芯片用樹脂膜形成用片材的制作方法【專利摘要】本發明的目的在于，在半導體裝置的制造工序中，在不對半導體晶片、芯片實施使工序數目增加、工藝繁雜化那樣的特別處理的情況下，對所得的半導體裝置賦予散熱特性。本發明的芯片用樹脂膜形成用片材具有支承片和形成于該支承片上的樹脂膜形成層，該樹脂膜形成層含有粘合劑聚合物成分(A)、固化性成分(B)及無機填料(C)，該樹脂膜形成層的熱擴散率為2×10－6m2/s以上。【專利說明】芯片用樹脂膜形成用片材【
技術領域：
】[0001]本發明涉及一種可以在半導體芯片的任一面有效地形成熱擴散率高的樹脂膜、而且能夠制造可靠性高的半導體裝置的芯片用樹脂膜形成用片材。【
背景技術：
】[0002]近年來，進行了使用被稱作所謂的倒裝（facedown)方式的安裝方法的半導體裝置的制造。在倒裝方式中，使用在電路面上具有凸起等電極的半導體芯片（以下也簡稱為"芯片"。），將該電極與基板接合。因此，芯片的與電路面相反一側的面（芯片背面）有時就會露出。[0003]該露出了的芯片背面有時由有機膜保護。以往，具有由該有機膜構成的保護膜的芯片是將液狀的樹脂通過旋涂法涂敷在晶片背面、并干燥、固化后與晶片一起將保護膜切斷而得。但是，由于如此形成的保護膜的厚度精度并不充分，因此會有產品的成品率降低的情況。[0004]為了解決上述問題，公開了具有支承片和形成于該支承片上的由熱或能量射線固化性成分和粘合劑聚合物成分構成的保護膜形成層的芯片用保護膜形成用片材（專利文獻1)。[0005]另外，以大直徑的狀態制造的半導體晶片在被切斷分離（劃片）為元件小片（半導體芯片）后，有時也要轉移到作為下一工序的鍵合工序。此時，在將半導體晶片以預先貼附在粘接片上的狀態下施加劃片、清洗、干燥、延展（expanding)及拾取的各工序后，移送到下一工序的鍵合工序。[0006]這些工序當中，為了簡化拾取工序及鍵合工序的工藝，提出過各種同時兼備晶片固定功能和小片（die)粘接功能的劃片/小片鍵合用粘接片（例如參照專利文獻2)。專利文獻2中公開的粘接片可以實現所謂的直接小片鍵合，從而可以省略小片粘接用粘接劑的涂敷工序。例如，通過使用所述粘接片，可以得到在背面貼附有粘接劑層的半導體芯片，可以實現有機基板一芯片間、引線框一芯片間、芯片一芯片間等的直接小片鍵合。此種粘接片通過使粘接劑層具有流動性而實現了晶片固定功能和小片粘接功能，具有支承片和形成于該支承片上的由熱或能量射線固化性成分和粘合劑聚合物成分構成的粘接劑層。[0007]另外，在對使芯片的凸起（電極）形成面與芯片搭載部對置來進行小片鍵合的倒裝方式的芯片中使用粘接片的情況下，將粘接劑層貼附在凸起形成面、即芯片的表面，來進行小片鍵合。[0008]隨著近年來的半導體裝置的高密度化及半導體裝置的制造工序的高速化，來自半導體裝置的發熱逐漸成為問題。由于半導體裝置的發熱，會有半導體裝置變形而成為造成故障或破損的原因、或者導致半導體裝置的運算速度的降低或誤動作而降低半導體裝置的可靠性的情況。因此，在高性能的半導體裝置中，要求有效的散熱特性，研究了將熱擴散率良好的填充劑用于保護膜形成層或粘接劑層等樹脂膜中的做法。例如，專利文獻3中，公開了對含有氮化硼粉末的薄膜組合物施加磁場并使組合物中的氮化硼粉末沿一定方向取向而使之固化的熱傳導性粘接膜。[0009]現有技術文獻[0010]專利文獻[0011]專利文獻1:日本特開2002-280329號公報[0012]專利文獻2:日本特開2007-314603號公報[0013]專利文獻3:日本特開2002-69392號公報【
發明內容】[0014]發明所要解決的問題[0015]但是，使用專利文獻3中所述的薄膜組合物形成的熱傳導性粘接膜如上所述在制造工序中具有施加磁場的工序，因而其制造工序繁雜。另外，如果使用專利文獻3的實施例中公開的平均粒徑1?2μm的氮化硼粉末來形成樹脂膜，就會因粒徑小而有使樹脂膜形成層用組合物增稠的情況。當樹脂膜形成層用組合物增稠時，樹脂膜形成層用組合物的涂敷適應性就會降低，會有難以形成平滑的樹脂膜的情況。另一方面，在為了避免樹脂膜形成層用組合物的增稠而減少氮化硼粉末的添加量的情況下，無法獲得樹脂膜的高的熱擴散率。所以，希望能提供一種方案，其基于簡單的制造方法，而且不增加氮化硼粉末的添加量就能提高熱擴散率。[0016]本發明是鑒于上述的情況而完成的，其目的在于，在半導體裝置的制造工序中，在不對半導體晶片、芯片實施使工序數目增加、工藝繁雜化那樣的特別處理的情況下，對所得的半導體裝置賦予散熱特性。[0017]用于解決問題的方案[0018]本發明人等以解決上述問題為目的進行了深入研究，其結果是，著眼于如下的情況而完成了本發明，即，通過將形成于半導體芯片的任一面的樹脂膜的熱擴散率設為規定的范圍，從而可以提高半導體裝置的散熱特性。[0019]本發明包含以下的主旨。[0020]〔1〕一種芯片用樹脂膜形成用片材，其具有支承片和形成于該支承片上的樹脂膜形成層，[0021]該樹脂膜形成層含有粘合劑聚合物成分（A)、固化性成分（B)及無機填料（C)，[0022]該樹脂膜形成層的熱擴散率為2X10-6m2/s以上。[0023]〔2〕根據〔1〕中所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，該樹脂膜形成層含有30?60質量％的無機填料（C)。[0024]〔3〕根據〔1〕或〔2〕中所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，無機填料（C)含有縱橫比為5以上、平均粒徑為20μm以下的各向異性形狀粒子（C1)、和平均粒徑大于20μm的干擾粒子（C2)。[0025]〔4〕根據〔3〕中所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，各向異性形狀粒子（C1)的長軸方向上的熱導率為60?400W/m·K。[0026]〔5〕根據〔3〕或〔4〕中所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，各向異性形狀粒子(C1)為氮化物粒子。[0027]〔6〕根據〔3〕?〔5〕中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，干擾粒子(C2)的平均粒徑為樹脂膜形成層的厚度的0.6?0.95倍。[0028]〔7〕根據〔3〕?〔6〕中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，各向異性形狀粒子（C1)與干擾粒子（C2)的重量比率為5:1?1:5。