設置有具有匯聚的壁的光學包圍區段的毛坯處理單元的制作方法

設置有具有匯聚的壁的光學包圍區段的毛坯處理單元的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種塑料空心體的毛坯(2)的處理單元(1)，該處理單元包括毛坯(2)在其中沿預定路徑行進的包圍部(6)，該包圍部(6)在路徑兩側兩個由內表面(5)相面對的兩個側壁(3、4)限定，該包圍部(6)包括主區段(9)，在該主區段中，壁(3、4)中的至少一個設置有多個電磁輻射源(10)，在包圍部的至少一端，側壁(3、4)之間限定用于預型件通過的開口(8)，包圍部(6)包括在主區段(9)和開口(8)之間延伸的至少一個光學封閉區段(12)，并且在該學封閉區段中，側壁(3、4)的內表面(5)是光反射的并且向開口(8)的方向匯聚。
【專利說明】
設置有具有匯聚的壁的光學包圍區段的毛坯處理單元
技術領域
[0001] 本發明涉及通過吹制或拉伸吹制從塑料毛坯制造空心體、如容器。
[0002] 術語"毛還"是指通過將塑料注入模具得到的預型件，或從已經經歷至少一次初次 成型操作并旨在經歷至少一次二次操作的預型件得到的中間空心體。
[0003] 更確切地說，本發明涉及毛坯的處理，例如毛坯的熱（加熱)處理或去污處理。一般 通過使毛坯在設置有多個電磁輻射源的處理單元(在加熱的情況下通常稱為"爐"）內行進 而實現毛坯的處理，其中毛坯在所述電磁輻射源前行進并且被帶動圍繞自身旋轉。
【背景技術】
[0004] 盡管通過根據普朗克定律在連續光譜上輻射的管形鹵素類白熾燈加熱毛坯的傳 統技術在如今最為普遍，近來發現一種建立在利用單色或準單色電磁輻射源(尤其是激光） 基礎上的替代技術，所述電磁輻射源的發射光譜主要在紅外范圍內延伸（參考以
【申請人】為 名的法國專利申請No.FR 2 878 185和FR 2 915 418)。
[0005] 激光加熱相較于鹵素加熱而言更高的效率和性能(尤其是光學精度）允許實現對 毛坯更為迅速和更有選擇性的加熱。
[0006] 但是，需要盡可能封閉毛坯在其中行進的包圍部，以便最大程度地限制輻射泄漏， 尤其是因為輻射是不可見的。然而，由于需要在包圍部的入口和出口處設置開口以允許毛 坯行進，這種封閉較為復雜。
[0007] 這些開口是必不可少的，但是在沒有封閉方案的情況下存在使處理單元周圍來往 人員暴露于電磁福射的危險。
[0008] 已經提出一些用于在開口處實現包圍部密封的方案，例如參考歐洲專利EP2 544 877(Sidel)或其等同美國專利US 2013/0056649,所述專利提出在包圍部并列設置閘室，該 閘室帶有被毛坯的線性運動帶動旋轉的轉門，這些轉門設置有星形布置的護罩，該護罩用 于吸收來自包圍部的電磁輻射。
[0009] 該方案整體令人滿意，但在仍然不適于某些操作條件。特別是帶轉門的閘室對于 毛坯在兩排上行進而言不適合，正如在歐洲專利申請EP 2 623 439(Sidel)或其等同美國 專利US 2013/0192956中描述的。當然可以將閘室移至將毛坯排分為兩排的區域的上游(或 者移至毛坯重組為單排的區域的下游），但是這導致輻射區域延長，不利于毛坯處理(尤其 是熱處理）的良好控制。另外，護罩吸收的輻射能量有所損失，這降低了加熱效率。另外，由 于護罩的旋轉運動，護罩經受相繼的加熱和冷卻周期，這導致護罩材料熱疲勞，因而需要定 期維修。

【發明內容】

[0010] 第一目標是提出一種簡單有效的封閉通過電磁輻射的毛坯處理單元的封閉方案。
[0011] 第二目標是提出一種允許通過使輻射損失部分最小化而優化輻射利用的封閉方 案。
[0012] 第三目標是提出一種允許使維修干預最小化的封閉方案。
