含n取代的二氮烯*二氧化物和/或n’-羥基-二氮烯*氧化物鹽的含水拋光組合物的制作方法

專利名稱：含n取代的二氮烯*二氧化物和/或n’-羥基-二氮烯*氧化物鹽的含水拋光組合物的制作方法
技術領域：
本發明涉及含N取代的二氮烯錄(Diazenium) 二氧化物和/或N'-羥基-二氮烯鎓氧化物鹽的新型含水拋光組合物，尤其是化學機械拋光(CMP)組合物。
此外，本發明涉及N取代的二氮烯錯二氧化物和/或K -羥基-二氮烯鎮氧化物鹽在制造電子和光學器件中的新用途。
此外，本發明涉及拋光用于制造電子、機械和光學器件的基底材料的新方法。
引用文獻
將在本發明申請中引用的文獻作為參考完全引入。
發明背景
化學機械平坦化或拋光(CMP)為實現集成電路(IC)器件局部和整體平坦度的主要方法。該技術通常在一定負載下將含磨料和其它添加劑的CMP組合物或漿料作為活性化學物質施加在旋轉的基底表面和拋光墊之間。因此，CMP方法將物理方法如研磨與化學方法如氧化或螯合結合。希望基底材料的去除或拋光不是由純粹的物理或純粹的化學作用組成，而是這兩者的協同作用，以實現快速均勻的去除。
這樣除去基底材料，直至實現所需平坦度或阻擋下層或停蝕層暴露。最終，獲得能夠通過隨后的光刻法、圖案化、蝕刻和薄膜處理正確地制造多層IC器件的平坦的無缺陷的表面。
淺溝槽隔離(STI)為通常要求在圖案化的晶片基底上相對于氮化硅選擇性除去二氧化硅的特定CMP應用。在該情況下，將蝕刻的溝槽過充滿介電材料，如二氧化硅，用氮化硅隔離膜作為停蝕層將其拋光。該CMP方法以從隔離膜除去二氧化硅為結束，同時使暴露的氮化硅和溝槽氧化硅的去除最小化。
這要求能夠獲得高的二氧化硅材料去除量與氮化硅去除量相對比的CMP漿料，在本領域中該比例也被稱作氧化物-氮化物選擇性。
基于二氧化鈰的CMP漿料在STI應用方面已經受到極大關注，這是因為由于二氧化鈰與二氧化硅的高的化學親合性(在本領域中也稱作二氧化鈰的化學嚙合作用)，其能夠獲得較高的氧化物-氮化物選擇性。
然而，基于二氧化鈰的CMP系列的氧化物-氮化物選擇性必須通過“設計”選擇性的添加劑改進。
因此，P.W.Carter 等人在 Electrochemical and Solid-State Letters, 8 (8)G218-G221 (2005), Interfacial Reactivity between Ceria and Silicon Dioxide andSilicon Nitride Surfaces, Organic Additive Effects 中公開了谷氨酸、卩比唳甲酸、4_輕基苯甲酸、咪唑、乙酸、甲酸、3-羥基吡啶甲酸、鄰氨基苯甲酸、卩比咯甲酸、環己烷甲酸、哌嗪、吡啶、2-苯基乙酸、苯甲酸、3-氨基苯酚、琥珀酸、甜菜堿、甘氨酸、脯氨酸、苯磺酸、嗎啉、水楊酸、對苯二甲酸、蘋果酸、異丙醇、檸檬酸和草酸對氧化物-氮化物選擇性的影響。
Y.N.Prasad 等人在 Electrochemical and Solid-State Letters,9(12)G337-G339(2006), Role of Amino-Acid Absorption on Silica and Silicon NitrideSurfaces during STI CMP中公開了脯氨酸和精氨酸的影響。
Hyun-Goo Kang 等人在 Journal of Material Research,第 22 卷，N0.3, 2007,第777-787頁中公開了二氧化鈰漿料中磨料粒度和聚(丙烯酸)分子量對在淺溝槽隔離化學機械平坦化中Si02/Si3N4膜去除選擇性的影響。
S.Kim等人在 Journal of Colloid and Interface Science, 319 (2008),第 48-52頁中公開了對于化學機械拋光(CMP)，陰離子聚電解質的吸收行為。
S.V.Babu 等人在 Electrochemical and Solid-State Letters, 7 (12)G327-G330(2004), Slurry Additive Effects on the Suppression of Silicon NitrideRemoval during CMP中研究了精氨酸、賴氨酸、脯氨酸、N-甲基甘氨酸、丙氨酸、甘氨酸、批啶甲酸、N，N-二甲基甘氨酸、3-氨基丁酸和異煙酸的影響。
Jae-Dong Lee 等人在 Journal of the Electrochemical Society,149(8)G477-G481,2002, Effects of Nonionic Surfactants on Oxide-To-Polysi I iconSelectivity during Chemical Mechanical Polishing 中公開了表面活性劑如聚氧化乙烯(PEO)和氧化乙烯-氧化丙烯-氧化乙烯三嵌段共聚物對選擇性的影響。然而，未提及氧化物-氮化物選擇性。
美國專利US 5，738，800、US 6，042，741、US 6，132，637 和 US 6, 218, 305 B 公開了含有如下絡合劑的基于二氧化鈰的CMP漿料:蘋果酸，酒石酸，葡糖酸，檸檬酸，鄰二羥基苯甲酸和多羥基苯甲酸、鄰苯二甲酸、鄰苯二酚、連苯三酚(pyrogallol)、五倍子酸、丹寧酸及其鹽。此外，基于二氧化鈰的CMP漿料含陰離子、陽離子、兩性離子或非離子表面活性劑。基于二氧化鈰的CMP漿料主張具有高的氧化物-氮化物選擇性。
美國專利US 5，759，917、US 6, 689, 692 BI 和 US 6, 984, 588 B2 公開了一種含有如下羧酸的基于二氧化鈰的CMP漿料:乙酸、己二酸、丁酸、癸酸、己酸、辛酸、檸檬酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、富馬酸、乳酸、月桂酸、蘋果酸、馬來酸、丙二酸、肉豆蘧酸、草酸、棕櫚酸、鄰苯二甲酸、丙酸、丙酮酸、硬脂酸、琥珀酸、酒石酸、戊酸、2-(2-甲氧基乙氧基)乙酸、2-[2-(2_甲氧基乙氧基)乙氧基]乙酸、聚(乙二醇)二(羧甲基)醚及其衍生物和鹽。此外，基于二氧化 鈰的CMP漿料含水溶性的有機和無機鹽，如硝酸鹽、磷酸鹽和硫酸鹽。基于二氧化鋪的CMP衆料主張優先于氮化娃層,拋光過充滿的氧化娃。
美國專利US 6，299，659 BI公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其中所述磨料顆粒已用硅烷、鈦酸酯、鋯酸酯、鋁和磷酸酯偶聯劑處理，以改進氧化物-氮化物選擇性。
美國專利申請US 2002/0034875 Al和美國專利US 6, 626, 968 B2公開了一種含以下物質的基于二氧化鈰的CMP漿料:表面活性劑，pH調節劑，如氫氧化鉀、硫酸、硝酸、鹽酸或磷酸，以及含親水性官能團和疏水性官能團的聚合物，如聚乙烯基甲基醚(PVME)、聚甘醇(PEG)、聚氧化乙烯23月桂醚(POLE)、聚丙酸(PPA)、聚丙烯酸(PM)和聚醚二醇二醚(PEGBE)。然而，該基于二氧化鈰的CMP漿料增加了氧化物-多晶硅選擇性。
美國專利US 6，436，835 BI公開了一種用于淺溝槽隔離方法的基于二氧化鈰的CMP漿料，其包含具有羧酸或羧酸鹽或磺酸或胺磺酰基的水溶性有機化合物，如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、萘磺酸-福爾馬林縮合物、蘋果酸、乳酸、酒石酸、葡糖酸、檸檬酸、琥珀酸、己二酸、富馬酸、天冬氨酸、谷氨酸、甘氨酸4-氨基丁酸、6-氨基己酸、12-氨基月桂酸、精氨酸、雙甘氨肽、月桂基苯磺酸及其銨鹽。基于二氧化鈰的CMP漿料主張具有高的氧化物-氮化物選擇性。
美國專利US 6, 491, 843 BUUS 6, 544, 892 B2 和 US 6, 627, 107 B2 公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其含有用于改進氧化物-氮化物選擇性的a-氨基酸，如賴氨酸、丙氨酸和脯氨酸。
美國專利US 6，616，514 BI公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其含具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的有機多元酚；或由至少一種具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的單體，如甘露糖醇、山梨糖醇、甘露糖、木糖醇、山梨糖、蔗糖和糊精形成的聚合物，其用于改進氧化物-氮化物選擇性。