[0029]〔8〕根據〔1〕?〔7〕中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，該樹脂膜形成層的厚度為20?60μm。[0030]〔9〕根據〔1〕?〔8〕中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，樹脂膜形成層作為用于將半導體芯片固定在基板或其他半導體芯片上的薄膜狀粘接劑發揮作用。[0031]〔10〕根據〔1〕?〔8〕中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，樹脂膜形成層為半導體晶片或芯片的保護膜。[0032]〔11〕一種半導體裝置的制造方法，其使用上述〔1〕?〔10〕中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材。[0033]發明的效果[0034]通過在半導體芯片的任一面形成樹脂膜時，使用本發明的芯片用樹脂膜形成用片材，從而能在不對半導體晶片、芯片實施特別處理的情況下提高所得的半導體裝置的可靠性。【具體實施方式】[0035]以下，對于本發明，也包含其最佳的方式在內進行更具體的說明。本發明的芯片用樹脂膜形成用片材具有支承片和形成于該支承片上的樹脂膜形成層。[0036](樹脂膜形成層）[0037]樹脂膜形成層含有粘合劑聚合物成分（A)、固化性成分（B)及無機填料（C)。[0038](A)粘合劑聚合物成分[0039]為了對樹脂膜形成層賦予足夠的粘接性及造膜性（片材形成性），使用粘合劑聚合物成分（A)。作為粘合劑聚合物成分（A)，可以使用以往公知的丙烯酸聚合物、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸聚氨酯樹脂、硅酮樹脂、橡膠系聚合物等。[0040]粘合劑聚合物成分（A)的重均分子量（Mw)優選為1萬?200萬，更優選為10萬?150萬。如果粘合劑聚合物成分（A)的重均分子量過低，則樹脂膜形成層與支承片的粘合力變高，有時會引起樹脂膜形成層的轉印不良，如果過高，則樹脂膜形成層的粘接性降低，會有無法向芯片等上轉印、或者在轉印后樹脂膜從芯片等剝離的情況。[0041]作為粘合劑聚合物成分（A)，優選使用丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物的玻璃化溫度(Tg)優選處于一60?50°C，更優選處于一50?40°C，特別優選處于一40?30°C的范圍。如果丙烯酸聚合物的玻璃化溫度過低，則樹脂膜形成層與支承片的剝離力變大而有時會引起樹脂膜形成層的轉印不良，如果過高則樹脂膜形成層的粘接性降低，會有無法向芯片等上轉印、或者在轉印后樹脂膜從芯片等剝離的情況。[0042]作為構成上述丙烯酸聚合物的單體，可以舉出（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物。例如可以舉出烷基的碳數為1?18的（甲基）丙烯酸烷基酯，具體來說可以舉出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯等；具有環狀骨架的（甲基）丙烯酸酯，具體來說可以舉出（甲基）丙烯酸環烷基酯、（甲基）丙烯酸芐酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯酸二環戊基酯、(甲基）丙烯酸二環戊烯基酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯基氧基乙酯、（甲基）丙烯酸酰亞胺酯等；具有羥基的（甲基）丙烯酸酯，具體來說可以舉出（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基）丙烯酸2-羥基丙酯等；此外還可以舉出具有環氧基的（甲基）丙烯酸縮水甘油酯等。它們當中，將具有羥基的單體聚合而得的丙烯酸聚合物與后述的固化性成分（B)的相溶性良好，因此優選。另外，上述丙烯酸聚合物也可以是將丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等共聚而成的。[0043]另外，作為粘合劑聚合物成分（A)，也可以配合熱塑性樹脂。熱塑性樹脂是去除丙烯酸聚合物的聚合物，是為了保持固化后的樹脂膜的撓曲性而配合的。作為熱塑性樹脂，優選重均分子量為1000?10萬的樹脂，更優選3000?8萬的樹脂。通過含有上述范圍的熱塑性樹脂，就可以容易地進行樹脂膜形成層向半導體晶片或芯片上的轉印時的支承片與樹脂膜形成層的層間剝離，進而樹脂膜形成層還會追隨轉印面，可以抑制空隙（void)等的產生。[0044]熱塑性樹脂的玻璃化溫度優選處于一30?150°C、更優選處于一20?120°C的范圍。如果熱塑性樹脂的玻璃化溫度過低，則樹脂膜形成層與支承片的剝離力變大而會發生樹脂膜形成層的轉印不良的情況，如果過高，則樹脂膜形成層與芯片的粘接力有可能不足。[0045]作為熱塑性樹脂，可以舉出聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸聚氨酯樹脂、苯氧樹脂、硅酮樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。它們可以單獨使用1種，或者混合使用2種以上。[0046]在含有熱塑性樹脂的情況下，相對于粘合劑聚合物成分（A)的合計100質量份，通常以1?60質量份、優選以1?30質量份的比例含有。通過使熱塑性樹脂的含量處于該范圍中，就可以獲得上述的效果。[0047]另外，作為粘合劑聚合物成分（A)，也可以使用在側鏈中具有能量射線聚合性基團的聚合物（能量射線固化型聚合物）。此種能量射線固化型聚合物兼具作為粘合劑聚合物成分（A)的功能和后述的作為固化性成分（B)的功能。作為能量射線聚合性基團，只要具有與后述的能量射線聚合性化合物所含有的能量射線聚合性官能團相同的基團即可。作為在側鏈中具有能量射線聚合性基團的聚合物，可以舉出例如使低分子化合物與在側鏈中具有反應性官能團X的聚合物反應而制備的聚合物，其中所述低分子化合物具有能夠與反應性官能團X反應的官能團Y及能量射線聚合性基團。[0048](B)固化件成分[0049]固化性成分（B)可以使用熱固化性成分及熱固化劑、或能量射線聚合性化合物。另外，也可以將它們組合使用。作為熱固化性成分，例如優選環氧樹脂。[0050]作為環氧樹脂，可以使用以往公知的環氧樹脂。