[0013] 第四目標是提出一種具有良好的耐熱疲勞性的封閉方案。
[0014] 為此，提出一種塑料空心體的毛坯的處理單元，其包括毛坯在其中按照預定路徑 行進的包圍部，該包圍部在路徑兩側由內表面相面對的兩個側壁界定，該包圍部包括主區 段，在該主區段中，壁中的至少一個設置有多個電磁輻射源，在包圍部的至少一端，側壁之 間限定用于毛坯通過的開口，包圍部包括在主區段和開口之間延伸的至少一個光學封閉區 段，在該光學封閉區段中，側壁的內表面是光反射的并且向開口方向匯聚。
[0015] 光學封閉區段允許將從主區段泄露的輻射的至少一部分向主區段送回。因此導致 包圍部效率的提高以及就周圍人員而言更好的安全性。
[0016] 可以單獨或組合地考慮其它補充特征：
[0017] -在光學封閉區段中，側壁的內表面是平面的；
[0018]-在光學封閉區段中，側壁的內表面之間限定在1°到90°之間、優選地在5°到30°之 間、例如約15°的角度；
[0019] -包圍部包括在光學封閉區段和開口之間延伸的吸收區段，并且在該吸收區段中， 側壁的內表面是光吸收的；
[0020] -在吸收區段中，側壁的內表面基本平行；
[0021 ]-在吸收區段中，側壁的內表面是平面的；
[0022]-處理單元至少在封閉區段中設置有側壁的冷卻裝置；
[0023]-冷卻裝置包括散熱器；
[0024] -散熱器至少在封閉區段中包括與側壁的內表面相對地垂直延伸在側壁上的一排 散熱片；
[0025] -冷卻裝置包括通風系統，對于每個散熱器，通風系統包括沿散熱器的下邊緣延伸 并向散熱器敞開的分配風管和通向風管的帶來空氣的管道；
[0026]-輻射源為激光二極管；
[0027] _處理單元包括在包圍部外部的至少一個外部屏障，該屏障具有定位成與開口相 面對的光吸收內表面。
【附圖說明】
[0028]通過下面參照附圖對實施方式的描述，本發明的其它目標和優點將更加清楚，附 圖中：
[0029]-圖1是毛坯的處理單元的透視圖；
[0030]-圖2是圖1的處理單元的根據框II的放大細節圖；
[0031]-圖3是圖1的處理單元的局部俯視圖；
[0032] -圖4是圖1的處理單元的光學封閉區段的局部比例剖視圖；
[0033] -圖5是示出光學封閉區段的部分取出透視圖；
[0034]-圖6是示出若干替代實施方式的處理單元的俯視圖。
【具體實施方式】
[0035] 在附圖中示出塑料空心體的毛坯2的處理單元1。示出的毛坯2是用于形成容器的 預型件(假設在下文保留該設定），但毛坯可以是已經經受一次或幾次預成型操作（例如臨 時吹制）的中間容器。
[0036] 每個預型件2具有基本圓筒形的主體，其一端被半球形底部閉合，并且在相對端通 過頸部延長。
[0037] 預型件2示出的朝向為頸部在上，但預型件的朝向可以是頸部在下。
[0038] 如圖可見，處理單元1包括相對的兩個壁，即第一壁3和第二壁4。壁3、4具有相面對 并一起限定預型件2在其中行進的包圍部6的內表面5。如圖1和2可見，處理單元1包括壁3、4 安裝于其上的框架7。
[0039] 在包圍部的至少一端，側壁3、4之間限定用于預型件2通過的開口 8。實際上，包圍 部6(如圖1和6所示)具有相對的兩個端部，每個端部限定用于預型件2通過的開口 8。
[0040] 每個預型件2通過其頸部安裝在被稱為轉盤的旋轉抓持裝置上，旋轉抓持裝置被 帶動以基本恒定的速度沿路徑移動。
[0041] 每個預型件2通過預型件安裝于其上的轉盤而被帶動圍繞其軸線轉動。
