帶被膜的基板的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種在制造具有被膜的帶被膜的基板的方法中，在確保使用的被膜形成用組合物的貯藏穩定性的同時，能夠實現簡便、高生產效率、及基板無劣化、外觀良好、具有高耐久性的帶被膜的基板的制造的方法。帶被膜的基板的制造方法是制造在基板上具有被膜的帶被膜的基板的方法，其包括：制備包含具有能水解的官能團的硅烷化合物、實質上不含水解反應催化劑的被膜形成用組合物的工序；在基板上涂布上述被膜形成用組合物而形成涂膜的工序；將上述涂膜干燥而制成前體膜的工序；以及利用包含水解反應催化劑作為主成分的處理劑處理上述前體膜的表面的工序。
【專利說明】帶被膜的基板的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及在基板上具有被膜的帶被膜的基板的制造方法。
【背景技術】
[0002]以往，基于各種目的，廣泛使用在玻璃或樹脂等基板上形成有被膜的帶被膜的基板。作為形成被膜的方法，已知通過條件溫和的溶膠凝膠法，利用具有水解性基團的硅烷化合物的水解反應來形成被膜的方法。根據該方法，通常使用包含具有水解性基團的硅烷化合物和酸、堿等催化劑的被膜形成用組合物(例如參照專利文獻I)，但是該被膜形成用組合物存在長期貯藏時水解慢慢進行，從而硅烷化合物發生高分子化等貯藏穩定性方面的問題。
[0003]為了解決這樣的貯藏穩定性的問題，例如專利文獻2中，采用通過使被膜形成用組合物不含催化劑，將該組合物涂布在基板上后，置于酸或堿氣氛中，從而使水解進行的方法。但是，專利文獻2的方法中，為了形成酸或堿氣氛而在需要特殊的裝置方面及安全性的確保方面存在問題。此外，該方法中，在被膜形成用組合物被涂布在基板上的狀態下，基板整體暴露在酸或堿氣氛中，所以有時上述涂布面以外的基板表面劣化、外觀變差。
[0004]此外，根據硅烷化合物的種類，例如含氟有機硅化合物等中，作為將包含該硅烷化合物和酸、堿等催化劑的被膜形成用組合物涂布在基板上后的水解條件，還需要長時間的加濕，在生產效率方面需要改善(例如參照專利文獻3)。
[0005]現有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本專利特開2001-207162號公報
[0008]專利文獻2:日本專利特開2001-205187號公報
[0009]專利文獻3:國際公開第2011/016458號文本
【發明內容】
[0010]發明所要解決的技術問題
[0011]本發明的目的在于提供一種在制造具有被膜的帶被膜的基板的方法中，在確保使用的被膜形成用組合物的貯藏穩定性的同時，能夠實現簡便、高生產效率、及基板無劣化、外觀良好、具有高耐久性的帶被膜的基板的制造的方法。
[0012]解決技術問題所采用的技術方案
[0013]本發明提供具有下述[I]?[12]的構成的帶被膜的基板的制造方法。
[0014][I] 一種帶被膜的基板的制造方法，它是制造在基板上具有被膜的帶被膜的基板的方法，其包括:制備包含具有至少一種能水解的官能團的硅烷化合物、實質上不含水解反應催化劑的被膜形成用組合物的工序；在基板上涂布所述被膜形成用組合物而形成涂膜的工序；將所述涂膜干燥而制成前體膜的工序；以及利用包含水解反應催化劑作為主成分的處理劑處理所述前體膜的表面，制成被膜的工序。[0015][2]如[I]所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述水解反應催化劑是酸或堿。
[0016][3]如[I]或[2]所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述水解反應催化劑是酸。
[0017][4]如[2]或[3]所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述酸是選自鹽酸、硝酸、硫酸、對甲苯磺酸及甲磺酸的I種以上的酸。
