接合方法和接合體的制作方法

專利名稱：接合方法和接合體的制作方法
技術領域：
本發明涉及接合方法及接合體。
背景技術：
近年，作為在基板上形成以規定形狀構圖的膜的方法，已知通過將含有膜的構成 材料的液狀材料以形成規定形狀的方式利用涂布法涂布在基板上來形成構圖的液狀覆膜， 在通過將該液狀覆膜干燥，從而形成以規定形狀構圖的膜的方法(例如，專利文獻1參照)。在使用這樣的液狀材料形成構圖的膜的形成方法中，為了將兩個基板所具有的導 電性端子彼此電接合，也可以將含有熱或光固化性樹脂和導電性粒子的接合膜應用于在基 板所具有的端子上形成為規定形狀的情況。然而，對這樣的在端子上涂布液狀材料的方法而言，由于液狀材料對基板的浸潤 性，涂布為規定形狀的液狀覆膜會在基板上浸潤擴展，其結果是，存在形成的膜的構圖精度 下降的問題。專利文獻日本特開2006-289226號公報

發明內容
本發明的目的在于，提供可以使用以高成膜精度構圖的接合膜將兩個基材所具有 的端子彼此電接合的接合方法，以及具有利用該接合方法進行接合的接合膜的接合體。通過下述的本發明可以達成上述目的。本發明的接合方法的特征在于，具有以下工序第一工序，準備至少在表面附近具有相對于含有硅酮材料和導電性粒子的液狀材 料的疏液性的轉印用基材、將經由接合膜而相互電接合的具有第一端子的第一基材及具有 第二端子的第二基材；第二工序，在上述轉印用基材的賦予上述疏液性的一表面側涂布上述液狀材料而 形成以規定形狀構圖的液狀覆膜后進行干燥，得到以上述規定形狀構圖的接合膜；第三工序，通過賦予上述接合膜能量，使得在上述接合膜的表面附近表現粘接性， 經由該接合膜將上述轉印用基材與上述第一基材接合后，通過將上述轉印用基材與上述第 一基材分離，將上述接合膜從上述轉印用基材轉印至上述第一基材；第四工序，通過對被轉印的上述接合膜賦予能量，使得在上述接合膜的表面附近 表現粘接性，經由該接合膜將上述第一基材與上述第二基材接合，由此得到上述第一基材 與上述第二基材彼此接合而成的預接合體；第五工序，沿上述接合膜的厚度方向對上述預接合體進行加壓，維持經由該接合 膜的上述第一基材與上述第二基材的接合，并且經由上述接合膜中的上述導電性粒子將上 述第一端子與上述第二端子電連接，由此得到接合體。由此，經由以高成膜精度構圖的接合膜，可以將第一基材所具有的第一端子與第 二基材所具有的第二端子電接合。
在本發明的接合方法中，優選在使上述第一基材和上述第二基材以它們的端子彼 此對置的方式重合時，上述第一端子和上述第二端子被設置在互相重疊的位置。通過使用本發明的接合方法將這樣構成的第一基材與第二基材接合，可以經由接 合膜將第一端子與第二端子電連接。在本發明的接合方法中，優選上述規定形狀在第三工序中將上述接合膜轉印于上 述第一基材時，形成與上述第一端子的形狀對應的形狀。由此，使用與第一端子對應設置的接合膜，可以將第一端子與第二端子電連接。在本發明的接合方法中，優選在上述第二工序中，在上述第一基材的經由上述接 合膜與上述第二基材接合的一側表面的大致整個表面上形成不含上述導電性粒子的接合 膜。

由此，可以使接合膜彼此之間的接合更加牢固。在本發明的接合方法中，優選在上述第二工序中，在上述第二基材的經由上述接 合膜與上述第一基材接合的一側表面的大致整個表面上形成不含上述導電性粒子的接合膜。由此，可以使接合膜彼此之間的接合更加牢固。在本發明的接合方法中，在上述第二工序中，優選上述液狀覆膜通過使用液滴噴 出法將上述液狀材料以液滴形式供給來形成。利用液滴噴出法，可以以更高的成膜精度形成接合膜。在本發明的接合方法中，優選上述液滴噴出法是利用基于壓電元件的振動將上述 液狀材料從噴墨頭所具有的噴嘴孔以液滴形式噴出的噴墨法。利用噴墨法，可以將液狀材料以液滴形式，以優良的位置精度供給于作為目的的 區域(位置)。另外，由于通過對壓電元件的振動數和液狀材料的粘度等進行適宜設定，可 以較容易地對液滴的尺寸(大小)進行調整，因此只要使液滴的尺寸減小，即便是規定形狀 為細微的形狀，也可以可靠地形成對應于該形狀的液狀覆膜。在本發明的接合方法中，優選上述硅酮材料其主骨架由聚二甲基硅氧烷構成，且 該主骨架呈分枝狀。由此，以硅酮材料的分枝鏈彼此相互地纏繞的方式形成接合膜，因此所得的接合 膜具有特別優良的膜強度。在本發明的接合方法中，優選上述硅酮材料中上述聚二甲基硅氧烷所具有的甲基 的至少一個被苯基取代。由此，接合膜可以具有更優良的膜強度。 在本發明的接合方法中，優選上述硅酮材料具有多個硅烷醇基。由此，可以使硅酮材料所具有的羥基與聚酯樹脂所具有的羥基可靠地結合，可以 可靠地合成由硅酮材料與聚酯樹脂的脫水縮合反應而得到的聚酯改性硅酮材料。進而，使液狀覆膜干燥得到接合膜時，相鄰的硅酮材料所具有的硅烷醇基中的羥 基彼此會發生結合，所得的接合膜的膜強度變得優異。在本發明的接合方法中，上述硅酮材料優選是通過與聚酯樹脂與脫水縮合反應而 得到的一種聚酯改性硅酮材料。由此，可以使接合膜的膜強度更優良。
在本發明的接合方法中，優選聚酯樹脂由飽和多元酸與多元醇的酯化反應而得 到。由此，通過對基材粒子的構成材料、導電膜的構成材料進行適宜選擇，可以容易地 對導電性粒子的形狀、大小(平均粒徑等)、物性(導電性、密度等)等進行調整。在本發明的接合方法中，優選上述導電性粒子具有基材粒子和覆蓋該基材粒子的 表面的導電膜。由此，可以防止由導電性粒子的平均粒徑過小引起的、在液狀材料中導電性粒子 發生凝集。另外，可以防止導電性粒子的平均粒徑過大引起的、即使不進行壓縮在液狀覆膜 中導電性粒子彼此或導電性粒子與各基材接觸的概率的提高。在本發明的接合方法中上述導電性粒子的平均粒徑優選0. 3 100 μ m。 由此，可以防止導電性粒子的平均粒徑過小時，液狀材料中導電性粒子發生凝集。 另外，可以防止導電性粒子的平均粒徑過大引起的、即便不壓縮在接合膜中導電性粒子彼 此的接觸概率的提高、以及導電性粒子與第一端子或第二端子發生接觸的概率的提高。在本發明的接合方法中，上述接合膜的平均厚度優選為0. 5 500μπι。由此，可以既防止接合體的尺寸精度顯著地下降，又使第一基材與第二基材的接 合更加牢固。在本發明的接合方法中，在上述第三工序和第四工序中，優選可以通過使等離子 體與上述接合膜接觸來對上述接合膜賦予上述能量。由此，可以使接合膜在以極短時間(例如，幾秒左右)內活性化，結果可以在短時 間內制造接合體。在本發明的接合方法中，優選上述等離子體的接觸在大氣壓下進行。在大氣壓下進行的等離子體的接觸，S卩，利用大氣壓等離子體處理，由于接合膜的 周圍不會變成減壓狀態，因此在等離子體的作用下，例如，將構成接合膜的聚酯改性硅酮材 料所含的聚二甲基硅氧烷骨架所具有的甲基切斷、除去，使接合膜的表面附近體現粘接性 時，可以防止該切斷無用進行。在本發明的接合方法中，上述等離子體的接觸優選通過在對相互對置的電極之間 施加電壓的狀態下，在該電極之間導入氣體，由此將被等離子體化的上述氣體供給于上述 接合膜來完成。由此，可以容易且可靠地使等離子體與接合膜接觸，可以使接合膜的表面附近可 靠地表現粘接性。在本發明的接合方法中，優選對上述第一端子和上述第二端子實施用于提高與上 述接合膜的密合性的表面處理。由此，為了形成接合膜，可以特別地將各端子的表面最適化。本發明的接合體的特征在于，經由利用本發明的接合方法形成的接合膜將上述第 一基材與上述第二基材接合，并且經由上述導電性粒子將上述第一端子與第二端子電連接。由此，可以得到可靠性高的接合體。


圖1為表示在轉印用基材上涂布液狀材料時使用的液滴噴出裝置的立體圖。
