用于對在冶金容器中的熔渣液面進行探測的方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發明涉及用于借助于至少一個產生信號的探測機構（6）來對在處于冶金容器（1）中的金屬的熔融物上的熔渣液面進行探測的一種方法和一種裝置，所述探測機構（6）對準所述冶金容器（1）和/或至少對準從所述冶金容器（1）中流出的熔渣流（3）。在階段A中，借助于處理單元（8）從信號中直接檢測熔渣液面SPA，和/或如果不能直接探測所述熔渣液面SPA，則探測所述流出的熔渣流（3）的、沿著至少一個方向i的寬度BMi，并且借助于所述處理單元通過所述流出的熔渣的量SM來檢測所述熔渣液面SPB。此外，本發明涉及一種用于調節為了設定所述熔渣液面而加入到所述冶金容器中的碳載體的量的方法，其中所述調節基于所檢測的熔渣液面進行。
【專利說明】用于對在冶金容器中的膝渣液面進行探測的方法和裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及用于對在冶金容器中的烙渣液面進行探測的一種方法和一種裝置或 者一種用于對在處于冶金容器中的冶金的烙融物上的烙渣形成情況進行控制的方法。在冶 金的過程中，烙渣經常用于遮蓋金屬的烙融物，其中可W實現熱損失的降低、更低的材料消 耗，不過也可W實現更低的噪聲負荷。總是必須又將烙渣從冶金容器中排出，因為在許多冶 金的過程中不斷產生新的烙渣。因此，對于在冶金容器中的、所存在的烙渣的量或者烙渣液 面的了解具有很大的意義，并且該對冶金的過程的控制來說很重要。
【背景技術】
[000引從現有技術中知道用于對烙渣、比如在電弧爐中的泡沫烙渣或者在轉爐中的烙渣 進行測量的系統和方法。該些系統和方法尤其基于間接的測量方法，對于所述間接的測量 方法來說從可W容易獲得的測量信號中來獲取關于所述烙渣的當前的液面的信息。尤其在 此要考慮到電弧爐的電極電流、電極電壓(對于高次諧波的分析、失真因數)、噪聲擴散、結 構噪聲或者在所述冶金容器的壁體中的、傳熱的元件的溫度分布。
[0003] 從文獻DD228831A1中可W得知一種用于對在電弧爐中的電弧進行覆蓋的方法。 對由電弧引起的聲排放進行測量，并且將其與所規定的聲極限值進行比較。在超過該種聲 極限值的情況下，將碳載體噴射到所述爐中或者噴射到烙渣中，直到又低于所述聲極限值。 因為所述消聲性能持久地隨著烙渣成分而變化，所W對于該樣的方法來說出現顯著的不清 晰性。
[0004] 從文獻JP62224613A中可W得知一種用于對在爐中的烙渣高度進行調節的方法， 其中基于所測量的烙渣水平通過在爐中的氣壓的變化來設定在所述爐中的烙渣水平。
[0005] 文獻JP63062812A說明了一種為了對金屬的烙融物進行處理而對在轉爐中的烙 渣高度進行調節的方法，其中通過布置在吹管中的溫度傳感器來檢測在所述轉爐中的溫度 分布，從所述溫度分布中推導出所述烙融物被烙渣覆蓋的情況。
【發明內容】
[0006] 本發明的任務在于，提供用于對在冶金容器中的烙渣液面進行探測的一種方法和 一種裝置或者一種用于對在處于冶金容器中的金屬烙融物上的烙渣形成情況進行控制的 方法，所述方法能夠實現更容易的并且更可靠的探測。
[0007] 本發明利用獨立權利要求1、11和17所述的特征來解決該任務。其他的權利要求 是本發明的有利的改進方案。
[000引對于在冶金容器、比如轉爐或者電弧爐中的烙渣液面的檢測由于較高的溫度、機 械的負荷、顯著的噪聲并且由于粉塵或煙塵負荷而比較困難。對于傳感器和測量機構來說， 該些條件非常不利。
