銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料、制備方法及其應用的制作方法

銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料、制備方法及其應用的制作方法
【專利摘要】一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其化學式為MeIn2O4：xEu3+，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料制成的發光薄膜的電致發光光譜（EL）中，在580nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。本發明還提供該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的制備方法及其應用。
【專利說明】銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料、制備方法及其應用
【【技術領域】】
[0001]本發明涉及一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料、其制備方法、銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。
【【背景技術】】
[0002]薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯不器的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，仍未見報道。
【
【發明內容】
】
[0003]基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料、其制備方法、銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜、其制備方法、使用該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的薄膜電致發光器件及其制備方法。
[0004]一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其化學式為MeIn2O4:xEu3+，其中，x為0.01?0.05, Me為鋒尚子，續尚子，I丐尚子，銀尚子或鋇尚子。
[0005]一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的制備方法，包括以下步驟:
[0006]根據MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻，其中，X為0.01?0.05 ;及
[0007]將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時即得到化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。
[0008]一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeIn2O4:xEu3+,其中，x為0.01?0.05,Me為鋒尚子，續尚子，I丐尚子，銀尚子或鋇尚子。
[0009]一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0010]根據MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時制成靶材，其中，x為0.01?0.05 ;
[0011]將所述靶材以及襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0X 1-3Pa?1.0X KT5Pa ;及
[0012]調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm，襯底溫度為250°C?750°C，激光能量為80mJ?300mJ，接著進行制膜，得到化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。
[0013]在優選的實施例中，所述真空腔體的真空度為5.0X10_4Pa，基靶間距為60mm，襯底溫度為500°C，激光能量為150mJ。
[0014]一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材料為銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其中，x為0.01?0.05，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。
[0015]一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0016]提供具有陽極的襯底；
[0017]在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其中，X為0.01?0.05, Me為鋅離子,鎂離子,I丐離子,銀離子或鋇離子；
[0018]在所述發光層上形成陰極。
[0019]在優選的實施例中，所述發光層的制備包括以下步驟:
[0020]根據MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時制成靶材，其中，x為0.01?0.05，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子；
[0021]將所述靶材以及所述襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0X 1-3Pa?1.0X 1-5Pa ；
[0022]調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm，襯底溫度為250°C?750°C，激光能量為80mJ?300mJ，接著進行制膜，得到化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，在所述陽極上形成發光層。
[0023]上述銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料(MeIn2O4:xEu3+)制成的發光薄膜的電致發光光譜(EL)中，在580nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0024]圖1為一實施方式的薄膜電致發光器件的結構示意圖；
[0025]圖2為實施例1制備的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的電致發光譜圖；
[0026]圖3為實施例1制備的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的XRD圖；
[0027]圖4是實施例1制備的薄膜電致發光器件的電壓與電流密度和電壓與亮度之間的關系曲線圖。
【【具體實施方式】】
[0028]下面結合附圖和具體實施例對銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料、其制備方法、銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法進一步闡明。
[0029]一實施方式的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其化學式為MeIn2O4:XEu3+，其中，x為0.01?0.05, Me為鋒尚子，續尚子，I丐尚子，銀尚子或鋇尚子。
[0030]優選的，X為 0.02。
[0031]該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料中MeIn2O4是基質,銪離子是激活元素。該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料制成的發光薄膜的電致發光光譜(EL)中，在580nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。
[0032]上述銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的制備方法，包括以下步驟:
[0033]步驟SI 1、根據MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體，其中，X為0.01?0.05。
[0034]該步驟中，優選的，X為0.02。
[0035]步驟S12、將混合均的粉體在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時即可得到銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其化學式為MeIn2O4:xEu3+，其中，x為0.01?0.05,Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。
[0036]該步驟中，優選的在1250°C下燒結3小時。
[0037]—實施方式的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeIn2O4:xEu3+,其中，x為0.01?0.05,Me為鋒尚子，續尚子，I丐尚子，銀尚子或鋇離子。
[0038]優選的，X為 0.02。