圖2為表示圖1所示的液滴噴出裝置中的液滴噴出頭的圖，(a)為剖面立體圖，(b) 為剖面圖。圖3為用于說明本發明的接合方法的第1實施方式的圖(縱剖面圖)。圖4為用于說明本發明的接合方法的第1實施方式的圖(縱剖面圖)。圖5為用于說明本發明的接合方法的第1實施方式的圖(縱剖面圖)。圖6為表示使等離子體與接合膜接觸時使用的大氣壓等離子體裝置的簡圖。圖7為用于說明本發明的接合方法的第2實施方式的圖(縱剖面圖)。 圖8為用于說明本發明的接合方法的第2實施方式的圖(縱剖面圖)。圖9為表示本發明的接合體所應用的透射型液晶顯示裝置的俯視圖。圖10為圖9所示的液晶顯示裝置所具有的液晶面板的分解立體圖。圖11為圖9中A-A線剖面圖。圖12為圖9中B-B線剖面圖。符號的說明1......接合體1，......預接合體21......轉印用基材22......第一基材23···第二基材210、220、230......接合面211......疏液膜212......母材221......第一端子231......第二端子3、3，......接合膜30......液狀覆膜31......液滴32......表面35......液狀材料38......導電性粒子3C......空間41......膜形成區域42......非膜形成區域500...液滴噴出裝置501...容器502···噴出掃描部503...液滴噴出機構504...第一位置控制裝置506...工作臺508...第二位置控制裝置
510...管512...控制機構514...液滴噴出頭(噴墨頭)518...噴嘴520...腔室 522. · ·隔壁524...振動器524A、524B...電極524C···壓電元件526...振動板528...噴嘴板529...儲液部530...供給部531 …孔401......液晶顯示裝置402......液晶面板403......驅動IC封裝405......輸入用配線基板406......背光板407......下基板407A......伸出區域408......上基板409......密封件410......液晶層411......像素電極412......信號電極413......開關元件414......偏振板415......掃描電極416......有色層417......黑矩陣418......偏振板419......驅動用配線圖案419a,422a......配線420......可撓性基板421......驅動 IC422......配線圖案423......輸入用配線圖案1000......大氣壓等離子體裝置
1002......搬運裝置1010......頭1101......頭主體1102、1104......間隙1103......下表面1015......施加電極1017......高頻電源

1018......氣體供給流路1019......對置電極1181......開口部1020......移動工作臺E......電場G......處理氣體ρ......等離子體發生區域W......被處理基板
具體實施例方式以下，基于附圖所示的優選實施方式，對本發明的接合方法和接合體進行詳細地 說明。在說明本發明的接合方法和接合體之前，首先對在本發明的接合方法中供給液狀 材料時使用的液滴噴出裝置的一例進行說明。〈液滴噴出裝置〉圖1表示在轉印用基材上涂布液狀材料時使用的液滴噴出裝置的立體圖，圖2為 表示圖1所示的液滴噴出裝置中的液滴噴出頭的圖，(a)為剖面立體圖，(b)為剖面圖。如圖1所示，本工序中使用的液滴噴出裝置500具有保存形成后述的接合膜3時 使用的液狀材料35的容器501、管510、經由管510從容器501供給液狀材料35的噴出掃 描部502。噴出掃描部502具有具有液滴噴出頭(噴墨頭)514的液滴噴出機構503、控制 液滴噴出機構503的位置的第一位置控制裝置504(移動機構)、保持用于形成后述的接合 膜3的轉印用基材21的工作臺506、控制工作臺506的位置的第二位置控制裝置508 (移動 機構)、制裝機構512。容器501與液滴噴出機構503中的液滴噴出頭514通過管510進行 連接，并通過壓縮空氣從容器501向液滴噴出頭514供給液狀材料35。控制機構(控制裝置)512例如由內置運算部和存儲器等的微型計算機或個人電 腦等計算機構成，信號(輸入)從圖中未示出的操作部分別隨時輸入于控制機構512。另外，控制機構512基于來自操作部的信號等，根據預先設定的程序分別控制液 滴噴出裝置500的各部的動作(驅動)。根據來自控制機構512的信號，第一位置控制裝置504驅使液滴噴出機構503沿 著X軸方向和與X軸方向垂直的ζ軸方向移動。進而，第一位置控制裝置504具有圍繞與 Z軸平行的軸而使液滴噴出機構503旋轉的功能。在本實施方式中，Z軸方向為與鉛直方 向(即重力加速度的方向)平行的方向。根據來自控制機構512的信號，第二位置控制裝置508使工作臺506沿著與X軸方向和Z軸方向均垂直的Y軸方向移動。進而，第二位置 控制裝置508具有使工作臺506圍繞與Z軸平行的軸旋轉的功能。工作臺506具有與X軸方向和Y軸方向均平行的平面。另外，工作臺506以能夠 將賦予液狀材料35而形成接合膜3的轉印用基材21在該平面上固定或保持的方式構成。如上所述，液滴噴出機構503基于第一位置控制裝置504的控制沿著X軸方向移 動。另一方面，工作臺506基于第二位置控制裝置508的控制沿著Y軸方向移動。S卩，通過 第一位置控制裝置504和第二位置控制裝置508，改變液滴噴出頭514相對于工作臺506的 相對位置(在工作臺506上保持的轉印用基材21與液液滴噴出機構503相對地移動)。

控制機構512，以從外部信息處理裝置接受表示將噴出液狀材料35的相對位置的 噴出數據的方式構成。將液狀材料35供給轉印用基材21上時，一邊使液滴噴出頭514與轉印用基材21 進行相對掃描，一邊將液狀材料35噴出于轉印用基材21上。即，通過第二位置控制裝置 508的動作，可以使保持有轉印用基材21的工作臺506沿著Y軸方向移動，一邊從液滴噴出 機構503下方通過，一邊從液滴噴出機構503所具有的液滴噴出頭514的噴嘴518噴出液 狀材料35的液滴(墨液滴)31，附在轉印用基材21上的膜形成區域41上(中彈)。以下， 有時將該動作稱為“涂布掃描(液滴噴出頭514與轉印用基材21的主掃描)”。接著，在將該液狀材料35供給于轉印用基材21上的工序中，通常將上述涂布掃描 (掃描)進行多次。此外，上述涂布掃描的次數當然也可以為1次。在本實施方式中，如圖2(a)和(b)所示，液滴噴出頭514由噴墨頭構成。S卩，本實 施方式中說明的液滴噴出裝置為噴墨裝置。液滴噴出頭514具有振動板526、噴嘴板528。儲液部529位于振動板526與噴嘴 板528之間，并且該儲液部529始終填充有從容器501經由管510和孔531供給的液狀材 料35。另外，在振動板526與噴嘴板528之間設置有多個隔壁522。并且，由振動板526、 噴嘴板528、一對隔壁522圍出的部分為腔室(墨液室)520。由于腔室520與噴嘴518對 應設置，因此腔室520的個數和噴嘴518的個數相同。在腔室520中經由處于一對隔壁522 之間的供給口 530，從儲液部529供給液狀材料35。在振動板526上具有對應于各腔室520的振動器524。振動器524含有作為驅動元 件的壓電元件(piezoelectric element) 524C、夾著壓電元件524C的一對電極524A、524B。 通過在該一對電極524A、524B之間施加(給與)驅動電壓(信號)，振動板526追隨壓電元 件524C的振動而振動，從而將液狀材料35從對應的噴嘴518以液滴31噴出。這時，通過調整上述驅動電壓(例如，驅動電壓的大小等)，可以對從噴嘴518噴出 的液狀材料35的每次噴出動作的噴出量(液滴量)調整。此外，可以調整噴嘴518的形狀，以使從噴嘴518向Z軸方向噴出液狀材料35。控制機構512可以是以多個振動器524的各自相互獨立地施加驅動電壓的方式構 成的。即，從噴嘴518噴出的液狀材料35的每次噴出動作的噴出量，可以根據來自控制機 構512的信號，即驅動電壓每次對噴嘴518進行控制。另外，控制機構512可以對在涂布掃 描之間進行噴出動作的噴嘴518以及不進行噴出動作的噴嘴518進行設定。此外，由含有一個噴嘴518、與噴嘴518對應的腔室520、與腔室520對應的振動器524的部分構成噴出部。在一個液滴噴出頭514中，存在與噴嘴518的數量相同的上述噴出部。通過使用上述的液滴噴出裝置500，在轉印用基材21上以液滴31供給液狀材料 35，可以將液狀材料35供給至轉印用基材21的接合面(上表面)210的所需的位置。由此， 可以以與膜形成區域41的形狀對應的方式在轉印用基材21上可靠地形成液狀覆膜30，進 而形成接合膜3。即，在轉印用基材21上可以可靠地形成以規定形狀構圖的液狀覆膜30 (接 合膜3)。