[0009] 通過本發明，能夠在所有運行狀態中探測烙渣液面。在處理金屬的烙融物的過程 中，比如需要將裝置、比如吹管、電極或者操縱器移入到所述容器中，因而并不總是能夠通 過傳感器來檢測所述烙渣液面或者該一點受到干擾。因此可能存在由于生產技術引起的過 程狀態，對于所述過程狀態來說會形成顯著的粉塵或者煙塵。
[0010] 所述按本發明的方法建立在至少一個產生信號的探測機構的基礎上。所述探測機 構可W對準所述冶金容器，并且至少可W對準從所述冶金容器中流出的烙渣流。此外，所述 探測機構也可W僅僅對準所述冶金容器，或者至少可W對準從所述冶金容器中流出的烙渣 流。
[0011] 在冶金的方法的階段A中可W直接記錄在所述冶金容器中的、表示出烙渣液面SpA 的特征的信號，在所述階段A中通過處理單元來直接檢測所述烙渣液面SpA。在不能直接 探測所述烙渣液面SpA的運行階段中，可W探測流出的烙渣的、沿著至少一個方向1的寬度 Bmi，并且借助于所述處理單元通過所述流出的烙渣的量Sm來檢測所述烙渣液面Spc。
[0012] 從該樣的方法及探測機構的運行中已經表明，通過對于從冶金容器中流出的烙渣 流的探測可W足夠精確地確定在所述冶金容器中的烙渣液面。在此已經證明了在所述烙渣 液面與流出的、W烙渣流的形式流出的烙渣的量Sm之間的比例。此外已經證實，可W通過 所述烙渣流的橫截面來表示出流出的烙渣的量s"的特征，從而也可W至少根據所述烙渣流 的、所檢測到的寬度來間接地探測所述烙渣液面。由此所述烙渣流的橫截面與所述烙渣液 面成比例。
[001引按照本發明，對流出的烙渣流的、沿著方向i的寬度Bmi進行探測。所述流出的烙 渣的量Sm與所述寬度Bmi成比例。通過校正因數Fka可W檢測所述烙渣液面Spc。在所述階 段A中連續地從由烙渣液面SpA和寬度B"1的商求得所述校正因數Fka, SpA 乂日 M' X Fka。
[0014] 由此在所述階段A中始終對流槽的狀態并且由此對所述烙渣流的橫截面加 W考 慮，使得對于烙渣流的寬度的測量就已足夠，其中所述烙渣流通過所述流槽流出。
[0015] 該一點可W實現，因為始終出現所述烙渣流的表征的形狀，從所述表征的形狀中 可W推斷出所述烙渣液面。
[0016] 在所述按本發明的方法的一種實施方式中規定，對所述流出的烙渣流的、沿著兩 個彼此基本上垂直的方向1和2的寬度進行探測，其中檢測所述寬度B"1和B"2,并且所述流 出的烙渣的量S"與所述寬度B"i和勺乘積成比例。通過所述校正因數Fkb可W檢測所述 烙渣液面Spe。所述校正因數Fkb可W根據經驗或者在所述階段A中連續地從所述烙渣液面 SpA和由Bmi和Bm2的乘積中求得， 5戶離《：Bmi X Bm2 5^ Fkb。
[0017] 通過在所述烙渣液面與流出的烙渣的量之間的比例，可W通過所述校正因數Fkc W簡單的方式推斷出所述烙渣液面Spc。
[0018] 所述校正因數考慮到所述烙渣流的實際的橫截面的、偏離理論上的矩形形狀的偏 差。可W容易地根據經驗來求得所述校正因數，因為所出現的橫截面大多數保持恒定。在 該種情況中，可W放棄附加的、直接的、對于在所述冶金容器中的烙渣的探測。
[001引替代地，也可W從對于在階段A中的烙渣液面SpA的測量W及所測量的、由B"1和B"2 的乘積中求得所述校正因數。但是，不必經常求得所述校正因數，因為所述烙渣流的橫截面 形狀不會隨著時間快速變化。
[0020] 按本發明的方法的一種特殊的實施方式規定，對于所述烙渣液面SpA的探測在階 段A中在冶金容器中尤其是通過在所述冶金容器中的打開的烙渣口來進行。在此，所述探 測機構直接在所述冶金容器中檢測所述烙渣，其中利用所述冶金容器的開口。通過在所述 探測機構與所述冶金容器之間的間距，可W防止所述探測機構受到在所述冶金容器中W及 直接在所述冶金容器周圍的、極端的條件的影響。在通過打開的烙渣口使用時，所述方法只 能用在具有打開的烙渣口的階段中。