[0042] 預型件2在包圍部6中沿預定路徑T行進。在圖1-5所示的實例中，該路徑整體是線 性的，但該路徑可以（至少局部地)是曲線的，尤其根據處理單元1安裝于其中的地點的構 造。在圖1和2所示的實例中，預型件2以單排進入包圍部6,并且通過交錯布置分成平行的兩 排。在申請EP 2 623 439中描述了允許實現這種局部分成兩排的傳送系統，該申請的內容 通過援引包含在本文中。在這種情況下，盡管路徑T整體是線性的，但其在分成兩排的區域 中局部彎曲。作為變型例，如圖6所示，路徑T是曲線的，例如呈圓弧形。如圖6可見，預型件2 此外可以以單排行進。
[0043] 包圍部6包括主區段9,在該主區段中，壁3的被稱為發射壁的至少一個壁的內表面 5側覆蓋有多個電磁輻射源10,該電磁輻射源優選地以單色或準單色的方式向包圍部6的內 部發射。根據在附圖中特別示出的實施方式，兩個壁3、4均為發射壁。
[0044]如果預型件2的處理是熱處理（可以用術語"加熱"表示），那么源10被選擇成用于 在紅外范圍內發射。如果處理為去污處理，那么源10被選擇成其譜線覆蓋紫外范圍、即殺菌 范圍。源可以是脈沖光氙蒸汽燈，或者是在紫外范圍內發射的二極管。
[0045] 理論上，單色源是發射單頻率正弦波的理想源。換句話說，單色源的頻譜由譜寬為 零的單譜線(Dirac)構成。
[0046] 實際上，這種源是不存在的，實際源至多是準單色源，即其頻譜在很小但不為零的 譜寬帶上延伸，并定中在輻射強度最大的主頻率上。但是，由于語言濫用，習慣把這種實際 源定性為單色的。另外，將"準單色"定性為以準單色的方式在離散譜上發射的源，所述離散 譜包括定中在不同的主頻率上的若干狹窄帶。也將其稱作多模源。
[0047] 這種輻射的優點是集中在一個(或若干)頻率上，對于該頻率(或這些頻率），預型 件2的材料的熱性能就規范要求而言特別有利。例如，為了實現預型件2表面的快速加熱，可 以在紅外范圍內選擇一個(或若干)頻率，對于該頻率(或這些頻率），材料的吸收性很強。相 反，為了實現預型件2的厚度中更慢但更均勻的加熱，可以選擇一個(或若干)頻率，對于該 頻率(或這些頻率），材料的吸收性相對較弱。
[0048]在下文中，假設處理為加熱處理，處理單元1實際上是加熱單元(也稱為"爐"）。在 該應用中，每個由熱塑材料、例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成的預型件2用于在已經 在爐1內通過加熱到高于其玻璃轉化溫度的溫度而變軟后在模具中經受吹制或拉伸吹制操 作，以便形成容器、例如瓶子或小瓶。
[0049] 實際上，源10是激光(例如激光二極管），該激光在紅外范圍內發射并且通過并列 設置和疊置組織以形成一個或若干陣列，正如例如在國際申請W0 2013/076415中描述的那 樣，該國際申請的內容通過援引包含在本文中。在這種情況下，每個陣列可以是垂直腔面發 射激光二極管(VCSEL)陣列，每個二極管例如發射波長約lwii的瓦特級單功率激光束。在圖 1、2、3、6所示的實例中，爐1設置有多個沿包圍部6并排布置的二極管陣列。這里，這些陣列 重新組合在單個加熱模塊11中，在圖1、2、3的實例中，這些加熱模塊并排布置并對齊，而在 圖6的實例中，這些加熱模塊以階梯方式錯開，以便跟隨預型件2的行進路徑T。模塊11通過 例如典型地用螺釘可拆卸地固定在框架上（以便可以進行維修)而與框架7聯接。
[0050] 希望封閉由源10發射的電磁輻射，這是因為這些電磁輻射的一部分有從包圍部6 泄漏的趨勢:一方面，源10發射輻散的輻射(例如每個激光二極管VCSEL發射大致內切于錐 體中的輻射）；另一方面，由于預型件2的圓筒形形狀，未被預型件2吸收的輻射部分經歷折 射。
[0051] 輻射的封閉一方面允許提高預型件2的處理的光學效率，另一方面允許保護周圍 人員。