此外，在液滴噴出頭514中，作為驅動元件也可以使用靜電制動器代替上述壓電 元件。另外，在液滴噴出頭514中也可以是作為驅動元件使用電熱轉換元件，利用基于該電 氣熱轉換元件的材料的熱膨脹來噴出液狀材料35的吹泡(Bubble Jet)”方式(“Bubble Jet”為注冊商標)的構成。在本發明的接合方法中，使用以上的液滴噴出裝置，可以將以規定形狀構圖的接 合膜3形成在轉印用基材21上，將在該轉印用基材21上形成的接合膜3，以與第一基材22 所具有的第一端子22對應的方式轉印于第一基材22上后，利用該接合膜3將第一基材22 與第二基材23接合，由此可以將這些基材22、23所具有的第一端子221和第二端子231電 連接。以下，對本發明的接合方法進行說明。 〈接合方法〉本發明的接合方法具有以下工序第一工序，準備至少在表面附近具有相對于含 有硅酮材料和導電性粒子38的液狀材料35的疏液性的轉印用基材21、將經由接合膜3而 相互電接合的具有第一端子221的第一基材22和具有第二端子231的第二基材23 ；第二工 序，在上述轉印用基材21的賦予上述疏液性的一表面210側涂布上述液狀材料35而形成 以規定形狀構圖的液狀覆膜30后進行干燥，從而得到以上述規定形狀構圖的接合膜3 ；第 三工序，通過賦予上述接合膜3能量，使得在上述接合膜3的表面附近表現粘接性，經由該 接合膜將上述轉印用基材21與上述第一基材22接合后，通過將上述轉印用基材21與上述 第一基材22分離，將上述接合膜3從上述轉印用基材21轉印至上述第一基材22 ；第四工 序，通過對被轉印的上述接合膜3賦予能量，使得在上述接合膜3的表面附近表現粘接性， 經由該接合膜3將上述第一基材22與上述第二基材23接合，由此得到上述第一基材21與 上述第二基材23彼此接合而成的預接合體1’ ；第五工序，沿上述接合膜3的厚度方向對上 述預接合體1’進行加壓，維持經由該接合膜3的上述第一基材22與上述第二基材23的接 合，并且經由上述接合膜3中的上述導電性粒子38，將上述第一端子221與上述第二端子 231電連接，由此得到接合體1。根據該方法，可以在作為轉印用基材21的目的的區域以高成膜精度形成以上述 規定形狀構圖的、以硅酮材料作為原材料的接合膜3，可以將該接合膜3轉印于第一基材 22，因此，通過使該接合膜3的表面附近表現粘接性，可以將兩個基材22、23彼此牢固地接
I=I ο另外，與各基材22、23所具有的第一端子221和第二端子231對應地形成接合膜 3，經由該接合膜3所含的導電性粒子38，可以將這些端子221、231彼此電連接。因此，當在 各基材22、23中分別設有多個端子221、231時，可以可靠地防止在相鄰的端子221彼此間，以及相鄰的端子231彼此間發生短路。以下，對本發明的接合方法的第1實施方式的每個工序進行詳述。《第1實施方式》 圖3 圖5是用于說明本發明的接合方法的第1實施方式的圖(縱剖面圖)，圖6 為表示使等離子體與接合膜接觸時使用的大氣壓等離子體裝置的簡圖。此外，在以下的說 明中，將圖3 圖6中的上側稱為“上”，下側稱為“下”。本實施方式的接合方法為以下方法將在轉印用基材21上以規定形狀構圖形成 的接合膜3以與第一基材22所具有的第一端子22對應的方式轉印于第一基材22上后，經 由接合膜3將第一基材22與第二基材23接合，并且經由接合膜3 (導電性粒子38)將第一 基材22所具有的第一端子221與第二基材23所具有的第二端子231電連接。[1]首先，準備表面附近具有疏液性的轉印用基材21、將要經由接合膜3而相互電 接合的具有第一端子221的第一基材22和具有第二端子231的第二基材23 (第一工序)。轉印用基材21只要是在表面附近具有疏液性的基材，任意構成的物質均可，例如 可舉出，如圖3(a)所示那樣在母材212的上表面設有具有疏液性的疏液膜211的基材。另外，疏液膜211可以舉出含有氟系材料的膜、含具有氟原子的偶聯劑的單分子 膜等。氟系材料之中，作為氟系有機材料的具體例，可舉出例如聚四氟乙烯(PTFE)、四氟 乙烯_全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、全氟乙烯-丙烯共 聚物(FEP)和乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)等。另一方面，作為氟系無機材料的具體 例，可舉出例如氟化鈦酸鉀、硅化氟化鉀、氟化鋯酸鉀和硅氟酸等。另外，作為含有氟原子的偶聯劑，可舉出十三氟_1，1，2，2四氫辛基三乙氧基硅 烷、十三氟_1，1，2，2四氫辛基三甲氧基硅烷、十三氟_1，1，2，2四氫辛基三氯硅烷、三氟丙 基三甲氧基硅烷、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等。作為母材212的構成材料，沒有特別限制，可舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯_丙烯共 聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、聚丁烯-1、乙烯_乙酸乙烯酯共聚物 (EVA)等聚烯烴、環狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰 亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚-(4-甲基戊烯-1)、離聚物、丙烯酸系樹脂、聚甲基丙烯 酸甲酯(PMMA)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS 樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯基醇共聚物(EV0H)、 聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚對 苯二甲酸環己酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺、聚縮醛 (POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、多芳基化物、芳香族聚酯(液晶聚合 物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟系樹脂、苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、 聚酯系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反式聚異戊二烯系、氟橡膠系、氯化聚乙烯系等各種熱塑性 彈性體，環氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、密胺樹脂、芳族聚酰胺(aramid)系樹脂、不飽和聚 酯、硅酮樹脂、聚氨酯等、或以這些為主的共聚物、混合體、聚合物合金等樹脂系材料，Fe、 Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm 之類的金屬、或含 有這些金屬的合金、碳鋼、不銹鋼、銦錫氧化物(ITO)、砷化鎵之類的金屬系材料，單晶硅、多 晶硅、非晶質硅之類的硅系材料，硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸堿性玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、鉛(堿性)玻璃、鋇玻璃、硼硅酸玻璃之類的玻璃系材料，氧化鋁、氧化鋯、MgAl2O4、鐵酸 鹽(ferrite)、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢之類的陶瓷 系材料，石墨之類的碳系材料，或將以上各材料的1種或2種以上組合而成的復合材料等。另外，第一基材22只要是以與第二基材23所具有的第二端子231相對應的方式 形成第一端子221，就可以是任意構成，例如可舉出在母材上形成規定圖案的配線，且在該 配線的端部設有第一端子221，而該第一端子221從第一基材22的一表面側露出的構成。進而，第二基材23只要是與第一基材22所具有的第一端子221相對應地形成第 二端子231，就可以是任意構成，例如可舉出在母材上形成規定圖案的配線，且在該配線的 端部設有第二端子231，而該第二端子231從第二基材23的一表面側露出的構成。此外，作為第一基材22和第二基材23的母材，可舉出由在前述轉印用基材21所 具有的母材212中列舉的構成材料中的絕緣性材料構成的母材。進而，第一基材22的母材的構成材料和第二基材23的母材的構成材料可以分別 相同，也可以不同。