作為環氧樹脂，具體來說，可以舉出多官能系環氧樹脂、或聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚或其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、亞苯基骨架型環氧樹脂等在分子中具有2個官能以上的環氧化合物。它們可以單獨使用1種，或者組合使用2種以上。[0051]在作為固化性成分（B)使用熱固化性成分及熱固化劑的情況下，在樹脂膜形成層中，相對于粘合劑聚合物成分（A)100質量份，優選含有1?1500質量份、更優選含有3?1200質量份的熱固化性成分。如果熱固化性成分的含量小于1質量份，則會有無法獲得足夠的粘接性的情況，如果大于1500質量份，則樹脂膜形成層與支承片的剝離力變高，會發生樹脂膜形成層的轉印不良的情況。[0052]熱固化劑作為針對熱固化性成分、特別是作為針對環氧樹脂的固化劑發揮作用。作為優選的熱固化劑，可以舉出在1個分子中具有2個以上的能夠與環氧基反應的官能團的化合物。作為該官能團可以舉出苯酚性羥基、醇性羥基、氨基、羧基及酸酐等。它們當中優選舉出苯酚性羥基、氨基、酸酐等，更優選舉出苯酚性羥基、氨基。[0053]作為苯酚系固化劑的具體的例子，可以舉出多官能系酚醛樹脂、雙酚、酚醛清漆型酚醛樹脂、雙環戊二烯系酚醛樹脂、Xylock型酚醛樹脂、芳烷基酚醛樹脂。作為胺系固化劑的具體的例子，可以舉出DICY(雙氰胺）。它們可以單獨使用1種，或者混合使用2種以上。[0054]熱固化劑的含量相對于熱固化性成分100質量份優選為〇.1?500質量份，更優選為1?200質量份。如果熱固化劑的含量少，則會因固化不足而有無法獲得粘接性的情況，如果過剩，則樹脂膜形成層的吸濕率升高，會有降低半導體裝置的可靠性的情況。[0055]能量射線聚合性化合物含有能量射線聚合性基團，當受到紫外線、電子束等能量射線的照射時就會聚合固化。作為此種能量射線聚合性化合物，具體來說，可以舉出三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1，4一丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、環氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸低聚物等丙烯酸酯系化合物。此種化合物在分子內具有至少1個聚合性雙鍵，通常來說，重均分子量為100?30000,優選為300?10000左右。在作為固化性成分（B)使用能量射線聚合性化合物的情況下，在樹脂膜形成層中，相對于粘合劑聚合物成分（A)100質量份，優選含有1?1500質量份、更優選含有3?1200質量份的能量射線聚合性化合物。[0056](C)無機填料[0057]無機填料（C)優選是可以提高樹脂膜形成層的熱擴散率的材料。通過將無機填料(C)配合到樹脂膜形成層中可以提高熱擴散率，可以有效地擴散安裝了貼附有樹脂膜形成層的半導體芯片的半導體裝置的發熱。另外，可以調整固化后的樹脂膜中的熱膨脹系數，通過相對于半導體芯片、引線框或有機基板等的被粘附體將固化后的樹脂膜的熱膨脹系數最佳化，可以提高半導體裝置的可靠性。進而此外，還可以降低固化后的樹脂膜的吸濕率，在加熱時維持作為樹脂膜的粘接性，可以提高半導體裝置的可靠性。另外，所謂熱擴散率，是將樹脂膜的熱導率用樹脂膜的比熱與比重的乘積相除而得的值，熱擴散率越大，則表示具有越加優異的散熱特性。[0058]作為無機填料（C)，具體來說，可以舉出二氧化硅（1.3W/m*K)、氧化鋅（54W/m·K)、氧化鎂（59W/m·K)、氧化鋁（38W/m·K)、鈦（21.9W/m·K)、碳化硅（100?350W/m·K)、氮化硼（30?200W/m·K)等粒子、將它們球形化而得的珠子、單晶纖維及玻璃纖維等。另外，括號內的數值表示熱導率。[0059]無機填料（C)優選含有各向異性形狀粒子（C1)和干擾粒子（C2)。在作為無機填料（C)僅使用各向異性形狀粒子（C1)的情況下，在樹脂膜形成層的制造工序（例如涂敷工序）中因施加給各向異性形狀粒子（C1)的應力或重力，其長軸方向與樹脂膜形成層的寬度方向或流動方向大致相同的各向異性形狀粒子的比例變高，會有難以獲得具有優異的熱擴散率的樹脂膜形成層的情況。各向異性形狀粒子在其長軸方向上顯示出良好的熱擴散率。因此，在樹脂膜形成層中，通過使其長軸方向與樹脂膜形成層的厚度方向大致相同的各向異性形狀粒子的比例變高，就容易將半導體芯片中產生的熱經由樹脂膜形成層發散。作為無機填料（C)，通過將各向異性形狀粒子（C1)和干擾粒子（C2)并用，從而在樹脂膜形成層的制造工序中，就可以抑制各向異性形狀粒子的長軸方向與樹脂膜形成層的寬度方向或流動方向大致相同，能提高其長軸方向與樹脂膜形成層的厚度方向大致相同的各向異性形狀粒子的比例。其結果是，可以獲得具有優異的熱擴散率的樹脂膜形成層。這是因為，通過在樹脂膜形成層中存在干擾粒子（C2)，從而各向異性形狀粒子（C1)就會靠著干擾粒子（C2)立起地存在，其結果是，各向異性形狀粒子的長軸方向與樹脂膜形成層的厚度方向大致相同。另外，本發明中所說的"各向異性形狀粒子的長軸方向與樹脂膜形成層的厚度方向大致相同"，具體來說，是指各向異性形狀粒子的長軸方向相對于樹脂膜形成層的厚度方向處于一45?45。的范圍。[0060](C1)各向異件形狀粒子[0061]各向異性形狀粒子（C1)具有各向異性，其具體的形狀優選具有選自由板狀、針狀及鱗片狀構成的組中的至少1種形狀。作為優選的各向異性形狀粒子（C1)，可以舉出氮化物粒子，作為氮化物粒子，可以舉出氮化硼、氮化鋁、氮化硅等的粒子。它們當中優選容易獲得良好的熱傳導性的氮化硼粒子。[0062]各向異性形狀粒子（C1)的平均粒徑為20μm以下，優選為5?20μm，更優選為8?20μπι，特別優選為10?15μπι。另外，各向異性形狀粒子（C1)的平均粒徑優選小于后述的干擾粒子（C2)的平均粒徑。通過將各向異性形狀粒子（C1)的平均粒徑如上述那樣進行調整，從而樹脂膜形成層的熱擴散率或制膜性就會提高，并且樹脂膜形成層中的各向異性形狀粒子（C1)的填充率會提高。各向異性形狀粒子（C1)的平均粒徑是利用電子顯微鏡測定隨機選擇的20個各向異性形狀粒子（C1)的長軸直徑并采用作為其算術平均值算出的個數平均粒徑。[0063]各向異性形狀粒子（C1)的粒徑分布（CV值）優選為5?40%，更優選為10?30%。通過將各向異性形狀粒子（C1)的粒徑分布設為上述范圍，就可以有效地實現均勻的熱傳導性。CV值是粒徑的偏差的指標，CV值越大，則意味著粒徑的偏差越大。