日本專利申請JP 2005-336400 A公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其包含水溶性的縮合磷酸鹽，如焦磷酸鹽、三聚磷酸鹽和六偏磷酸鹽以及水溶性的碳酸鹽或碳酸氫鹽。基于二氧化鈰的CMP漿料還可含有水溶性有機溶劑，如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、乙二醇、丙二醇和1，2，3-丙三醇，酮類，如丙酮和甲基乙基酮、四氫呋喃、N，N-二甲基甲酰胺、二甲亞砜和1，4_ 二巧惡烷。
美國專利US 7,071, 105 B2和美國專利申請US 2006/0144824 Al公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其含有包含官能團，pKa為4-9的拋光添加劑。拋光添加劑選自芳基胺、氨基醇、脂族胺、雜環胺、異羥肟酸、氨基羧酸、環狀一元羧酸、不飽和一元羧酸、取代苯酚、磺酰胺、硫醇及其鹽，尤其是氯化物、溴化物、硫酸鹽、磺酸鹽、三氟甲基磺酸鹽、乙酸鹽、三氟乙酸鹽、苦味酸鹽、全氟丁酸鹽以及鈉鹽、鉀鹽和銨鹽。
特別提及的芳基胺為苯胺、4-氯苯胺、3-甲氧基苯胺、N-甲基苯胺、4-甲氧基苯胺、對甲苯胺、鄰氨基苯甲酸、3-氨基-4-羥基苯磺酸、氨基芐基醇、氨基芐基胺、1-(-氨基苯基)吡咯、1-(3-氨基苯基)乙醇、2-氨基苯基醚、2，5_ 二(4-氨基苯基)-1，3，4-二唑、2- (2-氨基苯基)-1H-1，3，4-三唑、2-氨基苯基、3-氨基苯基、4-氨基苯基、二甲基氨基苯酚、2-氨基硫醇苯酚、3-氨基硫醇苯酚、4-氨基苯基甲基硫化物、2-氨基苯磺酰胺、鄰氨基苯磺酸、3-氨基苯硼酸、5-氨基間苯二甲酸、乙酰磺胺、磺胺酸、鄰或對氨苯基胂酸，以及(3R)-3-(4-二氟甲基苯基氨基)戍酸。
特別提出的氨基醇 為三乙醇胺、芐基二乙醇胺、三(羥基甲基)氨基甲烷、羥基胺和四環素。
特別提出的脂族胺為甲氧基胺、羥基胺、N-甲基羥基胺、N，O-二甲基羥基胺、β-二氟乙胺、乙二胺、三亞乙基二胺、二乙基(丁基氨基)(2-羥基苯基)甲基)膦酸酯、亞氨基乙燒、亞氨基丁燒、二烯丙基胺，氰基胺，如氨基乙腈、二甲基氨基乙腈、2-氨基-2-氰基丙烷、異丙基氨基丙腈、二乙基氨基丙腈、氨基丙腈、二氰基二乙胺，肼，甲基肼、四甲基肼、N, N- 二甲基肼、苯基肼、N, N- 二乙基肼、三甲基肼、乙基肼及其鹽。
特別提及的雜環胺為咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-羥基甲基咪唑、1-甲基-2-羥基甲基咪唑、苯并咪唑、喹啉、異喹啉、羥基喹啉、三聚氰胺、吡啶、聯吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-氨基吡啶、3-氨基吡啶、2，3-吡啶二甲酸、2，5-吡啶二甲酸、2，6-吡啶二甲酸、5- 丁基-2-吡啶甲酸、2-吡啶甲酸、3-羥基-2-吡啶甲酸、4-羥基-2-吡啶甲酸、3-苯甲酰基-2-卩比啶甲酸、6-甲基-2-卩比啶甲酸、3-甲基-2-卩比啶甲酸、6-溴-2-批啶甲酸、6-氯-2-吡啶甲酸、3，6- 二氯-2-吡啶甲酸、4-肼基-3，5,6-三氯-2-吡啶甲酸、2-喹啉甲酸、4-甲氧基-2-喹啉甲酸、8-輕基-2-喹啉甲酸、4，8_輕基-2-喹啉甲酸、7-氯-4-羥基-2-喹啉甲酸、5，7- 二氯-4-羥基-2-喹啉甲酸、5-硝基-2-喹啉甲酸、1-異喹啉甲酸、3-異喹啉甲酸、吖啶、苯并喹啉、苯并吖啶、氯壓定(clonidine)、安納巴松(anabasine)、降煙堿(nornicotine)、三唑卩比唳、卩比卩多醇、5-輕色胺(serotonin)、組胺、苯并二氮雜草(benzodiazepine)、氮雜環丙燒(aziridine)、嗎啉、1,8_ 二氮雜二環(5,4,0)i 碳烯-7DABC0、六亞甲基四胺、哌嗪、N-苯甲酰基哌嗪、1-甲苯磺酰基哌嗪、N-羧基乙基哌嗪、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、2-氨基噻唑、吡咯、吡咯-2-甲酸、3-吡咯啉-2-甲酸、乙基吡咯啉、環己基吡咯啉、甲苯基吡咯啉、四唑、5-環丙基四唑、5-羥基四唑、5-苯氧基四唑、5-苯基四唑、氟尿嘧啶、甲基硫尿嘧啶、5，5-二苯基乙內酰脲、5，5- 二甲基-2，4-T惡唑烷二酮、鄰苯二甲酰亞胺、琥珀酰亞胺、3，3_甲基苯基戊二酰亞胺、3，3_ 二甲基琥珀酰亞胺、咪唑[2，3-b] P惡唑、羥基咪唑[2，3-a]異吲哚、5，5-甲基苯基巴比妥酸、1，5，5-三甲基巴比妥酸、環己烯巴比妥、5，5- 二甲基巴比妥酸、1，5- 二甲基-5-苯基巴比妥酸及其鹽。
特別提及的異羥肟酸為甲異羥肟酸、乙異羥肟酸、苯并異羥肟酸、水楊基異羥肟酸、2-氨基苯并異羥肟酸、2-氯苯并異羥肟酸、2-氟苯并異羥肟酸、2-硝基苯并異羥肟酸、3-硝基苯并異羥肟酸、4-氨基苯并異羥肟酸、4-氯苯并異羥肟酸、4-氟苯并異羥肟酸、4-硝基苯并異羥肟酸及其鹽。
特別提及的氨基羧酸為谷氨酸、羥基谷氨酸、天冬氨酸、天冬酰胺、重氮絲氨酸、半胱氨酸、組胺酸、3-甲基組胺酸、胞嘧啶、7-氨基頭孢菌烷酸和肌肽。
特別提及的環狀一元羧酸為萘-2-甲酸、環己烷甲酸、環己基乙酸、2-苯基乳酸、4-羥基苯甲酸、3-羥基苯甲酸、2-吡啶甲酸、順-和反-環己烷甲酸、苯甲酸及其鹽。
特別提及的不飽和一元羧酸為肉桂酸、丙烯酸、3-氯丙-2-烯甲酸、巴豆酸、4- 丁 -2-烯甲酸、順-或反-2-戊酸、2-甲基-2-戊酸、2-己烯酸和3-乙基-2-己烯酸及其鹽。
特別提及的苯酌■為硝基苯酌.、2,6_ 二齒-4-硝基苯酌.、2,6_ 二 (^_12燒基-4-硝基苯酌.、2,4_ 二硝基苯酌.、3,4_ 二硝基苯酌.、2_Ci_12燒基-4,6- 二硝基苯酌.、2-齒-4,6- 二硝基苯酚、二硝基-鄰甲苯酚、苦味酸及其鹽。
特別提及的磺酰胺為N-氯甲苯基磺酰胺、雙氯非那胺(dichlOTophenamide)、磺胺節胺(mafenide)、尼美舒利(nimesulide)、磺胺甲二唑(sulfamethizole)、磺胺培苯(sulfaperin)、乙酰磺胺(sulfacetamide)、磺胺卩密丨淀(sulfadiazine)、磺胺地托辛(sulfadimethoxine)、橫胺二甲卩密唳(sulfamethazine)、橫胺卩比卩定(sulfapyridine)、橫胺喹13^啉(sulfaquinoxaline)及其鹽。
特別提及的硫醇為二硫化二氫、半胱胺、半胱氨酰半胱氨酸、甲基半胱氨酸、苯硫酚、對氯苯硫酚、鄰氨基苯硫酚、鄰巰基苯基乙酸、對硝基苯硫酚、2-巰基乙烷磺酸鹽、N- 二甲基半胱胺、二丙基半胱胺、二乙基半胱胺、巰基乙基嗎啉、巰基乙酸甲酯、巰基乙胺、N-三甲基半胱氨酸、谷胱甘肽、巰基乙基哌啶、二乙基氨基丙硫醇及其鹽。
應相信的是，拋光添加劑增加了氧化物-氮化物選擇性。
美國專利申請US 2006/0207188 Al公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其含有聚合物如聚丙烯酸或聚(甲基丙烯酸烷基酯)與單體如丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、乙基-甲基丙烯酰胺、乙烯基吡啶或乙烯基吡咯烷酮的反應產物。應相信的是，反應產物也增加了氧化物-氮化物選擇性。
美國專利申請US 2006/0216935 Al公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其包含蛋白質、賴氨酸和/或精氨酸，以及吡咯烷酮化合物，如聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、N-辛基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-羥基乙基-2-吡咯烷酮、N-環己基-2-吡咯烷酮、N- 丁基-2-吡咯烷酮、N-己基-2-吡咯烷酮、N-癸基-2-吡咯烷酮、N-十八烷基_2_吡咯烷酮和N-十六烷基-2-吡咯烷酮。基于二氧化鈰的CMP漿料還可含分散劑，如聚丙烯酸類、二醇類和聚二醇類。特定實例使用脯氨酸、聚乙烯基吡咯烷酮或N-辛基-2-吡咯烷酮、ΡΡ0/ΡΕ0嵌段共聚物和戊二醛。應相信的是，基于二氧化鈰的CMP漿料未侵略性地除去溝槽二氧化硅，因此允許在終點之外進一步拋光而不顯著增加最小梯段高度。
