，并以相對于A線的比較值來表示B線和C線的霜生成量。在實驗中采用的溫度條件為27°C常溫。
[0063]從圖8可知，本實施例的極疏水性表面與普通鋁表面及涂敷有疏水性高分子的普通鋁表面相比大幅延遲了霜的生成，在同樣的時間條件下其表面上生成更少的霜。
[0064]圖9a表示在本實施例的極疏水性表面上的除霜過程的照片，圖9b為圖9a的模式圖。
[0065]參照圖9a和圖％，在本實施例的極疏水性表面100中高分子層13具有與微米結構體和納米纖維結構體的復合結構體相同的表面形狀。并且能夠確認，在這種極疏水性表面100上生成的霜構成單層形狀，并從表面上剝落。
[0066]因此，本實施例的極疏水性表面100即使在上面形成霜也能夠一次性去除該霜，因此能夠實現迅速而徹底的除霜。
[0067]圖10為表示經陽極氧化的普通鋁、普通鋁、涂敷有疏水性高分子的普通鋁、由經復制的疏水性高分子層單獨構成的疏水性表面以及本實施例的極疏水性表面的照片。(a)?(el)為將所述表面垂直豎立而拍攝的照片，(e2)為將所述表面與地面平行擺放而拍攝的照片。
[0068]圖10的(a)為經陽極氧化的普通鋁的表面，(b)為普通鋁的表面，(a)為在整個表面上覆蓋有霜的狀態，(b)表示在表面上凝結有水滴的狀態。圖10的(C)為涂敷有疏水性高分子的普通鋁的表面，(d)為由經過復制疏水性高分子層單獨構成的疏水性表面，具有微米-納米復合突起結構。
[0069]能夠確認到在圖10的(b)、(c)、(d)中霜未被徹底除掉，而在表面上凝結成水滴而存在。
[0070]圖10的(el)和(e2)表示本實施例的極疏水性表面，能夠確認到徹底除霜的狀態。此外能夠確認到，在除霜后在表面上滴落水滴時，水滴聚結成一起，保持原來的極疏水性。
[0071]如此，本實施例的極疏水性表面100由于水滴的凝結而延遲附著，并且所生成的霜表現出以單層形狀一次性掉落的現象，因此能夠實現快而徹底的除霜效果。
[0072]前述的極疏水性表面100能夠有效地應用在各種熱交換器尤其是吸收周邊的熱量而降低周邊溫度的蒸發器中。下面，參照圖11至圖14，對蒸發器的結構和極疏水性表面的應用位置進行說明。
[0073]圖11為本發明的一實施例的蒸發器的示意圖，圖12為在圖11中圖示的蒸發器的剖視圖。在圖11中圖示的管式蒸發器可應用在冰箱等中。
[0074]參照圖11和圖12，蒸發器200由在內部循環有制冷劑的制冷劑管40構成，所述制冷劑在循環過程中與在周圍流動的空氣進行熱交換。制冷劑管40的入口可與膨脹閥(未圖示)連接，制冷劑管40的出口可與壓縮機(未圖示)連接。通過制冷劑管40流入的液態制冷劑經過制冷劑管40的過程中氣化為氣態制冷劑，而且吸收周圍空氣中的熱量以冷
卻周圍空氣。
[0075]制冷劑管40由能夠進行陽極氧化的金屬來制造，經過前述的陽極氧化的第二步驟S20和涂敷高分子的第三步驟S30，將外表面加工成極疏水性表面100。S卩，制冷劑管40的外周面構成為本實施例的極疏水性表面100。
[0076]這種制冷劑管40延遲在外表面上形成霜，而且一次形成的霜以單層形狀一次性去除，因此能夠發揮優異的除霜效果。制冷劑管40的配置結構不局限于圖示的例，而能夠以多種形式改變。而且，也可以采用在制冷劑管40外側結合有板狀翅片等多種構件的結構。
[0077]圖13為本發明的另一實施例的蒸發器的示意圖，圖14為在圖13中圖示的蒸發器的局部放大圖。在圖13中圖示的蒸發器可應用在汽車空調裝置等。
[0078]參照圖13和圖14，蒸發器210包括彼此間隔開距離設置的上集箱51及下集箱52、兩端固定在上集箱51和下集箱52并形成有制冷劑通道的多個制冷劑管53以及與制冷劑管53接觸并位于制冷劑管53之間的多個熱交換翅片54。
[0079]熱交換翅片54與制冷劑管53進行熱交換，并且與接觸其表面的空氣進行熱交換。熱交換翅片54形成為以“之”字形彎曲的波形結構，從而將與空氣接觸的面積最大化。因此熱交換翅片54擴大制冷劑管53的導熱面積，從而提高制冷劑和空氣之間的熱交換效率。
[0080]熱交換翅片54由能夠進行陽極氧化的金屬來制作，經過前述的陽極氧化的第二步驟S20和涂敷高分子的第三步驟S30將整個表面加工成極疏水性表面100。S卩，熱交換翅片54的整個表面構成為本實施例的極疏水性表面100。這種熱交換翅片54延遲霜在表面的附著，而且發揮優異的除霜效果。