在CV值小的情況下，由于粒徑一致，因此進入粒子與粒子的間隙的尺寸小的粒子的量變少，難以將無機填料（C)更密地填充，其結果是，會有難以獲得具有高的熱導率的樹脂膜形成層的情況。相反，在CV值大的情況下，會有無機填料（C)的粒徑比所制成的樹脂膜形成層的厚度大的情況，其結果是，在樹脂膜形成層的表面產生凹凸，會有樹脂膜形成層的粘接性差的情況。另夕卜，如果CV值過大，則會有難以獲得具有均勻的性能的熱傳導性組合物的情況。此外，各向異性形狀粒子（C1)的粒徑分布（CV值）可以通過進行電子顯微鏡觀察，對200個以上的粒子測定長軸直徑，求出長軸直徑的標準偏差，使用上述的平均粒徑，算出（長軸直徑的標準偏差V(平均粒徑）而求出。[0064]各向異性形狀粒子（C1)的縱橫比為5以上，優選為5?30,更優選為8?20,進一步優選為10?15。縱橫比以各向異性形狀粒子（C1)的（長軸數平均直徑V(短軸數平均直徑）表示。短軸數平均直徑及長軸數平均直徑是在透射電子顯微鏡照片中測定隨機選擇的20個各向異性形狀粒子的短軸直徑及長軸直徑并采用作為各自的算術平均值算出的個數平均粒徑。通過將各向異性形狀粒子（C1)的縱橫比設為上述范圍，就可以通過干擾粒子（C2)來妨礙各向異性形狀粒子（Cl)的長軸方向與樹脂膜形成層的寬度方向或流動方向大致相同，各向異性形狀粒子（C1)在樹脂膜形成層的厚度方向上形成有效的熱傳導通道，可以提商熱擴散率。[0065]各向異性形狀粒子（C1)的比重優選為2?4g/cm3,更優選為2.2?3g/cm3。[0066]各向異性形狀粒子（Cl)的長軸方向的熱導率優選為60?400W/m·K，更優選為100?300W/m·Κ。通過使用此種各向異性形狀粒子，所形成的熱傳導通道就會具有高的熱傳導性，其結果是可以獲得熱擴散率高的樹脂膜形成層。[0067](C2)干擾粒子[0068]干擾粒子（C2)的形狀只要是妨礙各向異性形狀粒子（C1)的長軸方向與樹脂膜形成層的寬度方向或流動方向（與樹脂膜形成層平行的方向）成為大致相同的形狀，就沒有特別限定，其具體的形狀優選為球狀。作為優選的干擾粒子（C2)，可以舉出二氧化硅粒子、氧化鋁粒子，特別優選氧化鋁粒子。[0069]干擾粒子（C2)的平均粒徑大于20μm，優選為大于20μm且為50μm以下，更優選為大于20μπι且為30μπι以下。通過將干擾粒子（C2)的平均粒徑設為上述范圍，樹脂膜形成層的熱擴散率或制膜性就會提高，并且樹脂膜形成層中的干擾粒子（C2)的填充率會提高。另外，各向異性形狀粒子的每單位體積的比表面積大，容易使樹脂膜形成層用組合物的粘度升高。這里，在還添加比表面積大的、平均粒徑為20μm以下的各向異性形狀粒子以外的填料的情況下，樹脂膜形成層用組合物的粘度進一步升高，使得樹脂膜形成變得困難，或需要通過大量的溶劑稀釋，生產率有可能降低。此外，干擾粒子（C2)的平均粒徑是利用電子顯微鏡測定隨機選擇的20個干擾粒子（C2)的長軸直徑并采用作為其算術平均值算出的個數平均粒徑。[0070]另外，干擾粒子（C2)的平均粒徑優選為后述的樹脂膜形成層的厚度的0.6?0.95倍，更優選為0.7?0.9倍。如果干擾粒子（C2)的平均粒徑小于樹脂膜形成層的厚度的〇.6倍，則其長軸方向與樹脂膜形成層的寬度方向或流動方向大致相同的各向異性形狀粒子（C1)的比例變高，難以形成有效的熱傳導通道，會有熱擴散率降低的情況。另外，如果干擾粒子（C2)的平均粒徑大于樹脂膜形成層的厚度的0.95倍，則會在樹脂膜形成層的表面產生凹凸，會有樹脂膜形成層的粘接性差的情況。另外，還會有難以獲得具有均勻的性能的熱傳導性的樹脂膜形成層用組合物的情況。[0071]干擾粒子（C2)的粒徑分布（CV值）優選為5?40%，更優選為10?30%。通過將干擾粒子（C2)的粒徑分布設為上述范圍，就可以有效地實現均勻的熱傳導性。在CV值小的情況下，由于粒徑一致，因此進入粒子與粒子的間隙的尺寸小的粒子的量變少，難以將無機填料（C)更密地填充，其結果是，會有難以獲得具有高的熱導率的樹脂膜形成層的情況。相反，在CV值大的情況下，會有無機填料（C)的粒徑比所制成的樹脂膜形成層的厚度大的情況，其結果是，在樹脂膜形成層的表面形成凹凸，從而會有樹脂膜形成層的粘接性差的情況。另外，如果CV值過大，則會有難以獲得具有均勻的性能的熱傳導性組合物的情況。此外，干擾粒子（C2)的粒徑分布（CV值）可以進行電子顯微鏡觀察，對200個以上的粒子測定長軸直徑，求出長軸直徑的標準偏差，使用上述的平均粒徑，算出（長軸直徑的標準偏差V(平均粒徑）而求出。[0072]樹脂膜形成層中的無機填料（C)的含有比例，相對于構成樹脂膜形成層的全部固體成分，優選為30?80質量％，更優選為40?70質量％，特別優選為50?60質量％。通過將無機填料（C)的含有比例設為上述范圍，就可以形成有效的熱傳導通道，可以提高熱擴散率。[0073]在作為無機填料（C)含有各向異性形狀粒子（C1)和干擾粒子（C2)的情況下，各向異性形狀粒子（C1)與干擾粒子（C2)的重量比率優選為5:1?1:5,更優選為4:1?1:4。[0074]通過將各向異性形狀粒子（C1)與干擾粒子（C2)的重量比率設為上述范圍，就可以提高其長軸方向與樹脂膜形成層的厚度方向大致相同的各向異性形狀粒子（C1)的比例。其結果是，可以提高樹脂膜形成層的熱擴散率。另外，可以抑制樹脂膜形成層用組合物的增稠，形成平滑的樹脂膜。[0075]另外，樹脂膜形成層中的無機填料（C)的濃度優選為30?50體積％，更優選為35?45體積％。[0076]其他的成分[0077]樹脂膜形成層除了上述粘合劑聚合物成分（A)、固化性成分（B)及無機填料（C)以外還可以含有下述成分。[0078](D)著色劑[0079]在樹脂膜形成層中，可以配合著色劑（D)。通過配合著色劑，從而在將半導體裝置裝入設備中時，可以防止從周圍的裝置中產生的紅外線等所致的半導體裝置的誤動作。在將樹脂膜作為保護膜使用的情況下，此種效果尤其有用。作為著色劑，可以使用有機或無機的顏料及染料。它們當中從電磁波或紅外線遮蔽性的方面考慮優選黑色顏料。作為黑色顏料，可以使用炭黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性炭等，但是并不限定于它們。從提高半導體裝置的可靠性的觀點考慮，特別優選炭黑。著色劑（D)的配合量，相對于構成樹脂膜形成層的全部固體成分100質量份優選為〇.1?35質量份，更優選為0.5?25質量份，特別優選為1?15質量份。[0080](E)固化促講劑[0081]固化促進劑（E)是為了調整樹脂膜形成層的固化速度而使用的。固化促進劑（E)特別是在作為固化性成分（B)至少使用熱固化性成分及熱固化劑的情況下，在將環氧樹脂和熱固化劑并用時可以優選使用。