美國專利申請US 2007/0077865 Al公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其含有優選來自BASF出售的Pluronic 系列的聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物。基于二氧化鈰的CMP漿料還可含有氨基醇，如2- 二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇(DMAMP)、2_氨基-2-乙基_1_丙醇(AMP)、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、2-(異丙基氨基)乙醇、2_(甲基氨基)乙醇、2-( 二乙基氨基)乙醇、2-(2-二甲基氨基)乙氧基)乙醇、1，廣_[[3-( 二甲基氨基)丙基]亞氨基]-二-2-丙醇、2-(2-丁基氨基)乙醇、2_(叔丁基氨基)乙醇、2_( 二異丙基氨基)乙醇和N-(3-氨基丙基)嗎啉。基于二氧化鈰的CMP漿料還可含有季銨化合物，如氫氧化四甲銨，成膜劑，如烷基胺、鏈烷醇胺、羥基胺、磷酸酯、十二烷基硫酸鈉、脂肪酸、聚丙烯酸鹽/酯、聚甲基丙烯酸鹽/酯、聚乙烯基膦酸鹽/酯、聚蘋果酸鹽/酯、聚苯乙烯磺酸鹽/酯、聚乙烯基硫酸鹽/酯、苯并三唑、三唑和苯并咪唑，以及絡合劑，如乙酰丙酮、乙酸鹽/酯、乙醇酸鹽/酯、乳酸鹽/酯、葡糖酸鹽/酯、五倍子酸、草酸鹽/酯、鄰苯二甲酸鹽/酯、檸檬酸鹽/酯、琥珀酸鹽/酯、酒石酸鹽/酯、蘋果酸鹽/酯、乙二胺四乙酸、乙二醇、焦兒茶酚、連苯三酚、丹寧酸、磷錯鹽和膦酸。應相信的是，基于二氧化鈰的CMP漿料提供了氧化娃和/或氮化娃相對于多晶娃的良好選擇性。
美國專利申請S 2007/0175104 Al公開了一種包含多晶硅拋光抑制劑的基于二氧化鈰的CMP漿料，所述抑制劑選自具有由選自以下的任何成員取代的N- —元取代或N，N-二取代骨架的水溶性聚合物:丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺和其α取代的衍生物；聚乙二醇；聚乙烯基吡咯烷酮；烷氧基化的線性脂族醇和基于乙炔的二醇的氧化乙烯加合物。基于二氧化鈰的CMP漿料可含有額外的水溶性聚合物，如多糖，如藻酸、果膠酸、羧甲基纖維素、瓊月旨、可得然膠(curdlan )和普魯蘭多糖(pullulan);聚羧酸，如聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚賴氨酸、聚蘋果酸、聚甲基丙烯酸、聚亞氨酸、聚馬來酸、聚衣康酸、聚富馬酸、聚(對苯乙烯羧酸)、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、氨基聚丙烯酰胺、聚乙醇酸及其鹽；以及乙烯基聚合物，如聚乙烯醇和聚丙烯醛。基于二氧化鈰的CMP漿料據說具有高的氧化硅對多晶硅選擇性。
美國專利申請US 2007/0191244 Al公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其含有重均分子量為30-500的化合物且含有羥基和羧基或兩者均含，如檸檬酸酯、蘋果酸酯、葡糖酸酯、酒石酸酯、2-羥基異丁酸酯、己二酸酯、辛酸酯、琥珀酸酯、含EDTA的化合物、戊二酸酯、亞甲基琥珀酸酯、甘露糖、甘油-半乳糖-庚糖、赤-甘露糖-辛糖、阿拉伯糖-半乳糖-壬糖和谷氨酰胺。基于二氧化鈰的CMP漿料還可含有線性聚合物酸或具有烷氧基聚鏈烷二醇側鏈的接枝類的聚合物酸。基于二氧化鈰的CMP漿料據說獲得了拋光晶片的改進的球狀平面性。
美國專利申請US 2007/0218811 Al公開了一種基于二氧化鈰的CMP漿料，其pH為4-7.5且含有分散劑、聚羧酸以及100-1000ppm其第一可離解酸基的pKa為3.2或更小的強酸。作為實例提及丙烯酸和甲基丙烯酸的聚合物作為陰離子分散劑，聚氧化乙烯衍生物作為非離子分散劑，以及聚乙烯基吡咯烷酮作為陽離子分散劑。特別提及的強酸為硫酸、HC1、硝酸、磷酸、草酸、馬來酸、苦味酸、亞硫酸、硫代亞硫酸、氨基硫酸、氯酸、高氯酸、亞氯酸、氫碘酸、高碘酸、碘酸、氫溴酸、過溴酸、鉻酸、亞硝酸、二膦酸、三聚磷酸、次膦酸、吡啶甲酸、膦酸、異煙酸、煙酸、三氯乙酸、二氯乙酸、氯乙酸、氰基乙酸、草酰乙酸、硝基乙酸、溴乙酸、氟乙酸、苯氧基乙酸、鄰溴苯甲酸、鄰硝基苯甲酸、鄰氯苯甲酸、對氨基苯甲酸、鄰氨基苯甲酸、鄰苯二甲酸、富馬酸、丙二酸、酒石酸、檸檬酸、鄰氯苯胺、2，2'-聯吡啶、4，4'-聯吡啶、2，6_吡啶二甲酸、丙酮酸、聚苯乙烯磺酸、聚磺酸、谷氨酸、水楊酸、天冬氨酸、2-氨基乙基膦酸、賴氨酸、精氨酸、異白氨酸、肌氨酸、鳥氨酸、鳥嘌呤核苷、瓜氨酸、酪氨酸、纈氨酸、次黃嘌呤、蛋氨酸、賴氨酸和亮氨酸。基于二氧化鈰的CMP漿料導致有效的高速操作，較容易的工藝管理以及較小的由于砂路密度差別而導致的膜厚的波動。
電子器件，尤其是半導體集成電路(IC)的制造需要高精度的方法，這尤其涉及高選擇性CMP。
盡管現有技術的基于二氧化鈰的CMP漿料可具有令人滿意的氧化物-氮化物選擇性且可產生具有良好的整體和局部平坦度(這通過晶片內不均勻性(WIWNU)和晶片間不均勻性(WTWNU)驗證)的拋光晶片，IC結構，尤其是具有LSI (大規模集成)或VLSI (非常大規模集成)的IC的日益減小的尺寸必須使基于二氧化鈰的CMP漿料恒定改進，以滿足集成電路器件制造商的日益增加的技術和經濟要求。
然而，這種恒定改進現有技術的基于二氧化鈰的CMP漿料的迫切需要不僅適用于集成電路器件領域，而且在制造以下其它電子器件領域也必須改進拋光和平坦化功效:液晶面板、有機電致發光面板、印刷電路板、微型機、DNA芯片、微型設備、光電池和磁頭；以及高精度的機械器件和光學器件，尤其是光學玻璃，如光掩模、透鏡和棱鏡，無機導電膜，如氧化銦錫(ITO)，光學集成電路，光學開關元件，光學波導管，光學單晶，如光學纖維和閃爍器的端面，固體激光器單晶，用于藍色激光器LED的藍寶石基底，半導體單晶和用于磁盤的玻璃基底。這種電子和光學器件的制造需要高精度的CMP工藝步驟。
同樣，高精度機械器件的制造也需要高精度的CMP工藝步驟。
現有技術的基于二氧化鈰的CMP漿料的一個主要缺陷為它們易于受微生物和真菌侵襲。因此，它們在儲 存時不穩定，這是由于細菌和真菌生長，該生長對磨料二氧化鈰顆粒的粒度分布具有有害影響，這又導致二氧化鈰顆粒不可逆的聚集和沉降。
人們已經試圖通過加入殺菌劑而改進該嚴重問題。然而，現有技術的殺菌劑也往往以不能預測的方式使磨料的粒度分布不穩定。
N-取代的二氮烯銷■二氧化物和K -羥基-二氮烯榻'氧化物鹽，其制備方法及其作為木材防腐劑以及適用作消毒劑且適用于紡織品、塑料、建筑材料或涂料系統的殺菌劑和殺真菌劑中的用途由德國專利申請DE 38 35 370 Al、美國專利US 5，393，874、歐洲專利申請EP O 588 249 Al和國際專利申請WO 90/01033已知。無論如何未提及N-取代的二氮烯每言二氧化物和N'-羥基-二氮烯錯氧化物鹽可用于拋光組合物，尤其是用于基于二氧化鈰的CMP漿料。
發明目的
因此，本發明目的為提供一種新型含水拋光組合物，尤其是一種新型的化學機械拋光(CMP)組合物，特別是一種新型的基于二氧化鈰的CMP漿料，其不再顯示現有技術的拋光組合物的缺點和缺陷。
新型含水拋光組合物，尤其是新型的化學機械拋光(CMP)組合物，特別是新型的基于二氧化鈰的CMP漿料尤其應顯示顯著改進的氧化物-氮化物選擇性并產生具有優異的整體和局部平坦度(這通過晶片內不均勻性(WIWNU)和晶片間不均勻性(WTWNU)驗證)的拋光晶片。因此，它們應極其適用于制造IC結構，尤其是結構尺寸低于50nm的LSI (大規模集成)或VLSI (非常大規模集成)的1C。
此外，新型含水拋光組合物，尤其是新型的化學機械拋光(CMP)組合物，特別是新型的基于二氧化鈰的CMP漿料不僅應特別用于集成電路器件的領域，而且還應最有效且有利地用于制造以下其它電子器件的領域:液晶面板、有機電致發光面板、印刷電路板、微型機、DNA芯片、微型設備和磁頭；以及高精度的機械器件和光學器件,尤其是光學玻璃,如光掩模、透鏡和棱鏡，無機導電膜，如氧化銦錫(ITO),光學集成電路,光學開關兀件,光學波導管，光學單晶，如光學纖維和閃爍器的端面，固體激光器單晶，用于藍色激光器LED的藍寶石基底，半導體單晶和用于磁盤的玻璃基底。
最特別的是，新型的基于二氧化鈰的CMP漿料應不再易于受到微生物和真菌侵襲，且因此應在延長儲存期間不再顯示細菌和真菌生長以及磨料二氧化鈰顆粒粒度分布的不穩定。因此，不應產生不可逆的二氧化鈰顆粒的聚集和沉降。
本發明的又一目的為提供一種N-取代的二氮烯錫 二氧化物和K -羥基-二氮烯鐵氧化物鹽的新用途。