[0021] 按本發明的方法的另一種實施方式規定，對于所述烙渣液面SpA的探測在階段A中 通過在所述冶金容器中的烙渣上進行棱邊探測該種方式來進行。由此在烙渣上棱邊上實施 所述探測，并且直接在所述冶金容器中檢測所述烙渣。
[0022] 根按本發明的方法的一種優選的實施方式，所述探測機構具有一探測區域，該探 測區域檢測在所述冶金容器中的烙渣W及從所述冶金容器中流出的烙渣流。該種設計方案 能夠用僅僅一個探測機構來探測在所述冶金容器中的烙渣W及所述流出的烙渣流。由此在 不可能對在所述冶金容器中的烙渣液面進行直接的探測的情況中，也還可W間接地通過所 述流出的烙渣流W及由此所述流出的烙渣的量來進行探測。由此也可W在冶金的方法的、 本身對探測來說十分不利的運行狀態中在所述冶金容器中進行探測。
[0023] 根據按本發明的方法的一種替代的實施方式，所述探測機構具有一探測區域，該 探測區域僅僅檢測從所述冶金容器中流出的烙渣流。所述至少一個探測機構比如可W布置 在所述冶金容器的下方或者布置在所述容器的烙渣出口的下方，或者也可W對準該樣的位 置，從而更好地保護所述探測機構，比如防止受到不利的運行條件的影響。在該種布置方式 或者定向中，在所述冶金容器或者煙塵或者粉塵中的操縱沒有問題。
[0024] 根據按本發明的方法的一種特殊的實施方式，所述探測機構包括至少一個尤其在 近紅外范圍內工作的CCD相機，用該CCD相機來產生光學的信號、尤其是圖像。由于對于波 長范圍的限制，可W將所述探測限制到對于所述烙渣來說表征的福射上，從而可W排除不 受歡迎的環境影響W及其他的福射源。由此在檢測時獲得附加的可靠性。CCD相機此外擁 有W下優點；它們能夠成本低廉地獲得并且也可W通過相應的防護措施在惡劣的環境條件 下（炎熱、粉塵、煙塵、振動）使用。此外，相應的鏡組允許與相應的使用情況相匹配，從而可 W對所述探測區域或者安裝情況進行調整。
[00巧]按照本發明，所述光學的信號是圖像，其中相應地從所述圖像的單獨的區域中檢 測所述烙渣液面SpA和所述寬度Bmi和/或B"2。為此，使用所述圖像的一些區域，從而從一 幅圖像中通過所述處理單元可W截取或者讀出并且轉換兩個或者更多個區域。比如可W從 一幅圖像中借助于一個區域來確定烙渣液面，并且借助于同一幅圖像的另一個區域來額外 地確定所述烙渣流的寬度，從而借助于所述處理單元比如可W求得校正因數Fka。但是，所 述處理單元也可W從不同的探測機構中截取區域并且一起對其進行處理。
[0026] 按本發明的方法的一種優選的實施方式規定，將所求得的烙渣液面SpA和/或所述 烙渣液面Spc用于調節為了進行烙渣形成、尤其是為了進行泡沫烙渣形成而被添加到所述 冶金容器中的碳的量。知道將碳載體加入到所述冶金容器中，在所述冶金容器中有金屬的 烙融物和烙渣。由此激發所述烙渣形成，或者通過氣體形成來擴大所述烙渣的體積。由于 不斷地探測烙渣液面，可簡單的方式方法來控制碳載體的供給量，并且就該樣將所述 烙渣水平保持在額定狀態上。但是，所探測到的烙渣液面原則上也可W用于對所述冶金的 過程進行過程調整或者過程調節。