[0082]作為優選的固化促進劑，可以舉出三乙烯二胺、芐基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三（二甲基氨基甲基）苯酚等叔胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基一4一甲基咪唑、2-苯基一4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基一4一甲基一5-羥基甲基咪唑等咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類；四苯基硼四苯基膦、四苯基硼三苯基膦等四苯基硼鹽等。它們可以單獨使用1種，或者混合使用2種以上。[0083]相對于熱固化性成分與熱固化劑的合計量100質量份，優選以0.01?10質量份、更優選以0.1?5質量份的量含有固化促進劑（E)。通過以上述范圍的量含有固化促進劑(E)，即使暴露于高溫高濕下也具有優異的粘接性，即使在暴露于嚴酷的回流條件下時，也可以實現高的可靠性。如果固化促進劑（E)的含量少，則會因固化不足而無法獲得足夠的粘接性，如果過剩，則具有高極性的固化促進劑就會在高溫高濕下在樹脂膜形成層中向粘接界面側移動、偏析，從而降低半導體裝置的可靠性。[0084](F)偶聯劑[0085]也可以為了提高樹脂膜形成層與芯片的粘接性、密合性和/或樹脂膜的凝聚性而使用具有與無機物反應的官能團及與有機官能團反應的官能團的偶聯劑（F)。另外，通過使用偶聯劑（F)，可以不損害將樹脂膜形成層固化而得的樹脂膜的耐熱性從而提高其耐水性。[0086]作為偶聯劑（F)，優選使用其與有機官能團反應的官能團是與粘合劑聚合物成分(A)、固化性成分（B)等所具有的官能團反應的基團的化合物。作為偶聯劑（F)，優選硅烷偶聯劑。作為此種偶聯劑可以舉出Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-（3,4一環氧基環己基）乙基三甲氧基硅烷、γ-（甲基丙烯酰氧基丙基）二甲氧基娃燒、Υ-氨基丙基二甲氧基娃燒、Ν-6-（氨基乙基）一γ-氨基丙基二甲氧基娃燒、Ν-6一（氛基乙基）一Υ-氛基丙基甲基二乙氧基娃燒、Ν-苯基一Υ一氛基丙基二甲氧基娃燒、Υ-脈基丙基二乙氧基娃燒、Υ-疏基丙基二甲氧基娃燒、Υ-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷、雙（3-三乙氧基甲硅烷基丙基）四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。它們可以單獨使用1種，或者混合使用2種以上。[0087]相對于粘合劑聚合物成分（Α)與固化性成分（Β)的合計100質量份，通常以0.1?20質量份、優選以0.2?10質量份、更優選以0.3?5質量份的比例含有偶聯劑（F)。如果偶聯劑（F)的含量小于0.1質量份，則有可能無法獲得上述的效果，如果大于20質量份，則有可能導致排出氣體（outgas)。[0088](G)光聚合引發劑[0089]樹脂膜形成層在作為固化性成分（B)并含有能量射線聚合性化合物的情況下，在其使用時，照射紫外線等能量射線而使能量射線聚合性化合物固化。此時，通過使構成樹脂膜形成層的組合物中含有光聚合引發劑（G)，可以減少聚合固化時間及光線照射量。[0090]作為此種光聚合引發劑（G)，具體來說，可以舉出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶酰二甲基縮酮、2,4一二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基甲酮、芐基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、苯偶酰、聯苯偶酰、二乙酰、1，2-二苯基甲烷、2-羥基一2-甲基一1一[4一（1一甲基乙烯基）苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。光聚合引發劑（G)可以單獨使用1種，或者組合使用2種以上。[0091]光聚合引發劑（G)的配合比例，相對于能量射線聚合性化合物100質量份優選含有0.1?10質量份，更優選含有1?5質量份。如果小于0.1質量份，貝U會因光聚合的不足而有無法獲得令人滿意的轉印性的情況，如果大于10質量份，則會生成不參與光聚合的殘留物，從而會有樹脂膜形成層的固化性不足的情況。[0092](Η)奪聯劑[0093]為了調節樹脂膜形成層的初期粘接力及凝聚力，也可以添加交聯劑。作為交聯劑(Η)可以舉出有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等。[0094]作為有機多元異氰酸酯化合物，可以舉出芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物及這些有機多元異氰酸酯化合物的三聚物、以及使這些有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而得的末端異氰酸酯氨基甲酸酯預聚物等。[0095]作為有機多元異氰酸酯化合物，具體來說，可以舉出2,4一甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-亞二甲苯基二異氰酸酯、1，4一二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷一4,4'一二異氰酸酯、二苯基甲烷一2,4'一二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六甲撐二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷一4,4'一二異氰酸酯、二環己基甲烷一2,4'一二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加成甲苯二異氰酸酯及賴氨酸異氰酸酯。[0096]作為有機多元亞胺化合物，具體來說，可以舉出Ν，Ν'一二苯基甲烷一4,4'一雙(1一氮丙啶甲酰胺）、三羥甲基丙烷一三一β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷一三一β-氮丙啶基丙酸酯及Ν，Ν'一甲苯一2,4一雙（1一氮丙啶甲酰胺）三乙撐三聚氰胺等。