核殼量子點的表面優化方法

核殼量子點的表面優化方法
【專利摘要】本發明提供了一種核殼量子點的表面優化方法。該核殼量子點的殼層為硫化物，該表面優化方法包括：去除具有核殼量子點的第一反應體系中的硫化氫，得到去除表面缺陷的核殼量子點。由于合成上述量子點的殼層過程中硫化氫是不可避免會存在的，且硫化氫是以氣體方式存在于體系中，在將具有核殼量子點的第一反應體系中的硫化氫去除后，由于硫化氫導致缺陷明顯減弱甚至消失，進而使得核殼量子點的表面得到優化，提高了其熒光量子產率。
【專利說明】
核亮量子點的表面優化方法
技術領域
[0001 ]本發明設及量子點材料領域，具體而言，設及一種核殼量子點的表面優化方法。
【背景技術】
[0002] 量子點的表面缺陷影響著量子點幾乎所有的性質，控制表面缺陷是量子點能否成 功實現應用價值的關鍵所在。
[0003] 本申請發明人經過試驗發現，采用目前常規方法得到的CdSe/CdS核殼量子點上主 要存在兩種空穴缺陷，分別來源于也巧日表面的硫原子。其中，也S可W有效地澤滅CdSe/CdS 核殼量子點的巧光，導致該量子點的應用價值大大降低。但是，現有技術沒有提出如何解決 來源于也S和表面的硫原子的表面缺陷的方案。

【發明內容】

[0004] 本發明的主要目的在于提供一種核殼量子點的表面優化方法，W解決現有技術中 的合成方法得到的核殼量子點存在也S導致的空穴缺陷的問題。
[0005] 為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種核殼量子點的表面優化 方法，該核殼量子點的殼層為硫化物，該表面優化方法包括:去除具有核殼量子點的第一反 應體系中的硫化氨，得到去除表面缺陷的核殼量子點。
[0006] 進一步地，上述去除第一反應體系中的硫化氨的過程選自W下方式中的任意一種 或幾種的結合：向第一反應體系中通入氮氣或惰性氣體;對第一反應體系進行光照;對第一 反應體系進行抽真空。
[0007] 進一步地，上述第一反應體系的溫度為100~150°C。
[000引進一步地，上述光照為紫外光或藍光照射。
[0009] 進一步地，上述表面優化方法在去除硫化氨之后，還包括：向第一反應體系中加入 簇酸鹽溶液，其中簇酸鹽的加入量足W生成下一個單層的硫化物殼，簇酸鹽為ΠΒ元素的簇 酸鹽，優選第一反應體系的溫度為室溫。
[0010] 進一步地，上述簇酸鹽為碳原子個數為1至18中的任意一種簇酸鹽，優選為醋酸 鹽、十四酸鹽、硬脂酸鹽或油酸鹽，進一步優選IIB元素為儒元素。
[0011] 進一步地，上述表面優化方法還包括采用單前驅體法制備第一反應體系。
[0012] 進一步地，上述表面優化方法還包括:采用熱循環-連續離子層吸附法制備產物體 系；向產物體系中加入至少用W兩個單層殼生長的0DE-S溶液，得到第一反應體系。
[0013] 進一步地，上述核殼量子點的殼層為至少2層。
[0014] 進一步地，上述核殼量子點的核為II-VI族量子點，核殼量子點的殼為IIB族元素- S量子點，優選核殼量子點為CdSe/CdS核殼量子點。
[0015] 應用本發明的技術方案，由于合成上述量子點的殼層過程中硫化氨是不可避免會 存在的，且硫化氨是W氣體方式存在于體系中，在將具有核殼量子點的第一反應體系中的 硫化氨去除后，由于硫化氨導致缺陷明顯減弱甚至消失，進而使得核殼量子點的表面得到 優化，提高了其巧光量子產率。
【具體實施方式】
[0016] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可W相 互組合。下面將結合實施例來詳細說明本發明。
[0017] -般地，空穴缺陷和陰離子或者含有陰離子的化合物有關。量子點合成方法中會 產生硫脈衍生物副產物，運些含硫副產物在高溫下還有可能會繼續反應生成單質硫或者多 硫化合物。據報道上述所有的含硫副產物都有可能澤滅量子點。然而當