[0052] 為此，包圍部6包括在主區段9和開口 8之間延伸的至少一個光學封閉區段12,并且 在該光學封閉區段中，側壁3、4的內表面5是光反射的，并且朝開口 8的方向匯聚。
[0053]在理想狀態下，反射是鏡面類反射，即所有入射線在與內表面5接觸時產生唯一的 反射線。在下文中將看到，實際上，反射不一定是完全鏡面的，而是入射光流的一部分可以 發生漫反射和/或吸收。
[0054]根據圖1至5所示的實施方式，每個側壁3、4至少在封閉區段12中由附接屏障13形 成。
[0055] 每個屏障13例如通過旋擰在框架中的固定角鐵14而固定在框架7上。
[0056] 每個屏障13有利地由能夠忍耐長時間暴露于來自包圍部6的主區段9的電磁輻射 的材料形成，這種材料典型地是鋼或鋁合金。
[0057]在光學封閉區段12中（圖5中的灰色部分），側壁3、4的內表面5有利地是平面的；側 壁可以覆蓋有反射涂層(例如呈金、銀、鉑或鋁的金屬薄層的形式）。作為變型例，在光學封 閉區段12中，金屬的側壁3、4的內表面5被簡單拋光。
[0058]根據圖3所示的實施方式，處理單元1包括插置在主區段9和封閉區段12之間的衰 減區段15,在該衰減區段中，側壁3、4的內表面5都是反射的，并且平行于預型件2的路徑T延 伸。在路徑T大體為線性的圖3所示的實例中，側壁的內表面5是平面且平行的。
[0059] 衰減區段15的作用是將從主區段泄漏的輻射部分引向進入主區段9(或從主區段 出來)的預型件2。如圖3可見，在衰減區段15中，側壁3、4可以由屏障13的位于包圍部6的主 區段9側的內部部分16形成。
[0060] 同樣，在封閉區段12中，ii壁3、4可以由屏障13的相對于內部部分16傾斜的中間部 分17形成。
[00611封閉區段12具有雙重功能：
[0062]-向在封閉區段12中通行的預型件2反射來自主區段9的未被預型件2吸收(或者在 主區段9中，或者必要時在衰減區段15中）的殘余輻射；
[0063]-將未被吸收的輻射部分重新引向主區段9。
[0064] 注意到（參考圖4);
[0065] L沿路徑T測量的封閉區段12的長度；
[0066] A封閉區段12中側壁3、4的內表面5之間的角度；
[0067] E垂直于路徑T的切線測量(并且如圖3所示的實例，在路徑T為直線時，垂直于路徑 T測量)的主區段9中側壁3、4之間的間距。
[0068] 衰減區段15以與主區段9共面的方式延伸，E也對應于衰減區段15中側壁3、4的間 距。
[0069]角度A有利地在1°到90°之間，優選地在5°到30°之間。在所示實例中，參數L、A、E具 有如下近似值:L~155mm;A~15° ;E~100mm。
[0070] 為了更好地示出封閉區段12的功能，在圖4中示出來自主區段9(在可能在衰減區 段15中經歷相繼反射后)并進入封閉區段12的入射線的路徑。假設(不利且暫時地)預型件2 不存在，這實際上對應于起動(或預熱）處理單元1，并且假設(也是不利的）入射線從反射點 R進入封閉區段12,該反射點R位于封閉區段12的內邊緣上，在主區段9(或衰減區段15)那 側。
[0071] 入射線相對于主區段9中（或衰減區段15中）的壁3、4傾斜記作B的角度，該角度被 稱為初始角度。在沒有預型件的情況下，初始角度B對應于(在水平面中測量的)每個源10發 射的光錐的頂部的半角度，并假設它們都相同。
[0072]入射線被封閉區段12中的壁3、4的內表面5相繼地反射。Rn記作每個內表面上的相 繼反射點，iN為相應的入射角，其中N是大于或等于1的整數。
[0073]考慮幾何光學定律，每個入射角iN以如下方式描述：
[0075]容易理解的是，在對應于零或負的入射角iN的點Rn處，射線向主區段9的方向反射。
