一種半導體晶片拋光劑的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種半導體晶片拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質：二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH調節劑1-3份。本發明的有益效果是：配方簡單、制作容易，其可在半導體加工的化學成膜和機械去膜的交替過程中實現超精密表面加工，從而達到平坦化的目的。
【專利說明】—種半導體晶片拋光劑
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體晶片拋光劑。
【背景技術】
[0002]化學機械拋光是隨著集成電路的工業發展成長起來的，其基本目的就是通過拋光過程獲得近乎完美的晶體表面結構，用于集成電路的制造，隨著集成電路工業技術指標的提高，線寬的不斷縮小，可靠程度的要求越來越高，對拋光晶片的表面缺陷也要求越來越少，而且對表面的平整度，粗糙度，氧化層厚度及均勻性等等方面提出了非常嚴格的要求，這就促進了廣泛應用于各種半導體晶片拋光過程中的化學機械拋光工藝及相關設備的不斷發展和進步。
【發明內容】
[0003]本發明所要解決的技術問題是提供一種半導體晶片綠色環保拋光劑。
[0004]為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是:
一種半導體晶片拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質:二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠
2-8份，PH調節劑1-3 份。
[0005]本發明的有益效果是:配方簡單、制作容易，其可在半導體加工的化學成膜和機械去膜的交替過程中實現超精密表面加工，從而達到平坦化的目的。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
一種半導體晶片拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質:二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠
2-8份，PH調節劑1-3份。
【權利要求】
1.一種半導體晶片拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質:二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH調節劑1-3份。
【文檔編號】C09G1/02GK104046273SQ201410296802
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月28日 優先權日:2014年6月28日
【發明者】范向奎 申請人:青島寶泰新能源科技有限公司