[0081]在前述的蒸發器200、210中，極疏水性表面100容易應用到如制冷劑管40及熱交換翅片54等形狀復雜的三維結構體中。這是因為極疏水性表面100并非如以往那樣由經過復制的高分子層單獨形成并附著在物品表面上的形式。
[0082]即在本實施例中，由于對需要極疏水性特性的物品(制冷劑管、熱交換翅片等)本身進行陽極氧化，并在陶瓷層12的復合結構體20的上面涂敷疏水性高分子而制作極疏水性表面，因此在復雜的三維結構體上也能夠容易地加工極疏水性表面100。
[0083]具備這種極疏水性表面100的蒸發器200、210的表面強度優異，因此耐久性高，而且能夠在短時間內以經濟的方法形成極疏水性表面100，并且除霜效果優異，能夠提高熱交換效率。[0084]此外，在上述內容中以兩種類型的蒸發器200、210舉例說明了本實施例的極疏水性表面100的應用例，但是本實施例的極疏水性表面100除了前述的蒸發器200、210以外，在需要快速除霜效果的各種結構的熱交換器中都能夠應用。
[0085]以上說明了本發明的優選實施例，但本發明并不限于上述實施例，在權利要求書和說明書以及說明書附圖所公開的范圍內可用多種形式變形實施，當然這也應屬于本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種加工極疏水性表面的方法，包括以下步驟: 準備金屬基材； 對所述金屬基材進行陽極氧化，以在所述金屬基材的表面上形成具有微米結構體和納米纖維結構體的復合結構體的陶瓷層；以及 在所述復合結構體的上面涂敷疏水性高分子物質，以形成具有與所述復合結構體相同的表面形狀的高分子層。
2.根據權利要求1所述的加工極疏水性表面的方法，其中， 所述金屬基材包括選自鋁、鎳、鈦、鎂及鋅中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的加工極疏水性表面的方法，其中， 在所述陽極氧化的初始階段，在所述陶瓷層上形成納米孔， 隨著所述陽極氧化的進行，所述納米孔的擴張，并且導致所述納米孔的壁面崩潰，從而在中心殘留密度高的壁面，以形成由所述納米纖維結構體和山脊模樣的所述微米結構體構成的所述復合結構體。
4.根據權利要求3所述的加工極疏水性表面的方法，其中， 在所述陽極氧化中，電解液的溫度在0°C至40°C的范圍內，對所述金屬基材和對電極施加的電壓在20V至200V的范圍內。
5.根據權利要求4所述的加工極疏水性表面的方法，其中， 對所述金屬基材和所述對電極施加的電壓時間在5分鐘至10分鐘的范圍內。
6.根據權利要求1所述的加工極疏水性表面的方法，其中， 所述高分子層包括選自聚二甲基硅氧烷、聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、全氟烷氧基及(十七氟-1，1，2，2_四氫十二烷基)_三氯硅烷中的至少一種。
7.根據權利要求3所述的加工極疏水性表面的方法，其中， 所述高分子層涂敷為單分子層。
8.根據權利要求7所述的加工極疏水性表面的方法，其中， 所述高分子層具有IA以上且5nm以下范圍的厚度。
9.一種具有疏水性表面的蒸發器，包括: 制冷劑管，在內部流動有制冷劑，所述制冷劑在流動的過程中與在周圍流動的空氣進行熱交換， 所述制冷劑管構成金屬基材， 所述制冷劑管的外周面通過權利要求1至8中的任一項所述的方法得到加工。
10.一種具有疏水性表面的蒸發器，包括: 彼此間隔開距離設置的上集箱及下集箱； 多個制冷劑管，兩端固定在所述上集箱及所述下集箱，并形成有制冷劑通道；以及多個熱交換翅片，與所述制冷劑管接觸并設置在所述制冷劑管之間，其表面與外部空氣接觸， 所述熱交換翅片構成金屬基材，并且通過權利要求1至8中的任一項所述的方法得到加工。
11.根據權利要求10所述的具有疏水性表面的蒸發器，其中， 所述熱交換翅片以“之”字形彎曲形成波形結構。
【文檔編號】F25B39/02GK103702928SQ201280036068
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2012年6月29日 優先權日:2011年7月21日
【發明者】黃云峰, 李尚珉, 金英愛 申請人:浦項工科大學校產學協力團