一種硅芯片研磨劑的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種硅芯片研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質：椰油酰單乙醇胺8-16份，二甲苯磺酸鈉9-20份，處理劑2-5份，二氧化鈦8-13份，三乙胺8-12份，酒石酸11-20份，甲基硅油3-7份，硅藻土4-12份，硼酸鈉11-14份，聚丙烯3-4份，線性低密度聚乙烯8-13份，磷酸二氫鉀8-14份，甲基丙烯酸甲酯9-17份，片層結構的云母粉5-7份，空心玻璃微珠5-8份。本發明半導體芯片化學機械研磨劑具備了較小的介質層磨損率和較低的腐蝕度，可以促進研磨粒子的穩定性，保持極高的鎢去除速率。由于相對降低了機械力的作用強度，凹坑、腐蝕和介質層的損耗等問題也減小了。
【專利說明】—種娃芯片研磨劑
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種硅芯片研磨劑。
【背景技術】
[0002]在半導體芯片的加工制造過程中，隨著采用嵌入式(damascene)工序(一種費用相當便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件結構的工序)的逐步普及，對芯片中的金屬導線進行化學機械研磨(CMP, chemical mechanical planarizat1n)拋光亦變得必不可少。鎢以其極好的對通孔和溝槽的填充性能、低的電子遷移和電阻以及優異的耐腐蝕性，被廣泛地用于半導體芯片加工制造的工藝過程中。如作為金屬觸點、通孔導線和層間互連線等。傳統上，鎢可以采用等離子體的方法刻蝕，稱作鎢回蝕。不過，鎢回蝕是一種成本高且會造成較大環境污染的工藝。與此相反，鎢的C如:Ip工藝，在成本和環保兩方面要好得多。尤其重要的是，采用CMP的鎢拋光方法，有助于提高嵌入式工序對芯片的配線密度，進而獲得更高的芯片性能。因此，在半導體制造業中，鎢CMP己迅速成為一種被廣泛使用的技術。
【發明內容】
[0003]本發明所要解決的技術問題是提供一種硅芯片研磨劑。
[0004]為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是:
一種硅芯片研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質:椰油酰單乙醇胺8-16份，二甲苯磺酸鈉9-20份 ，處理劑2-5份，二氧化鈦8-13份，三乙胺8-12份，酒石酸11-20份，甲基硅油3-7份，硅藻土 4-12份，硼酸鈉11-14份，聚丙烯3-4份，線性低密度聚乙烯8-13份，磷酸二氫鉀8-14份，甲基丙烯酸甲酯9-17份，片層結構的云母粉5-7份，空心玻璃微珠5-8 份。
[0005]本發明半導體芯片化學機械研磨劑具備了較小的介質層磨損率和較低的腐蝕度，可以促進研磨粒子的穩定性，保持極高的鎢去除速率。由于相對降低了機械力的作用強度，凹坑、腐蝕和介質層的損耗等問題也減小了。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
一種硅芯片研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質:椰油酰單乙醇胺8-16份，二甲苯磺酸鈉9-20份，處理劑2-5份，二氧化鈦8-13份，三乙胺8-12份，酒石酸11-20份，甲基硅油3-7份，硅藻土 4-12份，硼酸鈉11-14份，聚丙烯3-4份，線性低密度聚乙烯8-13份，磷酸二氫鉀8-14份，甲基丙烯酸甲酯9-17份，片層結構的云母粉5-7份，空心玻璃微珠5-8 份。
【權利要求】
1.一種硅芯片研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質:椰油酰單乙醇胺8-16份，二甲苯磺酸鈉 9-20份，處理劑2-5份，二氧化鈦8-13份，三乙胺8-12份，酒石酸11-20份，甲基硅油3-7份，硅藻土 4-12份，硼酸鈉11-14份，聚丙烯3-4份，線性低密度聚乙烯8-13份，磷酸二氫鉀8-14份，甲基丙烯酸甲酯9-17份，片層結構的云母粉5-7份，空心玻璃微珠5-8份。
【文檔編號】C09K3/14GK104059607SQ201410296822
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年6月28日 優先權日:2014年6月28日
【發明者】范向奎 申請人:青島寶泰新能源科技有限公司