【申請人】將硫脈、單質 硫或者多硫化合物加入到剛剛制備的CdSe/CdS核殼量子點己燒溶液中，卻發現量子點的巧 光量子產率和巧光衰減曲線幾乎沒什么變化。本申請發明人懷疑可能是出S引起的，通過將 含有出S的胺溶液加入到量子點的己燒溶液中時，量子點的巧光強度馬上急劇下降，而且巧 光衰減壽命大幅縮短的驗證實驗來看，確實是出S引起的。
[0018] 另外，本申請發明人發現合成CdSe/CdS核殼量子點的原溶液如果放置過夜，運時 候里面的CdSe/CdS核殼量子點的巧光強度會下降。原溶液放置12小時W后，CdSe/CdS核殼 量子點的巧光量子產率從~50%下降到~23%，同時在巧光衰減曲線上出現一個短壽命成 份，但是巧光光譜的峰型沒有發生變化。相反，當發明人取出一點原溶液用己燒稀釋100倍， 再同樣放置12小時，卻發現CdSe/CdS核殼量子點巧光強度居然上升了，而且巧光光譜也沒 發生變化。運個結果說明運里原溶液中量子點巧光強度減弱僅僅是表面引起的，與W前文 獻報道的配體丟失、量子點表面氧化等都無關。另外，很難想象如果是硫脈或者其他含硫化 合物造成的澤滅，溶液經過稀釋W后居然會使量子點變亮。
[0019] 如前，本申請發明人經過試驗發現，采用目前常規方法得到的CdSe/CdS核殼量子 點上主要存在兩種空穴缺陷，分別來源于出S和表面的硫原子。其中，出S可W有效地澤滅 CdSe/CdS核殼量子點的巧光，導致該量子點的應用價值大大降低。為了解決該問題，本申請 提供了一種核殼量子點的表面優化方法，該核殼量子點的殼層為硫化物，該表面優化方法 包括:去除具有核殼量子點的第一反應體系中的硫化氨，得到去除表面缺陷的核殼量子點。
[0020]
【申請人】發現了缺陷來源于硫化氨，但是由于合成上述量子點的殼層過程中硫化氨 是不可避免會存在的，且硫化氨是W氣體方式存在于體系中，在將具有核殼量子點的第一 反應體系中的硫化氨去除后，由于硫化氨導致缺陷明顯減弱甚至消失，進而使得核殼量子 點的表面得到優化，提高了其巧光量子產率。其中，當檢測到量子點的巧光強度不再變化， 說明硫化氨被完全去除。
[0021] 去除硫化氨的方法有很多，比如可W采用物理方式將硫化氨從體系中分離也可W 采用化學方式消耗掉其中的硫化氨，比如將其轉換為硫醇的方式，為了使所得到的量子點 在去除硫化氨的過程中穩定存在，優選采用W下方式之一或幾種方式的結合W去除第一反 應體系中的硫化氨：向第一反應體系中通入氮氣或惰性氣體;對第一反應體系進行光照從 而光分解硫化氨;對第一反應體系進行抽真空。
[0022] 其中，向第一反應體系中通入氮氣或惰性氣體，利用氮氣或惰性氣體趕走硫化氨， 進而實現去除硫化氨的目的，與其他方式相比，該方式對核殼量子點濃度較高的體系效果 更為明顯。光分解去除量子點表面的出S是一種光化學反應，所W要達到除去此S的目的，要 求每個核殼量子點都能吸收足夠的光。優選第一反應體系中核殼量子點的濃度〉〇.〇lmmol/ L，采用向第一反應體系中通入氮氣或惰性氣體W去除第一反應體系中的硫化氨。當然，當 第一反應體系中核殼量子點的濃度小于上述數值時，也可W采用通入氮氣或惰性氣體的方 式。
[0023] 對第一反應體系進行光照的方式比較適合核殼量子點的濃度《O.Olmmol/L的第 一反應體系，其中的光照優選采用紫外光或藍光照射，當然其他能夠被量子點吸收的光源 也可W，并不限于紫外光和藍光。如果采用光照處理較高濃度的第一反應體系，比如高于 O.Olmmol/L的體系，適當延長光照時間也可W去除硫化氨，上述濃度的劃分并不是絕對的。
[0024] 對于抽真空方式，可W采用現有技術中常規的抽真空設備實施。
[0025] 在采用上述各種方式去除硫化氨的過程中，可W是任何溫度，優選上述第一反應 體系的溫度為100~150°C。一方面加快硫化氨的去除速度，另一方面可W節約熱能。溫度和 去除速度相關，溫度越高去除越快，溫度越低，去除時間越長。
[0026]