[0076] 因此，對于15°的角度A(其對應于上文提供的實例），以及對于30°的初始角度B，觀 察到射線經歷朝開口 8方向的三次相繼反射心、1?2、1?3，然后從1?3向主區段9送回。圖4的軌跡 示出了該構造。
[0077] 封閉區段12的長度L優選地選擇成使所有入射線在超過封閉區段12之前被有效地 向主區段9送回。
[0078] 就這方面而言，可以有效地采用幾何光學來確定封閉區段12的尺寸。但是，也可以 通過計算來確定封閉區段12的尺寸，其中X N記作沿路徑T測量的點Rn的橫坐標，射線從該點 向主區段9送回，封閉區段12(在主區段9或衰減區段15側)的內端部為原點，記作0。
[0079] 可以通過以下公式近似計算XN: N-l
[0080] A' v = ^ ￡'; ? tan(5 - i A) i=Q
[0081] 其中Ei以如下方式定義：
[0082] Eo = E
[0084]對于A、B、L的值分別為15°、30°、100mm的情況而言，幾何軌跡允許直接測量橫坐標 X3:該橫坐標約等于80mm。上文描述的計算方法得到基本相同的值。
[0085]由此可見，在這種情況中，155mm的L長度是足夠的。上述計算允許證明：在相等的 角度A的情況下，這種長度L理論上足以將初始角度B小于或等于約45°的所有射線向主區段 9送回。
[0086] 但是，實際上，來自主區段9的一部分輻射可能不能通過封閉區段12向主區段送 回。
[0087] 首先，某些射線可能被一個或若干預型件2(尤其是在預型件外表面附近)衍射，直 到衍射線的入射角是射線不射到封閉區段12中的內表面5之一的角度。
[0088]第二，如已看到的，（來自主區段9)的入射光流的反射不一定是完全鏡面的。當然， 可以使封閉區段12中的側壁3、4的內表面5的粗糙度小于光流的波長。實際上，在紅外線中， 該波長大于或等于800nm。然而，現代拋光或鍍層技術(例如通過陰極噴涂或噴射)允許獲得 小于甚至遠小于該值的粗糙度。但是，灰塵可能沉積在內表面5上，因此至少局部地導致入 射光流部分或全部漫反射。
[0089] 為了限制未被封閉區段12鏡面反射的光流能夠通過開口8自由泄漏的危險，因而 優選地為包圍部6設置在光學封閉區段12和開口 8之間延伸的吸收區段18,在該吸收區段 中，側壁3、4的內表面5是光吸收的。
[0090] 根據附圖所示的實施方式，特別是在圖3和4中，在吸收區段18中，側壁3、4的內表 面5基本平行，并有利地是平面的。在吸收區段中，可以通過涂層、例如黑漆而使內表面5具 有光吸收特性。作為變型例，在吸收區段18中，內表面5可以是傾斜的，例如在封閉區段12的 延長部分中是傾斜的。
[0091] 吸收區段18的功能是至少部分地吸收未通過封閉區段12向主區段9送回的可能的 輻射部分，未被送回的原因在于例如因一個或若干預型件2的輪廓上的折射而使入射角太 大，或者在于封閉區段12的內表面5上的漫反射。
[0092] 吸收區段18可以與封閉區段12-起形成單一整體。因此，在附圖所示的實例中，在 吸收區段18中，側壁3、4由屏障13的外部部分19形成，該外部部分與主區段9相對地將中間 部分17延長到開口 8。
[0093] 如已經解釋的，通過(在封閉區段12和衰減區段15中的）側壁3、4的內表面5獲得的 反射不一定100%是鏡面的。一部分光流可能漫射。一部分光流也可能被側壁3、4吸收。因此 導致側壁3、4加熱，可能引起內表面5的變形，因而不利于反射質量。
[0094] 因此，可以有利地至少在封閉區段12中、并且必要時在衰減區段15中調節側壁3、4 的溫度。
[0095]為此，處理單元1可以至少在封閉區段12中、并且例如還在衰減區段15以及可能在 吸收區段中設置側壁3、4的冷卻裝置20。