[0018][5]如[I]?[4]中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述具有能水解的官能團的硅烷化合物是具有選自全氟烷基、全氟聚醚基及聚二甲基硅氧烷鏈的結構的硅烷化合物。
[0019][6]如[I]?[5]中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述能水解的官能團選自碳原子數I?10的烷氧基、異氰酸酯基及氯原子。
[0020][7]如[I]?[6]中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，作為所述具有能水解的官能團的硅烷化合物，包括能水解的官能團是氯原子或異氰酸酯基的硅烷化合物、和能水解的官能團是烷氧基的硅烷化合物。
[0021][8]如[I]?[7]中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述處理劑實質上不含娃燒化合物。
[0022][9]如[I]?[8]中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述前體膜表面的處理通過一邊使含浸、保持有所述處理劑的保液部件加壓接觸所述前體膜表面一邊移動來進行。
[0023][10]如[9]所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，構成所述保液部件的原材料選自海綿、無紡布、織布及紙。
[0024][11]如[I]?[10]中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，在所述對前體膜的表面進行處理的工序之前，還包括將所述前體膜在O?60°C、50?100RH%下加濕10?180分鐘的工序。
[0025][12]如[I]?[11]中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其中，所述基板的構成材料是玻璃或樹脂。
[0026]發明的效果
[0027]根據本發明，能夠提供一種在制造具有被膜的帶被膜的基板的方法中，在確保使用的被膜形成用組合物的貯藏穩定性的同時，能夠實現簡便、高生產效率、及基板無劣化、外觀良好、具有高耐久性的帶被膜的基板的制造的方法。
【具體實施方式】
[0028]下面對本發明的實施方式進行說明。還有，但本發明不應被解釋為限定于下述說明。
[0029]本發明的制造方法是制造在基板上具有被膜的帶被膜的基板的方法，其特征是，包括以下的㈧?⑶的工序。
[0030](A)制備包含具有能水解的官能團的硅烷化合物、實質上不含水解反應催化劑的被膜形成用組合物的工序(以下稱為被膜形成用組合物制備工序或(A)工序)；
[0031](B)將上述被膜形成用組合物涂布在基板上而形成涂膜的工序(以下稱為涂布工序或⑶工序)；
[0032](C)將上述涂膜干燥而制成前體膜的工序(以下稱為干燥工序或(C)工序)；
[0033](D)利用包含水解反應催化劑作為主成分的處理劑處理上述前體膜的表面，制成被膜的工序(以下稱為催化處理工序或(D)工序)。
[0034]本發明的制造方法中，在上述(C)工序和⑶工序之間，較好是還包括對由(C)工序所得的基板上的前體膜在O~60°C、50~100RH%下加濕10~180分鐘的工序(以下稱為加濕工序或(C-1)工序)。此外，在上述(C)工序和(D)工序之間也可以根據需要設置對基板上的前體膜在超過60°C的溫度下進行加熱的工序(以下稱為加熱工序或(C-2)工序)。
[0035]此外，具有被膜的帶被膜的基板可以在基板和被膜之間具有具備各種功能的中間膜，此時，(B)工序中涂布被膜形成用組合物的面不是基板表面，而是基板表面上所形成的中間膜表面。
[0036]具有能水解的官能團(以下稱為“水解性基團”)的硅烷化合物在催化劑和水的存在下，硅原子所結合的水解性基團水解而生成硅原子所結合的羥基(硅烷醇基)，接著，硅烷醇基之間脫水縮合，生成以-S1-O-S1-表示的硅氧烷鍵，從而高分子量化。此外，在使用具有氯原子作為水解性基團的硅烷化合物、即氯硅烷時，多數情況下，氯硅烷的氯原子和硅烷醇基通過脫氯化氫反應生成硅氧烷鍵。
