專利名稱：納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜及其制備方法
技術領域：
本發明涉及一種聚酯薄膜及其制備方法，特別涉及一種納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜及其制備方法。
背景技術：
現有的雙向拉伸聚酯薄膜由于其優良的物理性能、阻隔性能被廣泛應用軟包裝、 電子、護卡、絕緣等領域。隨著包裝行業的迅速發展以及人們法制觀念、自我保護意識地不斷增強，對包裝材料要求越來越高，普通薄膜材料已不能滿足日益增長的特種防偽領域的需要。因此，通過適當的方法賦予雙向拉伸聚酯薄膜具有拉伸強度高、表面粗糙度低、光學效果好、又具備隱形防偽效果的功能，對提高人們生產和生活水平具有重要意義。
發明內容
本發明的目的為了克服現有技術的缺陷，提供了一種拉伸強度強、表面粗糙度低、透光效果好、又具備隱形防偽功能的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜。本發明的另一目的提供了該納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法。本發明的技術方案一種納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜具有三層結構，其結構為ABA型，A層材料包括有占所述A層材料總質量百分比為68%-88%的超有光聚酯切片、10%-30%的納米二氧化硅復合母切片和1%- 的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，B層材料為超有光聚酯切片，超有光聚酯切片為一種現有材料，市場上就可以買到，本發明不再做具體說明。本發明的進一步改進A層厚度與B層厚度之比在8-10之間。納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，加工制備步驟為 以下各組分的份數均以質量百分比計，
(1)所述的A材料加工制備方法包括有納米二氧化硅復合母切片的加工制備和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒的加工制備，其中所述的納米二氧化硅復合母切片制備為先采用球磨分散法將氨基硅烷A1120改性的二氧化硅以0. 1-1. 0份的制造濃度添加到30-35份的乙二醇中通過超聲波振蕩分散后形成分散漿料加入聚合釜，加入100-110份的精對苯二甲酸攪拌混合，再加入2-4份的三氧化二銻和亞磷酸三苯酯作為催化劑和穩定劑，密閉后用氮氣置換3-4次，在釜內壓力為0. 2-0. 4Mpa下，升溫至220_240°C，酯化反應3_4小時； 然后升溫至270j90°C，抽真空壓力為10-70pa下，縮聚反應2-4小時后出料，切粒制備出納米二氧化硅復合母切片；
其中所述的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒加工制備為將稀土 1^203、Y203分別用鹽酸溶解得到稀土氯化物溶液，調節pH=4-5，煮沸0. 5-1小時，過濾，分析濾液中稀土濃度， 按1^3+ HTTA phen=l 3-4 1的摩爾比準確稱取HTTA及phen，用乙醇溶解，加入所述稀土氯化物溶液，邊加邊攪拌，用氨水調節反應溶液pH=5. 5-6，繼續攪拌1-2小時，靜置 10-12小時，過濾，沉淀后用1 1乙醇-水溶液洗滌，烘干，得稀土紫外熒光粉；將2. 0-4.0份潤滑劑、8. 0-10. 0份稀土紫外熒光粉、86. 0份-88. 0份超有光聚酯切片高速充分攪拌混合均勻，稀土紫外熒光粉的目數小于400目，再經擠出機進行熔融共混擠出，冷卻切粒制備出納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，其中所述的HTTA為三氟乙酰丙酮，所述的phen為鄰菲啰啉，該擠出機采用的是雙螺桿擠出機。(2)將制備的納米二氧化硅復合母切片10-30份、68-88份超有光聚酯切片與1_2 份的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，應用多層共擠雙向拉伸設備，再經過擠出機制得厚度在12μπι- 50 μ m的納米熒光隱形防偽聚酯薄膜。所述的多層共擠雙向拉伸設備為加工聚酯薄膜的常規設備，本發明中不再做具體說明。本發明的再進一步改進步驟(2)中所述的擠出機，包括有主擠出機、輔助擠出機，由主擠出機擠出B層材料，由輔助擠出機擠出A層材料。所述的主擠出機為單螺桿擠出機，所述的輔助擠出機為雙螺桿擠出機。本發明的優點采用上述技術方案，使得擠出的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜能具有拉伸強度強、表面粗糙度低、透光效果好以及隱形防偽功能。下面，結合下述具體實施例詳細闡述本發明的有關細節以及本發明的優點。
具體實施例方式一種納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜具有三層結構，其結構為ABA型，A層材料包括有質量百分比含量為68%-88%的超有光聚酯切片、10%-30%的納米二氧化硅復合母切片、1%- 的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，B層材料為超有光聚酯切片，本發明中，所述的A層厚度與B層厚度之比8-10之間。實施例1
所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，加工步驟為 以下各組分的份數均以質量百分比計，
