一種存儲器用拋光液的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種存儲器用拋光液，其特征在于，包括下列重量份數的物質：氧化鎂1-3份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，馬來酸酐8-15份，硼酸鋅4-13份，聚乙烯酯8-14份，二甲基二巰基乙酸異辛酯錫23-28份，過氧化苯甲酰1-2份，乙酸正丁酯2-3份，硬脂酰胺1-3份。本發明的拋光液性能穩定，拋光效果好，可滿足制備納電子相變存儲器中工藝的需要。
【專利說明】一種存儲器用拋光液
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種存儲器用拋光液。
【背景技術】
[0002]相變存儲器因具有高速讀取、高可擦寫次數、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強震動和抗輻射、成本具有競爭力等優點，而被國際半導體行業協會認為是最有可能取代目前的閃存存儲器的下一代非易失性存儲器。相變存儲器技術的基本原理是以硫系化合物為存儲介質，利用電能使材料在晶態與非晶態(高阻)之間相互轉換實現信息的寫入與擦除，信息的讀出則靠測量電阻的變化實現。存儲單元包括由電介質材料定義的細孔，相變材料沉積在細孔中，相變材料在細孔的一端上連接電極。電極接觸使電流通過該通道產生焦耳熱對該單元進行編程，或者讀取該單元的電阻狀態。
[0003]目前，在構建相變存儲單元時，通行的做法是:先通過磁控濺射的方法沉積相變材料在由電介質材料定義的細孔中，然后通過反應離子刻蝕CRIE)或者化學機械拋光的方法，將細空上方的相變材料進行去除。
【發明內容】
[0004]本發明所要解決的技術問題是提供一種存儲器用拋光液。
[0005]為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是: 一種存儲器用拋光液，其特征在于，包括下列重量份數的物質:氧化鎂1-3份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，馬來酸酐8-15份，硼酸鋅4-13份，聚乙烯酯8-14份，二甲基二巰基乙酸異辛酯錫23-28份，過氧化苯甲酰1-2份，乙酸正丁酯2-3份，硬脂酰胺1-3份。
[0006]本發明的拋光液性能穩定，拋光效果好，可滿足制備納電子相變存儲器中工藝的需要。
【具體實施方式】
[0007]實施例1
一種存儲器用拋光液，其特征在于，包括下列重量份數的物質:氧化鎂1-3份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，馬來酸酐8-15份，硼酸鋅4-13份，聚乙烯酯8-14份，二甲基二巰基乙酸異辛酯錫23-28份，過氧化苯甲酰1-2份，乙酸正丁酯2-3份，硬脂酰胺1-3份。
【權利要求】
1.一種存儲器用拋光液，其特征在于，包括下列重量份數的物質:氧化鎂1-3份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，馬來酸酐8-15份，硼酸鋅4-13份，聚乙烯酯8-14份，二甲基二巰基乙酸異辛酯錫23-28份，過氧化苯甲酰1-2份，乙酸正丁酯2- 3份，硬脂酰胺1-3份。
【文檔編號】C09G1/02GK104046261SQ201410291893
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月26日 優先權日:2014年6月26日
【發明者】范向奎 申請人:青島寶泰新能源科技有限公司