[0037]以下，將具有水解性基團的硅烷化合物稱為“水解性硅烷化合物”。通過水解性硅烷化合物的水解縮合，根據硅原子所結合的水解性基團的個數，形成線狀的聚硅氧烷或三維網絡結構的聚硅氧烷，從而形成被膜。另外，水解性硅烷化合物中，包含硅原子數為I以上的水解性硅烷化合物、及它們單獨或組合而得的部分水解縮合物。
[0038]根據現有的方法，為了在基板上形成被膜，通過將包含水解性硅烷化合物和水解反應催化劑和溶劑的被膜形成用組合物涂布在基板上，在干燥后或在干燥的同時進行水解縮合使其固化，從而制成被膜。本發明的制造方法中，在被膜形成用組合物中不摻合水解反應催化劑，使涂膜干燥而制成前體膜后，在其表面使水解反應催化劑發揮作用，從而能夠確保被膜形成用組合物的貯藏穩定性，同時能夠實現簡便、高生產效率、且基板無劣化、外觀良好的帶被膜的基板的制造。
[0039]作為采用本發明的制造方法的被膜，只要主要是由硅氧烷鍵形成被膜就沒有特別限定，本發明也包括以下的被膜:為了使其帶有各種功能，使用作為硅原子所結合的水解性基團以外的基團導入了各種功能性官能團的水解性硅烷化合物而形成的被膜。特別是為了使被膜帶有拒水性，在使用具有含氟有機基團的水解性硅烷化合物而形成的被膜中，因為拒水膜要求高耐久性，所以優選使用本發明的方法。
[0040]本說明書中，將涂布被膜形成用組合物而得的膜稱為“涂膜”，將使其干燥后的狀態稱為“前體膜”，此外，將使其通過水解縮合固化而得的膜稱為“被膜”。
[0041]本說明書中使用的(甲基)丙烯酰氧基等“(甲基)丙烯酰氧基……”的術語表示“丙烯酰氧基… …”和“甲基丙烯酰氧基……”兩者的意思。還有，后述的“(甲基)丙烯酸……”的術語同樣地表示“丙烯酸……”和“甲基丙烯酸……”兩者的意思。
[0042]將本說明書中的以式(IA)表示的化合物記作化合物(IA)。其他化合物也同樣。
[0043]將本說明中的以式㈧表示的基團記作基團(A)。其他基團也同樣。[0044]下面對各工序進行說明。
[0045](A)被膜形成用組合物制備工序
[0046]被膜形成用組合物是用于在基板上形成含水解性硅烷化合物的涂膜的組合物，其包含水解性硅烷化合物。通常，為了確保組合物在基板上的涂布性，還包含溶劑。此外，本發明中使用的被膜形成用組合物實質上不含水解反應催化劑。
[0047](水解性硅烷化合物)
[0048]水解性硅烷化合物只要是通過硅氧烷鍵能形成被膜的水解性硅烷化合物即可，無特別限定。具體而言，可例舉硅原子的4個鍵與I~4個水解性基團結合、其余的鍵與氫原子或有機基團結合的水解性硅烷化合物。另外，具有I個水解性基團的水解性硅烷化合物，其單獨難以形成被膜，所以與具有2個以上的水解性基團的水解性硅烷化合物組合使用。
[0049]作為水解性硅烷化合物所具有的水解性基團，具體可例舉碳原子數I~10的烷氧基、碳原子數2~10的氧基烷氧基、碳原子數2~10的酰氧基、碳原子數2~10的鏈烯氧基、鹵素原子或異氰酸酯基。其中，優選碳原子數I~10的烷氧基、異氰酸酯基及氯原子。一分子中具有多個水解性基團的情況下，它們可以相同或不同。
[0050]以下，對于水解性硅烷化合物，以形成含氟被膜所使用的含氟水解性硅烷化合物及不具有氟原子的水解性硅烷化合物為例進行說明。
[0051]作為含氟水解性硅烷化合物，可例舉具有含氟聚醚基的水解性硅烷化合物、具有含氟烷基的水解性硅烷化合物、具有結合有含氟有機基團的聚二甲基硅氧烷鏈結構的硅烷化合物等。作為含氟聚醚基及含氟烷基，分別優選全氟聚醚基及全氟烷基。
[0052]此外，作為不具有氟原子的水解性硅烷化合物，可例舉具有水解性基團的有機硅烷化合物、具有聚二甲基硅氧烷鏈結構的硅烷化合物(均不具有氟原子)等。
`[0053]其中，優選具有選自全氟烷基、全氟聚醚基及聚二甲基硅氧烷鏈的結構的硅烷化合物。
[0054](I)具有全氟聚醚基的水解性硅烷化合物
[0055]作為具有水解性基團和全氟聚醚基的硅烷化合物，具體可例舉以下述式(IA)表示的化合物及以下述式(IB)表示的化合物等。
