一種gff結構的觸摸屏的制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發明涉及觸摸屏【技術領域】，具體涉及一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，本發明不僅比傳統雙層玻璃觸摸屏更輕薄，且適用于10.1inch以下的平板及智能手機觸摸屏，而且本發明針采用“整體印刷導電銀漿，對導電銀漿進行激光蝕刻以形成銀漿搭橋線路”的方式和“直接絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路”的方式向結合，有效防止銀漿搭橋線路加工難易斷裂的問題，保證了產品良率。本發明在制作工藝中增加了貼保護膜的工序，防止產品在生產過程中被污染被劃傷，影響產品良率。綜上，通過上述制作工藝使制得的產品良率高而且性能好較同類產品也有較大提高。
【專利說明】一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝
【技術領域】
[0001]本發明涉及觸摸屏【技術領域】，具體涉及一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝。
【背景技術】
[0002]觸摸屏是一種顯著改善人機操作界面的輸入設備，具有直觀、簡單、快捷的優點。觸摸屏在許多電子產品中已經獲得了廣泛的應用，比如手機、PDA、多媒體、公共信息查詢系統等。
[0003]傳統觸控技術采用雙層玻璃觸摸屏，它不僅厚重，而且不能做成窄邊框的觸摸屏。GFF結構的觸摸屏是由ITO導電膜+鋼化玻璃蓋板組成，GFF結構的觸摸屏由于僅有兩層導電薄膜，使其成本、厚度、重量均得到了大幅度的改善，但其制作工藝中不可操控性因素多，造成產品良率低、性能差。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在于針對現有技術的不足，提供一種造成產品良率高、性能好的GFF結構的觸摸屏的制作工藝。
[0005]為了實現上述目的，本發明采用如下技術方案:一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，它包括以下工序:
A、上線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟Al、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；
步驟A2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟A3、在導電薄膜基材層印刷保護膠以保護基材層不受污染和刮擦，然后在導電薄膜邊框區的ITO層上整體印刷導電銀漿，對導電銀漿進行激光蝕刻以形成銀漿搭橋線路；步驟A4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到上線sensor ；
B、下線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟B1、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；
步驟B2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟B3、在導電薄膜邊框區的ITO層上絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路；
步驟B4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到下線sensor ；
C、綁定工序，它依次包括以下步驟:
步驟Cl、上線sensor和下線sensor測試合格后,在下線sensor有ITO走線的那一面貼合光學膠，通過光學膠將上線sensor和下線sensor進行組合得到薄膜sensor,然后脫泡；
步驟C2、將導電膠ACF貼合到FPC柔性電路板上；；
步驟C3、最后將FPC綁定于薄膜sensor上，得到GFF結構的觸摸屏。[0006]優選的，步驟Al和步驟BI中導電薄膜的烘烤溫度為135_145°C，烘烤時間為55_65min0
[0007]優選的，步驟Al和步驟BI中的基材層為PET基材層。
[0008]優選的，步驟A2和步驟B2中，耐酸油墨為日本互應的型號為TPER-194B-2的耐酸油墨；蝕刻液由質量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質量百分比濃度為15-25%，氯化鐵溶液的質量百分比濃度為2-8%，堿液采用質量百分比濃度為3-5%的氫氧化鈉溶液。
[0009]優選的，步驟A3和步驟B3中的導電銀漿由以下重量百分比的原料組成:
銀粉末55-70 %
環氧樹脂5-15%
聚酯樹脂5-15%
石墨粉末0.1-1%
二氧化硅粉末1-2%
二乙二醇乙醚醋酸酯 5-15%
二乙二醇丁醚醋酸酯 5-15%，
其中，所述環氧樹脂為PU改`性環氧乙烯基酯樹脂。
[0010]其中，所述聚酯樹脂為丙烯酸型聚酯樹脂。
[0011]導電銀漿中的改性環氧乙烯基酯樹脂和丙烯酸型聚酯樹脂能充分溶解于二乙二醇丁醚醋酸酯和二乙二醇丁醚醋酸酯的溶劑體系中，形成有機載體，具有導電性能的銀粉末、石墨粉末加入后可以得到很好的分散，提高導電銀漿的導電性，PU改性環氧乙烯基酯樹脂、丙烯酸型聚酯樹脂、二氧化硅粉末的采用還使得導電銀漿燒結后的漿料強度高、與基材層的附著力好，可以滿足觸摸屏線路用的導電漿料的線寬越來越細的要求。