(1)所述的A材料加工制備方法包括有納米二氧化硅復合母切片的加工制備方法和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒的加工制備方法，其中所述的納米二氧化硅復合母切片制備方法為先采用球磨分散法將氨基硅烷A1120改性的二氧化硅以0. 5份的制造濃度添加到30 份的乙二醇中通過超聲波振蕩分散后形成分散漿料加入聚合釜，加入100份的精對苯二甲酸攪拌混合，再加入2份的三氧化二銻和亞磷酸三苯酯作為催化劑和穩定劑，密閉后用氮氣置換3次，在釜內壓力為0. 2Mpa下，升溫至236°C，酯化反應3小時；然后升溫至278°C， 抽真空壓力為45pa下，縮聚反應3. 5小時后出料，切粒制備出納米二氧化硅復合母切片；
所述的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒加工制備方法為將稀土 1^203、Y203分別用鹽酸溶解得到稀土氯化物溶液，調節pH=4. 5，煮沸0. 5小時，過濾，分析濾液中稀土濃度，按 Pr3+ HTTA phen=l 3 1的摩爾比準確稱取HTTA及phen，用乙醇溶解，加入所述稀土氯化物溶液，邊加邊攪拌，用氨水調節反應溶液PH=5. 5，繼續攪拌1. 5小時，靜置12小時， 過濾，沉淀后用1 1乙醇-水溶液洗滌，烘干，得稀土紫外熒光粉；將2份潤滑劑、10份稀土紫外熒光粉、88份超有光聚酯切片高速充分攪拌混合均勻，稀土紫外熒光粉的目數小于 400目，粒料小于2 X 3 X 3mm，再經雙螺桿擠出機進行熔融共混擠出，冷卻切粒制備出納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒；
(2)將制備的納米二氧化硅復合母切片10份、88份超有光聚酯切片與2份的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，通過精確稱重設備進行計量混合后加入輔助擠出機進行擠出， 主擠出機的原料為100%超有光聚酯切片，主擠出機及輔助擠出機的質量比為9 l,20ym 薄膜表層厚度1 μ m。在觀51溫度下經擠出機熔融擠出納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片，用低于30°C溫度的鑄片輥對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片冷卻，再進行鑄片，對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片進行縱向拉伸，拉伸溫度為110°C，拉伸倍率為3. 5倍，然后進行橫向拉伸，橫拉溫度為115°C，拉伸倍率是3.7倍，經雙向拉伸后再分別在2301和 240°C溫度下進行薄膜熱定型，在150°C及常溫風下冷卻，經過牽引站除邊、電暈、測厚等最后收卷制得總厚度在20 μ m的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，該納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜表層含有88%的超有光聚酯切片及10%的納米二氧化硅復合母切片、2%的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒。
實施例2:
所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，加工步驟為 以下各組分的份數均以質量百分比計，
(1)所述的A材料加工制備方法包括有納米二氧化硅復合母切
片的加工制備方法和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒的加工制備方法，其中所述的納米二氧化硅復合母切片制備方法為先采用球磨分散法將氨基硅烷A1120改性的二氧化硅以0. 5份的制造濃度添加到30份的乙二醇中通過超聲波振蕩分散后形成分散漿料加入聚合釜，加入110份的精對苯二甲酸攪拌混合，再加入3份的三氧化二銻和亞磷酸三苯酯作為催化劑和穩定劑，密閉后用氮氣置換4次，在釜內壓力為0. 4Mpa下，升溫至220°C，酯化反應 4小時；然后升溫至270°C，抽真空壓力為IOpa下，縮聚反應2小時后出料，切粒制備出納米二氧化硅復合母切片；
所述的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒加工制備方法為將稀土 1^203、Y203分別用鹽酸溶解得到稀土氯化物溶液，調節PH=4，煮沸1小時，過濾，分析濾液中稀土濃度，按 Pr3+ HTTA phen=l 4 1的摩爾比準確稱取HTTA及phen，用乙醇溶解，加入所述稀土氯化物溶液，邊加邊攪拌，用氨水調節反應溶液pH=6，繼續攪拌1小時，靜置10小時，過濾， 沉淀后用1 1乙醇-水溶液洗滌，烘干，得稀土紫外熒光粉；將4份潤滑劑、10份稀土紫外熒光粉、86份超有光聚酯切片高速充分攪拌混合均勻，稀土紫外熒光粉的目數小于400目， 粒料小于2 X 3 X 3mm，再經雙螺桿擠出機進行熔融共混擠出，冷卻切粒制備出納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒；