另外，優選第一基材22的母材的熱膨脹率與第二基材23的母材的熱膨脹率大致 相等。若它們的熱膨脹率大致相等，在將第一基材22與第二基材23接合時，其接合界面上 難以產生與熱膨脹相伴的應力。其結果是，在最終得到的接合體1中，可以可靠地防止剝罔。此外，即使在第一基材22的母材的熱膨脹率與第二基材23的母材的熱膨脹率互 相不同時，通過在后述的工序中，使接合第一基材22與第二基材23時的條件最適化，也可 以將它們以高尺寸精度牢固地接合，這些在后文會詳述。另外，優選兩個基材22、23的母材互相具有不同的剛性。由此，可以將兩個基材 22,23更牢固地接合。進而，對于各基材22、23的母材的形狀而言，只要為分別具有支持接合膜3的面那 樣的形狀即可，例如，可以為板狀(層狀)、塊狀(塊狀)、棒狀等。此外，在本實施方式中，如圖3 5所示，分別將各基材22、23的母材制成板狀。由 此，各基材22、23的母材變得易于彎曲，在將兩個基材22、23重疊時，成為按照互相的形狀 可以充分地變形的基材。因此，使兩個基材22、23重疊時的密合性會提高，最終得到的接合 體1中的接合強度提高。另外，通過各基材22、23的母材的彎曲，可以期待對在接合界面產生的應力的一 定程度的緩和作用。此時，各基材22、23的母材的平均厚度沒有特別限制，但是優選0. 01 IOmm左 右，更優選0. 1 3mm左右。如后所述，在經由接合膜3使第一基材22與第二基材23重疊而接合時，第一端子 221和第二端子231以它們彼此(在本實施方式中指每兩個所設的端子221、231彼此)相 互對應即相互重合的方式，分別從各基材22、23的一表面突出設置。另外，作為配線和端子221、231的構成材料，只要分別是具有導電性的材料即可， 沒有特別限定，可舉出例如銅、鋁、鎳、鈷、鉬、金、銀、鉬、鉭或含有這些的合金等金屬材料， 炭黑、碳納米管、富勒烯等碳系材料、聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚(對亞苯基)、聚 (對苯基乙烯)、聚芴、聚咔唑或它們的衍生物等電子導電性高分子材料，在聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚氧化乙烯、聚乙烯基縮丁醛、聚乙烯基咔唑、乙酸乙烯酯等基質樹脂中分散了離 子性物質的離子導電性高分子材料，銦錫氧化物(ITO)、氟摻雜錫氧化物(FTO)、錫氧化物 (SnO2)、銦氧化物(IO)等導電性氧化物材料之類的各種導電性材料，可以使用這些中的1 種或組合2種以上使用。此外，第一端子221的構成材料與第二端子231的構成材料可以分別相同，也可以 不同。其次，根據需要，可以實施用于提高第一端子221和第二端子231的表面與接合膜 3的密合性的表面處理。由此，將第一端子221和第二端子231的表面清潔化和活性化，接 合膜3易于對第一端子221和第二端子231進行化學性作用。其結果，在后述的工序中，將 接合膜3接合于第一端子221和第二端子231時，可以提高第一端子221和第二端子231 與接合膜3的接合強度。 作為該表面處理，沒有特別限制，可舉出例如濺射處理，噴砂處理之類的物理性表 面處理，使用氧等離子體，氮等離子體等的等離子體處理，電暈放電處理，蝕刻處理，電子線 照射處理，紫外線照射處理，臭氧暴露處理之類的化學性表面處理，或將這些進行組合的處 理等。尤其是作為表面處理，通過進行等離子體處理或紫外線照射處理，可以使第一端子 221和第二端子231更加清潔化和活性化。其結果是，可以特別地提高第一端子221和第二 端子231與接合膜3的接合強度。此外，上述的表面處理可以根據根據需要進行，在不需要特別高接合強度時，可以 省略。[2]接著，在轉印用基材21的形成有疏液膜211的一表面側涂布含有硅酮材料和 導電性粒子38的液狀材料35而形成以規定形狀構圖的液狀覆膜30后進行干燥，由此得到 以上述規定形狀構圖的接合膜3 (第二工序)。以下，對本工序進行詳述。[2-1]首先，使用例如基于前述的液滴噴出裝置500的液滴噴出法，以液滴31形式 將含有硅酮材料和導電性粒子38的液狀材料35供給于轉印用基材21的作為形成有疏液 膜211的一側表面的接合面210上。由此，可以在如圖3(a)所示的接合面210的膜形成區域41上選擇性地供給液滴 31，而不在接合面210的非膜形成區域42上供給。其結果是，如圖3(b)所示，在轉印用基 材21上形成膜形成區域41的形狀，即以規定形狀構圖的液狀覆膜30。此外，本說明書中，所謂“規定形狀”是指與需要基于接合膜3進行接合的部位相 對應的形狀，即，在下一工序[3]中，將接合膜3轉印于第一基材22時，接合膜3形成與第 一端子221的形狀對應的形狀，在本實施方式中，是指與轉印用基材21的膜形成區域4對 應的形狀。這里，在本實施方式中，作為將液狀材料選擇性地涂布于接合面220的膜形成區 域41 (供給)的方法，可以使用利用液滴噴出裝置500將液狀材料35以液滴31形式供給 的液滴噴出法。通過使用液滴噴出法，將液狀材料位置選擇性地供給，可以可靠地防止液狀材料 的浪費。另外，與例如在基板上形成保護層并將其作為掩模使用而進行構圖膜的情況相比， 可以實現直至形成接合膜3為止的工序數的削減、時間的縮短以及制造成本的削減。
進而，在本實施方式中，液滴噴出法可以使用具有作為液滴噴出頭514的噴墨頭 的噴墨法。根據噴墨法，可以以優良的位置精度將液狀材料以液滴31形式供給于目的區域 (位置)。另外，通過對壓電元件524C的振動數和液狀材料的粘度等進行適宜設定，可以比 較容易地調整液滴31的尺寸(大小)，因此，只要使液滴31的尺寸變小，即便是膜形成區域 41的形狀為細微的形狀，可以可靠地形成與膜形成區域41的形狀對應的液狀覆膜30。液狀材料的粘度(25°C )通常優選為0. 5 200mPa ·8左右，更優選為3 20mPa-s 左右。通過將液狀材料的粘度設為該范圍，可以更穩定地進行液滴的噴出，而且可以噴出能 夠描畫細微形狀的膜形成區域41的大小的液滴31。進而，在下面的工序[2-2]中，使以該 液狀材料構成的液狀覆膜30干燥時，可以使液狀材料35中含有用于形成接合膜3的足夠 量的硅酮材料和導電性粒子38。另外，通過將液狀材料35的粘度設置在該范圍內，具體地說，可以將將液滴31的 量(液狀材料1滴的量)按平均計設定在0. 1 40pL左右，更實際地說可以設定為1 30pL左右。由此，在供給于接合面220時使液滴31的中彈徑(著彈徑)較小，因此也可以 可靠地形成細微形狀的接合膜3。進而，通過對供給于接合面220的膜形成區域41的液滴31的供給量進行適宜設 定，可以比較容易地控制形成的接合膜3的厚度。