本發明的另一目的為提供一種拋光機械、電子和光學器件用基底材料的新方法。發明內容
因此，已經找到新的含水拋光組合物，其中所述拋光組合物包含:
(A)至少一種水溶性或水分散性化合物，其選自N-取代的二氮烯錄 二氧化物和N1-羥基-二氮烯錄二氧化物鹽；和
(B)至少一種類型的磨料顆粒。
下文中，新型含水拋光組合物被稱作“本發明組合物”。
此外，已經找到了拋光機械、電子和光學器件用基底材料的新方法，該方法利用了本發明組合物。
下文中，拋光機械、電子和光學器件用基底材料的新方法被稱作“本發明方法”。
最后但并非最不重要的是，已經發現了用于制造機械、電子和光學器件的N-取代的二氮烯榻'二氧化物和K -羥基-二氮烯鑛.氧化物鹽的新用途，該用途在下文中被稱作“本發明用途”。
發明優點
考慮到現有技術，令人驚訝且本領域熟練技術人員可以預期的是，本發明目的可通過本發明組合物、本發明方法和本發明用途解決。
特別令人驚訝的是，本發明組合物顯示了顯著改進的氧化物-氮化物選擇性且產生具有優異的整體和局部平坦度(這通過晶片內不均勻性(WIWNU)和晶片間不均勻性(WTffNU)驗證)的拋光晶片。因此，它們極其適用于制造IC結構，尤其是結構尺寸低于50nm的LSI (大規模集成)或VLSI (非常大規模集成)的1C。
此外，本發明組合物不僅特別用于集成電路器件的領域，而且還最有效且有利地用于制造以下其它電子器件的領域:液晶面板、有機電致發光面板、印刷電路板、微型機、DNA芯片、微型設備和磁頭；以及高精度的機械器件和光學器件，尤其是光學玻璃，如光掩模、透鏡和棱鏡，無機導電膜，如氧化銦錫(ITO),光學集成電路,光學開關兀件，光學波導管，光學單晶，如光學纖維和閃爍器的端面，固體激光器單晶，用于藍色激光器LED的藍寶石基底，半導體單晶和用于磁盤的玻璃基底。
最特別的是，本發明組合物不再易于受到微生物和真菌侵襲，且因此在延長儲存期間不再顯示細菌和真菌生長以及磨料二氧化鈰顆粒粒度分布的不穩定。因此，不產生不可逆的二氧化鈰顆粒的聚集和沉降。
因此，最特別的是，本發明組合物用于本發明方法。本發明方法可最有利地用于拋光，尤其是化學機械拋光以下電子器件的基底材料:液晶面板、有機電致發光面板、印刷電路板、微型機、DNA芯片、微型設備和磁頭；以及用于高精度的機械器件和光學器件的基底材料，尤其是光學玻璃，如光掩模、透鏡和棱鏡，無機導電膜，如氧化銦錫(ITO)，光學集成電路，光學開關元件，光學波導管，光學單晶，如光學纖維和閃爍器的端面，固體激光器單晶，用于藍色激光器LED的藍寶石基底，半導體單晶和用于磁盤的玻璃基底。
發明詳述
本發明組合物為含水組合物。這意味著其含有水，尤其是超純水作為主溶劑和分散劑。然而，本發明組合物可含有至少一種水溶混性有機溶劑，然而，其含量很少，不改變本發明組合物的含水性質。
本發明組合物的水含量優選為60-99.95重量％，更優選70-99.9重量％，甚至更優選80-99.9重量％，最優選90-99.9重量％，其中所述重量百分含數基于本發明組合物的全部重量。
本發明組合物含至少一種，優選一種選自N-取代的二氮烯烯鎓二氧化物(A)和N,-羥基-二氮烯榻.氧化物鹽(A)的水溶性或水分散性化合物作為第一基本成分或組分。
“水溶性”指相關化合物(A)分布在分子水平上的含水介質中，而“水分散性”指它們可細碎分布在含水介質中并形成穩定的懸浮液或乳液，優選穩定的懸浮液。最優選的是，化合物(A)為水溶性的。
N-取代的二氮烯鎓二氧化物㈧優選具有通式1:
R [-N+(-O-) = N-OHJn (I)。
在通式I中，變量R指包含或由至少一種選自以下的殘基組成的結構部分:不含或含至少一個雜原子和/或至少一個雙官能或三官能鏈接基團的單體、低聚及聚合，取代及未取代，飽和及未飽和的脂族和脂環族基團，以及不含或含至少一個雜原子的單體、低聚及聚合，取代及未取代的芳族基團。
在通式I中，指數η為1-1000，優選1-500，更優選1-100，甚至更優選1-50，最優選1-10的數字。
當殘基R為低聚或聚合的結構部分時，數字η不一定必須為整數，而是也可為分數。這是由于低聚和聚合的結構部分的統計性質。當殘基R為單體結構部分時，數字η通常為整數。
因此,就二氮烯錄■二氧化物基團而言,殘基R可為單官能團或多官能團,這意味著殘基R含有一個二氮烯錯二氧化物基團或超過一個二氮烯錄二氧化物基團。
在殘基R含有至少一個雜原子和/或至少一個雙官能或三官能鏈接基團的情況下，優選將二氮烯有T二氧化物基團鍵接至殘基R的碳原子上。
給定殘基R可包含一種在下文中更詳細描述的上述結構部分或這種殘基R可含有兩種或更多種在下文中更詳細描述的上述結構部分，這類基團相互不同且可經由至少一個共價鍵和/或通過一個或多個在下文中更詳細描述的上述鏈接基團相互鏈接。
就本發明而言，“單體的”指相關殘基R衍生自包含或由單個特征結構單元或兩個特征結構單元組成的單體化合物V。單體化合物V的分子量優選為40-1000道爾頓。
就本發明而言，“低聚的”指相關殘基R衍生自包含或由3至約12個特征重復結構單元組成的低聚化合物V。低聚化合物V的重均分子量Mw優選為100-2500道爾頓。
就本發明而言，“聚合的”指相關殘基R衍生自包含或由至少12個特征重復結構單元組成的聚合化合物V。聚合化合物V的重均分子量Mw優選為500-2，000，000道爾頓，更優選1000-1，000, 000道爾頓，最優選5000-500，000道爾頓。
“未取代”指除了下述雜原子之外，相關殘基R僅由碳原子和氫原子組成。
“取代”指相關殘基R含有至少一個惰性，即在制備、處理、儲存和使用本發明組合物中化合物(A)的條件下不反應的取代基。
合適的惰性取代基的實例為齒原子，如氟、氯和溴，羥基，羧酸基，磺酸基，次磷酸基、硝基和腈基，優選氟和氯原子和腈基。
“飽和”指相關殘基R不含任何烯屬或炔屬不飽和基團。因此，“不飽和”指相關殘基R含有至少一個烯屬和/或炔屬不飽和基團。
雜原子優選選自硼、氧、硫、氮、磷和硅，最優選氧和氮。
在上述含義中，雙官能團和三官能團鏈接基團優選為惰性的。
適合的雙官能團和三官能團鏈接基團的實例為碳酸酯、硫代碳酸酯、碳酸鹽、硫代碳酸鹽、磷酸酯、硫代磷酸酯、次膦酸酯、硫代膦酸酯、亞磷酸鹽、硫代膦酸酯、磺酸酯、酰胺、胺、硫代酰胺、磷酸酰胺、硫代磷酸酰`胺、膦酸酰胺、硫代膦酸酰胺、磺酸酰胺、亞酰胺、酰肼、氨基甲酸乙酯、脲、硫脲、羰基、硫代羰基、砜和亞砜基，最特別的是碳酸鹽、氨基甲酸乙酯、擬基和碳酸酷基，最特別優選碳酸酷基。
飽和的單體脂族結構部分R優選衍生自線性或支化的脂族烴R'，更優選在分子中具有1-20個，甚至更優選1-16個，最優選1-12個，最特別優選1-4個碳原子的線性或支化的脂族烴V，尤其是甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、異丁烷、戊烷、異戊烷、新戊烷、己烷、異己烷、庚烷、辛烷、異辛烷、壬烷、癸烷、十一烷和十二烷，尤其是甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和異丁燒。
取代，飽和的單體脂族結構部分R優選衍生自線性或支化的脂族烴V，更優選在分子中具有1-20個，甚至更優選1-16個，最優選1-12個，最特別優選1-4個碳原子以及至少一個選自氟和氯的鹵原子的線性或脂族烴V 。
特別合適的取代，飽和的單體脂族結構部分R的實例衍生自氟代、氯代、二氟代、二氯代、氯氟代、三氟代、三氯代、二氟氯代和氟二氯代甲烷；氟代、氯代、I，1-和I，2- 二氟代、I，1-和I，2- 二氯代、1-氯代-1-氟代、1_氯代-2-氟代、1- 二氟代-2-氟代、2- 二氟代、1_ 二氯代_2_氯代、2- 二氯代、1- 二氟代-2-氯代、2- 二氟代氯代、1-氟代-2- 二氯代和2-氟代二氯代乙烷；氟代、氯代、二氟代、二氯代、三氟代、三氯代、四氟代、四氯代、五氟代、五氯代、六氟代、六氯代、六氟代和七氯代丙烷以及混合的氟代氯代丙烷；氟代、氯代、二氟代、二氯代、三氟代、三氯代、四氟代、四氯代、五氟代、五氯代、六氟代、六氯代、七氟代、七氯代、八氟代、八氯代、九氟代和九氯代丁烷和異丁烷以及混合的氟代氯代丁烷和異丁烷。
具有至少一個雜原子的未取代的，飽和的單體脂族結構部分R優選衍生自線性或支化的脂族烴V，更優選在分子上具有2-20個，甚至更優選2-16個，最優選2-12個，最特別優選2-6個碳原子，以及在2個碳原子之間具有至少I個氮原子和/或氧原子的線性或支化的脂族烴V 。
特別適合的具有至少一個雜原子的未取代的，飽和的單體脂族結構部分R的實例衍生自二甲醚、甲乙醚、二乙醚、2，4_ 二氧雜戊烷、2，4_氧雜己烷、3，6_ 二氧雜辛烷、二甲胺、三甲胺、二乙胺、三乙胺、二丙胺和2-氧雜-4-氮雜戊烷。