【申請人】發現去除了此S之后，CdSe/CdS核殼量子點的巧光量子產率有一個明顯的 上升，但是殼層厚度小于10層的CdSe/CdS核殼量子點的巧光量子產率還是都低于100%，運 意味著運些量子點的表面還有另外的空穴缺陷。經過進一步研究確認該空穴缺陷是由硫原 子引起的。
[0027] 本申請在去除了硫化氨的影響之后，還可W進一步去除由于表面硫原子引起的表 面缺陷，優選上述表面優化方法在去除硫化氨之后，還包括：向第一反應體系中加入簇酸鹽 溶液，其中簇酸鹽的加入量足W生成下一個單層的硫化物殼，簇酸鹽為ΠΒ元素的簇酸鹽。 當在高溫下去除硫化氨時，優選將去除硫化氨的第一反應體系冷卻至室溫后，再加入簇酸 丈h πττ. ο
[0028] 本申請選在在去除硫化氨的缺陷之后再去除硫原子導致的缺陷是因為，硫化氨會 優先和簇酸鹽反應，而阻止簇酸鹽與表面硫原子進行反應形成硫化物殼層。因此在去除硫 化氨之后加入簇酸鹽，可W避免由于硫化氨的存在導致形成殼層的量子點的自成核和殼層 變厚；而且利用所加入的簇酸鹽與表面硫原子進行反應形成完整的硫化物殼層，進而克服 了由于表面硫原子引起的缺陷，且使得量子點更加穩定。
[0029] 本申請發明人經過試驗驗證，現有技術中常規的簇酸鹽都可作為本申請的簇酸鹽 使用，且不同殼層的金屬元素可W不同，優選上述簇酸鹽為碳原子個數為1至18中的任意一 種簇酸鹽，進一步優選為醋酸鹽、十四酸鹽、硬脂酸鹽或油酸鹽，進一步優選IΙΒ元素為儒元 素，儒元素與硫反應形成CdS殼層。且簇酸鹽處理的溫度和時間與簇酸鹽的種類很有關，一 般來說，簇酸鹽的鏈長越長，反應溫度越高，處理時間越長。比如甲酸儒處理甚至可W在室 溫下進行。
[0030] 本申請所針對的第一反應體系可W采用現有技術中常規制備上述核殼量子點且 存在硫化氨缺陷的方法提供，優選上述表面優化方法還包括采用單前驅體法制備第一反應 體系。或者優選上述表面優化方法還包括:采用熱循環-連續離子層吸附法(TC-SILAR方法） 制備產物體系；向上述產物體系中加入至少用W兩個單層殼生長的0DE-S溶液(即硫在十八 締中的分散液），得到第一反應體系。由于熱循環-連續離子層吸附法合成的量子點的表面 有多種缺陷，較為復雜，其中的存在陽離子導致存在電子缺陷，因此先用0DE-S處理該量子 點使其表面形成陰離子，再進行后續的去除硫化氨處理。
[0031] 當殼層數較少時，雖然采用本申請的方法能夠消除上述空穴缺陷，但是會引入電 子缺陷，因此為了避免電子缺陷對量子點性能的影響，優選上述核殼量子點的殼層為至少2 層。
[0032] 如前所述，本申請的核殼量子點的殼層為硫化物，其核層可W為現有常規作為核 層的量子點，優選上述核殼量子點的核為II-VI族量子點，核殼量子點的殼為ΠΒ族元素 -S 量子點，進一步優選核殼量子點為CdSe/CdS核殼量子點。
[0033] 為了使本領域技術人員更好地理解本申請的有益效果，W下將結合實施例和對比 例進行說明。
[0034] 所用化學品
[0035] 硬脂酸化St，純度90+ % )，氧化儒（CdO，純度99.998 % )，砸（Se，200目粉，純度 99.999%) ,1-十八締 （ODE，純度90%)、四甲基氨氧化錠（TMAH，純度98%)，辛胺（純度 98% )、十二燒(純度99% )、油酸化01，純度90% )和硫醇（純度98% )從Alfa Aesar購買。Ξ 下基麟(了8?)和油胺(含量80-90%)均購自4沈〇3。醋酸儒化(^〇2-2此0，純度98.5%)是從 上海頂新試劑采購。二乙基二硫代氨基甲酸鋼(化DDTC · 3此0,純度99%)是阿拉下試劑采 購。甲酸儒(Cd(化)2,純度99.9)購自A1化ich。丙酬、甲苯、甲醇和正己燒是從國藥集團化學 試劑購買。除另有規定外，所有化學物均無需進一步純化使用。
[0036] 前驅體的制備