[0056]A1-Q1-SiX1niR1 H......(IA)
[0057]A1-Q1-(CH2CH (SiX1mR13J } n_H……(IB)
[0058]式(IA)及式(IB)中的符號如下所述。
[0059]A1:以下述式㈧表示的基團。
[0060][化I]
[0061]
Rn - (OCF2CF2)a - (OCFCF2)b - (OCF2)c _ (OCF2CF2CF2)d - …(A)
I
GF3
[0062](式㈧中，Rn表示全氟烷基；a、b、C、d分別獨立地表示O或I以上的整數；a+b+c+d至少為I以上，a、b、c、d括起來的各重復單元的存在順序不局限于式中的順序。)
[0063]Q1:表示可含有選自酰胺鍵、氨基甲酸酯鍵、醚鍵、酯鍵、-CF2-基及亞苯基的I種或2種的、由-CH2-重復單元構成的碳原子數2~12的2價有機基團(其中，-CH2-基的I個氫原子可以被-OH基取代)，所述酰胺鍵選自-C ( = O) NH-、-C ( = O) N (CH3) _、-C ( = O)N(C6H5)-。以下，-C( = 0)N......表示為-CON......。例如，-C( = 0)ΝΗ-表示為-C0NH-。
[0064]X1:表示碳原子數1~10的烷氧基、碳原子數2~10的氧基烷氧基、碳原子數2~10的酰氧基、碳原子數2~10的鏈烯氧基、鹵素原子或異氰酸酯基。m個X1彼此可以相同或不同。
[0065]R1:表示氫原子或、氫原子的一部分或全部可被取代的碳原子數I~8的一價烴基(例如烷基、鏈烯基、芳基)。3-m個R1彼此可以相同或不同。
[0066]111:表示1、2或3。
[0067]n:表示1~10的整數。
[0068]化合物(IA)及化合物(IB)中的A1中，a、b、c及d的上限分別獨立地優選為200，更優選50。此外，a+b+c+d的上限優選200，更優選100。作為A1，具體可例舉Rn-(OCF2) c-、Rn- (OCF2CF2) a- (OCF2) c、Rn-(OCF2CF2) a、Rn-(OCF2CF2CF2) d、Rn- {OCF (CF3) CF2Ib 等。
[0069]作為化合物(IA)及化合物(IB)中的Q1，具體可例舉-(CH2)nl_(nl表示2~4的整數)、-CONH (CH2) η2_ (η2 表示 2 ~4 的整數)、-(CF2) η3-、-O- (CF2) η3- (η3 表示 2 ~4 的整數)、-CH20C0NHC3H6-、-COCH2CH(OH)CH2OC3H6-' -CH2OCH2CH(OH)CH2OC3H6-' -CH2OC3H6_、-CF2OC3H6-等。其中，優選選自-C0NHC3H6-、-CONHC2H4-, -CH2OCOnHC3H6-, -COCH2CH(OH)CH2OC3H6-' -CH2OCH2CH (OH) CH2OC3H6-' -CH2OC3H6-' -CF2OC3H6-' -C2H4-' -C3H6-' -C2F4-及-OC2F4-的任一種2價有機基團。進一步優選-C0NHC3H6-、-CONHC2H4-, -c2h4-。
[0070]作為化合物(IA)及化合物(IB)中的X1，具體可例舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、苯氧基、氣原子、漠原子、異氰1酸酷基等。其中，優選碳原子數I~10的烷氧基、異氰酸酯基及氯原子，特別優選甲氧基、乙氧基等。m優選為2或3。
[0071]作為化合物(IA)及化合物(IB)中的R1，具體可例舉氫原子、甲基、乙基、正丙基、
異丙基等。其中，優選氫!原子、甲基、乙基等。
[0072]作為以式(IA)表示的化合物，更具體而言，可例舉以下的(1A-1)~(1A-5)的化合物。
[0073]CF3-(OCF2)c-Q1-SiX1mR13^m……(1A—1)
[0074]CF3-(OCF2CF2)a_(OCF2),-Q1-SiX1mR13^......(1A—2)
[0075]CF3CF2- (OCF2CF2) ,-Q1-SiX1mRVm......(1A-3)