[0027] 所述按本發明的、用于對在處于冶金容器、尤其是電弧爐中的金屬的烙融物上的 烙渣液面進行探測的裝置，包括至少一個產生信號的探測機構，所述探測機構對準所述冶 金容器和/或至少對準從所述冶金容器中通過流槽流出的烙渣流。借助于所設置的處理單 元，在階段A中檢測烙渣液面SpA，和/或如果不能對所述烙渣液面SpA進行直接的光學的探 巧1|，則探測所述流出的烙渣流的、沿著至少一個方向i的寬度Bmi，并且借助于所述處理單元 通過流出的烙渣的量S"來檢測所述烙渣液面Spc。通過在所述流出的烙渣的量S"與所述烙 渣液面Spc之間的比例和在所述流出的烙渣的量Sm與所述烙渣流的橫截面之間的比例，可 W由所述烙渣流橫截面推斷出在所述冶金容器中的烙渣液面。此外，所述探測機構要么可 W檢測所述烙渣液面，要么可W檢測所述烙渣流的橫截面，要么可W-起檢測該兩個參量， 從而可W從相同的信號中通過所述處理單元來一起檢測該些參量。由此有利地提供一種很 簡單的裝置。
[0028] 根據按本發明的裝置的一種替代的實施方式，設置有兩個彼此垂直地尤其是在地 下布置的、用于對所述流出的烙渣流的寬度進行探測的探測機構，其中檢測所述寬度B"i和 B"2,并且在與所述寬度Bmi和的乘積W及校正因數Fkb成比例的情況下求得所述流出的 烙渣的量S"，其中根據經驗或者在階段A中連續地從所述烙渣液面SpA和所述由B"i和的 乘積中求得所述校正因數Fkc。該種在冶金廠地面之下的地下布置方式提供W下優點：所述 探測機構可W在受到保護的情況下來布置，并且此外所述探測機構沒有在所述冶金容器的 區域中導致限制，因為在該里一定能夠不受限制地操作或者操縱比如吹管或者電極。此外， 所述探測機構可W在沒有干擾的情況下探測所述烙渣流。可W通過所述寬度Bmi和Bm2來如 此好地探測所述烙渣流，從而可W通過校正因數來推斷出所述烙渣流的橫截面并且由此推 斷出流出的烙渣的量。可W根據經驗來求得所述校正因數，其中該個過程多數只需要進行 一次。此外，可W從所述烙渣液面SpA和所述由Bmi和的乘積中求得所述校正因數。
[0029] 所述按本發明的裝置的一種優選的實施方式規定，所述信號是光學的信號、尤其 是圖像，并且通過所述處理單元相應地從所述圖像的單獨的區域中檢測所述烙渣液面SpA 和所述寬度B"i和B"2。光學的信號W及尤其圖像在技術上得到了廣泛傳播，從而通過所述 處理單元來較好地撐控對于該樣的信號的處理。在此由所述處理單元從所述圖像中截取單 獨的區域，從而從一張圖像中得到多個比如區域的形式的信息。除了所述烙渣液面之外，比 如由此用同一幅圖像也還可W截取寬度的形式的、關于所述烙渣流的信息。此外，存在著標 準化的、用于圖像的規格，可W很好地對所述圖像的規格進行分析。
[0030] 根據所述按本發明的裝置的一種特殊的實施方式，所述探測機構包括至少一個尤 其在近紅外范圍內工作的、尤其是具有日光抑制濾波器（Tageslichtsperrfilter)的CCD相 機。該樣的相機可W通過所述鏡組來相應地調節，從而可W檢測所述烙渣的所期望的區域。 通過濾波器和所定義的波長范圍可W在很大程度上減弱對所述探測的環境影響，并且最佳 地檢測所述烙渣。
[0031] 按照本發明，所述探測機構具有一探測區域，該探測區域尤其是通過開口、優選通 過打開的烙渣口來檢測在所述冶金容器中的烙渣并且檢測從所述冶金容器中流出的烙渣 流。由此可W用一個探測機構來同時檢測在所述冶金容器中的烙渣和所述烙渣流。在所述 冶金容器中進行檢測時，可W利用開口，使得所述探測機構可W布置在所述極端的條件(聲 壓、炎熱、粉塵、煙塵）的不遠處并且由此經受較少的負荷。
[0032] 根據所述按本發明的裝置的一種替代的設計方案，所述探測機構具有一探測區 域，該探測區域僅僅檢測從所述冶金容器中流出的烙渣流。由此還可W將所述探測機構布 置在更加遠離所述冶金容器的地方或者布置在得到保護的區域中。比如可W將所述探測機 構布置在所述冶金容器的下方，從而可W進一步降低所述探測機構的負荷。