[0037] 二乙氨基二硫代甲酸儒(Cd(DDTC)2)和硬脂酸儒(CdSt2)依據現有技術制備，具體 參見化n，W.N. ;Niu，Y.A. ;Qin，H.Y. ;Cui，F. ;Yang，Y. ;Lai，R.C. ;Lin，W.Z. ;Peng, X.G.J.Am. Qiem.Soc.2012,134,19685-19693。
[003引油酸儒的合成（Cd(01)2)如下：CdO(lOmmol)和40mmol/L冊1于25ml瓶中混合，形 成第一混合物，攬拌10分鐘后，吹氣氣，在燒瓶中將第一混合物加熱至24(TC得到第一透明 溶液。將第一透明溶液冷卻至50°C，然后慢慢加入lOOmL丙酬，立即形成Cd(01)2白色沉淀， 且通過過濾收集該白色沉淀。濾紙上的白色沉淀在室溫下用丙酬洗涂Ξ次，然后在真空下 干燥，得到油酸儒。
[0039] 單前驅體溶液的制備：將1.5mmol Cd(DDTC)2溶解在5mL十二燒和5mL油胺形成的 混合液中，形成第二混合物。
[0040] Cd(01)2溶液的制備通過溶解1.5mmol Cd(01)2在3mmol/L油胺和7.11g ODE中制 備。
[0041 ] 砸懸浮液是由0.30mmol砸粉分散在3mL ODE中超聲制備。
[0042] 0DE-S:將1.5mmol硫超聲或加熱至100攝氏度分散在lOmL ODE溶液制備。
[0043] 甲酸儒(Cd (F0) 2)溶液:將0.3mmo 1 (Cd (F0) 2溶解在2mL辛胺中并超聲后制備。
[0044] 硫化氨胺溶液(0.1 mmol/ml):通出S氣體進入油胺中在100°C下反應制得。
[0045] 量子點的合成
[0046] CdSe晶體的合成:CdSt2(0.2mmol)和3.5mL的ODE裝入25mLS頸瓶中后攬拌及吹氣 10分鐘形成第Ξ混合物，將第Ξ混合物加熱到250°C形成第二透明溶液。新鮮制備的砸懸浮 液(0.5mL)迅速注射進入反應瓶，反應溫度保持在250°C用W進一步生長。約8分鐘生長后， 砸懸浮液逐滴加入到反應混合物中直到CdSe量子點的吸收峰值達到550皿，反應混合物冷 卻至50°C。采用原位純化方法純化納米晶體后得到50°C的CdSe反應溶液，向反應瓶中加入 0.2mL辛胺、4mL正己燒和8mL甲醇至50°C的CdSe反應溶液進行萃取，攬拌2.5分鐘后形成第 四混合物，將第四混合物分為2層，在瓶底用注射器取底部無色的甲醇層。該萃取過程重復 四次，而辛胺只在第一次和第Ξ次加入。正己燒和微量的甲醇殘留通過通入氣氣在60°C左 右去除。得到純化的CdSe核溶液。
[0047]單前驅體法合成CdSe/CdS核殼量子點
[004引在氣氣氛圍下，十二燒（1.2mL)和油胺(3.8mL)加入上述純化的CdSe核溶液中（3X l(T7mol的CdSe量子點）形成第五混合物，然后將第五混合物加熱到80°C。每個注入的前體溶 液的量通過消光系數估計，并通過透射電子顯微鏡測量校準。例如，與3Xl(T7mol的3nm砸化 儒核反應，連續六次的單前驅體溶液的量分別為0.08血，0.1 ImL，0.15血，0.20血，0.26血和 0.32mL。對于生長CdS的第屯單層殼，前驅體溶液改為摩爾比為4:1的混合Cd(DDTC)2和Cd (01 )2，運種混合的前體溶液中的量分別為0.39mL，0.46mL，0.54mL，和0.63mL的用于生長 CdS的第屯，第八，第九和第十單層殼。對于每一個單層，在8(TC下加入前體溶液，生長是在 16(TC，20分鐘。其所合成的具有兩層殼層的量子點作為對比例1的量子點。其所合成的具有 十層殼層的量子點作為對比例2的量子點。
[0049] TC-SILAR方法合成CdSe/CdS核殼量子點
