一種電子信息用聚酯薄膜及其制備方法
【專利摘要】本發明提供一種電子信息用聚酯薄膜及其制備方法，聚酯薄膜由頂層、芯層和底層構成，所述芯層的材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯，頂層與底層均是由80~100%母粒和20~0%聚對苯二甲酸乙二醇酯切片制備而成，其中母粒是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和抗靜電劑制成。制得的聚酯薄膜的總厚度為1~4μm、表面靜電≤1000V；具有表面靜電小、絕緣性好及熱穩定性良好等特，應用于電子信息印刷線路板（PBC）的干膜產品的蓋膜層，起隔絕氧氣、分層和避免機械劃傷作用。
【專利說明】一種電子信息用聚酯薄膜及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及薄膜【技術領域】，具體涉及一種電子信息用聚酯薄膜及其制備方法。
【背景技術】
[0002]聚酯薄膜是以聚對苯二甲酸乙二醇酯為原料，采用擠出法制成厚片，再經雙向拉伸制成的薄膜材料。其機械性能優良，剛性、硬度及韌性高，耐穿刺，耐摩擦，耐高溫和低溫，耐化學藥品性、耐油性、氣密性和保香性良好，是常用的阻透性復合薄膜基材之一，常用做蒸煮包裝的外層材料。
[0003]其中用于印刷線路板(PBC)的干膜產品的蓋膜層的聚酯薄膜，主要起到隔絕氧氣、分層和避免機械劃傷作用。該薄膜對表面要求極為苛刻，對物性指標要求也較為嚴格，它可以防止由薄膜表面所帶靜電的放電危害、防止灰塵或塵埃等被吸附在基膜表面、防止由異物粘附引起圖案的不整齊，使品質穩定化，并且在將平坦薄膜卷繞成卷軸狀時，便于操作。而目前現有的聚酯薄膜的耐電暈性不好，其靜電大且絕緣性差，不能用于電子信息的印刷線路板上的蓋膜層用。
[0004]
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種電子信息用聚酯薄膜及其制備方法，降低其靜電，并增加其絕緣性能，從而能用于印刷線路板的蓋膜層。
[0006]本發明為實現其目的所采取的技術方案為:一種電子信息用聚酯薄膜，由頂層、芯層和底層構成，所述芯層的材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯，所述聚酯薄膜的總厚度為1~4μπι、折射率為0.160-0.170、表面粗糙度為0.075、.115 μ m，聚酯薄膜的體積電阻為1.0Χ1015Ω.π?.1 X IO15 Ω.m、表面靜電≤1000V ；
所述頂層由母粒和聚對苯二甲酸乙二醇酯切片按重量百分比制備而成:母粒為80-100%，聚對苯二甲酸乙二醇酯切片為20-0%;所述母粒是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和抗靜電劑制成的粒徑為1.5^1.9nm的混合物，其中母粒中納米二氧化硅的濃度為490(T5100ppm、抗靜電劑的重量占母粒總重量的4~8% ；
所述底層由母粒和聚對苯二甲酸乙二醇酯切片按重量百分制備而成:母粒為80~100% wt，聚對苯二甲酸乙二醇酯切片為20-0%;所述母粒是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和抗靜電劑制成的粒徑為2.2~2.5nm的混合物，其中母粒中納米二氧化硅的濃度為330(T3500ppm、抗靜電劑的重量占母粒總重量的10~15%。
[0007]進一步，所述納米二氧化硅的粒徑為不大于10nm。
[0008]進一步，所述抗靜電劑為氧化鈦、氧化錫、氧化鋅或云母片，其粒徑為不大于IOOpm0
[0009]本發明的另一目的是提供一種制備上述電子信息用聚酯薄膜的方法，步驟如下:
(I)聚對苯二甲酸乙二醇酯切片經過流化床以150~170°C的溫度流化15~30min后≤再在干燥塔以150~170°C干燥4~5小時得聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料；
(2)將聚對苯二甲酸乙二醇酯的干燥料置于主擠出機中加熱成熔融狀態，經過濾得到作為芯層的主擠熔體；
按配比將聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料和母粒在兩個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質分別得到作為頂層和底層的輔擠熔體；
(3)將主擠熔體與兩個輔擠熔體在三層模頭中匯合擠出混合熔體，其匯合擠出溫度為270 ~290 O ；
(4)將(3)中混合熔體經過冷輥形靜電吸附成鑄片，再依次經過縱向拉伸、橫向拉伸得到三層構造的電子信息用聚酯薄膜；其靜電吸附采用的電壓為7.5-9.0kV、電流為6-8mA、牽引速度為10±lmm/mim。
[0010]與現有技術相比，本發明的有益效果有:
1、本發明的聚酯薄膜是采用三層共擠形成，其縱、橫向熱收縮均衡，并降低薄膜的厚度，使其總厚度為f4ym，在降低聚酯薄膜厚度的同時提高其整體性能。