另外，在本發明中，將要以液滴31形式涂布(供給)液狀材料35的接合面210被 賦予了疏液性。由此，在接合面210上涂布的液滴31，在被供給于接合面210上時，可以在 可靠地抑制或防止了在接合面210上發生浸潤擴展的狀態下被供給。因此，可以以優良的 構圖精度且以維持膜形成區域41的形狀的狀態，使液狀覆膜30形成在接合面210上。相對于液狀覆膜30的接合面210的浸潤性，例如可以通過相對于液狀覆膜30的 接合面210的接觸角來表示，該接觸角優選設為80 110°左右，更優選設為85 100° 左右。通過對液狀材料35的種類和疏液膜211的種類進行適宜選擇以滿足該關系，可以更 顯著地發揮前述的效果。另外，以液滴31形式噴出的液狀材料35，如上所述，為含有硅酮材料和導電性粒 子38的液狀材料，在單獨利用硅酮材料與導電性粒子38的混合物制成為液狀且為目標粘 度范圍的情況下，可以直接使用該混合物作為液狀材料35。另外，單獨利用硅酮材料制成固 形狀或高粘度的液狀時，作為液狀材料35，可以使用在硅酮材料的溶液或分散液中分散導 電性粒子38的材料。作為用于溶解或分散硅酮材料的溶劑或分散介質，可使用例如氨、水、過氧化氫、 四氯化碳、碳酸乙烯酯等無機溶劑，甲基乙基酮(MEK)、丙酮等酮系溶劑，甲醇、乙醇、異丁醇 等醇系溶劑，二乙基醚、二異丙基醚等醚系溶劑，甲基溶纖劑等溶纖劑系溶劑，己烷、戊烷等 脂肪族烴系溶劑，甲苯、二甲苯、苯等芳香族烴系溶劑，吡啶、吡嗪、呋喃等芳香族雜環化合 物系溶劑，N、N-二甲基甲酰胺(DMF)等酰胺系溶劑，二氯甲烷、氯仿等鹵素化合物系溶劑， 乙酸乙酯、乙酸甲酯等酯系溶劑，二甲基亞砜(DMSO)、環丁砜等硫化合物系溶劑，乙腈、丙 腈、丙烯腈等腈系溶劑，甲酸、三氟乙酸等有機酸系溶劑之類的各種有機溶劑、或含有它們 的混合溶劑等。硅酮材料被含有在液狀材料35中，其作為在下面的工序[2-2]中通過使該液狀材 料干燥而形成的接合膜3的主材料而與導電性粒子38同時被含有。通過含有該硅酮材料，在下面的工序[3]和之后的工序[4]對接合膜3賦予能量時，接合膜3在其表面發揮粘接 性。這里，“硅酮材料”是指具有聚有機硅氧烷骨架的化合物，通常是指，主骨架(主 鏈)部分主要由重復的有機硅氧烷單元構成、且該主骨架至少具有一個硅烷醇基的化合 物，也可以是具有從主鏈的途中分枝的分枝狀的結構的化合物，也可以是主鏈形成環狀的 環狀體，也可以是主鏈的末端彼此不連接的直鏈狀化合物。例如，在具有聚有機硅氧烷骨架的化合物中，有機硅氧烷單元在末端部具有下述 通式(1)所表示的結構單元，在連接部具有下述通式(2)所表示的結構單元，另外，在分枝 部具有下述通式(3)所表示的結構單元。
(3)[式中，各R分別獨立地表示取代或未取代的烴基，各Z分別獨立地表示羥基或水 解基，X表示硅氧烷殘基，a表示1 3的整數，b表示0或1 2的整數，C表示0或1。]此外，硅氧烷殘基表示通過氧原子結合相鄰的結構單元所具有的硅原子而形成硅 氧烷鍵的取代基。具體地說，是指-O-(Si)結構(Si為相鄰的結構單元所具有的硅原子)。在此種硅酮材料中，聚有機硅氧烷骨架優選形成分枝狀的骨架，即含有上述通式 (1)所表示的結構單元、上述通式(2)所示的結構單元和上述通式(3)所示的結構單元的骨 架。該具有呈分枝狀的聚有機硅氧烷骨架的化合物(以下，簡稱為“分枝狀化合物”。)為 主骨架(主鏈)部分為主要由重復的有機硅氧烷單元構成的化合物，是主鏈的途中有機硅 氧烷重復單元發生分枝，且主鏈的末端彼此不連接的化合物。通過使用該分枝狀化合物，在下面的工序[2-2]中，以液狀材料35中所含的該化 合物的分枝鏈彼此相互地纏繞的方式形成接合膜3，因此所得的接合膜3的膜強度特別優
良ο此外，上述通式(1) 上述通式(3)中，作為R基(取代或未取代的烴基)，可舉出 例如甲基、乙基、丙基等烷基，環戊基、環己基等環烷基，苯基、甲苯基、聯苯基等芳基，芐基、 苯基乙基等芳烷基等。進而，可舉出結合于這些基團的碳原子上的氫原子的一部或全部被 I)氟原子、氯原子、溴原子之類的鹵素原子，II)環氧丙氧基之類的環氧基，III)甲基丙烯 酸基之類的(甲基)丙烯酰基，IV)羧基、磺酰基之類的陰離子性基等所取代的基團等。Z基為水解基時，作為該水解基，可舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等烷氧基， 二甲基酮肟基、甲基乙基酮肟基等酮肟基，乙酰氧基等酰氧基，異丙烯氧基、異丁烯氧基等 烯基氧基等。另外，分枝狀化合物優選其分子量為IXlO4 IXlO6左右的化合物，更優選 1 X IO5 1 X IO6左右化合物。通過將分子量設定在該范圍內，可以較容易地將液狀材料35 的粘度設定在上述的范圍內。對此種分枝狀化合物而言，在其化合物中，優選具有多個硅烷醇基(羥基)。艮口， 在上述通式(1) 上述通式(3)所示的結構單元中，具有多個Z基，優選這些Z基為羥基。由此，可以使分枝狀化合物所具有的羥基與聚酯樹脂所具有的羥基可靠地鍵合，可以可靠 地合成后述的通過分枝狀化合物與聚酯樹脂的脫水縮合反應而得的聚酯改性硅酮材料。進 而，在下面的工序[2-2]中，使液狀覆膜30干燥得到接合膜3時，硅酮材料即分枝狀化合物 中殘存的硅烷醇基所含的羥基彼此會發生鍵合，從而所得的接合膜3的膜強度變得優良。另外，連接于硅烷醇基所具有的硅原子的烴基優選為苯基。即，Z基為羥基的上述 通式(1) 上述通式(3)所表示的結構單元中存在的R基優選為苯基。由此，由于進一步 提高了硅烷醇基的反應性，相鄰的分枝狀化合物所具有的羥基彼此的結合可以更加順利地 進行。另外，通過分枝狀化合物中的至少一個甲基被苯基取代，在所得的接合膜3中形成含 有苯基的構成，由此可以獲得能夠使接合膜3的膜強度更加優良的優點。

進而，連接于不存在硅烷醇基的硅原子的烴基優選為甲基。即，不存在Z基的上述 通式(1) 上述通式(3)所表示的結構單元中所具有的R基優選為甲基。這樣，對于在不 存在Z基的上述通式(1) 上述通式(3)所表示的結構單元中存在的R基為甲基的化合物 而言，除了比較易得且廉價，而且在后面的工序[3]和后面的工序[4]中，通過對接合膜3 賦予能量，甲基容易被切斷，其結果是可以可靠地在接合膜3體現粘接性，因此更適于用作 分枝狀化合物(硅酮材料)。考慮以上觀點，分枝狀化合物優選使用例如下述通式(4)所示的化合物。 [式中，η分別獨立地表示O或1以上的整數。]進而，上述的分枝狀化合物為柔軟性較豐富的材料。因此，在后面的工序[5]中， 經由接合膜3將第一基材22和第二基材23接合而得到接合體1時，例如，即使是第一基材 22和第二基材23的各構成材料使用互相不同的材料時，也可以可靠地緩和由各基材22、23 之間產生的熱膨脹引起的應力。由此，在最終得到的接合體1中，可以可靠地防止剝離的發生。進而，上述之類的硅酮材料優選為聚酯改性硅酮材料。這里，在本說明書中，“聚酯改性硅酮材料”是指通過使硅酮材料與聚酯樹脂發生 脫水縮合反應而得到的材料。另外，“聚酯樹脂”是指利用飽和多元酸與多元醇的酯化反應而得到的化合物，優 選使用1分子中具有至少兩個羥基的化合物。使此種聚酯樹脂與上述硅酮材料發生縮合反應時，聚酯樹脂所具有的羥基與硅酮 材料所具有的硅烷醇基(羥基)會發生脫水縮合反應，由此，得到將聚酯樹脂連接于硅酮材料而成的聚酯改性硅酮材料。作為飽和多元酸，沒有特別限制，可舉出例如間苯二甲酸、對苯二甲酸、鄰苯二甲 酸酐和己二酸等，可以使用其中的一種或組合使用2種以上。另外，作為多元醇，可舉出乙二醇、二甘醇、丙二醇、甘油，三羥甲基丙烷等，可以使 用其中的一種或組合使用2種以上。此外，在使飽和多元酸與多元醇進行酯化反應時，以多元醇所具有的羥基比飽和 多元酸所具有的羧基多的方式來設定各自的含量。由此，合成的聚酯樹脂為在其1分子中 具有至少兩個羥基的物質。對于此種聚酯樹脂而言，優選在其分子中具有亞苯基。若使用含有該構成的聚酯 樹脂的聚酯改性硅酮材料形成接合膜3，則形成的接合膜3會由于聚酯樹脂中所含有的亞 苯基，而發揮特別優良的膜強度。若考慮以上情況，則聚酯樹脂優選使用例如下述通式(5)所表示的化合物。 [式中，η表示0或1以上的整數。]將上述的聚酯樹脂制成聚酯改性硅酮材料所具有的部分時，由于聚酯改性硅酮材 料通常為形成螺旋結構的聚有機硅氧烷骨架，所以以聚酯樹脂露出的狀態存在。因此，在下 面的工序[2-2]中，使液狀覆膜30干燥而得到接合膜3時，相鄰的聚酯改性硅酮材料所具 有的聚酯樹脂彼此相互地接觸的機會會增大。其結果是，聚酯改性硅酮材料中，聚酯樹脂彼 此纏繞，它們所具有的羥基彼此發生脫水縮合而化學性地鍵合，因此可以可靠地提高所得 的接合膜3的膜強度。另外，在后面的工序[4]中，經由接合膜3將第一基材22和第二基材23接合時， 在第一基材22所具有的第一端子221與接合膜3的界面以及第二基材23所具有的第二端 子231與接合膜3的界面上，由于聚酯樹脂所具有的酮基與各端子221、231所具有的羥基 之間會形成氫鍵，所以基于該氫鍵，接合膜3與第一端子221和第二端子231也會形成牢固 地接合。導電性粒子38包含在液狀材料35中，其為在下面的工序[2_2]中，作為通過使該 液狀材料干燥而形成的接合膜3的主材料而與硅酮材料一同含有的材料。通過在接合膜3 含有該導電性粒子38，在后面的工序[5]中沿著接合膜3的厚度方向對第一基材22和第二 基材23進行加壓時，通過接合膜3中所含的導電性粒子38，第一端子221與第二端子231 可以相互地電連接。該導電性粒子38為至少表面附近由導電性材料構成的粒子。具體地說，作為該導 電性粒子38，可舉出例如，I 其整體由導電性材料構成的粒子，或II 由不具有導電性的基 材粒子及覆蓋該基材粒子的表面而設置的導電膜構成的粒子。其中，由于通過在導電性粒 子38中采用后者的構成，導電性粒子38的形狀、大小(平均粒徑等)、物性(導電性、密度 等)等的調整變得容易，因此優選使用。