具有至少一個雜原子的取代的，飽和單體脂族結構部分R衍生自線性或支化的脂族烴V，更優選在分子上具有2-20個，甚至更優選2-16個，最優選2-12個，最特別優選2-6個碳原子，在2個碳原子之間具有至少一個氮原子和/或氧原子以及具有至少一個氟和/或氯原子的線性或支化的脂族烴V 。
特別合適的具有至少一個雜原子的取代的，飽和單體脂族結構部分R的實例衍生自二甲醚、甲乙醚、二乙醚、2，4_ 二氧雜戊烷、2，4_氧雜己烷、3，6_ 二氧雜辛烷、二甲胺、三甲胺、二乙胺、三乙胺、二丙胺和2-氧雜-4-氮雜戊烷，其可優選由至少一個氟原子和/或氯原子和/或腈基取代。
具有至少一個雙官能或三官能鏈接基團的取代或未取代的，飽和單體脂族結構部分R優選衍生自線性或支化的脂族烴V，更優選在分子上具有2-20，甚至更優選2-16，最優選2-12，最特別優選2-6個碳原子以及至少一個雙官能或三官能鏈接基團的線性或支化的脂族烴V。相關烴V也可帶有至少一個取代基。
特別合適的取代或未取代的，飽和單體脂族結構部分R的實例衍生自丙酮，甲基乙基酮，二乙酮，甲基丁基酮，乙 基丁基酮，乙酰基丙酮，甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸丁酯和甲酸戊酯，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯和乙酸丁酯，丙酸甲酯、丙酸乙酯和丙酸丙酯，以及丁酸甲酯和丁酸乙酯，其可優選由至少一個氟和/或氯原子取代。
取代或未取代的，飽和的，低聚或聚合的脂族結構部分R優選衍生自乙烯、丙烯、丁烯和異丁烯的線性、支化、超支化、星型、樹枝狀和梳狀均聚物和共聚物。共聚物可含有少量共聚的高級烯烴，如己烯和辛烯。所述均聚物和共聚物可優選由至少一個氟和/或氯原子取代。
含有至少一個雜原子，尤其是至少一個氧原子的取代或未取代的，飽和的，低聚或聚合的脂族結構部分R優選衍生自以下的線性、支化、超支化、星型、樹枝狀和梳狀均聚物和共聚物:烯烴亞胺，尤其是乙烯亞胺，氧化烯烴，尤其是氧化乙烯、氧化丙烯、氧化丁烯和四氫呋喃，以及乙烯基醚和酯，尤其是乙烯基甲基、乙基、丙基和丁基醚和酯。所述均聚物和共聚物也可含有上述雙官能或三官能鏈接基團。
含有至少一個雙官能團或三官能團，優選雙官能團的鏈接基團的取代或未取代的，飽和的，低聚或聚合的脂族結構部分R優選衍生自線性、支化、超支化、星型、樹枝狀和梳狀聚碳酸酯、聚氨酯和(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物，尤其是聚丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。所述均聚物和共聚物可優選由至少一個氟和/或氯原子取代。
取代或未取代的，不飽和的，單體和低聚的脂族結構部分R優選衍生自常規和已知的烯屬或炔屬不飽和單體，如烯烴、炔烴、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基醚、乙烯酯、烯丙基醚、烯丙基酯，以及如R5inpp Online 2010,Thieme Chemistry,www.roempp.com, " Terpene" ," Sesquiterpene" ," Diterpene" ,and" Triterpene"所述的非環狀單職、倍半萜烯、雙萜和三萜，這些單體可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
特別合適的取代或未取代的，不飽和的，單體和低聚合的脂族結構部分R的實例為乙烯，丙烯，丁烯，異戊二烯，乙炔，丙炔，丙烯酸甲酯和乙酯，甲基丙烯酸甲酯，乙烯基醚和酷，尤其是乙稀基甲基、乙基、丙基和丁基釀和酷，以及稀丙基甲基、乙基、丙基和丁基釀和酯，羅勒烯，月桂烯，檸檬醛，α-和β_紫羅蘭酮和假紫羅蘭酮。所述單體可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
取代或未取代的，飽和的，脂環族結構部分R優選衍生自飽和的單環、二環、三環、四環烴，其可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
特別合適的取代或未取代的，飽和的脂環族結構部分R的實例為環丙烷，環丁烷，環戊烷，環己烷，環庚烷，環辛烷，環癸烷，鄰-、間-和對孟烷，孟酮，蒈烷，菔烷，蒈酮，冰片基氯，異冰片基氯，樟腦，莰烷，降冰片烷，8.9.10-三降冰片烷，螺[3.3]庚烷，螺雙環己烷，萘烷，氫化茚滿，降莰烷，雙環[2.2.1]辛烷，金剛烷，異三環癸烷和雙金剛烷，其可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
含有至少一個雜原子的取代或未取代的，飽和的脂環族結構部分R優選衍生自含有至少一個雜原子的飽和的單環、二環、三環、四環烴，這類烴可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
特別合適的含有至少 一個雜原子，尤其是至少一個氮原子和/或氧原子的取代或未取代的，飽和的脂環族結構部分R的實例衍生自四氫呋喃、1，4- 二5惡燒、Y - 丁內酯、ε -己內酰胺、嗎啉、尿丁唳(uretidine)、異T惡唑燒、卩比咯燒、咪唑啉、卩比唑燒、哌唳、哌嗪和奎寧環，其可優選由至少一個氟和特定的氯原子和/或腈基取代。
取代或未取代的，不飽和的脂環族結構部分R優選衍生自不飽和的單環、二環、三環、四環烴，其可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
特別合適的取代或未取代的，不飽和的脂環族結構部分R的實例衍生自環丙烯、環丁烯、環戊烯、環戊二烯、環己-1，3-和-1，2- 二烯、環庚烯、環辛烯、環癸烯、α -和Y -萜品烯、萜品油烯、α-和β_水芹烯、苧烯、二戊烯、長葉薄荷酮、香芹酮、香芹烯酮、α-和β-菔烯、紅沒藥烯、杜松烯、β-蛇床烯、樟腦烯和螺[4.5]癸-1，6-二烯，其可優選通過至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
含有至少一個雜原子的取代或未取代的，飽和的脂環族結構部分R優選衍生自含有至少一個雜原子的不飽和的單環、二環、三環、四環烴，這類烴可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
特別合適的含有至少一個雜原子，尤其是至少一個氮原子和/或氧原子的取代或未取代的，飽和的脂環族結構部分R的實例衍生自2H-吡喃、2H-吡咯、δ 2-吡咯啉、δ 2-咪唑啉、δ3-批唑、批咯燒(pyrrolenine)和δ 4-異感唑啉，這類烴可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
取代和未取代的單體芳族結構部分R優選衍生自單環和多環的芳族化合物，尤其是苯、聯苯、三聯苯、二苯醚、二苯胺、二苯基酮、二苯硫、二苯亞砜、二苯砜、萘、茚滿、熒烷、芴酮、蒽和菲，這類烴可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
取代和未取代的，低聚和聚合的芳族結構部分R優選衍生自含有芳族基團的低聚物和聚合物，尤其是聚酯，特別是聚(對苯二甲酸乙二醇酯)PET和聚(對苯二甲酸丁二醇酯)PBT,聚醚，尤其是聚苯醚，如聚(2，6- 二甲基苯醚)，以及苯乙烯的均聚物和共聚物，這類低聚物和聚合物可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
含有至少一個雜原子的取代和未取代的，單體芳族結構部分R優選衍生自單環和多環雜芳族化合物，尤其是含氧、硫和/或氮的雜芳族化合物，其可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
特別合適的含有至少一個雜原子的取代和未取代的，單體芳族結構部分R的實例衍生自呋喃、噻吩、吡咯、咪唑、吡唑、異噻唑、異巧惡唑、三唑、吡唆、吡嗪、嘧唆、噠嗪、苯并噻吩、噻蒽、異苯并呋喃、吩P惡嗪、吲嗪、異吲哚、吲哚、嘌呤、異喹啉、喹啉、酞嗪、1，8_萘啶(naphthyridine)、.1^惡啉、喹唑啉、增啉、蝶唳、咔唑、B丫唳和菲唳，其可優選由至少一個氟和/或氯原子和/或腈基取代。
如上文已說明的，上述結構部分R可以任何方式相互組合，以形成具有通式I的變量R。因此，作為實例，可經由醚基將衍生自苯的結構部分R與衍生自氧化乙烯的共聚物的結構部分R組合，以使N-取代的二氮烯錄二氧化物(A)更能溶于水。