[0012]優選的，所述銀粉末由質量比為1:20-1:30的微米銀粉末和納米銀粉末組成，所述微米銀粉末的粒徑為10-2(^111，所述納米銀粉末的粒徑為60-9011111。在此粒徑和配比范圍內的微米銀粉末和納米銀粉末能更好地配合，既可利用納米銀粉末的小質量和高表面能，使得納米銀粉末附著在微米銀粉末表面，形成核\殼層的復合結構，又使得在后續的混合過程中，納米銀粉末附著在微米銀粉末的表面隨著微米銀粉末一起運動，有效避免了納米銀粉末的團聚現象；另外由于納米銀粉末具有高的表面能，它與環氧樹脂和聚酯樹脂中的高分子鏈的結合更加緊密，因此微米銀粉末可以通過附著在其表面的納米銀粉末與環氧樹脂和聚酯樹脂中的高分子鏈的結合，沒有附著在微米銀粉末表面的納米銀粉末將填充到環氧樹脂和聚酯樹脂的各種間隙，最終所有微米銀粉末和納米銀粉末都得到均勻分散，提高了本發明的導電性。
[0013]優選的，步驟A3和步驟B3中的保護膠由以下重量百分比的原料組成:
有機氟硅改性丙烯酸樹脂10-20%
酚醛環氧丙烯酸樹脂5-15%
氨基丙烯酸樹脂5-15%
脂肪族聚氨酯丙烯酸樹脂 5-15%
丙烯酸單體5-15%
光固化劑1-5% 二氧化硅0.1-1%
硫酸鋇15-25%
滑石粉10-20%
有機顏料0.1_1%，
上述保護膠采用四種不同樹脂相互配合，取長補短，制得的可剝藍膠成膜性好，熱固化成膜后具有良好的韌性、柔軟性和耐酸堿性能；而且在觸摸屏制作過程中導電膜保護工藝完成后，容易剝離，不會有殘留在材料表面或者污染材料。
[0014]優選的，所述光固化劑由質量比為1:1的二苯甲酮和鄰苯甲酰苯甲酸甲酯組成。
[0015]優選的，步驟A4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0016]優選的，步驟B4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0017]本發明與現有技術相比較，有益效果在于:本發明不僅比傳統雙層玻璃觸摸屏更輕薄，且適用于10.1inch以下的平板及智能手機觸摸屏，而且本發明針采用“整體印刷導電銀漿，對導電銀漿進行激光蝕刻以形成銀漿搭橋線路”的方式和“直接絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路”的方式向結合，有效防止銀漿搭橋線路加工難易斷裂的問題，保證了產品良率。本發明在制作工藝中增加了貼保護膜的工序，防止產品在生產過程中被污染被劃傷，影響產品良率。綜上，通過上述制作工藝使制得的產品良率高而且性能好較同類產品也有較大提聞。
【具體實施方式】
[0018]下面結合實施例對本發明作進一步的說明。
[0019]實施例1。
[0020]一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，它包括以下工序:
A、上線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟Al、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；
步驟A2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟A3、在導電薄膜基材層印刷保護膠以保護基材層不受污染和刮擦，然后在導電薄膜邊框區的ITO層上整體印刷導電銀漿，對導電銀漿進行激光蝕刻以形成銀漿搭橋線路；步驟A4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到上線sensor ；
B、下線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟B1、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；
步驟B2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟B3、在導電薄膜邊框區的ITO層上絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路；
步驟B4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到下線sensor ；
C、綁定工序，它依次包括以下步驟:
步驟Cl、上線sensor和下線sensor測試合格后,在下線sensor有ITO走線的那一面貼合光學膠，通過光學膠將上線sensor和下線sensor進行組合得到薄膜sensor,然后脫泡；
步驟C2、將導電膠ACF貼合到FPC柔性電路板上；；
步驟C3、最后將FPC綁定于薄膜sensor上，得到GFF結構的觸摸屏。
[0021]其中，步驟Al和步驟BI中導電薄膜的烘烤溫度為135°C，烘烤時間為65min。
[0022]其中，步驟Al和步驟BI中的基材層為PET基材層。
[0023]其中，步驟A2和步驟B2中，耐酸油墨為日本互應的型號為TPER-194B-2的耐酸油墨；蝕刻液由質量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質量百分比濃度為15%，氯化鐵溶液的質量百分比濃度為2%，堿液采用質量百分比濃度為3%的氫氧化鈉溶液。
[0024]其中，步驟A3和步驟B3中的導電銀漿由以下重量百分比的原料組成:
銀粉末55%
環氧樹脂10%
聚酯樹脂5%
石墨粉末1%
二氧化硅粉末2%
二乙二醇乙醚醋酸酯 15%
二乙二醇丁醚醋酸酯 12%，