[0096]該冷卻裝置20例如包括散熱器21，其用于消散由側壁3、4吸收的熱量。該散熱器21 可以循環流動有制冷流體(例如水）。但是，在所示實例中，散熱器21循環流動有空氣。
[0097]因此，至少在封閉區段12中，散熱器21例如包括與側壁的內表面5相對地垂直延伸 在側壁3、4上的一排散熱片22,并且在所示實例中，在衰減區段15中也包括散熱片。根據未 出示的實施方式，在吸收區段18中的壁3、4上也設置有散熱片22。
[0098] 可以通過自然對流實現冷卻，散熱片22之間的空氣的上升運動帶走全部或部分的 產生的熱量。但是，出于效率的原因，優選地通過強制對流實現冷卻，強制對流導致向環境 空氣更為迅速的熱量傳輸，因此允許更有效地冷卻側壁3、4。
[0099] 因此，根據附圖所示的實施方式，尤其是在圖5的取出部分可以看到的，冷卻裝置 20包括通風系統23。
[0100] 對于每個散熱器21，該通風系統23-方面包括沿散熱器21的下邊緣25延伸并向散 熱器21(即向上)敞開的分配風管24,另一方面包括通向風管24并帶來空氣的管道26。
[0101] 如圖5所示，尤其是在其圓形細節部分中，風管24可以包括內隔板27,面對該內隔 板27通有管道26,該管道形成導流管，該導流管一方面允許沿散熱器21的下邊緣分配空氣 流，另一方面允許使該空氣流改變方向（如箭頭所示）以便使其變為層流以優化冷卻效率。 [0102]帶來空氣的管道26可以與風管24聯接。如在所示實例中，該管道26可以呈管接頭 的形式，在該管接頭上接有(柔性或剛性的)管28,該管僅部分示出于圖2并且另外連接至脈 沖新鮮空氣源。
[0103]如圖2、5中清楚可見的，處理單元1可以至少在封閉區段12(優選地也在衰減區段 15和吸收區段18)中設置有水平延伸并閉合側壁3、4的底壁29。
[0104] 該底壁29具有上表面30,該上表面可以是光吸收的（例如通過覆蓋有黑漆)或優選 地是反射的（例如通過覆蓋有光反射涂層、比如金、銀、或鋁層一作為變型例，上表面拋光， 底壁29由金屬材料、例如鋁形成）。
[0105]底壁29允許吸收或向預型件2反射向下發射(或被預型件2折射)的輻射部分。在第 一種情況下，實現的功能僅是安全方面的，為了保護周圍人員。在第二種情況下，除了這種 安全方面的功能之外，還通過向預型件2再發射可能損失掉的輻射部分而提高處理單元1的 效率。
[0106]已經描述的處理單元1具有以下優點。
[0107] 首先，借助于處理單元的封閉區段，處理單元1允許簡單、有效地改善人員的安全 并提高加熱效率。
[0108] 其次，封閉區段12保證入射光流向預型件2反射，從而使損失的輻射部分最小，這 允許優化對由源10發射的輻射的利用。
[0109] 再次，封閉區段12沒有任何活動零件，無需擔心任何機械磨損，這允許使維修干預 最小化。
[0110] 最后，尤其借助于至少在封閉區段12中的側壁3、4的內表面5的良好狀態，并且由 于沒有持續的熱周期，處理單元1具有良好的耐熱疲勞性。
[0111] 可以考慮各種變型實施方式。為了方便，在圖6中匯集了這些變型例。
[0112] 因此，根據第一變型例，并且如上文提到的，包圍部中的預型件2的路徑T是彎曲的 而非線性的。在所示實例中，路徑T在主區段9中局部地形成圓弧。
[0113] 根據第二變型例，在主區段9中，壁3、4中的至少一個壁不存在連續的內表面5:該 內表面5可以沿預型件2的彎曲路徑T呈階梯狀。為此，如所示出的，單個加熱模塊11可以彼 此錯開。
[0114] 根據第三變型例，在主區段9中，只有一個壁3設置有輻射源10,另一個壁4僅是簡 單反射的。