更優選的是，結構部分R衍生自單體的，飽和的脂族和脂環族以及單體的芳族化合物，甚至更優選未取代的，單體的，飽和的脂族和脂環族以及未取代的，單體的芳族化合物，尤其是甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、環戊烷、環己烷和苯。
最特別優選的是，N-取代的二氮烯榻■二氧化物(A)選自N-甲基-、N_乙基-、N_丙基_、N- 丁基、N-環己基_和N-苯基_■氣稀鑛'_■氧化物。
優選N-取代的N'-羥基二氮烯饋氧化物鹽㈧具有通式II:
{R [-N (-0) -N-0] _J m (Mm+) n (II)，
其中變量R具有上述含義且指數η和m均為1_1000，優選1_500，更優選1_100，甚至更優選1-50，最優選1-10的數字。
當殘基R為低聚或聚合的結構部分時，數字η和m不一定必須為整數，而是也可為分數。這是由于低聚和聚合的結構部分的統計性質。當殘基R為單體結構部分時，數字η和m通常為整數。
變量M指選自有機和無機，單體、低聚和聚合的陽離子的陽離子。
合適的單體的有機陽 離子的實例為伯、仲、叔和季銨陽離子，伯、仲和叔磷錯陽離子，以及伯和仲锍陽離子，尤其是四甲基銨陽離子。
適合的低聚和聚合的陽離子的實例為含有以下的低聚物和聚合物:伯、仲、叔和季銨陽離子，伯、仲和叔磷榻.陽離子，以及伯和仲锍陽離子，尤其是陽離子聚乙烯亞胺。
合適的無機陽離子的實例為氨、鋰、鈉、鉀、銣、銫、鎂、 丐、銀、鋇、招、鎵、銦、鍺、錫、鉛、鋪、秘、銳、乾、倆、稀土金屬、欽、錯、給、f凡、銀、組、絡、鑰、鶴、猛、鍊、鐵、釘、餓、鉆、錯、銥、鎳、鈀、鉬、銅、銀、金、鋅和鎘的陽離子，優選氨、鋰、鈉和鉀的陽離子。
最特別優選的是，N' _輕基-二氣稀_'二氧化物鹽(A)選自N-甲基-、N_乙基_、N-丙基-、N- 丁基-、N-環己基-和N-苯基-N'-羥基二氮烯錯二氧化物銨、鋰、鈉和鉀鹽。
在本發明組合物中N-取代的二氮烯錫■二氧化物(A)和/或K -羥基-二氮烯錯氧化物鹽(A)的濃度可在寬范圍內變化，且因此可最有利地適應本發明的特定組合物、方法和用途。本發明組合物優選基于其全部重量含有0.0l-1OOOppm,更優選0.05_750ppm，甚至更優選0.075-500ppm,最優選0.l-500ppm化合物(A)。
本發明組合物的第二種基本成分為至少一種類型的磨料顆粒(B)。
原則上，可將常用于拋光，尤其是化學機械拋光或平坦化(CMP)領域中的任何天然或合成的磨料顆粒材料用作成分(B)。磨料顆粒(B)優選選自氧化鋁、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鈰、氧化鋅及其混合物。
磨料顆粒(B)的平均粒度可在寬范圍內變化，且因此可最有利地適應本發明組合物、方法和用途的特定要求。通過動態光散射法測定的平均粒度優選為l_2000nm，優選Ι-lOOOnm，更優選 l_750nm，最優選 l_500nm。
磨料顆粒(B)最優選包含或由二氧化鈰組成。
含有二氧化鈰的磨料顆粒(B)可含有少量其它稀土金屬氧化物。
含有二氧化鈰的磨料顆粒(B)優選為包含核的復合顆粒(B)，該核包含或由至少一種與二氧化鈰不同的其它磨料顆粒材料，尤其是氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅及其混合物組成。
這類復合顆粒(B)例如由以下已知:WO2005/035688 Al, US 6,110,396，US6, 238, 469 BI, US 6, 645, 265 BI，K.S.Choi 等人，Mat.Res.Soc.Symp.Proc.，第 671 卷，2001 Materials Research Society, Μ5.8.1_Μ5.8.10, S.-H.Lee 等人，J.Mater.Res.，第17 卷,N0.10, (2002),第 2744-2749 頁，A.Jindal 等人，Journal of the ElectrochemicalSociety,150 (5)G314-G318(2003), Z.Lu, Journal of Materials Research,第 18 卷，N0.10, 2003 年 10 月，Materials Research Society,或 S.Hedge 等人，Electrochemicaland Solid-State Letters，7(12)G316-G318(2004)。
最優選的是，復合顆粒(B)為覆盆子類的涂覆顆粒，其包含選自氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅及其混合物且核尺寸為20-100nm的核,其中所述核涂覆有粒度低于IOnm的二氧化鋪顆粒。
用于本發明組合物的磨料顆粒(B)的量可在寬范圍內變化，且因此可最有利地適應本發明組合物、方法和用途的特定要求。本發明組合物優選含有0.005-10重量％，更優選0.01-8重量％，最優選0.01-6重量％磨料顆粒(B)，其中所述重量百分含數基于本發明組合物的全部重量。
本發明組合物可含有至少一種與成分或組分(A)和(B)不同的功能組分(C)。
功能組分(C)優選選自常用于基于二氧化鈰的CMP漿料中的化合物。這類化合物(C)的實例在開頭描述且例如在以下公開:Y.N.Prasad等人在Electrochemicaland Solid-State Letters, 9 (12) G337-G339 (2006)中，Hyun-Goo Kang 等人在 Journalof Material Research,第 22 卷，N0.3, 2007,第 777-787 頁中，S.Kim 等人在 Journalof Colloid and Interface Science, 319 (2008),第 48-52 頁中，S.V.Babu 等人在Electrochemical and Solid-State Letters, 7(12)G327-G330(2004)中，Jae-Dong Lee等人在 Journal of the Electrochemical Society, 149 (8)G477_G481, 2002 中，美國專利 US5，738，800、US 6、042、741、US 6，132，637、US 6, 218, 305 B、US 5，759，917、US 6, 689, 692BUUS 6, 984, 588 B2、US 6, 299, 659 BUUS 6,626,968 B2、US 6, 436, 835,BlUS 6, 491, 843BUUS 6, 544, 892 B2、US 6,627，107 B2、US 6, 616, 514 BI 和 US 7，071，105 B2，美國專利申請 US 2002/0034875 Al、US 2006/0144824 Al、US 2006/0207188 Al、US 2006/0216935AUUS 2007/0077865 AUUS 2007/0175104 AUUS 2007/0191244 Al 和 US 2007/0218811Al，以及日本專利申請JP 2005-336400 A。
此外，功能組分(C)選自與顆粒⑶不同的有機、無機和混合的有機-無機磨料顆粒，具有下限臨界溶解溫度LCST或上限臨界溶解溫度UCST的材料，氧化劑、鈍化劑、電荷反轉劑(charge reversal agent)、具有至少3個在含水介質中不可離解的輕基的有機多元醇，由至少一種具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的單體形成的低聚物和聚合物，配合或螯合劑，摩擦劑(frictive agent)，穩定劑，流變劑，表面活性劑，金屬陽離子和有機溶劑。
合適的有機磨料顆·粒(C)及其有效量例如由美國專利申請US 2008/0254628 Al，第4頁，第
段或國際申請WO 2005/014753 Al已知，其中公開了包含三聚氰胺和三聚氰胺衍生物，如乙酰胍胺、苯并胍胺和雙氰胺的固體顆粒。
合適的無機磨料顆粒(C)及其有效量例如由國際專利申請WO 2005/014753 Al，第12頁，第1-8行或美國專利US 6，068，787，第6欄，第41行至第7欄，第65行已知。
合適的混合的有機-無機磨料顆粒(C)及其有效量例如由美國專利申請US2008/0254628 Al，第 4 頁，第
段或 US 2009/0013609 Al，第 3 頁，第
段至第6頁，第
段已知。
合適的氧化劑(C)及其有效量例如由歐洲專利申請EP I 036 836 Al，第8頁，第