(2)將制備的納米二氧化硅復合母切片15份、83份超有光聚酯切片與2份的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，通過精確稱重設備進行計量混合后加入輔助擠出機進行擠出， 主擠出機的原料為100%超有光聚酯切片，主擠出機及輔助擠出機的質量比為9 l,20ym 薄膜表層厚度1 μ m。在觀51溫度下經擠出機熔融擠出納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片，用低于30°C溫度的鑄片輥對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片冷卻，再進行鑄片，對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片進行縱向拉伸，拉伸溫度為110°C，拉伸倍率為3. 5倍，然后進行橫向拉伸，橫拉溫度為115°C，拉伸倍率是3.7倍，經雙向拉伸后再分別在2301和 240°C溫度下進行薄膜熱定型，在150°C及常溫風下冷卻，經過牽引站除邊、電暈、測厚等最后收卷制得總厚度在20 μ m的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，該納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜表層含有83%的超有光聚酯切片及15%的納米二氧化硅復合母切片、2%的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒。實施例3:
所述納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，加工步驟為
以下各組分的份數均以質量百分比計，
(1)所述的A材料加工制備方法包括有納米二氧化硅復合母切片的加工制備方法和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒的加工制備方法，其中所述的納米二氧化硅復合母切片制備方法為先采用球磨分散法將氨基硅烷A1120改性的二氧化硅以0. 5份的制造濃度添加到 30份的乙二醇中通過超聲波振蕩分散后形成分散漿料加入聚合釜，加入105份的精對苯二甲酸攪拌混合，再加入3份的三氧化二銻和亞磷酸三苯酯作為催化劑和穩定劑，密閉后用氮氣置換3. 5次，在釜內壓力為0. 3Mpa下，升溫至240°C，酯化反應3. 5小時；然后升溫至 290°C，抽真空壓力為70pa下，縮聚反應4小時后出料，切粒制備出納米二氧化硅復合母切片；
所述的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒加工制備方法為將稀土 1^203、Y203分別用鹽酸溶解得到稀土氯化物溶液，調節PH=5，煮沸0. 75小時，過濾，分析濾液中稀土濃度，按 Pr3+ HTTA phen=l 3. 5 1的摩爾比準確稱取HTTA及phen，用乙醇溶解，加入所述稀土氯化物溶液，邊加邊攪拌，用氨水調節反應溶液pH=6，繼續攪拌1. 75小時，靜置11小時，過濾，沉淀后用1 1乙醇-水溶液洗滌，烘干，得稀土紫外熒光粉；將3份潤滑劑、10份稀土紫外熒光粉、87份超有光聚酯切片高速充分攪拌混合均勻，稀土紫外熒光粉的目數小于400目，粒料小于2 X 3 X 3mm，再經雙螺桿擠出機進行熔融共混擠出，冷卻切粒制備出納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒；
(2)將制備的納米二氧化硅復合母切片20份、78份超有光聚酯切片與2份的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，通過精確稱重設備進行計量混合后加入輔助擠出機進行擠出， 主擠出機的原料為100%超有光聚酯切片，主擠出機及輔助擠出機的質量比為9 l,20ym 薄膜表層厚度1 μ m。在觀51溫度下經擠出機熔融擠出納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片，用低于30°C溫度的鑄片輥對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片冷卻，再進行鑄片，對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片進行縱向拉伸，拉伸溫度為110°C，拉伸倍率為3. 5倍，然后進行橫向拉伸，橫拉溫度為115°C，拉伸倍率是3. 7倍，經雙向拉伸后再分別在230°C和 240°C溫度下進行薄膜熱定型，在150°C及常溫風下冷卻，經過牽引站除邊、電暈、測厚等最后收卷制得總厚度在20 μ m的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，該納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜表層含有78%的超有光聚酯切片及20%的納米二氧化硅復合母切片、2%的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒。實施例4:
所述納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，加工步驟為
以下各組分的份數均以質量百分比計，
(1)所述的A材料加工制備方法包括有納米二氧化硅復合母切片的加工制備方法和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒的加工制備方法，其中所述的納米二氧化硅復合母切片制備方法為先采用球磨分散法將氨基硅烷A1120改性的二氧化硅以0. 5份的制造濃度添加到 30份的乙二醇中通過超聲波振蕩分散后形成分散漿料加入聚合釜，加入108份的精對苯二甲酸攪拌混合，再加入2. 5份的三氧化二銻和亞磷酸三苯酯作為催化劑和穩定劑，密閉后用氮氣置換3次，在釜內壓力為0. 38Mpa下，升溫至230°C，酯化反應3. 8小時；然后升溫至 285°C，抽真空壓力為30pa下，縮聚反應2. 6小時后出料，切粒制備出納米二氧化硅復合母切片；