[0076]CF3CF2CF2- (OCF2CF2CF2) ,-Q1-SiX1mRVm......(1A-4)
[0077]CF3CF2CF2-{OCF (CF3) CF2Ib-Q1-SiX1niR1 Μ......(1A—5)
[0078]作為以式(IB)表示的化合物，更具體而言，可例舉以下的(1B-1)~(1B-5)的化合物。
[0079]CF3- (OCF2)「Ο1- (CH2CH (SiX1mR13J } n_H……(1B-1)
[0080]CF3- (OCF2CF2) a_ (OCF2)「Q1- (CH2CH (SiX1mR13J } n_H……(1B-2)
[0081 ] CF3CF2- (OCF2CF2) a-Q-(CH2CH (SiX1mR13J } n_H......(1B—3)
[0082]CF3CF2CF2- (OCF2CF2CF2) ,-Q1-(CH2CH (SiX1mR13J } n_H......(1B-4)
[0083]CF3CF2CF2- {OCF (CF3) CF2I「Q1- (CH2CH (SiX1mR13J } n_H......(1B—5)
[0084]上述式(1A-1)~(IB-5)中的符號分別獨立地與上述式(IA)、(IB)中的符號相同，優選形態也與上述相同。
[0085]其中，優選化合物(1A-2)，其中特別優選以下的化合物。
[0086]CF3- (OCF2CF2) ,-OCF2-CONHC3H6Si (OCH3) 3
[0087]CF3- (OCF2CF2) ,-OCF2-CONHC3H6Si (OC2H5) 3
[0088]CF3- (OCF2CF2) ,-OCF2-CONHC2H4Si (OCH3) 3
[0089]CF3- (OCF2CF2) ,-OCF2-CONHC2H4Si (OC2H5) 3
[0090]CF3- (OCF2CF2) ,-OCF2-C2H4Si (OCH3) 3[0091 ] CF3- (OCF2CF2) ,-OCF2-C2H4Si (OC2H5) 3
[0092](其中，上述全部化合物中，a表示7~8、平均值為7.3。)
[0093]其中，進一步優選CF3 (OCF2CF2) ,OCF2CONHC3H6Si (OCH3) 3。
[0094]上述化合物(IA)及(IB)可通過公知的方法來制造。例如，具體而言，上述化合物(1A-2)可通過W02009-008380號公報中所述的方法來制造。此外，化合物(IB)可通過例如日本專利特開平9-157388號公報中所述的方法來制造。
[0095]作為具有水解性基團和全氟聚醚基的硅烷化合物，可使用以下述式(2)表示的含有全氟聚醚殘基的聚有機硅氧烷。
[0096]W21sl (R21) tlZ21-Q21-A2-Q22-Z22 (R22) Jf2s2……(2)
[0097]式(2)中，A2是2價的全氟聚醚殘基；Q21、Q22分別獨立地為可含有選自酰胺鍵、氨基甲酸酯鍵、醚鍵、酯鍵、-CF2-基及亞苯`基的I種或2種的、由-CH2-重復單元構成的碳原子數2~12的2價有機基團(其中，-CH2-基的I個氫原子可以被-OH基取代)，所述酰胺鍵選自-C0NH-、-C0N(CH3)-、-C0N(C6H5)- ;Z21、Z22分別獨立地為具有3個以上硅氧烷鍵的3~11價的聚有機硅氧烷殘基；R21、R22分別獨立地為碳原子數8~40的I價烷基；tl、t2分別獨立地為I~8的整數；W21、W22分別獨立地為下述式(W)表示的基團；sl、s2分別獨立地為I~9的整數；其中，sl+tl = (Z21的價數-1)、s2+t2 = (Z22的價數-1)。
[0098]-(CH2)p-SiX2mR2Vm……(W)
[0099]式(W)中，X2表示碳原子數I~10的烷氧基、碳原子數2~10的氧基烷氧基、碳原子數2~10的酰氧基、碳原子數2~10的鏈烯氧基、鹵素原子、或異氰酸酯基。其中，優選碳原子數I~10的烷氧基、異氰酸酯基及氯原子。m個X2彼此可以相同或不同。
[0100]R23表示碳原子數I~4的烷基、或苯基；3-m個R23彼此可以相同或不同。m是1、2或3 ;p是2~10的整數。