和
段或美國專利US 6，068，787，第4欄，第40行至第7欄，第45行或US7, 300,601 B2，第4欄，第18·-34行已知。優選使用有機和無機過氧化物，更優選無機過氧化物。
合適的鈍化劑(C)及其有效量例如由美國專利US 7, 300,601 B2，第3欄，第59行至第4欄，第9行或美國專利申請US 2008/0254628 Al，跨第4和5頁的第
段已知。
合適的配合或螯合劑(C)(也經常稱作摩擦劑)(參見美國專利申請US2008/0254628 Al，第5頁，第
段)或浸蝕劑或蝕刻劑(參見美國專利申請US2008/0254628 Al，第4頁，第
段)及其有效量例如由美國專利US 7, 300,601 B2，第4欄，第35-48行已知。最特別優選使用含至少一個，優選兩個，更優選三個伯氨基的氨基酸，尤其是甘氨酸，此外還有雙氰胺和三嗪，如三聚氰胺和水溶性的胍胺，特別是三聚氰胺、甲酰縮胍胺(formoguanamine)、乙酰胍胺和2,4- 二氨基-6-乙基-1,3, 5-三嗪。
合適的穩定劑(C)及其有效量例如由美國專利US 6，068，787，第8欄，第4_56行已知。
合適的流變劑(C)及其有效量例如由美國專利申請US 2008/0254628 Al，第5頁，第
段至第6頁，第
段已知。
合適的表面活性劑(C)及其有效量例如由國際專利申請WO 2005/014753 Al，第8頁，第23行，至第10頁，第17行或美國專利US 7, 300,601 B2，第5欄，第4行至第6欄，第8行已知。
合適的多價金屬離子(C)及其有效量例如由歐洲專利申請EP I 036 836 Al，第8頁，第
段至第9頁，第
段已知。
合適的有機溶劑(C)及其有效量例如由美國專利US 7, 361,603 B2，第7欄，第32-48行或美國專利申請US 2008/0254628 Al，第5頁，第
段已知。
顯示下限臨界溶解溫度LCST或上限臨界溶解溫度UCST的合適材料(C)例如描述在 H.Mor1、H.1waya、A.Nagai 和 T.Endo 的文章，Controlled synthesis ofthermoresponsive polymers derived from L-proline via RAFT polymerization,在Chemical Communication, 2005,4872-4874 中；或在 D.Schmal johann 的文章，Thermo-andpH-responsive polymers and drug delivery, Advanced Drug Delivery Reviews,第58(2006)卷，1655-1670 中或在美國專利申請 US 2002/0198328 AUUS 2004/0209095 Al、US 2004/0217009 AUUS 2006/0141254 AUUS 2007/0029198 AUUS 2007/0289875 AUUS2008/0249210 AUUS 2 008/0050435 Al or US 2009/0013609 Al，美國專利US 5,057,560、US 5，788，82 和 US6, 682，642 B2，國際專利申請 WO 01/60926 Al、W02004/029160 Al、WO2004/0521946 Al、WO 2006/093242 A2 或 WO 2007/012763 Al 中，在歐洲專利申請 EP O583 814 AUEP I 197 587 BI 和 EP I 942 179 Al，或德國專利申請 DE 26 10 705 中；或它們以商標 Pluronic 、Tetronic 和 Basensol 由 BASF Corporation 和 BASF SE 銷售，其證明為 BASF Corporation 的公司宣傳冊"PluronicTM&Tetronic Block CopolymerSurfactants, 1996"或美國專利 US 2006/0213780 Al。
在第一有利并優選的實施方案中，本發明組合物含至少一種電荷反轉劑(C)。
原則上，可使用常用于CMP領域中的任何已知的電荷反轉劑(C)。電荷反轉劑(C)優選選自含有至少一個選自以下的陰離子基團的單體、低聚和聚合的化合物:羧酸根、亞磺酸根、硫酸根、膦酸根和磷酸根基團。特別合適的電荷反轉劑(C)的實例例如描述在美國專利US 7, 2065,055 B2，第4欄，第24-45行或日本專利申請JP 2005-336400 A (參見權利要求1-6)中。
本發明組合物中電荷反轉劑(C)的濃度可在寬范圍內變化，且因此可最有利地適應本發明給定組合物、方法和用途的特定要求。電荷反轉劑(C)優選以使得二氧化鈰與電荷反轉劑(C)的重量比為10-2000，更優選20-1000的量使用。
在第二有利并優選的實施方案中，本發明組合物含有至少一種有機多元醇(C)，更優選至少兩種具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的有機多元醇(C)和/或由至少一種具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的單體形成的低聚物和聚合物。
有機多元醇(C)更優選選自單糖、二糖、低聚糖、多糖、脫氧糖、氨基糖、醛糖酸、酮糖醒酸(ketoaldonic acid)、糖醒酸、醒糖二酸(aldaric acid)、糖醇和環醇,甚至更優選單糖和環醇，特別優選半乳糖和肌肉-、s_、粘質_、手性_、新_、異_、表_和順_肌醇。最優選將半乳糖和肌肉肌醇用作有機多元醇(C)。
本發明組合物中有機多元醇(C)的濃度可在寬范圍內變化，且因此可最有利地適應本發明組合物、方法和用途的特定要求。本發明組合物優選優選以0.001-5重量％，更優選0.005-4重量％，甚至更優選0.01-2重量％，最優選0.01-1重量％的量包含有機多元醇(C)，其中重量百分數基于本發明組合物的全部重量。
在第三個最有利且最優選的實施方案中，本發明組合物含有上述電荷反轉劑(C)和有機多元醇(C)。
存在的話，功能組分(C)的含量可改變。(C)的總含量基于相應CMP組合物的總重量優選不超過10重量％ ( “重量指“百分重量”)，更優選不超過2重量％，最優選不超過0.5重量特別是不超過0.1重量％,如不超過0.01重量％。(C)的總含量基于相應組合物的總重量優選為至少0.0001重量％，更優選至少0.001重量％，最優選至少0.008重量％，特別是至少0.05重量％，如至少0.3重量％。
本發明組合物可任選包含至少一種與成分(A)和(B)明顯不同的pH調節劑或緩沖劑⑶。
合適的pH調節劑或緩沖劑⑶及其有效量例如由以下已知:歐洲專利申請EP I036 836 Al，第 8 頁，第
、
和
段，國際專利中請 WO 2005/014753 Al,第12頁，第19-24行，美國專利申請US 2008/0254628 Al，第6頁，第
段或美國專利US 7，300，601 B2，第5欄，第33-63行。pH調節劑或緩沖劑(D)的實例為氫氧化鉀、氫氧化銨、四甲基氫氧化銨(TMAH)、硝酸和硫酸。
存在的話，pH調節劑或緩沖劑(D)的含量可改變。(D)的總量基于相應CMP組合物的總重量優選不超過20重量％，更優選不超過7重量％，最優選不超過2重量％，特別是不超過0.5重量％,如不超過0.1重量％。(D)的總量基于相應組合物的總重量優選為至少0.001重量％，更優選至少0.01重量％，最優選至少0.05重量％，特別是至少0.1重量％，如至少0.5重量％。
優選使用上述pH調節劑(D)將本發明組合物的pH優選設置在3-10，更優選4-8，甚至更優選4-7，最優選5-7。
本發明組合物的制備未顯示任何特殊性，但可通過將上述成分(A)和(B)以及任選(C)和/或(D)溶解或分 散在含水介質，尤其是去離子水中而進行。為此，可使用常規和標準的混合方法和混合裝置，如攪拌容器、在線溶解器、高剪切葉輪、超聲混合器、均化器噴嘴或逆流混合器。可優選將如此獲得的本發明組合物過濾通過具有合適篩孔的過濾器，以除去粗粒顆粒，如固體的細碎分散的磨料顆粒(B)的聚集體或聚集物。
最令人驚訝的是，N-取代的二氮烯鎮二氧化物和K -羥基-二氮烯榻■氧化物鹽(A)最優異地適于本發明用途，即適于制造機械、電子和光學器件。
特別的是，電子器件為集成電路器件、液晶面板、有機電致發光面板、印刷電路板、微型機、DNA芯片、微型設備和磁頭；機械器件為高精度的機械器件；光學器件為光學玻璃，如光掩模、透鏡和棱鏡，無機導電膜，如氧化銦錫(ITO),光學集成電路,光學開關兀件,光學波導管，光學單晶，如光學纖維和閃爍器的端面，固體激光器單晶，用于藍色激光器LED的藍寶石基底，半導體單晶和用于磁盤的玻璃基底。