[0033] 所述按本發明的方法用于對在處于冶金容器、尤其是電弧爐中的金屬的烙融物上 的烙渣形成情況進行控制，其特征在于，根據所述烙渣液面SpA和/或所述烙渣液面Spc、按 照權利要求1至10中任一項所述的方法來對為了進行烙渣形成、尤其是為了進行泡沫烙渣 形成而被添加到所述冶金容器中的碳的量進行調節。所述烙渣在冶金的方法中用于遮蔽所 述金屬的烙融物。由此在熱損失方面、不過也在通過噪聲排放并且通過廢氣給環境造成的 負荷方面獲得優點。通過對于烙渣液面的連續的檢測，來保證有效并且實時的調節。基于 所檢測到的烙渣液面，可W對被設置用于將碳載體吹入到電弧爐中的吹管進行調節，并且 可W連續地遵守所期望的烙渣液面。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034] 借助于示意圖來示例性地對本發明進行解釋： 圖1是一種電弧爐，所述電弧爐具有按本發明的、用于在爐中的烙渣和流出的烙渣流 的探測機構； 圖2是一種電弧爐，所述電弧爐具有按本發明的、用于流出的烙渣流的探測機構； 圖3是按照圖2所示的布置方式的俯視圖；并且 圖4同樣是關于圖2所示的細節的俯視圖。
【具體實施方式】
[003引在圖1中示出了用于對金屬的烙融物進行處理的、具有打開的烙渣口 2的冶金容 器1、比如電弧爐。烙渣通過所述開口來流出，并且形成烙渣流3。在所述冶金容器1中有 金屬的烙融物4,并且在所述烙融物的上方存在著具有烙渣液面5的烙渣。
[0036] 借助于具有探測區域7的探測機構6來檢測在所述電弧爐中的烙渣8和流出的烙 渣流。作為探測機構6,比如可W使用CCD相機。該個探測機構多數在近紅外范圍內工作， 并且具有日光抑制濾波器。所述CCD相機檢測在所述冶金容器1中的烙渣液面5,其中比如 使用邊緣探測法。此外，通過所述CCD相機來檢測所述烙渣流。
[0037] 將借助于所述探測機構6產生的信號或者圖像輸送給處理單元9。在該里對所述 CCD相機的信號或者圖像進行處理。在此，從所述信號中檢測烙渣液面，或者從所述流出的 烙渣流的、所探測到的寬度Bmi中通過所述校正因數Fka來算出所述烙渣流的面積。從該個 面積中可W求得流出的烙渣的量，并且從中又檢測在所述電弧爐中的烙渣液面。在此利用 比例特性和/或根據經驗所求得的關聯。將所求得的調節量10輸送給未示出的調節機構， 所述調節機構基于當前的烙渣液面調節形成烙渣的或者提高烙渣體積的材料、比如碳載體 的輸入量，從而始終可W遵守額定-烙渣液面。因此可W更加有效地運行所述電弧爐，比女口 可W降低電極消耗和耐火消耗。
[003引在圖2中同樣示出了具有打開的烙渣口 2的冶金容器1。為了探巧IJ所述流出的烙 渣流3,設置有兩個探測機構6。圖3 W俯視圖示出了該種布置方式。所述兩個探測機構6 W彼此偏移了 90°的角度的方式來布置，并且對準所述烙渣流3。所述烙渣流3通過流槽 12從所述冶金容器1中流出。
[0039] 從圖2中可W得知，所述探測機構6布置在所述冶金廠地面11的下方，從而可W 實現很好地得到保護的位置。所述探測機構6沿著垂直的方布置在相同的平面中。在圖 2中向投影傾斜（aufgekippt)的方式示出了所述探測機構6,該僅僅用于更好的可視 性。但是可W考慮所述探測機構6的其他空間的位置。
[0040] 為了對所述探測機構6的信號進行處理，設置有處理單元9。借助于所述探測機構 6可W檢測所述烙渣流3的、沿著兩個彼此垂直的方向的寬度Bmi和Bm2。
[0041] 該一點在圖4中詳細地示出。所述兩個探測機構6具有探測區域7,并且檢測所述 烙渣流3的寬度。在此示出了所述烙渣流3的典型的橫截面，其中所述寬度在所述冶金容 器的側面上大多數情況比在所使用的側面上寬。