[0101]作為A2，具體可例舉下述通式(A3)、(A4)、或(A5)表示的基團。
[0102]- (CF2) el (OCF2CFY) f0 {(CF2) g0)} h (CFYCF2O) i (CF2) e2-……(A3)
[0103](式(A3)中，Y分別獨立地為氟原子或CF3基；el、e2為I~3的整數；g為2~6的整數；f、i分別為O~100的整數；f+i為2~100 ;h為O~6的整數；各重復單元的排列可以是無規排列。)
[0104]- (CF2) e3 (OCF2CF2CF2) j0 (CF2) e4_……(A4)
[0105](式(A4)中，j是I~100的整數；e3、e4是I~3的整數。)
[0106]- (CF2) e5 (OCF2CFY) k (OCF2) x0 (CF2) e6_……(A5)
[0107](式(A5)中，￥是氟原子或0&基$5、的是1~3的整數汰、1分別為0~100的整數、且k+1為2~100 ;各重復單元的排列可以是無規排列。)[0108]式(2)中所示的硅烷化合物中，A2更優選為以下述式(A6)表示的基團。
[0109]-CF2- (OCF2CF2) x- (OCF2) y_0CF2_......(A6)
[0110](式(A6)中，X為O~50的整數；y為I~50的整數；及x+y為2~60的整數。)
[0111]上述化合物(2)可通過公知的方法、例如日本專利第4666667號公報中所述的方法來制造。
[0112](2)具有全氟烷基的水解性硅烷化合物
[0113]作為具有水解性基團和全氟烷基的硅烷化合物，具體可例舉以下述式(3)表示的化合物等。
[0114]CF3- (CF2) r-Q3-SiR33JC3m……(3)
[0115]式⑶中的符號如下所述。
[0116]r:表示O~19的整數。
[0117]Q3:表不碳原子數I~10的不含氟原子的2價有機基團。
[0118]111:表示1、2或3。
[0119]R3:表示氫原子或、氫原子的一部分或全部可被取代的碳原子數I~8的一價烴基(例如烷基、鏈烯基、芳基)。3-m個R3彼此可以相同或不同。
[0120]X3:表示碳原子數I~10的烷氧基、碳原子數2~10的氧基烷氧基、碳原子數2~10的酰氧基、碳原子數2~10的鏈烯氧基、鹵素原子或異氰酸酯基。其中，優選碳原子數I~10的烷氧基、異氰酸酯基及氯原子。m個X3彼此可以相同或不同。
[0121 ] 作為Q3，具體可例舉選自-(CH2) n4 (n4表示I~10、優選I~6的整數)、-CONH (CH2)n5(n5表示I~9、優選I~5的整數)及-CONH (CH2)n6NH (CH2) η7(η6表示I~8、優選I~4的整數；η7表示9-η6、優選5-η6)的2價有機基團。其中，優選-(CH2)2、-CONH(CH2)3、-CONH(CH2)2NH(CH2)3 等。
[0122]作為式(3)表示的具有全氟烷基的水解性硅烷化合物，優選以下的(3-1)~(3-6)所示的化合物。
[0123]CF3- (CF2) r (CH2) n4SiX33……(3-1)
[0124]CF3- (CF2) r (CH2) n4Si (R3) X32……(3—2)
[0125]CF3- (CF2) rC0NH (CH2) n5SiX33......(3-3)
[0126]CF3- (CF2) rC0NH (CH2) n5Si (R3) X32......(3-4)
[0127]CF3- (CF2) rC0NH (CH2) n6NH (CH2) 5_n6SiX33......(3-5)
[0128]CF3- (CF2) rC0NH (CH2) n6NH (CH2) 5_n6Si (R3) X32......(3-6)
[0129]式(3-1)~(3-6)中的X3、R3表示與上述式(3)相同的含義，優選的形態也相同。r是I~19的整數；n4是I~6的整數；n5是I~5的整數；n6是I~4的整數。
[0130]其中，室外用途中，從耐候性的觀點考慮，優選化合物(3-1)，其中特別優選以下的化合物。