其中，所述環氧樹脂為PU改性環氧乙烯基酯樹脂，
其中，所述聚酯樹脂為丙烯酸型聚酯樹脂，
其中，所述銀粉末由質量比為1:20的微米銀粉末和納米銀粉末組成，所述微米銀粉末的粒徑為10 μ m,所述納米銀粉末的粒徑為60nm。
[0025]其中，步驟A3和步驟B3中的保護膠由以下重量百分比的原料組成:
有機氟硅改性丙烯酸樹脂10%
酚醛環氧丙烯酸樹脂10%
氨基丙烯酸樹脂15%
脂肪族聚氨酯丙烯酸樹脂 10%
丙烯酸單體10%
光固化劑5%
二氧化硅1%
硫酸鋇20%
滑石粉18%
有機顏料1%，
其中，所述光固化劑由質量比為1:1的二苯甲酮和鄰苯甲酰苯甲酸甲酯組成。
[0026]其中，步驟A4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0027]其中，步驟B4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0028]實施例2。
[0029]一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，它包括以下工序: A、上線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟Al、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；步驟A2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟A3、在導電薄膜基材層印刷保護膠以保護基材層不受污染和刮擦，然后在導電薄膜邊框區的ITO層上整體印刷導電銀漿，對導電銀漿進行激光蝕刻以形成銀漿搭橋線路；步驟A4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到上線sensor ；
B、下線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟B1、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；步驟B2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟B3、在導電薄膜邊框區的ITO層上絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路；
步驟B4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到下線sensor ；
C、綁定工序，它依次包括以下步驟:
步驟Cl、上線sensor和下線sensor測試合格后,在下線sensor有ITO走線的那一面貼合光學膠，通過光學膠將上線sensor和下線sensor進行組合得到薄膜sensor,然后脫泡；
步驟C2、將導電膠ACF貼合到FPC柔性電路板上；；
步驟C3、最后將FPC綁定于薄膜sensor上，得到GFF結構的觸摸屏。
[0030]其中，步驟Al和步驟BI中導電薄膜的烘烤溫度為140°C，烘烤時間為60min。
[0031]其中，步驟Al和步驟BI中的基材層為PET基材層。
[0032]其中，步驟A2和步驟B2中，耐酸油墨為日本互應的型號為TPER-194B-2的耐酸油墨；蝕刻液由質量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質量百分比濃度為20%，氯化鐵溶液的質量百分比濃度為4%，堿液采用質量百分比濃度為4%的氫氧化鈉溶液。
[0033]其中，步驟A3和步驟B3中的導電銀漿由以下重量百分比的原料組成:
銀粉末70%
環氧樹脂5%
聚酯樹脂5%
石墨粉末0.5%
二氧化硅粉末1.5%
二乙二醇乙醚醋酸酯 10%
二乙二醇丁醚醋酸酯 8%，
其中，所述環氧樹脂為PU改性環氧乙烯基酯樹脂，
其中，所述聚酯樹脂為丙烯酸型聚酯樹脂，
其中，所述銀粉末由質量比為1:25的微米銀粉末和納米銀粉末組成，所述微米銀粉末的粒徑為15 μ m,所述納米銀粉末的粒徑為75nm。
[0034]其中，步驟A3和步驟B3中的保護膠由以下重量百分比的原料組成:
有機氟硅改性丙烯酸樹脂15%
酚醛環氧丙烯酸樹脂10% 氨基丙烯酸樹脂10%
脂肪族聚氨酯丙烯酸樹脂 10%
丙烯酸單體10%
光固化劑4%
二氧化硅1%
硫酸鋇22.5%
滑石粉17%
有機顏料0.5%，
其中，所述光固化劑由質量比為1:1的二苯甲酮和鄰苯甲酰苯甲酸甲酯組成。
[0035]其中，步驟A4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0036]其中，步驟B4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0037]實施例3。
[0038]一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，它包括以下工序:
A、上線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟Al、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；
步驟A2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟A3、在導電薄膜基材層印刷保護膠以保護基材層不受污染和刮擦，然后在導電薄膜邊框區的ITO層上整體印刷導電銀漿，對導電銀漿進行激光蝕刻以形成銀漿搭橋線路；步驟A4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到上線sensor ；
