一種防靜電涂料的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及涂料的技術領域，具體為一種防靜電涂料的制備方法。
【背景技術】
[0002]靜電是一種客觀的自然現象，可通過接觸或摩擦多種方式產生。其特點在于電壓、電量低、電流小且用用時間短。靜電是一種不動的帶電電荷，無論是導體還是絕緣體，在靜電的作用下都帶電荷。靜電在我們的日常生活中普遍存在，雖然平時可能體會不到這些靜電，但對于一些敏感儀器來講，這些靜電電壓可能造成較大危害。
[0003]高分子材料等非金屬制件表面的靜電積累達到一定程度就會放電，致使各種精密儀器、精密電子元器件擊穿而報廢，甚至引起易燃易爆物起火或爆炸，造成巨大的生命和財產損失。另外，積累的靜電由于吸塵嚴重而難于凈化。目前常用的手段就是在儀器表面涂膜來防止靜電的產生和積累。
[0004]隨著現代科技技術的進步，不僅對抗靜電涂料的性能要求不斷提高，同進對涂裝性能要求也越來越高。以往的抗靜電涂料多以碳系填料(石墨、炭黑和碳纖維)、金屬系填料(銀、銅、鎳及鐵的合金等)、金屬氧化物等為主要導電填料，大多數顏色較深，品種單一，難以滿足現代涂料裝飾性的要求。聚酰亞胺樹脂具有優異的機械強度、耐高溫、電絕緣、阻燃、抗輻射、而化學試劑及耐摩擦等性能，但是大多數聚酰亞胺樹脂為熱固性樹脂，加工性能差，加之成本較高，彎曲性及缺口抗撕裂性也較差。聚硅氧烷具有優良的柔韌性，高彈性及惡劣環境下的耐久性，人們一直致力于聚硅氧烷與聚酰亞胺結合，期望獲得兼具兩者優良性的改性材料。但聚硅氧烷與聚酰亞胺物理及化學性能上的差別很大，物理混合很難奏效。
[0005]因此，針對上述問題，本發明提出一種新的技術方案。
【發明內容】
[0006]本發明的目的是提供一種工藝簡單，防靜電效果強，柔韌性優的防靜電涂料的制備方法。
[0007]—種防靜電涂料的制備方法，包括以下步驟:
a、在二甲基甲酰胺溶液中依次加入1，3-雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，4' 二氨基二苯醚，然后滴入3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐，在攪拌在條件下反應12~20h，溫度保持在30°C以下；
其中，各原料的加入原則如下:二甲基甲酰胺溶液、1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3_四甲基二硅氧烷和4W 二氨基二苯醚的質量比為80:10:0.4，3，3^，4，4'-聯苯四甲酸二酐所占質量百分比為二甲基甲酰胺溶液18°/『19%;
b、反應完全后，可得到聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物，然后在聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物中依次加入納米二氧化鈦、聚四氟乙烯微粒、納米氧化銻錫和助劑，然后通過高速分散攪拌機，使各原料均勻分布，攪拌的時間為0.5~lh，攪拌結束后，即可得到成品防靜電涂料。
[0008]進一步地，所述步驟a中，反應環境為氮氣環境。
[0009]進一步地，所述步驟b中，納米二氧化鈦質量百分比占聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物的5%~12%，所述納米二氧化鈦、聚四氯乙稀微粒、納米氧化鋪錫和助劑質量比為3:1:4:0.5o
[0010]進一步地，所述步驟b中，高速分散攪拌機的攪拌速度為1800~2000轉/小時。[0011 ] 進一步地，所述助劑包括分散劑、增稠劑、消泡劑和流平劑。
[0012]進一步地，所述分散劑、增稠劑、消泡劑和流平劑的質量比為0.5~1:0.5~1:
0.2?0.5:0.3?0.6ο
[0013]本發明的有益效果是:本工藝結構簡單，操作方便，提高了生產效率，同時加入四氯乙烯微粒和納米氧化銻錫大大提高了涂料的耐沾污性、耐水性和耐候性，而且，顏色淺，不會影響設備本身的外觀，涂料穩定性強，使用壽命長，不會產生有害揮發物對人體健康和環境構成危害。
【具體實施方式】
[0014]下面結合實施例對本發明做進一步地說明。
[0015]實施例1
一種防靜電涂料的制備方法，包括以下步驟:
a、在二甲基甲酰胺溶液中依次加入1，3-雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，4' 二氨基二苯醚，然后滴入3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐，在攪拌在條件下反應12h，溫度保持在30°C以下；其中，各原料的加入原則如下:二甲基甲酰胺溶液、1，3-雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，V 二氨基二苯醚的質量比為80:10:0.4，3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐所占質量百分比為二甲基甲酰胺溶液18%山、反應完全后，可得到聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物，然后在聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物中依次加入納米二氧化鈦、聚四氟乙烯微粒、納米氧化銻錫和助劑，然后通過高速分散攪拌機，使各原料均勻分布，攪拌的時間為0.5h，攪拌結束后，即可得到成品防靜電涂料。
[0016]實施例2
一種防靜電涂料的制備方法，包括以下步驟:
a、在二甲基甲酰胺溶液中依次加入1，3-雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，4' 二氨基二苯醚，然后滴入3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐，在攪拌在條件下反應16h，溫度保持在30°C以下；其中，各原料的加入原則如下:二甲基甲酰胺溶液、1，3-雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，V 二氨基二苯醚的質量比為80:10:0.4，3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐所占質量百分比為二甲基甲酰胺溶液18.5%;b、反應完全后，可得到聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物，然后在聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物中依次加入納米二氧化鈦、聚四氟乙烯微粒、納米氧化銻錫和助劑，然后通過高速分散攪拌機，使各原料均勻分布，攪拌的時間為0.8h，攪拌結束后，即可得到成品防靜電涂料。
[0017]實施例3
一種防靜電涂料的制備方法，包括以下步驟:
a、在二甲基甲酰胺溶液中依次加入1，3-雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，4' 二氨基二苯醚，然后滴入3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐，在攪拌在條件下反應20h，溫度保持在30°C以下；其中，各原料的加入原則如下:二甲基甲酰胺溶液、1，3_雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，V 二氨基二苯醚的質量比為80:10:0.4，3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐所占質量百分比為二甲基甲酰胺溶液19%山、反應完全后，可得到聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物，然后在聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物中依次加入納米二氧化鈦、聚四氟乙烯微粒、納米氧化銻錫和助劑，然后通過高速分散攪拌機，使各原料均勻分布，攪拌的時間為lh，攪拌結束后，即可得到成品防靜電涂料。
[0018]本工藝結構簡單，操作方便，提高了生產效率，同時加入四氯乙烯微粒和納米氧化銻錫大大提高了涂料的耐沾污性、耐水性和耐候性，而且，顏色淺，不會影響設備本身的外觀，涂料穩定性強，使用壽命長，不會產生有害揮發物對人體健康和環境構成危害。
[0019]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明披露的技術范圍內，根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種防靜電涂料的制備方法，其特征在于:包括以下步驟: a、在二甲基甲酰胺溶液中依次加入1，3-雙(3-氨基丙基)_1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和4，4' 二氨基二苯醚，然后滴入3，3'，4，4'-聯苯四甲酸二酐，在攪拌在條件下反應12~20h，溫度保持在30°C以下； 其中，各原料的加入原則如下:二甲基甲酰胺溶液、1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3_四甲基二硅氧烷和4W 二氨基二苯醚的質量比為80:10:0.4，3，3^，4，4'-聯苯四甲酸二酐所占質量百分比為二甲基甲酰胺溶液18°/『19%; b、反應完全后，可得到聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物，然后在聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物中依次加入納米二氧化鈦、聚四氟乙烯微粒、納米氧化銻錫和助劑，然后通過高速分散攪拌機，使各原料均勻分布，攪拌的時間為0.5~lh，攪拌結束后，即可得到成品防靜電涂料。2.根據權利要求1所述一種防靜電涂料的制備方法，其特征在于:所述步驟a中，反應環境為氮氣環境。3.根據權利要求1所述一種防靜電涂料的制備方法，其特征在于:所述步驟b中，納米二氧化鈦質量百分比占聚(酰胺酸一硅氧烷)共聚物的5°/『8%，所述納米二氧化鈦、聚四氯乙烯微粒、納米氧化銻錫和助劑質量比為3:1:4:0.5。4.根據權利要求1所述一種防靜電涂料的制備方法，其特征在于:所述步驟b中，高速分散攪拌機的攪拌速度為1800~2000轉/小時。5.根據權利要求1所述一種防靜電涂料的制備方法，其特征在于:所述助劑包括分散劑、增稠劑、消泡劑和流平劑。6.根據權利要求1或5所述一種防靜電涂料的制備方法，其特征在于:所述分散劑、增稠劑、消泡劑和流平劑的質量比為0.5~1:0.5~1:0.2-0.5:0.3-0.6。
【專利摘要】本發明公開了一種防靜電涂料的制備方法，包括以下步驟：a、通過二甲基甲酰胺溶液、1,3-雙(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、4，4′二氨基二苯醚和，3′，4，4′-聯苯四甲酸二酐相互反應得到聚（酰胺酸－硅氧烷）共聚物；b、然后在聚（酰胺酸－硅氧烷）共聚物里面添加納米二氧化鈦、聚四氟乙烯微粒、納米氧化銻錫和助劑，通地高速分散攪拌機得到所需成品。本工藝結構簡單，操作方便，提高了生產效率，同時加入四氯乙烯微粒和納米氧化銻錫大大提高了涂料的耐沾污性、耐水性和耐候性，而且，顏色淺，不會影響設備本身的外觀，涂料穩定性強，使用壽命長，不會產生有害揮發物對人體健康和環境構成危害。
【IPC分類】C09D5/24, C08G77/26, C09D183/08, C09D7/12, C09D5/16
【公開號】CN105038585
【申請號】CN201510460435
【發明人】張忍
【申請人】南通德安化工有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年7月31日