[0131]C6F13CH2CH2Si (OCH3) 3
[0132]C8F17CH2CH2Si (OCH3) 3 [0133]C6F13CH2CH2SiCl3
[0134]C8F17CH2CH2SiCl3
[0135]C6F13CH2CH2Si(NCO)3[0136]C8F17CH2CH2Si(NCO)3
[0137]上述化合物(3)可通過通常的方法來制造。此外，作為化合物(3)有市售品，本發明中也可以使用這樣的市售品。
[0138](3)具有結合有含氟有機基團的聚二甲基硅氧烷鏈的水解性硅烷化合物
[0139]作為在具有水解性基團的聚二甲基硅氧烷鏈上結合有含氟有機基團的硅烷化合物，具體可例舉以下述式(4)表示的化合物等。
[0140][化2]
[0141]
【權利要求】
1.一種帶被膜的基板的制造方法，它是制造在基板上具有被膜的帶被膜的基板的方法，其特征在于，包括: 制備包含具有至少一種能水解的官能團的硅烷化合物、實質上不含水解反應催化劑的被膜形成用組合物的工序； 在基板上涂布所述被膜形成用組合物而形成涂膜的工序； 將所述涂膜干燥而制成前體膜的工序；以及 利用包含水解反應催化劑作為主成分的處理劑處理所述前體膜的表面，制成被膜的工序。
2.如權利要求1所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述水解反應催化劑是酸或堿。
3.如權利要求1或2所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述水解反應催化劑是酸。
4.如權利要求2或3所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述酸是選自鹽酸、硝酸、硫酸、對甲苯磺酸及甲磺酸的I種以上的酸。
5.如權利要求1?4中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述具有能水解的官能團的硅烷化合物是具有選自全氟烷基、全氟聚醚基及聚二甲基硅氧烷鏈的結構的硅烷化合物。
6.如權利要求1?5中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述能水解的官能團選自碳原子數I?10的烷氧基、異氰酸酯基及氯原子。
7.如權利要求1?6中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，作為所述具有能水解的官能團的硅烷化合物，包括能水解的官能團是氯原子或異氰酸酯基的硅烷化合物、和能水解的官能團是烷氧基的硅烷化合物。
8.如權利要求1?7中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述處理劑實質上不含娃燒化合物。
9.如權利要求1?8中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述前體膜表面的處理通過一邊使含浸、保持有所述處理劑的保液部件加壓接觸所述前體膜表面一邊移動來進行。
10.如權利要求9所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，構成所述保液部件的原材料選自海綿、無紡布、織布及紙。
11.如權利要求1?10中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，在所述對前體膜的表面進行處理的工序之前，還包括將所述前體膜在O?60°C、50?100RH%下加濕10?180分鐘的工序。
12.如權利要求1?11中任一項所述的帶被膜的基板的制造方法，其特征在于，所述基板的構成材料是玻璃或樹脂。
【文檔編號】C09D183/04GK103889596SQ201280052656
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年10月4日 優先權日:2011年10月27日
【發明者】伊藤敦史, 竹田洋介 申請人:旭硝子株式會社