[0化0] 油胺(2血)和ODE加入到上述純化的CdSe核溶液(3 ΧΙΟΛιοΙ的CdSe量子點）至總體 積為6mL形成反應液，Cd(01)2和0DE-S溶液作為前體隨后分別加入到120°C的反應液中。每 一輪前體添加后，開始生長CdS殼，溫度增加到240°C，反應20分鐘，其中合成巧IjlO層殼層的 各前體的量分別為0.15mL，0.20mL，0.26mL，0.32mL，0.39mL，0.46mL，0.54mL，0.63mL和 0.73mL。反應停止，并在空氣中冷卻到室溫。其所合成的具有兩層殼層的量子點作為對比例 3的量子點。其所合成的具有十層殼層的量子點作為對比例4的量子點。
[0化1]實施例1
[0052]用上述單前驅體法合成具有兩層殼層的CdSe/CdS量子點后得到第一反應體系， 150°C下向第一反應體系中氣氣鼓氣15分鐘，去除瓶內大量硫化氨，進行表面硫化氨處理。 隨后，將第一反應體系的溫度在空氣中冷卻至室溫，得到第一產物體系。向第一產物體系中 加入甲酸儒溶液，甲酸儒溶液的加入量為〇.20mLW足W生成下一個單層的硫化儒殼，進行 表面硫處理，處理溫度約50°C時，時間約為10分鐘。
[0化3]實施例2
[0054]與實施例1的不同之處在于，采用在10(TC下向第一反應體系中氣氣鼓氣20分鐘， 去除瓶內大量硫化氨。
[0化5] 實施例3
[0056]與實施例1的不同之處在于，采用在200°C下向第一反應體系中氣氣鼓氣5min，去 除瓶內大量硫化氨。
[0化7] 實施例4
[0058]與實施例1的不同之處在于，采用在150°C下進行抽真空至5min，去除瓶內大量硫 化氨。
[0化9] 實施例5
[0060]與實施例1的不同之處在于，用紫外光照射替代氣氣鼓氣，光強3000W，處理時間為 60min，去除瓶內大量硫化氨。
[0061 ] 實施例6
[0062] 與實施例1的不同之處在于采用的簇酸鹽為油酸儒，處理時間為15min，處理溫度 為 18(TC。
[0063] 實施例7
[0064] 與實施例1的不同之處在于，用上述單前驅體法合成具有十層殼層的CdSe/CdS量 子點后得到第一反應體系。
[00化]實施例8
[0066] 用上述TC-SILAR法合成具有兩層殼層的CdSe/CdS量子點后得到產物體系，在反應 溫度下，加入足夠的用W兩個單層殼生長的0DE-S溶液形成第一反應體系，將第一反應體系 冷卻至150°C，保持在150°C向第一反應體系中氣氣鼓氣10分鐘，去除瓶內大量硫化氨。然 后，采用與實施例1相同的方式進行甲酸儒的處理。
[0067] 實施例9
[0068] 與實施例8的區別在于，用紫外光照射替代氣氣鼓氣，光強3000W，處理時間為 40min，去除瓶內大量硫化氨。
[0069] 實施例10
[0070] 與實施例8的區別在于，采用在150°C下進行抽真空至5min，去除瓶內大量硫化氨。 [OOW 實施例11
[0072] 與實施例8的區別在于，用上述TC-SILAR法合成具有十層殼層的CdSe/CdS量子點 后得到第一反應體系。
[0073] 沉淀CdSe/CdS核殼量子點
[0074] 方式一:將上述各實施例得到的粗反應溶液先與氯仿體積比為1:1混合后，加入能 完全沉淀量子點的乙臘得到第屯混合物，其中氯仿：乙臘的摩爾比為1:1:3,將第屯混合物 在4000r/m的轉速下進行離屯、，液相被丟棄。沉淀又被分散在正己燒中來去除所有副產物。
[0075] 方式二：甲醇沉淀中，上述各實施例得到的粗反應液與甲醇混合形成第八混合物， 體積比為1:2,對該第八混合物在4000r/m的轉速下離屯、5分鐘，液相被丟棄。二次沉淀時，量 子點首先被分散在正己燒中，然后加入甲醇和丙酬(體積比為1:1)的混合物，用W沉淀量子 點，其中加入丙酬的W確保獲得均勻的上清液。
[0076] 上述沉淀得到的量子點溶于甲苯溶劑中，用積分球測試量子點的巧光量子產率， 測試結果見表1和2。
[0077] 表 1 [007引
[0079]
[0082] 由表1和2中的數據可W看出，經過表面硫化氨處理后，量子點的巧光量子產率相 對于處理前有了明顯提升。