作為基材粒子的構成材料，沒有特別限制，可舉出各種金屬材料、各種陶瓷材料、 各種樹脂材料等。其中，特別優選使用樹脂材料。由于樹脂材料一般與硅酮材料的比重接 近，所以導電性粒子38變得難以在液狀材料35中下沉或上浮，因此在該液狀材料35以均 勻分散的狀態存在。因此，在后面的工序[5]中，沿著接合膜3的厚度方向對第一基材22 和第二基材23進行加壓時，通過接合膜3中所含的導電性粒子38，可以將第一端子221與 第二端子231可靠地電連接。另外，樹脂材料一般為賦予柔軟性的材料，因此對于由該材料構成的基材粒子甚 至是具有該基材粒子的導電性粒子38而言，通過賦予壓縮力，變得容易變形為扁平狀。由 此，在后面的工序[5]中，沿接合膜3的厚度方向對第一基材22和第二基材23進行加壓時， 可以增大導電性粒子38相對于第一端子221和第二端子231的接觸面積。其結果是，可以 實現所得的接合體1中的通過接合膜3的第一端子221與第二端子231之間的導電性的提 尚ο進而，通過導電性粒子38具有柔軟性，即使是導電性粒子38的粒徑不均勻時，通 過粒徑的較大的導電性粒子38的變形，也可以對在接合膜3的厚度方向上的粒徑的偏差進 行補充。另外，即使在第一端子221的表面和第二端子231的表面存在凹凸時，利用定位于 該凸部的導電性粒子38的變形，可以使各端子221、231與導電性粒子38可靠地接觸。 另外，作為導電性粒子38的導電膜的構成材料，可以使用與前述的第一端子221 和第二端子231的構成材料中所舉出的同樣的導電性材料，但是特別優選使用以Ni、Cu或 Au作為主材料的導電性材料。由于這些導電性材料的導電性優良，因此可以得到導電性高 的導電性粒子38，可以提高端子221、231之間的導電性。此外，作為導電性粒子38的具體形態，可舉出Ni粒子、實施了鍍Au處理的Ni粒 子、實施了鍍Au處理的Cu粒子、或實施了鍍Au處理的樹脂制粒子等。另外，導電性粒子38的粒子形狀，沒有特別限制，例如可以是球狀、扁平狀、針狀、 不定形狀等的任一種。導電性粒子38的平均粒徑沒有特別限制，優選為0. 3 100 μ m左右，更優選1 50μπι左右。若導電性粒子38的平均粒徑比上述下限值小，則在液狀材料35中導電性粒 子38易于凝集，有難以使導電性粒子38均勻分散之虞。另一方面，若導電性粒子38的平 均粒徑大于上述上限值，則即使沿接合膜3的厚度方向對第一基材22與第二基材23進行 加壓時，在接合膜3中各導電性粒子38彼此之間、或者導電性粒子38與端子221、231之間 接觸的機會增多，有產生接合膜3不希望具有的導電性之虞。[2-2]接下來，使供給于轉印用基材21的液狀材料，即接合面210的膜形成區域 41上選擇性地形成的液狀覆膜30干燥。由此，如圖3 (c)所示，與膜形成區域41的形狀(規 定形狀)對應地形成構圖的接合膜3。使液狀覆膜30干燥時的溫度優選25°C以上，更優選25 100°C左右。另外，干燥的時間優選為0. 5 48小時左右，更優選15 30小時左右。通過在這樣的條件下使液狀覆膜30干燥，在下面的工序[3]和后面的工序[4] 中，利用賦予能量可以可靠地形成表現合適的粘接性的接合膜3。另外，作為硅酮材料，使用 具有上述工序[2-1]所說明的那樣的硅烷醇基的材料或聚酯改性硅酮材料時，由于可以使 這些材料所具有的硅烷醇基彼此可靠地結合，因此可以使形成的接合膜3的膜強度優良。
進而，干燥時氣氛的壓力可以為大氣壓，優選在減壓下進行。具體地說，優選減 壓的程度為133. 3XlCT5 1333Pa(l XlCT5 IOTorr)左右，更優選為133. 3XlCT4 133.3Pa(lX10_4 ITorr)左右。由此，接合膜3的膜密度會發生致密化，可以使接合膜3 具有更優良的膜強度。如以上所述，通過對形成接合膜3時的條件進行適宜設定，可以將形成的接合膜3 的膜強度等控制在所需的程度。接合膜3的平均厚度優選0. 5 500 μ m左右，更優選1 200 μ m左右。通過對 供給的液狀材料的量進行適宜設定，將形成的接合膜3的平均厚度設在上述范圍內，由此 可以防止將第一基材22與第二基材23接合而成的接合體1的尺寸精度的顯著下降，而且 可以更牢固地接合。S卩，接合膜3的平均厚度小于上述下限值時，有不能得到足夠的接合強度之虞。另 一方面，接合膜3的平均厚度大于上述上限值時，有接合體1的尺寸精度顯著下降之虞。 另外，通過將接合膜3的平均厚度設在上述范圍內，由于在后面的工序[5]中，沿 接合膜3的厚度方向對預接合體1’進行加壓時，可以使接合膜3中所含的導電性粒子38彼 此在其厚度方向上可靠地接觸，因此通過該接合膜3 (導電性粒子38)可以將第一端子221 與第二端子231進行電連接。進而，通過將接合膜3的平均厚度控制在該范圍，由于接合膜3為一定程度上富于 彈性的物質，因此在后面的工序[4]中，將第一基材22與第二基材23接合時，即使與接合 膜3接觸的第二端子231上附著有顆粒等，該顆粒也會包圍在接合膜3中，使接合膜3與第 二端子231發生接合。因此，可以確實地抑制或防止因該顆粒的存在而導致的接合膜3與 接合面230之間的界面的接合強度的下降或者在該界面發生的剝離。[3]接著，通過對接合膜3賦予能量，使得在接合膜3的表面附近表現粘接性，經由 該接合膜3將轉印用基材21與第一基材22接合后，通過將轉印用基材21與第一基材22 分離，將接合膜3從轉印用基材21轉印至第一基材22 (第三工序)。此外，由于接合膜3與第一基材22所具有的第一端子221的形狀對應地以規定形 狀進行構圖而形成于轉印用基材21上，因此，在本工序[3]中，將接合膜3從轉印用基材21 轉印至第一基材22時，如圖4(c)所示，以附著于第一端子221的狀態被轉印。以下，對本工序進行詳述。[3-1]首先，對于在接合面210的膜形成區域41形成的接合膜3的表面32賦予能量。對接合膜3賦予能量時，在該接合膜3中，表面32附近的分子鍵的一部分發生斷 裂，表面32被活性化，由此在表面32附近對于第一基材22體現粘接性。此種狀態的接合膜3成為可以基于化學性結合與第一基材22所具有的第一端子 221牢固地接合的接合膜3。這里，在本說明書中，所謂表面32為“活性化的”狀態是指以下狀態如上所述那 樣接合膜3的表面32的分子鍵的一部分，具體而言，例如聚二甲基硅氧烷骨架所具有的甲 基被切斷，除在接合膜3中產生未終端化的結合鍵(以下，也稱為“未結合鍵”或“自由鍵”。) 之外，該未結合鍵因羥基(0H基)而被終端化的狀態，進而包括混在有上述狀態的狀態在 內，稱為接合膜3為“活性化的”狀態。
對接合膜3賦予的能量可以是利用任意方法賦予的能量，例如可舉出對接合膜3 照射能量線的方法，加熱接合膜3的方法，對接合膜3賦予壓縮力(物理能量)的方法，使 接合膜3暴露于等離子體(賦予等離子體能量)的方法，將接合膜3暴露于臭氧氣體(賦 予化學能量)的方法等。由此，可以有效地使接合膜3的表面活性化。其中，對接合膜3的能量的賦予如圖3(d)所示，特別優選使用將接合膜3暴露于 等離子體的方法。這里，作為對接合膜3賦予能量的方法，在對優選使用將接合膜3暴露于等離子體 的方法的理由進行說明之前，先對作為能量線選擇紫外線，對接合膜3照射紫外線時的問 題點進行說明。A 首先，接合膜3的表面32的活性化需要長時間(例如，1分鐘 幾十分鐘)。另 夕卜，短時間紫外線照射時，在將第一基材22與第二基材23接合的工序中，其接合需要長時 間(幾十分鐘以上)。S卩，得到接合體1需要長時間。B 另外，使用紫外線時，該紫外線易于沿著厚度方向透射接合膜3。因此，由于基 材(在本實施方式中，轉印用基材21)的構成材料(例如，樹脂材料)等的原因，在基材的 與接合膜3的界面(接觸面)上發生劣化，接合膜3變得易于從基材剝離。進而，紫外線沿接合膜3的厚度方向透射時，作用于接合膜3整體，在其整體中，例 如，聚二甲基硅氧烷骨架所具有的甲基被切斷、除去。即，接合膜3中的有機成分的量極端 地下降，其無機化會發展。因此，由有機成分的存在導致的接合膜3的柔軟性會整體上下 降，對所得的接合體1而言，接合膜3的層內剝離變得易于發生。