[0039]上述銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0040]步驟S21、按MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時制成靶材，其中，x為0.01?0.05。
[0041]該步驟中，優選的，X為0.02，在1250°C下燒結3小時成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材。
[0042]步驟S22、將步驟S21中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0X 10_3Pa?1.0X 10_5Pa。
[0043]該步驟中，優選的，真空度為5X10_4Pa。
[0044]步驟S23、調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm，襯底溫度為250°C?750°C ;激光能量為80mJ?300mJ，接著進行制膜，得到化學式為MeIn2O4:xEu3+,其中，X為0.01?0.05, Me為鋅離子,鎂離子,I丐離子,銀離子或鋇離子。
[0045]該步驟中，優選的基靶間距為60mm，襯底溫度為500°C，激光能量為150mJ。
[0046]請參閱圖1，一實施方式的薄膜電致發光器件100，該薄膜電致發光器件100包括依次層疊的襯底1、陽極2、發光層3以及陰極4。
[0047]襯底I為玻璃襯底。陽極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫(ΙΤ0)。發光層3的材料為銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，X為0.01?0.05，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。陰極4的材質為銀(Ag)。
[0048]上述薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0049]步驟S31、提供具有陽極2的襯底I。
[0050]本實施方式中，襯底I為玻璃襯底，陽極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫(ΙΤ0)。具有陽極2的襯底I先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗并用對其進行氧等離子處理。
[0051]步驟S32、在陽極2上形成發光層3，發光層3的材料為銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，X為0.01?0.05, Me為鋒尚子，續尚子，I丐尚子，銀尚子或鋇尚子。
[0052]本實施方式中，發光層3由以下步驟制得:
[0053]首先，將MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時制成靶材，其中，x為0.01?0.05。
[0054]該步驟中，優選的，X為0.02，在1250°C下燒結3小時成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材。
[0055]其次，將靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為 1.0 X KT3Pa ?L O X l(T5Pa。
[0056]該步驟中，優選的，真空度為5X10_4Pa。
[0057]然后，調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm，襯底溫度為250°C?750°C，激光能量為80mJ?300mJ，接著進行制膜，在陽極2上形成發光層3。
[0058]該步驟中，優選的基靶間距為60mm，襯底溫度為500°C，激光能量為150mJ。
[0059]步驟S33、在發光層3上形成陰極4。
[0060]本實施方式中，陰極4的材料為銀(Ag)，由蒸鍍形成。
[0061]下面為具體實施例。
[0062]實施例1
[0063]選用純度為99.99%的粉體，將ZnO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.98:1:0.01經過均勻混合后，在1250°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量150mJ。得到的樣品化學式為ZnIn2O4:0.02Eu3+的發光薄膜，然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0064]本實施例中得到的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的化學通式為ZnIn2O4:0.02Eu3+，其中ZnIn2O4是基質，Eu3+是激活元素。
[0065]請參閱圖2，圖2所示為得到的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的電致發光譜(EL)。由圖2可以看出，電致發光譜中，在580nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯不器中。
[0066]請參閱圖3，圖3為實施例1制備的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的XRD曲線，測試對照標準PDF卡片。從圖3中可以看出，所有的衍射峰是堿土銦酸鹽對應的結晶特征峰，沒有出現摻雜元素以及其他雜質相關的衍射峰，說明樣品具有良好的晶體結構。
[0067]請參閱圖4，圖4是實施例1制備的薄膜電致發光器件的電壓與電流密度和電壓與亮度之間的關系曲線圖，曲線I是電壓與電流密度關系曲線，可看出該器件從電壓5.0V開始發光，曲線2是電壓與亮度關系曲線，可以看出該器件的最大亮度為120cd/m2，表明器件具有良好的發光特性。
[0068]實施例2
[0069]選用純度為99.99%的粉體，將ZnO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.99:1:0.005經過均勻混合后，在900°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2_的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量80mJ。得到的樣品的化學式為ZnIn2O4:0.0lEu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0070]實施例3
[0071]選用純度為99.99%的粉體，將ZnO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.95:1:0.025經過均勻混合后，在1300°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量300mJ。得到的樣品的化學式為ZnIn2O4:0.05Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0072]實施例4
[0073]選用純度為99.99%的粉體，將MgO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.98:1:0.01經過均勻混合后，在1250°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量150mJ。得到的樣品的化學式為MgIn2O4:0.02Eu3+的發光薄膜，然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0074]實施例5
[0075]選用純度為99.99%的粉體，將MgO，In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.99:1:0.005經過均勻混合后，在900°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2_的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量80mJ。得到的樣品的化學式為MgIn2O4:0.0lEu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0076]實施例6
[0077]選用純度為99.99%的粉體，將MgO，In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.95:1:0.025經過均勻混合后，在1300°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量300mJ。得到的樣品的化學式為MgIn2O4:0.05Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0078]實施例7
[0079]選用純度為99.99%的粉體，將CaO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.98:1:0.01經過均勻混合后，在1250°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量150mJ。得到的樣品的化學通式為CaIn2O4:0.02Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0080]實施例8