B、下線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟B1、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；
步驟B2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟B3、在導電薄膜邊框區的ITO層上絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路；
步驟B4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到下線sensor ；
C、綁定工序，它依次包括以下步驟:
步驟Cl、上線sensor和下線sensor測試合格后,在下線sensor有ITO走線的那一面貼合光學膠，通過光學膠將上線sensor和下線sensor進行組合得到薄膜sensor,然后脫泡；
步驟C2、將導電膠ACF貼合到FPC柔性電路板上；；
步驟C3、最后將FPC綁定于薄膜sensor上，得到GFF結構的觸摸屏。
[0039]其中，步驟Al和步驟BI中導電薄膜的烘烤溫度為140°C，烘烤時間為60min。
[0040]其中，步驟Al和步驟BI中的基材層為PET基材層。
[0041]其中，步驟A2和步驟B2中，耐酸油墨為日本互應的型號為TPER-194B-2的耐酸油墨；蝕刻液由質量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質量百分比濃度為22%，氯化鐵溶液的質量百分比濃度為7%，堿液采用質量百分比濃度為4%的氫氧化鈉溶液。[0042]其中，步驟A3和步驟B3中的導電銀漿由以下重量百分比的原料組成:
銀粉末60%
環氧樹脂8%
聚酷樹脂8%
石墨粉末0.1%
二氧化硅粉末1.9%
二乙二醇乙醚醋酸酯 11%
二乙二醇丁醚醋酸酯 11%，
其中，所述環氧樹脂為PU改性環氧乙烯基酯樹脂，
其中，所述聚酯樹脂為丙烯酸型聚酯樹脂，
其中，所述銀粉末由質量比為1:27的微米銀粉末和納米銀粉末組成，所述微米銀粉末的粒徑為16 μ m,所述納米銀粉末的粒徑為75nm。
[0043]其中，步驟A3和步驟B3中的保護膠由以下重量百分比的原料組成:
有機氟硅改性丙烯酸樹脂 12%
酚醛環氧丙烯酸樹脂12%
氨基丙烯酸樹脂8%
脂肪族聚氨酯丙烯酸樹脂 8%
丙烯酸單體11%
光固化劑2%
二氧化硅1%
硫酸鋇25%
滑石粉20%
有機顏料1%，
其中，所述光固化劑由質量比為1:1的二苯甲酮和鄰苯甲酰苯甲酸甲酯組成。
[0044]其中，步驟A4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0045]其中，步驟B4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0046]實施例4。
[0047]B、下線sensor,它依次包括以下步驟:
步驟B1、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層；
步驟B2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨；
步驟B3、在導電薄膜邊框區的ITO層上絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路；
步驟B4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到下線sensor ；
C、綁定工序，它依次包括以下步驟:
步驟Cl、上線sensor和下線sensor測試合格后,在下線sensor有ITO走線的那一面貼合光學膠，通過光學膠將上線sensor和下線sensor進行組合得到薄膜sensor,然后脫泡； 步驟C2、將導電膠ACF貼合到FPC柔性電路板上；；
步驟C3、最后將FPC綁定于薄膜sensor上，得到GFF結構的觸摸屏。
[0048]其中，步驟Al和步驟BI中導電薄膜的烘烤溫度為145°C，烘烤時間為55min。
[0049]其中，步驟Al和步驟BI中的基材層為PET基材層。
[0050]其中，步驟A2和步驟B2中，耐酸油墨為日本互應的型號為TPER-194B-2的耐酸油墨；蝕刻液由質量比為4:1的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質量百分比濃度為25%，氯化鐵溶液的質量百分比濃度為8%，堿液采用質量百分比濃度為5%的氫氧化鈉溶液。
[0051]其中，步驟A3和步驟B3中的導電銀漿由以下重量百分比的原料組成:
銀粉末70%
環氧樹脂5%
聚酯樹脂5%
石墨粉末1%
二氧化硅粉末2%
二乙二醇乙醚醋酸酯 7%
二乙二醇丁醚醋酸酯 10%，
其中，所述環氧樹脂為PU改性環氧乙烯基酯樹脂，
其中，所述聚酯樹脂為丙烯酸型聚酯樹脂，
其中，所述銀粉末由質量比為1:30的微米銀粉末和納米銀粉末組成，所述微米銀粉末的粒徑為20 μ m,所述納米銀粉末的粒徑為90nm。
[0052]其中，步驟A3和步驟B3中的保護膠由以下重量百分比的原料組成:
有機氟硅改性丙烯酸樹脂20%
酚醛環氧丙烯酸樹脂 12%
氨基丙烯酸樹脂10%
脂肪族聚氨酯丙烯酸樹脂 15%
丙烯酸單體15%
光固化劑1%
二氧化硅1%
硫酸鋇15%
滑石粉10%