所述的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒加工制備方法為將稀土 1^203、Y203分別用鹽酸溶解得到稀土氯化物溶液，調節pH=4. 5，煮沸0. 75小時，過濾，分析濾液中稀土濃度，按 Pr3+ HTTA phen=l 3 1的摩爾比準確稱取HTTA及phen，用乙醇溶解，加入所述稀土氯化物溶液，邊加邊攪拌，用氨水調節反應溶液PH=5. 5，繼續攪拌1. 75小時，靜置11. 5小時，過濾，沉淀后用1 1乙醇-水溶液洗滌，烘干，得稀土紫外熒光粉；將4份潤滑劑、9份稀土紫外熒光粉、87份超有光聚酯切片高速充分攪拌混合均勻，稀土紫外熒光粉的目數小于400目，粒料小于2 X 3 X 3mm，再經雙螺桿擠出機進行熔融共混擠出，冷卻切粒制備出納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒；
(2)將制備的納米二氧化硅復合母切片25份、73份超有光聚酯切片與2份的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，通過精確稱重設備進行計量混合后加入輔助擠出機進行擠出， 主擠出機的原料為100%超有光聚酯切片，主擠出機及輔助擠出機的質量比為9 l,20ym 薄膜表層厚度1 μ m。在觀51溫度下經擠出機熔融擠出納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片，用低于30°C溫度的鑄片輥對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片冷卻，再進行鑄片，對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片進行縱向拉伸，拉伸溫度為110°C，拉伸倍率為3. 5倍，然后進行橫向拉伸，橫拉溫度為115°C，拉伸倍率是3. 7倍，經雙向拉伸后再分別在230°C和 240°C溫度下進行薄膜熱定型，在150°C及常溫風下冷卻，經過牽引站除邊、電暈、測厚等最后收卷制得總厚度在20 μ m的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，該納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜表層含有73%的超有光聚酯切片及25%的納米二氧化硅復合母切片、2%的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒。
實施例5:
所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，加工步驟為 以下各組分的份數均以質量百分比計，
(1)所述的A材料加工制備方法包括有納米二氧化硅復合母切片的加工制備方法和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒的加工制備方法，所述的納米二氧化硅復合母切片制備方法為先采用球磨分散法將氨基硅烷A1120改性的二氧化硅以0. 5份的制造濃度添加到30份的乙二醇中通過超聲波振蕩分散后形成分散漿料加入聚合釜，加入100份的精對苯二甲酸攪拌混合，再加入2份的三氧化二銻和亞磷酸三苯酯作為催化劑和穩定劑，密閉后用氮氣置換3次，在釜內壓力為0. 4Mpa下，升溫至220°C，酯化反應3小時；然后升溫至278°C，抽真空壓力為45pa下，縮聚反應3. 5小時后出料，切粒制備出納米二氧化硅復合母切片；
所述的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒加工制備方法為將稀土 1^203、Y203分別用鹽酸溶解得到稀土氯化物溶液，調節pH=4. 5，煮沸0. 5小時，過濾，分析濾液中稀土濃度，按 Pr3+ HTTA phen=l 3 1的摩爾比準確稱取HTTA及phen，用乙醇溶解，加入所述稀土氯化物溶液，邊加邊攪拌，用氨水調節反應溶液PH=5. 5，繼續攪拌1. 5小時，靜置12小時， 過濾，沉淀后用1 1乙醇-水溶液洗滌，烘干，得稀土紫外熒光粉；將3份潤滑劑、10份稀土紫外熒光粉、87份超有光聚酯切片高速充分攪拌混合均勻，稀土紫外熒光粉的目數小于 400目，粒料小于2X 3X 3mm，再經雙螺桿擠出機進行熔融共混擠出，冷卻切粒制備出納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒；
(2)將制備的納米二氧化硅復合母切片30份、68份超有光聚酯切片與2份的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，通過精確稱重設備進行計量混合后加入輔助擠出機進行擠出， 主擠出機的原料為100%超有光聚酯切片，主擠出機及輔助擠出機的質量比為9 l,20ym 薄膜表層厚度1 μ m。在觀51溫度下經擠出機熔融擠出納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片，用低于30°C溫度的鑄片輥對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片冷卻，再進行鑄片，對納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜片進行縱向拉伸，拉伸溫度為110°C，拉伸倍率為3. 5倍，然后進行橫向拉伸，橫拉溫度為115°C，拉伸倍率是3.7倍，經雙向拉伸后再分別在2301和 240°C溫度下進行薄膜熱定型，在150°C及常溫風下冷卻，經過牽引站除邊、電暈、測厚等最后收卷制得總厚度在20 μ m的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，該納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜表層含有68%的聚酯切片及30%的納米二氧化硅復合母切片、2%的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒。本發明制得的納米高透隱形防偽聚酯薄膜的相關性能按照ASTMD標準，采用德國B^-Gardner GmbH公司生產的霧度計、光澤度計進行霧度及光澤度的測量；采用英國 LLOYD公司公司生產的拉伸儀對拉伸強度進行測量。表1 同一厚度的納米高透隱形防偽聚酯薄膜，不同的納米二氧化硅復合母切片比例制得的納米高透隱形防偽聚酯薄膜實例比較