最優選的是，將N-取代的二氮烯榻■二氧化物和K -羥基-二氮烯榻■氧化物鹽(A)以及其中包含它們的本發明組合物用于集成電路器件的制造，所述集成電路器件尤其含結構尺寸低于50nm的大規模集成或非常大規模集成的集成電路。
最優選的是，本發明組合物極其適于本發明方法。
在本發明方法中，將用于電子、機械和光學器件，尤其是電子器件，最優選集成電路器件的基底材料與本發明組合物至少接觸一次并拋光，尤其是化學和機械拋光，直至獲得所需平坦度。
本發明方法顯示了其在半導體硅晶片的CMP中特定的優點，其中所述硅晶片具有包含低k或超低k材料的隔離層和氮化硅層和/或多晶硅層。
合適的低k或超低k材料以及制備絕緣介電層的合適方法例如描述在美國專利申請 US 2005/0176259 Al，第 2 頁，第
-
段，US 2005/0014667 Al，第 I 頁，第
段，US 2005/0266683 Al，第 I 頁，第
段和第 2 頁，第
段或 US2008/0280452 Al，第
-
段中或美國專利 US 7, 250, 391 B2，第 I 欄，第 49-54行或歐洲專利申請EP I 306 415 A2，第4頁，第
段。
本發明方法特別適合需要在圖案化的晶片基底上相對于氮化硅選擇性除去二氧化硅的淺溝槽隔離(STI)。在該方法中，使蝕刻的溝槽過充滿介電材料，如二氧化硅，用氮化硅隔離膜作為停蝕層將其拋光。在該優選實施方案中，本發明方法以從隔離膜除去二氧化硅為結束，同時使暴露的氮化硅和溝槽氧化硅的去除最小化。
本發明方法未顯示特殊性，而是可用常用于具有IC的半導體晶片的制造中CMP的方法和設備進行。
如本領域已知的，用于CMP的典型設備包含覆蓋有拋光墊的旋轉壓板。將晶片安裝在其上側向下面對拋光墊的夾持器或卡盤上。夾持器使晶片固定在水平位置。該拋光和夾持裝置的特定排列也作為硬壓板設計已知。夾持器可保留位于夾持器保留表面和未被拋光的晶片表面之間的夾持器墊。該墊可用作晶片緩沖墊。
在夾持器下，較大直徑的壓板通常也是水平定位并展現與待拋光晶片平行的表面。其拋光墊在平坦化方法期間接觸晶片表面。在本發明CMP方法期間，將本發明組合物以連續流或以逐滴形式施用至拋光墊上。
夾持器和壓板均圍 繞其各自的從夾持器和壓板垂直延伸的軸旋轉。旋轉的夾持器軸可在相對于旋轉壓板的位置上保持固定或可相對于壓板水平震蕩。夾持器的旋轉方向通常與壓板相同，但這不是必須的。夾持器和壓板的旋轉速度通常被設置為不同值，但這不是必須的。
通常而言,將壓板溫度設置在10-70°C的溫度下。
其它細節可結合附

圖1參考國際專利申請WO 2004/063301 Al，尤其是第16頁，第
段至第18頁，第
段。
經由本發明方法，可獲得具有IC的半導體晶片，其包含圖案化的低k和超低k材料層，尤其是二氧化硅層且具有優異的平坦度。因此，可獲得也具有優異的平坦度以及在最終完成的IC中具有優異的電功能的銅波紋圖案。實施例:
含有N-環己基-N'-羥基-二氮烯錯二氧化物鉀鹽的組合物1-3 (實施例1-3)和組合物Cl和C2 (對比實驗Cl和C2)的制備
對實施例1-3和對比實驗Cl和C2而言，組合物1_3和Cl和C2通過將成分溶解并分散在超純凈的去離子水中而制備。表I顯示了所用成分的量。
表1:用于組合物1-3和Cl和C2的制備的成分的量
權利要求
1.一種含水拋光組合物，其包含: (A)至少一種水溶性或水分散性化合物，其選自N-取代的二氮烯榻■二氧化物和N1-羥基-二氮烯榻■氧化物鹽；和 (B)至少一種類型的磨料顆粒。
2.根據權利要求1的含水拋光組合物，其特征在于N-取代的二氮烯錄■二氧化物(A)具有通式1: Rt-N+(-00 =N-OHJn ⑴， 其中變量R指包含或由至少一種選自以下的殘基組成的結構部分:不含或含至少一個雜原子和/或至少一個雙官能或三官能鏈接基團的單體、低聚及聚合，取代及未取代，飽和及未飽和的脂族和脂環族基團，以及不含或含至少一個雜原子的單體、低聚及聚合，取代及未取代的芳族基團；且其中指數η為1-1000的數字； N-取代的N'-羥基二氮烯錯氧化物鹽㈧具有通式II:{R[-N(-0)-N-0]-n}m(Mm+)n (II)， 其中變量R具有上述含義，M選自有機和無機，單體、低聚和聚合的陽離子，指數η和m均為1-2000的數字。
3.根據權利要求2的含水拋光組合物，其特征在于η和m均為1_10的整數。
4.根據權利要求3的含水拋光組合物，其特征在于其基于拋光組合物的全部重量含有0.0l-1OOOppm 化合物(A)。
5.根據權利要求1-4中任一項的含水拋光組合物，其特征在于所述磨料顆粒(B)選自氧化鋁、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鈰、氧化鋅及其混合物。
6.根據權利要求5的含水拋光組合物，其特征在于所述磨料顆粒(B)包含或由二氧化鋪組成。
7.根據權利要求5或6的含水拋光組合物，其特征在于所述磨料顆粒(B)通過動態光散射測量的平均粒徑為l-1000nm。
8.根據權利要求1-7中任一項的含水拋光組合物，其特征在于其基于拋光組合物的全部重量含有0.005-10重量％磨料顆粒(B)。
9.根據權利要求1-8中任一項的含水拋光組合物，其特征在于其含有至少一種與組分(A)和⑶不同的功能組分(C)。
10.根據權利要求9的含水拋光組合物，其特征在于所述功能組分(C)選自與顆粒(B)不同的有機、無機和混合的有機-無機磨料顆粒，具有下限臨界溶解溫度LCST或上限臨界溶解溫度UCST的材料，氧化劑、鈍化劑、電荷反轉劑、具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的有機多元醇，由至少一種具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的單體形成的低聚物和聚合物，配合或螯合劑，摩擦劑，穩定劑，流變劑，表面活性劑，金屬陽離子和有機溶劑。
11.根據權利要求10的含水拋光組合物，其特征在于所述電荷反轉劑(C)選自含有至少一個選自以下的陰離子基團的單體、低聚和聚合的化合物:羧酸根、亞磺酸根、硫酸根、膦酸根和磷酸根基團；以及在于具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的有機多元醇，由至少一種具有至少3個在含水介質中不可離解的羥基的單體形成的低聚物和聚合物選自單糖、二糖、低聚糖、多糖、脫氧糖、氨基糖、醛糖酸、酮糖醛酸、糖醛酸、醛糖二酸、糖醇和環醇。
12.根據權利要求1-8中任一項的含水拋光組合物，其特征在于其含有至少一種與組分㈧和⑶不同的pH調節劑或緩沖劑(D)。
13.根據權利要求1-12中任一項的含水拋光組合物，其特征在于其pH值為3-10。
14.一種拋光電子、機械和光學器件用基底材料的方法，其包括使所述基底材料與含水拋光組合物至少接觸一次并拋光所述基底材料直至獲得所需平坦度，其特征在于使用根據權利要求1-13中任一項的含水拋光組合物。
15.根據權利要求14的方法，其特征在于所述基底材料包含至少一層包含或由至少一種介電材料組成的層。
16.N-取代的二氮烯榻■二氧化物和K -羥基-二氮烯榻■氧化物鹽在制造機械、電子和光學器件中的用途。
17.根據權利要求16的用途，其特征在于所述電子器件為集成電路器件、液晶面板、有機電致發光面板、印刷電路板、微型機、DNA芯片、微型設備和磁頭；機械器件為高精度的機械器件；光學器件為光學玻璃，如光掩模、透鏡和棱鏡，無機導電膜，如氧化銦錫(ITO),光學集成電路，光學開關元件，光學波導管，光學單晶，如光學纖維和閃爍器的端面，固體激光器單晶，用于藍色激光器LED的藍寶石基底，半導體單晶和用于磁盤的玻璃基底。
18.根據權利要求17的用途，其特征在于所述集成電路器件含有結構尺寸低于50nm的大規模集成或非常大規模集成的 集成電路。
全文摘要
本發明涉及一種含水拋光組合物，其包含(A)至少一種水溶性或水分散性化合物，其選自N-取代的二氮烯二氧化物和N′-羥基-二氮烯氧化物鹽；和(B)至少一種類型的磨料顆粒；化合物(A)在制造電子、機械和光學器件中的用途以及利用所述含水拋光組合物拋光電子、機械和光學器件用基底材料的方法。
文檔編號C09G1/04GK103210047SQ201180053707
公開日2013年7月17日 申請日期2011年9月6日 優先權日2010年9月8日
發明者B·諾勒, D·弗朗茨, Y·李, S·A·奧斯曼易卜拉欣, H·W·平德爾, S·S·文卡塔拉曼 申請人:巴斯夫歐洲公司