[0115] 根據第四變型例，處理單元1包括在包圍部6外部的至少一個外物屏障31，該屏障 31具有定位成與開口 8相面對的光吸收內表面32。當開口 8的上游(或下游)的預型件的路徑 T至少局部地經歷偏移時能夠實現這種布置，外部屏障31被置于預型件在包圍部12中沿此 行進的路徑T的延長部分中。該外部屏障32允許吸收未通過包圍部12向主區段9反射并且未 被吸收區段18吸收的輻射部分。因此導致處理單元1對周圍人員而言更為安全。
【主權項】
1. 塑料空心體的毛坯（2)的處理單元（1)，所述處理單元包括毛坯（2)在其中沿預定路 徑(T)行進的包圍部(6)，所述包圍部(6)在路徑(T)兩側由內表面(5)相面對的兩個側壁(3、 4)界定，所述包圍部(6)包括主區段(9)，在所述主區段中，側壁(3、4)中的至少一個設置有 多個電磁輻射源（10)，在包圍部的至少一端，側壁(3、4)之間限定用于毛坯(2)通過的開口 (8)，所述包圍部（6)另外包括在主區段(9)和開口（8)之間延伸的至少一個光學封閉區段 (12)，并且在所述光學封閉區段中，側壁(3、4)的內表面(5)是光反射的并且向開口（8)的方 向匯聚， 所述處理單元（1)的特征在于，包圍部（6)包括在光學封閉區段（12)和開口（8)之間延 伸的吸收區段(18)，并且在所述吸收區段中，側壁(3、4)的內表面(5)是光吸收的。2. 如權利要求1所述的處理單元（1)，其特征在于，在光學封閉區段（12)中，側壁(3、4) 的內表面(5)是平面的。3. 如權利要求2所述的處理單元（1)，其特征在于，在光學封閉區段（12)中，側壁(3、4) 的內表面(5)之間限定在1°到90°之間的角度(A)。4. 如權利要求3所述的處理單元（1)，其特征在于，在光學封閉區段（12)中，側壁(3、4) 的內表面(5)之間限定在5°到30°之間的角度(A)。5. 如權利要求4所述的處理單元（1)，其特征在于，在光學封閉區段（12)中，側壁(3、4) 的內表面(5)之間限定約15°的角度(A)。6. 如上述權利要求之一所述的處理單元（1)，其特征在于，在吸收區段（18)中，側壁(3、 4)的內表面(5)基本平行。7. 如上述權利要求之一所述的處理單元（1)，其特征在于，在吸收區段（18)中，側壁(3、 4)的內表面(5)是平面的。8. 如上述權利要求之一所述的處理單元（1 )，其特征在于，處理單元至少在封閉區段 (12)中設置有側壁(3、4)的冷卻裝置(20)。9. 如權利要求8所述的處理單元(1)，其特征在于，冷卻裝置(20)包括散熱器(21)。10. 如權利要求9所述的處理單元（1)，其特征在于，至少在封閉區段（12)中，散熱器 (21)包括與側壁的內表面(5)相對地垂直延伸在側壁(3、4)上的一排散熱片(22)。11. 如權利要求9或10所述的處理單元（1)，其特征在于，冷卻裝置（10)包括通風系統 (23)，對于每個散熱器(21)，通風系統包括沿散熱器(21)的下邊緣(25)延伸并向散熱器敞 開的分配風管(24)和通向分配風管(24)并帶來空氣的管道(26)。12. 如上述權利要求之一的所述的處理單元（1)，其特征在于，電磁輻射源（10)是激光 二極管。13. 如上述權利要求之一所述的處理單元（1 )，其特征在于，處理單元包括在包圍部(6) 外部的至少一個外部屏障（31)，所述外部屏障具有定位成與開口（8)相面對的光吸收內表 面(32)。
【文檔編號】B29C35/02GK106029339SQ201580010099
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年2月4日
【發明人】Y·拉奧格, G·弗約萊
【申請人】西德爾合作公司