一種錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于封裝材料技術領域，具體涉及一種錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料。【背景技術】
[0002] 電子封裝材料起著固定密封、使電子設備免受外界環境的干擾、保護電子設備、提 高電子設備的壽命和增強電子設備環境適應的能力。隨著電子設備的小型化、多功能化及 高性能化，對電子封裝材料的要求越來越高。
[0003]高分子材料和無機非金屬材料在電子封裝材料方面具有良好的應用。國家發明 專利"一種復合雜化有機硅LED封裝材料及其制備方法和應用"（國家發明專利【申請號】 201210484569. 0)公布了通過將二氧化硅苯基有機硅復合雜化物、乙烯基聚硅氧烷、四甲基 二乙烯基二硅烷配位的鉑絡合物、雙環戊二烯二氯化鉑、鄰苯二甲酸二乙酯配位的鉑絡合 物、含氫聚硅氧烷等材料作為原料，在80-1KTC的真空條件下反應I-Sh得到了復合雜化 的有機硅封裝材料。國家發明專利"一種LED有機硅封裝用改性納米二氧化硅及其制備方 法"（國家發明專利號：ZL201310321330. 6)公開了一種以改性納米二氧化硅、含氫硅油、含 苯基硅氧烷單體、氯鉑酸、甲基乙烯基硅氧烷配位的鉑絡化合物、鄰苯二甲酸二乙酯配位的 鉑絡化合物等作為原料，在60-150°C的真空條件下反應0. 3-2h得到了含有改性納米二氧 化硅的有機硅封裝材料。國家發明專利"電子元器件封裝材料用陶瓷粉及其生產方法"（國 家發明專利號：ZL201210396718. 8)以含有氧化鋇、氧化硼、氧化娃、氧化鋁、氧化鋅、氧化 鋯、氧化鈦的復合氧化物作為主要原料，在SOO-1000 tC燒結獲得了陶瓷電子封裝材料。
[0004] 高分子材料基電子封裝材料具有易加工、絕緣性好、制備溫度低的特點，但是存在 熱膨脹系數大、耐老化性能差和強度低等缺點；無機非金屬材料基電子封裝材料雖然具有 強度高、熱膨脹系數小、耐老化性能好等特點，但是存在難于加工、制備溫度高等缺點。因 此，單一材料難以滿足電子封裝材料的要求，例如電子封裝材料要求具有熱膨脹系數小、導 熱系數高、耐老化及耐腐蝕性能優良、易加工、絕緣性好等特性。
【發明內容】
[0005]本發明的目的是為了解決以上問題，提供錫酸鍶納米棒作為主要原料，引入聚乙 二醇、乙撐雙硬脂酰胺、三聚丙二醇二縮水甘油醚和乳化甲基硅油等成分，以期得到具有熱 膨脹系數小、導熱系數高、絕緣性好、耐老化及耐腐蝕性能優良、易加工及制備溫度低的錫 酸鍶納米棒復合電子封裝材料。
[0006]本發明所提供的錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的質量百分比組成如下：
[0007] 錫酸鍶納米棒65-80 %、聚乙二醇10-15 %、乙撐雙硬脂酰胺0. 05-0. 5 %、三聚丙 二醇二縮水甘油醚5-10%、乳化甲基硅油4-10%。
[0008]本發明所述錫酸鍶納米棒的直徑為80nm、長度為1-2ym。
[0009]本發明所提供的錫酸鍶納米棒的具體制備方法如下：
[0010] 以錫酸鈉、乙酸鍶作為原料，水為溶劑，其中錫酸鈉與乙酸鍶的摩爾比為1: 1，將錫 酸鈉、乙酸鍶與水均勻混合后置于反應容器內并密封，于溫度150-200°C、保溫12-48h，其 中錫酸鈉與乙酸鍶的重量不大于水重量的50%。
[0011] 本發明所提供的錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的具體制備方法如下：
[0012] 按照質量比例稱取錫酸鍶納米棒、聚乙二醇、乙撐雙硬脂酰胺、三聚丙二醇二縮 水甘油醚和乳化甲基硅油，然后通過機械攪拌將其混合均勻，再置于磨具中沖壓成型，在 100-150°C、保溫24-48h，自然冷卻后得到了錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料。
[0013] 與現有技術相比，本發明具有以下技術效果：
[0014] 1、本發明以錫酸鍶納米棒、聚乙二醇、乙撐雙硬脂酰胺、三聚丙二醇二縮水甘油醚 和乳化甲基硅油作為原料，制備出無機非金屬納米材料與高分子材料復合形成的電子封裝 材料，這種復合電子封裝材料具有熱膨脹系數小、導熱系數高、耐老化及耐腐蝕性能優良、 易加工、絕緣性好等特點。
[0015] 2、本發明錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的制備溫度為100-150°C，低于無機非 金屬材料基電子封裝材料的制備溫度，降低了能耗，減少了制備成本。
【附圖說明】
[0016] 圖1為實施例1制備的錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的SM圖像；
[0017] 從圖可以看出錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料由納米棒和無規則顆粒構成，納米 棒的直徑為80nm、長度為1-2ym〇
【具體實施方式】
[0018] 以下結合具體實施例詳述本發明，但本發明不局限于下述實施例。
[0019] 實施例1
[0020] 確定錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的質量百分比組成如下：
[0021]
[0022] 實施例2
[0023] 確定錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的質量百分比組成如下：
[0024]
[0045] 本發明實施例1到實施例8所得錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的特征參數如表 1所示：
[0046] 表 1
[0047]
【主權項】
1. 一種錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料，其特征在于：以質量百分比計，該電子封裝 材料的配方如下： 錫酸鍶納米棒 65-80% 聚乙二醇 10-15% 乙撐雙硬脂酰胺 0.05-0.5% 聚丙二醇二縮水甘油醚 5-〗0% 乳化甲基硅油 4-10%。2. 如權利要求1所述一種錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料，其特征在于：所述錫酸鍶 納米棒的直徑為80nm、長度為1-2ym〇
【專利摘要】本發明公開了一種錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料，屬于封裝材料技術領域。本發明錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料的質量百分比組成如下：錫酸鍶納米棒65-80％、聚乙二醇10-15％、乙撐雙硬脂酰胺0.05-0.5％、三聚丙二醇二縮水甘油醚5-10％、乳化甲基硅油4-10％，錫酸鍶納米棒的直徑為80nm、長度為1-2μm。本發明提供的錫酸鍶納米棒復合電子封裝材料具有熱膨脹系數小、導熱系數高、絕緣性好、耐老化及耐腐蝕性能優良、易加工及制備溫度低等特點，在電子封裝材料領域具有良好的應用前景。
【IPC分類】C09J171/08, C09J11/06, C09J11/04, C09J183/04, C09K3/10
【公開號】CN105086912
【申請號】CN201510560782
【發明人】裴立宅, 林楠, 吳勝華, 蔡征宇
【申請人】安徽工業大學
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年9月6日