專利名稱：用于有機半導體器件的空穴導電層的摻雜材料及其應用的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于在有機電子器件中的空穴注入層的新型的金屬有機物材料，其中所述有機電子器件尤其為如有機發光二極管(OLED)或者有機發光電化學池(OLEEC)或者有機場效應晶體管或者有機太陽能電池或者有機光檢測器的發光器件。
背景技術：
在參考文獻中多次說明用于摻雜具有電子受主的有機金屬以提高空穴導電層的導電性(例如 JAL G. He, O. Schneider, D. Qin, X. Zhou, M. Pfeiffer K. Leo, Journal ofApplied Physics 95,5773-5777(2004))。通過摻雜能夠將材料的導電性提高一定數量級。 原則上存在用于空穴運輸層的、尤其低成本的摻雜材料的其他需要。
發明內容
本發明的目的是，提供一種使用在空穴導電材料中的其他摻雜材料。因此，該目的的實現和本發明的主題是實現一種摻雜的空穴導電層以使用在有機電子器件中，所述空穴導電層至少包括空穴導電的基體和二次平面單核過渡金屬絡合物作為摻雜材料。此外，本發明的目的是提供這種空穴導電層的應用，以及最后提供一種有機電子器件。根據本發明的實施形式，摻雜材料是具有銅、鈀、鉬、鈷、或者鎳原子作為中心原子的二次平面單核過渡金屬絡合物。在此，每個下述絡合物形式稱作為二次平面的，所述絡合物形式與根據晶體結構分析的四面體的絡合物配置偏差大于通常的測量不精確性。在任何情況下都不限制圍繞中心原子的配位體平面的布置。優選相對于空穴導電的基體具有相對低的LUMO (分子最低未占軌道)，因為所述化合物在基體中的特征在于更高的路易斯(Lewis)酸度。因此，在那里摻雜效果尤其顯著。由于二次平面的特性，絡合物在總式相同的情況下能夠存在于其順式或者反式。在一般情況下，尤其在小的取代基R的情況下同樣良好地摻雜兩種同分異構體。下面，僅僅討論反式同分異構體來代表兩種同分異構體。對于二次平面過渡金屬絡合物的總體種類的例舉是具有銅2+作為中心原子的單核絡合物的種類。為了建立化合物的二次平面特性，優選橋聯的或者“二齒”的配位體，例如乙酰丙酮。當然，在銅作為中心原子的情況下比例如在鈀作為中心原子的情況更重，因為所述作為中心原子的銅無論如何示出構成二次平面金屬絡合物的趨勢。
權利要求
1.用于有機電子器件的空穴導電層，其中，包含單核二次平面過渡金屬絡合物摻雜材料被引入到空穴導電基體中，所述過渡金屬絡合物包含中心原子和配位體。
2.根據權利要求I所述的空穴導電層，其中所述中心原子選自下述過渡金屬Cu、Co、Ni,Pd,Pt0
3.根據上述權利要求之一所述的空穴導電層，其中所述配位體優選是二齒的配位體。
4.根據上述權利要求之一所述的空穴導電層，其中所述配位體選自乙酰丙酮(acac)、三氟乙酰丙酮(tfac)、六氟乙酰丙酮(hfac)、雙(6，6，7，7，8，8，8_七氟-2，2- 二甲基-3，5-辛二酮酸(fod)、雙(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚二酮酸(dpm)。
5.根據上述權利要求I至4之一所述的空穴導電層在有機電子器件中的應用。
6.具有摻雜的空穴導電層的有機電子器件，其中摻雜材料包括為單核的且二次平面的過渡金屬絡合物。
7.根據權利要求6所述的器件，所述器件是自發射的器件。
全文摘要
本發明涉及用于在有機電子器件中的空穴注入層的新型的金屬有機物材料，其中所述有機電子器件尤其為如有機發光二極管(OLED)或者有機發光電化學池(OLEEC)或者有機場效應晶體管或者有機太陽能電池或者有機光檢測器的發光器件。如尤其為有機發光二極管(
圖1)的有機電子器件的輝度(cd/m2)、效率(cd/A)和使用壽命(h)與在發光層中的激子密度和載流子注入質量極其相關，并且此外也通過所述激子密度和載流子注入質量來限制。本發明描述一種由二次平面單核過渡金屬絡合物制成的空穴注入層，例如銅2+-絡合物，所述過渡金屬絡合物嵌入到空穴導電的基體中。
文檔編號C09K11/06GK102947414SQ201180018027
公開日2013年2月27日 申請日期2011年3月31日 優先權日2010年3月31日
發明者大衛·哈特曼, 扎比內·希什科夫斯基, 安德烈亞斯·卡尼茨, 安娜·馬爾滕貝格爾, 維布克·薩爾費特, 岡特·施密德, 揚·豪克·韋姆肯 申請人:歐司朗光電半導體有限公司