[0042] 所述流出的烙渣的量Sm與所述烙渣液面成比例，并且由此也與所述由寬度Bmi和 B"2的乘積并且與校正系數Fkb成比例。可W根據經驗來求得所述校正因數Fkb。Fkc考慮到 實際上的烙渣流橫截面的、偏離理想的矩形形狀的偏差W及在出自所述冶金容器的排出口 的橫截面中的變化、比如在所述烙渣出口的寬度中的變化。替代地，所述兩個探測機構6可 W與附加的、未示出的探測機構相禪合。所檢測到的烙渣液面也可W用于對所述校正因數 進行調整，其中在相應的階段中進行所述探測，在所述相應的階段中可W對在所述冶金容 器中的烙渣高度進行直接的探測。
[0043] 也可W檢測在所述烙渣液面與流出的烙渣的量與所測量的烙渣橫截面之間的關 聯。
[0044] 但是也可W設想，所述兩個直角地相對彼此布置的探測機構6其中之一具有探測 區域，所述探測區域除了檢測所述烙渣流3之外也還可W檢測在所述冶金容器中的烙渣8 W及由此烙渣液面5。通過在所述烙渣液面5與流出的烙渣的量或者烙渣橫截面之間的比 例，可簡單的方式由所述烙渣橫截面推斷出所述烙渣液面5。又可W將所求得的調節量 10輸送給未示出的、用于所述烙渣液面的調節機構。
[004引 附圖標記列表： 1冶金容器 2烙渣口 3烙渣流 4金屬的烙融物 5烙渣液面 6探測機構 7探測區域 8在冶金容器中的烙渣 9處理單元 10調節量 11冶金廠地面 12流槽
【權利要求】
1. 用于借助于至少一個產生信號的探測機構（6)來對在處于冶金容器（1)、尤其是電 弧爐中的金屬的熔融物（4 )上的熔渣液面（5 )進行探測的方法，所述探測機構（6 )對準所述 冶金容器（1)和/或至少對準從所述冶金容器（1)中流出的熔渣流（3)，其特征在于，在階 段A中借助于處理單元（9)從所述信號中直接檢測熔渣液面SPA，和/或如果不能直接探測 所述熔渣液面SPA，則探測所述流出的熔渣流（3)的、沿著至少一個方向i的寬度BMi，并且借 助于所述處理單元（9)通過流出的熔渣的量SM來檢測所述熔渣液面SPB，其中所述探測機構 (6)包括至少一臺C⑶相機，利用所述C⑶相機來產生光學的信號。
2. 按權利要求1所述的方法，其特征在于，探測所述流出的熔渣流（3)的、沿著方向1 的寬度BM1，并且作為所述寬度BM1和校正因數FKA的乘積來求得所述流出的熔渣的量S M，其 中在階段A期間連續地從由熔渣液面SPA和寬度BM1的商求得所述校正因數Fka。
3. 按權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述流出的熔渣流（3)的、沿著兩個彼此 基本上垂直的方向1和2的寬度進行探測，其中檢測所述寬度BM1和BM2，并且在與所述寬度 BM1和的乘積并且與校正因數FKB成比例的情況下求得所述流出的熔渣的量SM，其中根據 經驗或者在所述階段A期間連續地由所述熔渣液面SPA并且由BM1和的乘積中求得所述 校正因數Fkb。
4. 按權利要求1所述的方法，其特征在于，對于所述熔渣液面SPA的探測在所述階段A 中在所述冶金容器（1)中、尤其通過在所述冶金容器（1)中打開的熔渣門（2)來進行。
5. 按權利要求1或2所述的方法，其特征在于，對于所述熔渣液面SPA的探測在所述階 段A中通過在所述冶金容器中（1)的熔渣（8)上的邊緣探測來進行。
6. 按上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述探測機構（6)具有探測區 域（7)，所述探測區域檢測在所述冶金容器（1)中的熔渣（8)以及從所述冶金容器（1)中流 出的熔渣流（3)。