[0011]2、由于本發明薄膜的頂層與底層的材料是由母粒和聚對苯二甲酸乙二醇酯切片按重量百分制備而成，提高了該聚酯薄膜的上、下表面材料的抗靜電性，使得本發明薄膜的體積電阻為1.0Χ1015Ω.m-1?.1Χ1015Ω.πκ表面靜電≤1000V ;從而大大降低了薄膜表面所帶靜電的放電危害、防止灰塵或塵埃等被吸附在基膜表面、防止由異物粘附引起圖案的不整齊，提聞品質。
[0012]3、本發明生產工藝成熟，具有很強的可操作性，很好地適應了工業化生產的需求。
[0013]
【具體實施方式】
[0014]實施例1:
(1)將聚對苯二甲酸乙二醇酯切片經流化床以150°c的溫度流化30min后再在干燥塔以150°C干燥5小時得聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料；
(2)將聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料置于主擠出機中加熱成熔融狀態，經過濾得到作為芯層的主擠熔體；
(3)由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和氧化鈦制成的粒徑為1.5nm的母粒，母粒中納米二氧化硅的濃度為4900ppm、粒徑為8m ;氧化鈦的粒徑為9pm，其重量占總重量
4% ；
將上述母粒80%與(I)中聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料20%在一個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質得到作為頂層的輔擠熔體；
(4)由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和氧化鈦云母片制成的粒徑為2.2nm的母粒，母粒中納米二氧化硅的濃度為3300ppm、粒徑為8m ;氧化鈦的粒徑為9pm，其重量占總重量10% ；
將上述母粒80%與(I)中聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料20%在一個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質得到作為底層的輔擠熔體；
(5 )將(2 )中主擠熔體與(3 )、( 4 )中的輔擠熔體分別在三層模頭中匯合擠出混合熔體，其匯合擠出溫度為270°C ；(6)將(5)中混合熔體經過電壓為7.5kV、電流為6mA、牽引速度為10±lmm/mim的冷輥形靜電吸附成鑄片，再依次經過縱向拉伸、橫向拉伸得到三層構造的電子信息用聚酯薄膜，該聚酯薄膜總厚度為I μ m、折射率為0.160、表面粗糙度為0.075 μ m，聚酯薄膜的體積電阻為1.0Χ1015Ω.πκ表面靜電≤1000Vo
[0015]實施例2:
(1)將聚對苯二甲酸乙二醇酯切片經流化床以170°C的溫度流化15min后再在干燥塔以170°C干燥4小時得聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料；
(2)將聚對苯二甲酸乙二醇酯的干燥料置于主擠出機中加熱成熔融狀態，經過濾得到作為芯層的主擠熔體；
(3)由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和云母片制成的粒徑為1.7m的母粒，母粒中納米二氧化硅的濃度為5100ppm、粒徑為IOnm ;云母片的粒徑為100pm，其重量占總重量8% ；
將上述母粒100%于一個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質得到作為頂層的輔擠熔體；
(4)將由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和云母片制成的粒徑為2.3m的母粒，母粒中納米二氧化硅的濃度為3500ppm、粒徑為IOnm ;云母片的粒徑為100pm，其重量占總重量15% ；
將上述母粒100%于一個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質得到作為底層的輔擠熔體；
(5 )將(2 )中主擠熔體與(3 )、( 4 )中的輔擠熔體分別在三層模頭中匯合擠出混合熔體，其匯合擠出溫度為290°C ；
(6)將(5)中混合熔體經過電壓為9.0kV、電流為8mA、牽引速度為10±lmm/mim的冷輥形靜電吸附成鑄片，再依次經過縱向拉伸、橫向拉伸得到三層構造的電子信息用聚酯薄膜，該聚酯薄膜總厚度為4 μ m、折射率為0.170、表面粗糙度為0.115 μ m，聚酯薄膜的體積電阻為1.1 X IO15 Ω.m、表面靜電≤1000Vo
[0016]實施例3:
(1)將聚對苯二甲酸乙二醇酯切片經流化床以160°C的溫度流化20min后再在干燥塔以160°C干燥4.5小時得聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料；
(2)將聚對苯二甲酸乙二醇酯的干燥料置于主擠出機中加熱成熔融狀態，經過濾得到作為芯層的主擠熔體；