[0097]相對于粘合劑聚合物成分（Α)100質量份，通常以0.01?20質量份、優選以0.1?10質量份、更優選以〇.5?5質量份的比率使用交聯劑（Η)。[0098]⑴誦用添加劑[0099]在樹脂膜形成層中，除了上述的以外，也可以根據需要配合各種添加劑。作為各種添加劑，可以舉出調平劑、增塑劑、防靜電干擾劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸雜劑、鏈轉移劑等。[0100]由如上所述的各成分構成的樹脂膜形成層具有粘接性和固化性，通過在未固化狀態下按壓到半導體晶片、芯片等上，或在加熱的同時按壓來進行粘接。此后經過固化最終可以提供耐沖擊性高的樹脂膜，粘接強度也優異，即使在嚴酷的高溫高濕條件下也可以保持充分的保護功能。本發明中，優選將上述的樹脂膜形成層作為用于將半導體芯片固定在基板或其他半導體芯片上的薄膜狀粘接劑、半導體晶片或半導體芯片的保護膜使用。此外，樹脂膜形成層也可以是單層結構，另外只要含有1層以上的包含上述成分的層，則也可以是多層結構。[0101]樹脂膜形成層的熱擴散率為2X10-6m2/s以上，優選為2.5XKT6?5X10-6m2/s，更優選為4XKT6?5Xl(T6m2/S。另外，固化后的樹脂膜形成層（樹脂膜）的熱擴散率優選為2X10-6m2/s以上，更優選為2.5XKT6?5X10-6m2/s，特別優選為4XKT6?5Xl(T6m2/S。如果樹脂膜形成層的熱擴散率小于2Xl(T6m2/S，則會有由于半導體裝置的發熱，出現半導體裝置變形而成為造成故障或破損的原因、或者導致半導體裝置的運算速度的降低或誤動作而降低半導體裝置的可靠性的情況。通過將樹脂膜形成層或樹脂膜的熱擴散率設為上述范圍，可以提高半導體裝置的散熱特性，制造具有優異的可靠性的半導體裝直。[0102]作為樹脂膜形成層的散熱特性的指標，除了熱擴散率以外，還可以使用熱導率，固化后的樹脂膜形成層（樹脂膜）的熱導率優選為4?15W/m·Κ，更優選為5?10W/m·Κ。[0103](芯片用樹脂膜形成用片材）[0104]樹脂膜形成層是將以適當的比例將上述各成分在適當的溶劑中混合而成的樹脂膜形成用組合物涂敷在支承片上并干燥而得。另外，也可以將樹脂膜形成用組合物涂敷在不同于支承片的其他的工序薄膜上并干燥而成膜，將其向支承片上轉印。[0105]本發明的芯片用樹脂膜形成用片材是在支承片上可以剝離地形成上述樹脂膜形成層而成。本發明的芯片用樹脂膜形成用片材的形狀可以采用帶狀、標簽狀等所有的形狀。[0106]作為支承片，例如可以使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、離聚物樹脂薄膜、乙烯·（甲基）丙烯酸共聚物薄膜、乙烯·（甲基）丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等薄膜。另外也可以使用它們的交聯薄膜。進而還可以是它們的層疊薄膜。另外，也可以使用將它們著色了的薄膜。[0107]在本發明的芯片用樹脂膜形成用片材中，在其使用時將支承片剝離，將樹脂膜形成層向半導體晶片或芯片轉印。特別是在樹脂膜形成層的熱固化后剝離支承片的情況下，由于支承片需要耐受樹脂膜形成層的熱固化時的加熱，因此優選使用耐熱性優異的退火處理聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚酰亞胺薄膜。為了使得樹脂膜形成層與支承片之間的剝離容易，支承片的表面張力優選為40mN/m以下，更優選為37mN/m以下，特別優選為35mN/m以下。下限值通常為25mN/m左右。此種表面張力低的支承片可以通過適當地選擇材質而獲得，另外也可以通過在支承片的表面涂敷剝離劑來實施剝離處理而獲得。[0108]作為剝離處理中所用的剝離劑，可以使用醇酸系、硅酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、石蠟系等，但是因為尤其醇酸系、硅酮系、氟系的剝離劑具有耐熱性而優選。[0109]為了使用上述的剝離劑對片材的表面進行剝離處理，只要將剝離劑直接不用溶劑地、或進行溶劑稀釋或乳化后通過凹版涂敷機、邁耶繞線棒涂敷機、氣刀涂敷機、輥涂機等涂敷，在常溫或加熱下固化或電子束固化，利用濕式壓膜或干式壓膜、熱熔融壓膜、熔融擠出壓膜、共擠出加工等形成層疊體即可。[0110]另外，樹脂膜形成層也可以層疊在設于支承片上的再剝離性膠粘劑層上。再剝離性膠粘劑層既可以使用具有可以剝離樹脂膜形成層的程度的粘合力的弱粘附性的材料，也可以使用因能量射線照射而粘合力降低的能量射線固化性的材料。另外，在使用能量射線固化性的再剝離性膠粘劑層的情況下，對樹脂膜形成層層疊的區域預先進行能量射線照射，降低粘附性，而另一方面，其他的區域不進行能量射線照射，例如以向夾具的粘接為目的，也仍然可以維持高粘合力。要僅對其他的區域不進行能量射線照射，例如只要在基材的與其他的區域對應的區域通過印刷等設置能量射線遮蔽層，從基材側進行能量射線照射即可。再剝離性膠粘劑層可以通過以往公知的各種膠粘劑（例如橡膠系、丙烯酸系、硅酮系、聚氨酯系、乙烯基醚系等通用膠粘劑）來形成。再剝離性膠粘劑層的厚度沒有特別限定，然而通常為1?50μm，優選為3?20μm。[0111]支承片的厚度通常為10?500μm，優選為15?300μm，特別優選為20?250μm。[0112]樹脂膜形成層的厚度優選為20?60μm，更優選為25?50μm，特別優選為30?45μπι。另外，樹脂膜形成層的厚度優選比干擾粒子（C2)的平均粒徑大2?5μπι。[0113]此外，在芯片用樹脂膜形成用片材的使用前，為了保護樹脂膜形成層，也可以在樹脂膜形成層的上表面層疊不同于所述支承片的輕剝離性的剝離薄膜。[0114]此種芯片用樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層可以作為薄膜狀粘接劑發揮作用。薄膜狀粘接劑通常用于貼附在半導體晶片的任一面，經過劃片工序切斷為各個芯片后，載放（小片鍵合）在基板等上，經過固化工序后粘接固定半導體芯片。此種薄膜狀粘接劑有時被稱作小片粘合膜（dieattachmentfilm)。將本發明中的樹脂膜形成層作為薄膜狀粘接劑使用的半導體裝置由于散熱特性優異，因而可以抑制其可靠性的降低。[0115]另外，芯片用樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層可以作為保護膜。將樹脂膜形成層貼附在倒裝方式的芯片用半導體晶片或半導體芯片的背面，通過適當的方式使之固化而作為密封樹脂的替代物具有保護半導體芯片的功能。