C 進而，將已接合的接合體1，將第一基材22從第二基材23剝離，分別將各基材 22,23用于循環、再利用時，該操作通過對接合體1賦予剝離用能量可以將各基材22、23彼 此剝離。這時，例如，將接合膜3中殘存的甲基(有機成分)從聚二甲基硅氧烷骨架上切斷、 除去，被切斷的有機成分變成氣體。該氣體(氣體狀的有機成分)在接合膜3中會產生劈 開( t乖)，將接合膜3分割。然而，照射紫外線時，如前所述，接合膜3整體的無機化會發展，因此即使在賦予 剝離用能量時，形成氣體的有機成分也極少，存在難以在接合膜3中產生劈開的問題。與此相對，將接合膜3的表面32暴露與等離子體時，在接合膜3的表面32附近， 可以選擇性地將構成該接合膜3的材料的分子鍵的一部分，例如聚二甲基硅氧烷骨架所具 有的甲基切斷。此外，基于該等離子體的分子鍵的切斷，基于等離子體的電荷不僅產生化學性的 作用，而且可以引起基于等離子體的彭寧效應的物理性作用，因此可以在極短時間內產生。 因此，可以使接合膜3在極短時間(例如，幾秒左右)內活性化，結果是可以在短時間內制 造接合體1。另外，等離子體選擇性地作用于接合膜3的表面32，難以影響到其內部。因此，分 子鍵的切斷在接合膜3的表面32附近選擇性地產生。即，接合膜3在其表面32附近選擇 性地被活性化。因此，難以發生使用紫外線對接合膜3進行活性化時的不良情況(前述的 B和C的不良情況)。由此，通過對接合膜3的活性化使用等離子體，在接合體1中，接合膜3的層內剝 離難以發生，在將第一基材22從第二基材23剝離時，可以可靠地進行該剝離操作。
另外，利用紫外線照射使接合膜3活性化時，根據在照射的紫外線的強度的不同 接合膜3的活性化的程度的變化極大。因此，為了以適合于將第一基材22與第二基材23 接合的程度使接合膜3活性化，需要對紫外線照射進行嚴格的條件管理。另外，未進行嚴格 管理時，在所得的接合體1中，第一基材22與第二基材23的接合強度會發生偏差。與此相對，基于等離子體使接合膜3活性化時，根據接觸的等離子體的濃度不同 接合膜3的活性化的程度變化是平穩的。因此，為了以適合于將第一基材22與第二基材23 接合的程度使接合膜3活性化，不需要對等離子體發生條件進行嚴格管理。換言之，對接合 膜3的活性化使用等離子體時，接合體1的制造條件的容許范圍寬。另外，即使不進行嚴格 的管理，在所得的接合體1中，第一基材22與第二基材23的接合強度也難以發生偏差。進而，基于紫外線照射而將接合膜3活性化時，伴隨著接合膜3的活性化即接合膜 3中的有機物的脫離，存在接合膜3自身發生收縮(特別是膜厚的下降)的問題。在接合膜 3收縮時，以高接合強度將第一基材22與第二基材23接合變得困難。與此相對，基于等離子體對接合膜3進行活性化時，如前所述，由于可以選擇性地 使接合膜3的表面附近活性化，因此接合膜3的收縮極少。因此，即使形成比較薄的接合膜 3時，也可以將第一基材22與第二基材23以高接合強度接合。另外，此時，可以得到高尺寸 精度的接合體1的同時，還可以實現接合體1的薄型化。如以上所述，基于等離子體對接合膜3進行活性化時，與利用紫外線對接合膜3進 行活性化時相比，具有多個優點。

另外，等離子體與接合膜3的接觸，可以在負壓下進行，但是優選在大氣壓下進 行。即，優選利用大氣壓等離子體對接合膜3進行處理。根據大氣壓等離子體處理，接合膜 3的周圍不會處于負壓狀態，利用等離子體的作用，例如，將聚酯改性硅酮材料的聚二甲基 硅氧烷骨架所具有的甲基切斷、除去時(接合膜3的活性化時)，可以防止該切斷無用地進 行。該大氣壓下的等離子體處理，可以利用例如圖6所示的大氣壓等離子體處理裝置 來進行。圖6是表示大氣壓等離子體裝置的構成的簡圖。圖6所示的大氣壓等離子體裝置1000，具有搬運形成有接合膜3的轉印用基材 21 (以下，單稱為“被處理基板W”)的搬運裝置1002以及設置于搬運裝置1002的上方的頭 1010。在該大氣壓等離子體裝置1000中，在頭1010所具有的施加電極1015與對置電極 1019之間形成有發生等離子體的等離子體發生區域P。以下，對各部的構成進行說明。搬運裝置1002具有可以搭載被處理基板W的移動工作臺1020。該移動工作臺 1020通過搬運裝置1002所具有的移動機構(圖中未示)的動作可以沿χ軸方向移動。此外，移動工作臺1020由例如不銹鋼鋼、鋁等金屬材料構成。頭1010具有頭主體1101、施加電極1015、對置電極1019。在頭1010中，移動工作臺1020(搬運裝置1002)的上表面與頭1010的下表面1103 之間的間隙1102中，設置有供給被等離子體化的處理氣體G的氣體供給流路1018。氣體供給流路1018在頭1010的下表面1103形成的開口部1181開口。另外，如圖6所示，在下表面1103的左側形成有臺階。由此，頭主體1101的左側部分與移動工作臺 1020之間的間隙1104比間隙1102小(窄)。因此，可以抑制或防止被等離子體化的處理 氣體G進入間隙1104，而優先沿著χ軸正方向流動。此外，頭主體1101用例如氧化鋁、石英等介電體材料構成。在頭主體1101中，以夾持氣體供給流路1018的方式對抗地設置施加電極1015與 對置電極1019，由此構成一對平行平板型電極。其中，施加電極1015與高頻電源1017電連 接，對置電極1019接地。施加電極1015和對置電極1019由例如不銹鋼鋼、鋁等金屬材料構成。 使用這樣的大氣壓等離子體裝置1000，對被處理基板W進行等離子體處理時，首 先，在施加電極1015與對置電極1019之間施加電壓，產生電場E。在該狀態下，使處理氣 體G流入氣體供給流路1018。此時，流入氣體供給流路1018的處理氣體G，在電場E的作 用下放電而被等離子體化。該被等離子體化的處理氣體G從下表面1103側的開口部1181 被供給至間隙1102內。由此，被等離子體化的處理氣體G與在被處理基板W上設置的接合 膜3的表面32接觸，從而實施等離子體處理。通過使用該大氣壓等離子體裝置1000，可以容易且可靠地使接合膜3與等離子體 接觸，使接合膜3活性化。這里，施加電極1015與移動工作臺1020(被處理基板W)之間的距離，即間隙1102 的高度(圖6中，以hi表示長度)可以根據高頻電源1017的輸出、實施于被處理基板W的 等離子體處理的種類等來適當地決定，但是優選0. 5 IOmm左右，更優選0. 5 2mm左右。 由此，使等離子體與接合膜3接觸，可以更可靠地使接合膜3活性化。另外，在施加電極1015與對置電極1019之間施加的電壓優選1. 0 3. OkVp-p左 右，更優選1.0 1.5kVp-p左右。由此，可以在施加電極1015與移動工作臺1020之間更 可靠地產生電場E，可以將供給于氣體供給流路1018的處理氣體G可靠地等離子體化。高頻電源1017的頻率(施加的電壓的頻率)沒有特別限制，優選10 50MHz左 右，更優選10 40MHz左右。作為處理氣體G的種類沒有特別限制，例如可舉出氦氣、氬氣之類的惰性氣體、氧 氣等，可以使用其中的1種或組合2種以上使用。其中，在處理氣體G中優選使用以惰性氣 體為主成分的氣體，特別優選使用以氦氣為主成分的氣體。S卩，處理中所使用的等離子體優選將以氦氣為主成分的氣體等離子體化而成的氣 體。以氦氣為主成分的氣體(處理氣體G)在等離子體化時不易產生臭氧，因此，可以防止 接合膜3的表面32的因臭氧導致的變質(氧化)。其結果是，可以抑制接合膜3的活性化 程度的下降，即，可以使接合膜3可靠地活性化。進而，氦氣的等離子體的前述彭寧效應極 高，從可以在短時間內且可靠地使接合膜3的活性化的觀點出發是優選的。此時，以氦氣為主成分的氣體的向氣體供給流路1018的供給速度優選為1 20SLM左右，更優選5 15SLM左右。由此，接合膜3的活性化的程度變得易于控制。另外，該氣體(處理氣體G)中的氦氣的含量優選85vol%以上，更優選90vol%以 上(含100%)。