有機顏料1%，
其中，所述光固化劑由質量比為1:1的二苯甲酮和鄰苯甲酰苯甲酸甲酯組成。
[0053]其中，步驟A4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0054]其中，步驟B4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
[0055]上述實施例以觸摸屏使用時所指的背面和正面為準。
[0056]將實施例1-4制得的GFF結構的觸摸屏進行以下測試，詳見下表。
[0057]
【權利要求】
1.一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:它包括以下工序: A、上線sensor,它依次包括以下步驟: 步驟Al、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層； 步驟A2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨； 步驟A3、在導電薄膜基材層印刷保護膠以保護基材層不受污染和刮擦，然后在導電薄膜邊框區的ITO層上整體印刷導電銀漿，對導電銀漿進行激光蝕刻以形成銀漿搭橋線路；步驟A4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到上線sensor ； B、下線sensor,它依次包括以下步驟: 步驟B1、將導電薄膜烘烤，該導電薄膜包括基材層和設置于基材層正面的ITO層； 步驟B2、在導電薄膜邊框區的ITO層上印刷耐酸油墨，對導電薄膜視窗區內的ITO層用蝕刻液進行蝕刻，得到有ITO走線的導電薄膜，再用堿液去除耐酸油墨； 步驟B3、在導電薄膜邊框區的ITO層上絲印導電銀漿以形成銀漿搭橋線路； 步驟B4、將大張的導電薄膜進行裁切，得到下線sensor ； C、綁定工序，它依次包括以 下步驟: 步驟Cl、上線sensor和下線sensor測試合格后,在下線sensor有ITO走線的那一面貼合光學膠，通過光學膠將上線sensor和下線sensor進行組合得到薄膜sensor,然后脫泡； 步驟C2、將導電膠ACF貼合到FPC柔性電路板上；； 步驟C3、最后將FPC綁定于薄膜sensor上，得到GFF結構的觸摸屏。
2.根據權利要求1所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:步驟Al和步驟BI中導電薄膜的烘烤溫度為135-145°C，烘烤時間為55_65min。
3.根據權利要求1所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:步驟Al和步驟BI中的基材層為PET基材層。
4.根據權利要求1所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:步驟A2和步驟B2中，耐酸油墨為日本互應的型號為TPER-194B-2的耐酸油墨；蝕刻液由質量比為4:I的HCL溶液和氯化鐵溶液組成，HCL溶液的質量百分比濃度為15-25%，氯化鐵溶液的質量百分比濃度為2-8%，堿液采用質量百分比濃度為3-5%的氫氧化鈉溶液。
5.根據權利要求1所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:步驟A3和步驟B3中的導電銀漿由以下重量百分比的原料組成: 銀粉末55-70% 環氧樹脂5-15% 聚酯樹脂5-15% 石墨粉末0.1-1% 二氧化硅粉末1-2% 二乙二醇乙醚醋酸酯 5-15% 二乙二醇丁醚醋酸酯 5-15%， 其中，所述環氧樹脂為PU改性環氧乙烯基酯樹脂， 其中，所述聚酯樹脂為丙烯酸型聚酯樹脂。
6.根據權利要求5所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:所述銀粉末由質量比為1:20-1:30的微米銀粉末和納米銀粉末組成，所述微米銀粉末的粒徑為10-20 μ m,所述納米銀粉末的粒徑為60-90nm。
7.根據權利要求1所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:步驟A3和步驟B3中的保護膠由以下重量百分比的原料組成: 有機氟硅改性丙烯酸樹脂10-20% 酚醛環氧丙烯酸樹脂5-15% 氨基丙烯酸樹脂5-15% 脂肪族聚氨酯丙烯酸樹脂 5-15% 丙烯酸單體5-15% 光固化劑1-5% 二氧化硅0.1-1% 硫酸鋇15-25% 滑石粉10-20% 有機顏料0.1_1%。
8.根據權利要求7所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:所述光固化劑由質量比為1:1的二苯甲酮和鄰苯甲酰苯甲酸甲酯組成。
9.根據權利要求1所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:步驟A4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
10.根據權利要求1所述的一種GFF結構的觸摸屏的制作工藝，其特征在于:步驟B4中將大張的導電薄膜進行裁切前，覆上一層PE保護膜，在步驟Cl進行組合時撕去。
【文檔編號】C09D7/12GK103729089SQ201310753439
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月31日 優先權日:2013年12月31日
【發明者】李林波 申請人:東莞市平波電子有限公司