在貼附在半導體晶片上的情況下，由于保護膜具有加強晶片的功能，因而可以防止晶片的破損等。另外，以本發明中的樹脂膜形成層作為保護膜的半導體裝置由于散熱特性優異，因而可以抑制其可靠性的降低。[0116](半導體裝置的制造方法）[0117]下面，對于本發明的芯片用樹脂膜形成用片材的利用方法，以將該片材應用于半導體裝置的制造中的情況為例進行說明。[0118]本發明的半導體裝置的制造方法優選向在表面形成有電路的半導體晶片的背面，貼附上述芯片用樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層，其后，得到在背面具有樹脂膜的半導體芯片。該樹脂膜優選為半導體晶片或半導體芯片的保護膜。另外，本發明的半導體芯片的制造方法的特征在于，優選還包含以下的工序（1)?（3)，以任意的順序進行工序（1)?⑶。[0119]工序（1):將樹脂膜形成層或樹脂膜與支承片剝離、[0120]工序（2):將樹脂膜形成層固化而得到樹脂膜、[0121]工序⑶：對半導體晶片和樹脂膜形成層或樹脂膜進行劃片。[0122]半導體晶片既可以是硅晶片，此外也可以是鎵、砷等的化合物半導體晶片。晶片表面上的電路的形成可以通過包括蝕刻法、剝離（lift-off)法等以往所通用的方法的各種方法來進行。然后，研削半導體晶片的電路面的相反一面（背面）。研削方法沒有特別限定，也可以由使用了減薄機（grinder)等的公知的方式來進行研削。在背面研削時，為了保護表面的電路而在電路面貼附被稱作表面保護片的粘合片。背面研削是將晶片的電路面側(即表面保護片側）通過卡盤工作臺（chucktable)等固定，通過減薄機研削沒有形成電路的背面側。晶片的研削后的厚度沒有特別限定，但通常為20?500μm左右。[0123]其后，根據需要，去除在背面研削時產生的破碎層。破碎層的去除是通過化學蝕亥IJ、等離子體蝕刻等來進行。[0124]然后，在半導體晶片的背面，貼附上述芯片用樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層。其后，以任意的順序進行工序（1)?（3)。對于該工藝的詳細情況，詳述于日本特開2002-280329號公報中。作為一例，對依照工序（1)、（2)、（3)的順序進行的情況進行說明。[0125]首先，向在表面形成有電路的半導體晶片的背面，貼附上述芯片用樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層。然后從樹脂膜形成層中剝離支承片，得到半導體晶片與樹脂膜形成層的層疊體。然后將樹脂膜形成層固化，在晶片的整個面形成樹脂膜。在樹脂膜形成層中作為固化性成分（B)使用熱固化性成分及熱固化劑的情況下，通過熱固化將樹脂膜形成層固化。在作為固化性成分（B)配合有能量射線聚合性化合物的情況下，可以通過能量射線照射來進行樹脂膜形成層的固化，在將熱固化性成分及熱固化劑與能量射線聚合性化合物并用的情況下，可以同時進行借助加熱及能量射線照射的固化，也可以逐次地進行。作為所照射的能量射線，可以舉出紫外線（UV)或電子束（EB)等，優選使用紫外線。其結果是，在晶片背面形成由固化樹脂構成的樹脂膜，與單獨使用晶片的情況相比強度提高，因此可以減少變薄了的晶片的處置時的破損。另外，通過形成熱擴散率高的樹脂膜，可以賦予優異的散熱特性。另外，與在晶片或芯片的背面直接涂敷樹脂膜用的涂敷液并被膜化的涂覆法相t匕，樹脂膜的厚度的均勻性優異。[0126]然后，將半導體晶片與樹脂膜的層疊體按照形成于晶片表面的每個電路進行劃片。以將晶片與樹脂膜一起切斷的方式進行劃片。通過使用了切斷薄片（dicingsheet)的常用方法來進行晶片的劃片。其結果是，可以獲得在背面具有樹脂膜的半導體芯片。[0127]最后，通過利用夾頭（collet)等通用機構來拾取經過劃片的芯片，就可以得到在背面具有樹脂膜的半導體芯片。根據此種本發明，可以在芯片背面簡便地形成厚度的均勻性高的樹脂膜，難以產生劃片工序或封裝后的裂紋。進而，由于可以對所得的半導體裝置賦予優異的散熱特性，因此可以抑制其可靠性降低的情況。此后，通過將半導體芯片以倒裝方式安裝在規定的基臺上就可以制造半導體裝置。另外，也可以通過將在背面具有樹脂膜的半導體芯片粘接在小片焊盤（diepad)部或其他半導體芯片等其他構件上（芯片搭載部上），來制造半導體裝置。[0128]另外，使用了本發明的芯片用樹脂膜形成用片材的另外的半導體裝置的制造方法優選包含如下的工序，即，將該片材的樹脂膜形成層貼附在半導體晶片上，對該半導體晶片進行劃片而制成半導體芯片，在該半導體芯片的任一面粘著殘存該樹脂膜形成層并從支承片中剝離，將該半導體芯片隔著該樹脂膜形成層載放在小片焊盤部上、或其他半導體芯片上。作為一例，對在芯片的背面貼附樹脂膜形成層的制造方法說明如下。[0129]首先，將環狀框架及半導體晶片的背面側載放于本發明的芯片用樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層上，輕輕地按壓，將半導體晶片固定。此時，在室溫下不具有粘性的情況下也可以適當地加溫（雖然不是限定，但優選為40?80°C)。然后，在樹脂膜形成層中作為固化性成分（B)配合有能量射線聚合性化合物的情況下，也可以從支承片側向樹脂膜形成層照射能量射線，將樹脂層形成層預備性地固化，提高樹脂膜形成層的凝聚力，降低樹脂膜形成層與支承片之間的粘接力。然后，使用劃片機（dicingsaw)等切斷機構，切斷上述的半導體晶片而得到半導體芯片。此時的切斷深度設為將半導體晶片的厚度與樹脂膜形成層的厚度的合計及劃片機的磨損量相加而得的深度。而且，能量射線照射可以在半導體晶片的貼附后、半導體芯片的剝離（拾取）前的任意一個階段進行，例如可以在劃片之后進行，另外也可以在下述的延展工序之后進行。此外還可以將能量射線照射分為數次地進行。[0130]然后，當根據需要進行芯片用樹脂膜形成用片材的延展時，半導體芯片間隔就會擴張，可以更加容易地進行半導體芯片的拾取。此時，在樹脂膜形成層與支承片之間產生偏移，樹脂膜形成層與支承片之間的粘接力減小，半導體芯片的拾取性提高。當像這樣進行半導體芯片的拾取時，就可以將被切斷了的樹脂膜形成層粘著殘存于半導體芯片背面并從支承片剝離。[0131]然后，隔著樹脂膜形成層將半導體芯片載放于引線框的小片焊盤上或其他半導體芯片（下段芯片）表面（以下，將搭載芯片的小片焊盤或下段芯片表面記作"芯片搭載部")。芯片搭載部在載放半導體芯片前加熱或在剛剛載放后被加熱。加熱溫度通常為80?200°C，優選為100?180°C，加熱時間通常為0.1秒?5分鐘，優選為0.5秒?3分鐘，載放時的壓力通常為lkPa?200MPa。