權利要求
1.一種納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，其特征在于所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜具有三層結構，其結構為ABA型，A層材料包括有占所述A層材料總質量百分比為 68%-88%的超有光聚酯切片、10%-30%的納米二氧化硅復合母切片和1%- 的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，B層材料為超有光聚酯切片。
2.根據權利要求1所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，其特征在于所述的A層厚度與B層厚度之比在8-10之間。
3.一種用于權利要求1所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，加工制備步驟為以下各組分的份數均以質量百分比計，所述的A材料加工制備方法包括有納米二氧化硅復合母切片的加工制備和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒的加工制備，其中所述的納米二氧化硅復合母切片制備為先采用球磨分散法將氨基硅烷A1120改性的二氧化硅以0. 1-1. 0份的制造濃度添加到30-35份的乙二醇中通過超聲波振蕩分散后形成分散漿料加入聚合釜中，加入100-110份的精對苯二甲酸攪拌混合，再加入2-4份的三氧化二銻和亞磷酸三苯酯作為催化劑和穩定劑，密閉后用氮氣置換3-4次，在聚合釜內壓力為0. 2-0. 4Mpa下，升溫至220_240°C，酯化反應3_4小時；然后升溫至270_290°C，抽真空壓力為10-70pa下，縮聚反應2-4小時后出料，切粒制備出納米二氧化硅復合母切片；其中所述的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒加工制備為將稀土 1^203、Y203分別用鹽酸溶解得到稀土氯化物溶液，調節pH=4-5，煮沸0. 5-1小時，過濾，分析濾液中稀土濃度， 按1^3+ HTTA phen=l 3-4 1的摩爾比準確稱取HTTA及phen，用乙醇溶解，加入所述稀土氯化物溶液，邊加邊攪拌，用氨水調節反應溶液pH=5. 5-6，繼續攪拌1-2小時，靜置 10-12小時，過濾，沉淀后用1 1乙醇-水溶液洗滌，烘干，得稀土紫外熒光粉；將2. 0-4.0 份潤滑劑、8. 0-10. 0份稀土紫外熒光粉、86. 0份-88. 0份超有光聚酯切片高速充分攪拌混合均勻，稀土紫外熒光粉的目數小于400目，再經擠出機進行熔融共混擠出，冷卻切粒制備出納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒；(2)將制備的納米二氧化硅復合母切片10-30份、68-88份超有光聚酯切片與1_2份的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，應用多層共擠雙向拉伸設備，再經過擠出機制得厚度在 12 μ m- 50 μ m的納米熒光隱形防偽聚酯薄膜。
4.根據權利要求3所述的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜的制備方法，其特征在于 步驟(2)中所述的擠出機，包括有主擠出機、輔助擠出機，由主擠出機擠出B層材料，由輔助擠出機擠出A層材料。
全文摘要
本發明涉及一種納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜及其制備方法，納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜具有三層結構，其結構為ABA型，A層材料包括有占A層材料總質量百分比為68%-88%的超有光聚酯切片、10%-30%的納米二氧化硅復合母切片和1%-2%的納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，B層材料為超有光聚酯切片，制備時，先制備納米二氧化硅復合母切片和納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒，最后，由納米二氧化硅復合母切片、超有光聚酯切片、納米熒光隱形防偽聚酯功能母粒制備納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜，制備的納米高透熒光隱形防偽聚酯薄膜拉伸強度強、表面粗糙度低、光學效果好、又具備隱形防偽功能。
文檔編號B29C47/00GK102152584SQ201010591220
公開日2011年8月17日 申請日期2010年12月16日 優先權日2010年12月16日
發明者彭齊飛, 易志龍 申請人:浙江強盟實業股份有限公司