[0083] 其中，實施例1~6都明顯高于對比例1，經過進一步的表面S處理后，量子產率可W 達到90% W上。為了消除殼層數量對量子點穩定性的影響，設置了對比例2,實施例7相比于 對比例2，表面也S處理后巧光量子產率翻倍提升。
[0084] 實施例8~10都明顯高于對比例3,經過進一步的表面S處理后，量子產率可W達到 90%左右，甚至更高。同樣，為了消除殼層數量對量子點穩定性的影響，設置了對比例4,實 施例11相比于對比例4,表面也S處理后巧光量子產率提升，表面S處理后巧光量子產率有所 增加，但是因為內部還存在其他問題，不僅僅是表面問題，所W量子產率不如殼層數量少的 高，不過從實施例11的數據優于對比例4可W看出，本申請的表面硫化氨處理和表明硫處理 的確減輕了表面缺陷對巧光量子產率的影響。
[0085] 從W上的描述中，可W看出，本發明上述的實施例實現了如下技術效果：
[0086] 1)在將具有核殼量子點的第一反應體系中的硫化氨去除后，由于硫化氨導致缺陷 明顯減弱甚至消失，進而使得核殼量子點的表面得到優化，提高了其巧光量子產率。
[0087] 2)在去除硫化氨之后加入簇酸鹽，可W避免由于硫化氨的存在導致形成殼層的量 子點的自成核和殼層變厚;而且利用所加入的簇酸鹽與表面硫原子進行反應形成硫化物殼 層，進而克服了由于表面硫原子引起的缺陷。
[0088] W上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技 術人員來說，本發明可W有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修 改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1. 一種核殼量子點的表面優化方法，其特征在于，所述核殼量子點的殼層為硫化物，所 述表面優化方法包括： 去除具有核殼量子點的第一反應體系中的硫化氫，得到去除表面缺陷的核殼量子點。2. 根據權利要求1所述的表面優化方法，其特征在于，所述去除第一反應體系中的硫化 氫的過程選自以下方式中的任意一種或幾種的結合： 向所述第一反應體系中通入氮氣或惰性氣體； 對所述第一反應體系進行光照； 對所述第一反應體系進行抽真空。3. 根據權利要求2所述的表面優化方法，其特征在于，所述第一反應體系的溫度為100 ~15(TC〇4. 根據權利要求2或3所述的表面優化方法，其特征在于，所述光照為紫外光或藍光照 射。5. 根據權利要求1所述的表面優化方法，其特征在于，所述表面優化方法在去除所述硫 化氫之后，還包括： 向所述第一反應體系中加入羧酸鹽溶液，其中所述羧酸鹽的加入量足以生成下一個單 層的硫化物殼，所述羧酸鹽為IIB元素的羧酸鹽，優選所述第一反應體系的溫度為室溫。6. 根據權利要求5所述的表面優化方法，其特征在于，所述羧酸鹽為碳原子個數為1至 18中的任意一種羧酸鹽，優選為醋酸鹽、十四酸鹽、硬脂酸鹽或油酸鹽，進一步優選所述IIB 元素為鎘元素。7. 根據權利要求1所述的表面優化方法，其特征在于，所述表面優化方法還包括采用單 前驅體法制備所述第一反應體系。8. 根據權利要求1所述的表面優化方法，其特征在于，所述表面優化方法還包括： 采用熱循環-連續離子層吸附法制備產物體系； 向所述產物體系中加入至少用以兩個單層殼生長的ODE-S溶液，得到所述第一反應體 系。9. 根據權利要求1所述的表面優化方法，其特征在于，所述核殼量子點的殼層為至少2 層。10. 根據權利要求1所述的表面優化方法，其特征在于，所述核殼量子點的核為II-VI族 量子點，所述核殼量子點的殼為ΠΒ族元素-S量子點，優選所述核殼量子點為CdSe/CdS核殼 量子點。
【文檔編號】C09K11/02GK106010499SQ201610332620
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月18日
【發明人】濮超丹, 彭笑剛
【申請人】浙江大學