7. 按權利要求1到5中任一項所述的方法，其特征在于，所述探測機構（6)具有探測 區域，所述探測區域僅僅檢測從所述冶金容器（1)中流出的熔渣流（1)。
8. 按上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述探測機構（6)包括至少一 個在近紅外范圍內工作的C⑶相機，利用所述C⑶相機來產生圖像。
9. 按上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，光學的信號是圖像，其中分別 從所述圖像的單獨的區域中檢測所述熔渣液面SPA和所述寬度BM1和/或BM2。
10. 按上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，考慮所檢測的熔渣液面 /或熔渣液面SPB以調節碳的量，所述碳用于形成熔渣、尤其用于形成被添加到所述冶金容 器（1)中的泡沫熔渣。
11. 用于對在處于冶金容器（1 )、尤其是電弧爐中的金屬的熔融物（4)上的熔渣液面 (5)進行探測的裝置，所述裝置包括至少一個產生信號的探測機構（6)，所述探測機構對準 所述冶金容器和/或至少一個從所述冶金容器中經由流槽（12)流出的熔渣流（3)，其特征 在于，設置有處理單元（9)，借助于所述處理單元在階段A中檢測熔渣液面SPA，和/或如果 不能對所述熔渣液面3^進行直接的光學的探測，則探測所述流出的熔渣流的、沿著至少一 個方向的寬度BM，并且借助于所述處理單元通過流出的熔渣的量SM來檢測所述熔渣液面 SpB。
12. 按權利要求11所述的裝置，其特征在于，設置有兩個彼此垂直地、尤其是在地下 布置的、用于對所述流出的熔渣流的寬度進行探測的探測機構（6)，其中檢測寬度BM1和BM2， 并且在與所述寬度Bm1和BM2的乘積以及校正因數Fkb成比例的情況下求得流出的熔渣的量 SM，其中根據經驗或者在階段A期間連續地從所述熔渣液面SPA和所述由BM1和B M2的乘積中 求得所述校正因數Fkb。
13. 按權利要求11或12所述的裝置，其特征在于，所述信號是光學的信號、尤其是圖 像，并且通過所述處理單元相應地從所述圖像的單獨的區域中檢測所述熔渣液面SPA和所 述寬度BM1和BM2。
14. 按權利要求11到13中任一項所述的裝置，其特征在于，所述探測機構包括至少一 個尤其在近紅外范圍內工作的、尤其是具有日光抑制濾波器的CCD相機。
15. 按權利要求11到14中任一項所述的裝置，其特征在于，所述探測機構具有探測區 域（7)，所述探測區域尤其是通過開口、優選通過打開的熔渣門（2)來檢測在所述冶金容器 (1)中的熔渣（8)并且檢測從所述冶金容器中流出的熔渣流。
16. 按權利要求11到14中任一項所述的裝置，其特征在于，所述探測機構（6)具有探 測區域，所述探測區域僅僅檢測從所述冶金容器（1)中流出的熔渣流（3)。
17. 用于對在處于冶金容器（1)、尤其是電弧爐中的金屬的熔融物（4)上面的熔渣形 成情況進行控制的方法，其特征在于，根據熔渣液面31^和/或熔渣液面SPB根據按權利要求 1至10中任一項所述的方法來調節碳的量，所述碳用于形成熔渣、尤其是用于形成被添加 到所述冶金容器（1)中的泡沫熔渣。
【文檔編號】F27D21/02GK104395483SQ201380035815
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2013年7月3日 優先權日:2012年7月5日
【發明者】C.考貝克 申請人:西門子 Vai 金屬科技有限責任公司