[0132]在將半導體芯片載放于芯片搭載部上后，也可以根據需要再進行加熱。此時的加熱條件為上述加熱溫度的范圍，加熱時間通常為1?180分鐘，優選為10?120分鐘。[0133]另外，也可以不進行載放后的加熱處理而設為臨時粘接狀態，利用在封裝制造中通常進行的樹脂密封中的加熱使樹脂膜形成層固化。通過經過此種工序，樹脂膜形成層就會固化，可以得到牢固地粘接有半導體芯片與芯片搭載部的半導體裝置。由于樹脂膜形成層在小片鍵合條件下是流動化的，因此也會充分地嵌入到芯片搭載部的凹凸中，從而可以防止空洞的產生，半導體裝置的可靠性變高。另外，由于樹脂膜形成層的熱擴散率高，因此半導體裝置具有優異的散熱特性，可以抑制其可靠性降低。[0134]本發明的芯片用樹脂膜形成用片材除了如上所述的使用方法以外，還可以用于半導體化合物、玻璃、陶瓷、金屬等的粘接中。[0135]實施例[0136]以下，通過實施例對本發明進行說明，然而本發明并不限定于這些實施例。此外，在以下的實施例及比較例中，如下所示地進行<熱擴散率測定>。[0137]<熱擴散率測定>[0138](固化前）[0139]裁斷樹脂膜形成層（厚度：40μm)而得到各片為1cm的正方形的試樣。然后，使用熱導率測定裝置（ai-phase公司制ai-PhaseMobilelu)，測定出該試樣的熱導率。其后，根據該試樣的比熱和比重算出該試樣的熱擴散率，作為樹脂膜形成層的熱擴散率。將熱擴散率為2X1(T6m2/s以上的情況設為"良好"，將小于2X1(T6m2/s的情況設為"不良"。[0140](固化后）[0141]裁斷樹脂膜形成層（厚度：40μm)而得到各片為1cm的正方形的試樣。然后，將該試樣加熱（130°C、2小時）而使之固化后，使用熱導率測定裝置（ai-phase公司制ai-PhaseMobilelu)，測定出該試樣的熱導率。其后，根據該試樣的比熱和比重算出該試樣的熱擴散率，作為樹脂膜的熱擴散率。將熱擴散率為2Xl(T6m2/S以上的情況設為"良好"，將小于2X10-6m2/s的情況設為"不良"。[0142]<樹脂膜形成層用組合物>[0143]將構成樹脂膜形成層的各成分表示如下。[0144](A)粘合劑聚合物成分：甲基丙烯酸甲基85質量份與丙烯酸2-羥基乙基15質量份的共聚物（重均分子量：40萬、玻璃化溫度：6°C)[0145](B)固化性成分：[0146](B1)雙酚A型環氧樹脂（環氧基當量180?200g/eq)[0147](B2)雙環戊二烯型環氧樹脂（大日本油墨化學工業（株）制EPICLONHP-7200HH)[0148](B3)雙氛胺（旭電化制AdekaHardener3636AS)[0149](C)無機填料：[0150](Cl)氮化硼粒子（昭和電工（株）制UHP-2、形狀：板狀、平均粒徑11.8μm、縱橫比11.2、長軸方向的熱導率200W/m·K、比重2.3g/cm3)[0151](C2)氧化鋁填料（昭和電工（株）制CB-A30S、形狀：球狀、平均粒徑30μm、比重4.Og/cm3)[0152](D)著色劑：黑色顏料（炭黑、三菱化學公司制#MA650、平均粒徑28nm)[0153](E)固化促進劑：2-苯基一4,5-二羥基甲基咪唑（四國化成工業公司制Curezol2PHZ-PW)[0154](F)偶聯劑：A-1110(日本Unicar公司制）[0155](實施例及比較例）[0156]將上述各成分以表1中所述的量配合，得到樹脂膜形成用組合物。將所得的組合物的甲乙酮溶液（固體成分濃度61重量％)以干燥后達到40μm(僅比較例3為60μm)的厚度的方式涂敷在利用硅酮進行了剝離處理的支承片（LINTEC株式會社制SP-PET381031、厚38μπι)的剝離處理面上，進行干燥（干燥條件：在烤爐中110°C、1分鐘），在支承片上形成樹脂膜形成層，得到芯片用樹脂膜形成用片材。[0157][表1][0158][表1][0159]【權利要求】1.一種芯片用樹脂膜形成用片材，其具有支承片和形成于該支承片上的樹脂膜形成層，該樹脂膜形成層含有粘合劑聚合物成分（A)、固化性成分（B)及無機填料（C)，該樹脂膜形成層的熱擴散率為2Xl(T6m2/S以上。2.根據權利要求1所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，該樹脂膜形成層含有30?60質量％的無機填料（C)。3.根據權利要求1或2所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，無機填料（C)含有縱橫比為5以上且平均粒徑為20μπι以下的各向異性形狀粒子(C1)、以及平均粒徑大于20μm的干擾粒子（C2)。4.根據權利要求3所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，各向異性形狀粒子（C1)的長軸方向上的熱導率為60?400W/m·K。5.根據權利要求3或4所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，各向異性形狀粒子（C1)為氮化物粒子。6.根據權利要求3?5中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，干擾粒子（C2)的平均粒徑為樹脂膜形成層的厚度的0.6?0.95倍。7.根據權利要求3?6中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，各向異性形狀粒子（C1)與干擾粒子（C2)的重量比率為5:1?1:5。8.根據權利要求1?7中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，該樹脂膜形成層的厚度為20?60μm。9.根據權利要求1?8中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，樹脂膜形成層作為用于將半導體芯片固定在基板或其他半導體芯片上的薄膜狀粘接劑發揮作用。10.根據權利要求1?8中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材，其中，樹脂膜形成層為半導體晶片或芯片的保護膜。11.一種半導體裝置的制造方法，其使用權利要求1?10中任一項所述的芯片用樹脂膜形成用片材。【文檔編號】C09J7/02GK104160491SQ201380012849【公開日】2014年11月19日申請日期:2013年3月5日優先權日:2012年3月7日【發明者】吾妻祐一郎,市川功申請人:琳得科株式會社