(3)將由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和氧化鋅制成的粒徑為1.9nm的母粒，母粒中納米二氧化硅的濃度為5000ppm、粒徑為90nm ;氧化鈦、氧化錫、氧化鋅或云母片的粒徑為80pm，其重量占總重量6% ；
將上述母粒90%與(I)中聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料10%在一個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質得到作為頂層的輔擠熔體；
(4)將由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和氧化鋅片制成的粒徑為2.5nm的母粒，母粒中納米二氧化硅的濃度為3400ppm、粒徑為90nm ;氧化鋅的粒徑為80pm，其重量占總重量12% ；
將上述母粒90%與(I)中聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料10%在一個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質得到作為底層的輔擠熔體；
(5 )將(2 )中主擠熔體與(3 )、( 4 )中的輔擠熔體分別在三層模頭中匯合擠出混合熔體，其匯合擠出溫度為280°C ；
(6)將(5)中混合熔體經過電壓為8.0kV、電流為7mA、牽引速度為10±lmm/mim的冷輥形靜電吸附成鑄片，再依次經過縱向拉伸、橫向拉伸得到三層構造的電子信息用聚酯薄膜，該聚酯薄膜總厚度為3 μ m、折射率為0.160、表面粗糙度為0.10 μ m，聚酯薄膜的體積電阻為1.0Χ1015Ω.πκ表面靜電≤1000Vo
[0017]以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明做任何形式的限制。凡是依據本發明的技術和方法實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明的技術和方法方案的范圍內。
【權利要求】
1.一種電子信息用聚酯薄膜，由頂層、芯層和底層構成，所述芯層的材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯，其特征在于:所述聚酯薄膜的總厚度為f4ym、折射率為0.160-0.170、表面粗糙度為0.075~0.115μπι，聚酯薄膜的體積電阻為1.0Χ1015Ω.π?.1 X IO15 Ω.πκ表面靜電≤1000V ； 所述頂層由母粒和聚對苯二甲酸乙二醇酯切片按重量百分比制備而成:母粒為80-100%，聚對苯二甲酸乙二醇酯切片為20-0%;所述母粒是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和抗靜電劑制成的粒徑為1.5^1.9nm的混合物，其中母粒中納米二氧化硅的濃度為490(T5100ppm、抗靜電劑的重量占母粒總重量的4~8% ； 所述底層由母粒和聚對苯二甲酸乙二醇酯切片按重量百分制備而成:母粒為，80~100% wt，聚對苯二甲酸乙二醇酯切片為20-0%;所述母粒是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、納米二氧化硅和抗靜電劑制成的粒徑為2.2~2.5nm的混合物，其中母粒中納米二氧化硅的濃度為330(T3500ppm、抗靜電劑的重量占母粒總重量的10~15%。
2.根據權利要求1所述的電子信息用聚酯薄膜，其特征在于:所述納米二氧化硅的粒徑為不大于10nm。
3.根據權利要求1所述的電子信息用聚酯薄膜，其特征在于:所述抗靜電劑為氧化鈦、氧化錫、氧化鋅或云母片，其粒徑為不大于100pm。
4.一種制備中如權利要求1所述的電子信息用聚酯薄膜的方法，其特征在于:步驟如下: (1)聚對苯二甲酸乙二醇酯切片經過流化床以150~170°C的溫度流化15~30min后再在干燥塔以150~170°C干燥4~5小時得聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料； (2)將聚對苯二甲酸乙二醇酯的干燥料置于主擠出機中加熱成熔融狀態，經過濾得到作為芯層的主擠熔體； 按配比將聚對苯二甲酸乙二醇酯干燥料和母粒在兩個輔助擠出機中經過熔融、抽真空處理后，再過濾除去原料中的水份與雜質分別得到作為頂層和底層的輔擠熔體； (3)將主擠熔體與兩個輔擠熔體在三 層模頭中匯合擠出混合熔體，其匯合擠出溫度為，270 ~290 O ； (4)將(3)中混合熔體經過冷輥形靜電吸附成鑄片，再依次經過縱向拉伸、橫向拉伸得到三層構造的電子信息用聚酯薄膜；其靜電吸附采用的電壓為7.5-9.0kV、電流為6-8mA、牽引速度為10±lmm/mim。
【文檔編號】B29C69/00GK103832030SQ201410065739
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年2月26日 優先權日:2014年2月26日
【發明者】陳鑄紅, 汪中祥 申請人:安徽國風塑業股份有限公司