[0081]選用純度為99.99%的粉體，將CaO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.99:1:0.005經過均勻混合后，在900°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2_的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量80mJ。得到的樣品的化學式為CaIn2O4:0.0lEu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0082]實施例9
[0083]選用純度為99.99%的粉體，將CaO，In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.95:1:0.025經過均勻混合后，在1300°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量300mJ。得到的樣品的化學式為CaIn2O4:0.05Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0084]實施例10
[0085]選用純度為99.99%的粉體，將SrO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.98:1:0.01經過均勻混合后，在1250°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量150mJ。得到的樣品的化學式為SrIn2O4:0.02Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0086]實施例11
[0087]選用純度為99.99%的粉體，將SrO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.99:1:0.005經過均勻混合后，在900°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2_的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量80mJ。得到的樣品的化學式為SrIn2O4:0.0lEu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0088]實施例12
[0089]選用純度為99.99%的粉體，將SrO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.95:1:0.025經過均勻混合后，在1300°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量300mJ。得到的樣品的化學式為SrIn2O4:0.05Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0090]實施例13
[0091]選用純度為99.99%的粉體，將BaO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.98:1:0.01經過均勻混合后，在1250°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量150mJ。得到的樣品的化學式為BaIn2O4:0.02Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0092]實施例14
[0093]選用純度為99.99%的粉體，將BaO，In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.99:1:0.005經過均勻混合后，在900°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2_的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量80mJ。得到的樣品的化學式為BaIn2O4:0.0lEu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0094]實施例15
[0095]選用純度為99.99%的粉體，將BaO, In2O3和Eu2O3按照摩爾比為0.95:1:0.025經過均勻混合后，在1300°C下燒結成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將祀材裝入真空腔體內。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量300mJ。得到的樣品的化學式為BaIn2O4:0.05Eu3+的發光薄膜,然后在發光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極。
[0096]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其特征在于，其化學式為MeIn2O4:xEu3+，其中，x為0.01?0.05, Me為鋒尚子，續尚子，I丐尚子，銀尚子或鋇尚子。
2.一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻，其中，X為0.01?0.05 ;及 將混合均勻的粉體在900 °C?1300 °C下燒結0.5小時?5小時即得到化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。
3.一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，其特征在于，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeIn2O4:xEu3+，其中，x為0.01?0.05，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。
4.一種銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時制成靶材，其中，X為0.01?0.05 ; 將所述靶材以及襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ;及 調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm，襯底溫度為250°C?750°C，激光能量為80mJ?300mJ，接著進行制膜，得到化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，其中，X為0.01?0.05，Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子。
5.根據權利要求4所述的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述真空腔體的真空度為5.0X 10_4Pa，基靶間距為60mm，脈沖激光沉積襯底溫度為500°C，激光能量為150mJ。
6.—種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其中，x為0.01?0.05, Me為鋒尚子，續尚子，I丐尚子，銀尚子或鋇尚子。
7.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供具有陽極的襯底； 在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，該銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料的化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光材料，其中，x為0.01?0.05, Me為鋅離子，鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子； 在所述發光層上形成陰極。
8.根據權利要求7所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備包括以下步驟: 根據MeIn2O4:xEu3+各元素的化學計量比稱取MeO，In2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結0.5小時?5小時制成靶材，其中，X為0.01?0.05 ; 將所述靶材以及所述襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ； 調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm，襯底溫度為250°C?750°C，激光能量為80mJ?300mJ，接著進行制膜，得到化學式為MeIn2O4:xEu3+的銪摻雜堿土銦酸鹽發光薄膜，在所述陽極上形成發光層。
9.根據權利要求8所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述X為0.02。
【文檔編號】C09K11/62GK104449684SQ201310440258
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月25日 優先權日:2013年9月25日
【發明者】周明杰, 陳吉星, 王平, 鐘鐵濤 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司