由此，可以顯著地發揮前述的效果。另外，移動工作臺1020的移動速度沒有特別限制，優選1 20mm/秒左右，更優選 3 6mm/秒左右。以這樣的速度使等離子體與接合膜3接觸，不但短時間可以活性化，還可以使接合膜3的活性化充分且可靠。[3-2]接著，如圖4(a)所示，以第一基材22所具有的第一端子221與接合膜3密 合的方式，經由接合膜3將轉印用基材21與第一基材22貼合。由此，如圖4 (b)所示，在上 述工序[3-1]中，由于接合膜3的表面32表現對第一端子221的粘接性，因此接合膜3與 第一基材22所具有的第一端子221化學性地結合。這里，對在本工序中將第一基材22所具有的第一端子221與接合膜3接合的機理 進行說明。 例如，以羥基露出于第一端子221的表面的情況為例進行說明，在本工序中，以在 轉印用基材21上形成的接合膜3與第一端子221接觸的方式，將它們貼合時，接合膜3的 表面32存在的羥基與第一端子221的表面所存在的羥基基于氫鍵相互吸引，羥基彼此之間 產生引力。可以推測，基于該引力接合膜3與第一端子221接合。另外，由于該氫鍵而相互吸引的羥基彼此，根據溫度條件等，會伴隨脫水縮合從表 面被切斷。其結果是，在接合膜3與第一端子221的接觸界面上，結合了羥基的結合鍵彼此 會發生結合。由此，可以推測，可以將接合膜3與第一端子221更牢固地接合。另外，在轉印用基材21的接合膜3的表面、內部及第一端子221的表面、內部分別 存在未終端化的結合鍵即未結合鍵(自由鍵)時，將轉印用基材21與第一基材22貼合時， 這些未結合鍵彼此發生再結合。該再結合以相互地重合(纏繞)的方式復雜地生成，所以 在接合界面形成網絡狀的結合。由此，可以將接合膜3與第一端子221特別牢固地接合。此外，在上述工序[3-1]中被活性化的接合膜3的表面的活性狀態會經時性地緩 和。因此，在上述工序[3-1]的結束后，優選盡早進行本工序[3-2]。具體地說，優選上述 工序[3-1]的結束后，在60分以內進行本工序[3-2]，更優選在5分鐘以內進行。只要在 這樣的時間內，接合膜3的表面就維持在足夠的活性狀態，因此經由接合膜3將轉印用基材 21與第一基材22貼合時，接合膜3與第一端子221之間可以得到足夠的接合強度。換言之，活性化之前的接合膜3由于是使硅酮材料干燥而得的接合膜，因此化學 上較穩定，耐候性優良。因此，活性化前的接合膜3適于長期保存。因此，只要大量制造或 購入具有這樣的接合膜3的轉印用基材21并預先保存起來，并僅對必要的個數進行上述工 序[3-1]中記載的能量賦予，從后述的接合體1的制造效率的觀點出發，是有效的。[3-3]接著，將轉印用基材21與第一基材22分離。這里，如前所述，由于接合膜3形成于轉印用基材21所具有的疏液膜211上，因此 與轉印用基材21的結合強度極低。與此相對，由于接合膜3與第一基材22所具有的第一 端子221之間化學性結合，因此與第一基材22 (第一端子221)的結合強度，與接合膜3和 轉印用基材21的接合強度相比變得極高。因此，將轉印用基材21與第一基材22分離時，從與轉印用基材21接合的接合面 210剝離接合膜3，因此，如圖4(c)所示，接合膜3從轉印用基材21被轉印至第一基材22。[4]接著，通過對被轉印的接合膜3賦予能量，在接合膜3的表面附近表現粘接性， 通過該接合膜3將第一基材22與第二基材23接合，由此得到將它們彼此接合的預接合體 1，(第四工序)。此外，將第一基材22與第二基材23以第一端子221與第二端子23對置的方式重 疊時，對于第二端子231而言，由于被設置在與第一端子221重合的位置，因此在本工序[4]中，經由接合膜3將第一基材22與第二基材23接合時，如圖4(b)所示，第二端子231與附 著于第一端子221上的接合膜3接合。以下，對本工序進行詳述。[4-1]首先對從轉印用基材21轉印至第一基材22的接合膜3賦予能量。這里，接合膜3由于從轉印用基材21轉印至第一基材22，所以與轉印用基材21接 合側的面在第一基材22上露出。若對接合膜3賦予能量，則其表面附近的分子鍵的一部分會斷裂，表面被活性化， 從而體現粘接性。因此，如本工序這樣，即使是曾與其他基材(本實施方式中為轉印用基材 21)接合過的面，通過再度賦予能量，也可以在該面體現粘接性。

對接合膜3賦予能量，可以使用任意方法來賦予，但是特別優選與在上述工序 [3-1]中說明的一樣，如圖4(d)所示，使用將接合膜3暴露于等離子體的方法。[4-2]接著，以使形成于第一基材22的接合膜3與第二基材23所具有的第二端子 231密合的方式，經由接合膜3將第一基材22與第二基材23貼合(參照圖5 (a))。由此， 在上述工序[4-1]中，由于接合膜3的表面體現對第二端子231的粘接性，因此接合膜3與 第二基材23所具有的第二端子231化學性地結合。其結果是，第一基材22與第二基材23 經由在膜形成區域41選擇性地形成的接合膜3，局部性地接合，即，第一端子221與第二端 子231通過以規定形狀構圖的接合膜3被接合，其結果是，如圖5(b)所示那樣得到預接合 體1，。這里，在本工序中，接合膜3與第二基材23所具有的第二端子231，以與在上述工 序[3-2]中說明的接合膜3與第一基材22所具有的第一端子221的接合機理相同的機理 被接合。[5]接著，將預接合體1’沿著接合膜3的厚度方向，即以使第一基材22與第二基 材23的分離距離接近的方式進行加壓(第五工序)。由此，如圖5(c)所示，維持經由接合膜3的第一基材22與第二基材23的連接，同 時通過接合膜3中的導電性粒子38可以將第一端子221與第二端子231電連接，其結果是， 可以形成通過接合膜3將第一基材22與第二基材23更牢固且電連接的接合體1。這里，通過對預接合體1’沿接合膜3的厚度方向進行加壓，通過導電性粒子38將 第一端子221與第二端子231電連接的方法是基于以下原理的。S卩，沿接合膜3的厚度方向對預接合體1’進行加壓時，第一端子221與第二端子 231接近，引起接合膜3的厚度變薄。因此，接合膜3中所含的導電性粒子38彼此在厚度方 向上接觸，進而，第一端子221和第二端子231的表面也與導電性粒子38接觸，因此第一端 子221與第二端子231通過導電性粒子38電連接。此外，對于通過導電性粒子38的第一端子221與第二端子231的電連接而言，可 以是通過多個導電性粒子38將這些端子221、231彼此電連接，也可以是如圖5(c)所示，通 過一個導電性粒子38將端子221、231彼此電連接。對預接合體1’進行加壓時的壓力，可以根據第一基材22和第二基材23的各構成 材料及各自厚度、第一端子221和第二端子231的各構成材料及各自厚度、導電性粒子38 的構成材料、平均粒徑等條件，進行適宜調整，但是具體而言，優選設定為0. 2 IOOMPa左 右，更優選1 50MPa左右。
另外，加壓的時間沒有特別限制，優選10秒 30分左右。在該條件下，只要沿接合膜3的厚度方向對預接合體1’進行加壓，就可以通過導 電性粒子38可靠地將第一端子221與第二端子231電連接。此外，沿接合膜3的厚度方向對預接合體1’進行加壓時，優選對該預接合體1’進 行加熱。由此，在對預接合體1’加壓而得到的接合體1，在接合膜3的厚度方向解除加壓 時，接合膜3不會恢復至加壓前的形狀，可以基本上維持對接合膜3加壓后的形狀。即，可 以可靠地維持通過導電性粒子38的第一端子221與第二端子231的電連接。加熱接合體1的溫度，只要是比室溫更高且小于接合體1的耐熱溫度，就沒有特別 限制，但是優選設為25 100°C左右，更優選50 100°C左右。只要在該范圍的溫度內進 行加熱，就可以可靠地防止接合體1因熱而變質 劣化，并且在接合膜3的厚度方向解除加 壓時可以基本上維持對接合膜3進行加壓后的形狀。 以上所述在本發明的接合方法中，接合體1為通過以下過程得到的構成在具有 疏液膜211的轉印用基材21上預先形成接合膜3，將該接合膜3轉印于第一基材22之后， 經由接合膜3將第一基材22與第二基材23接合，再進行加壓。因此，由于轉印用基材21上 的液狀材料的浸潤擴展被可靠地防止或抑制，因此即使膜形成區域41的形狀為細微形狀， 也可以與膜形成區域41的形狀對應地形成接合膜3。而且，可以將接合膜3從轉印用基材 21轉印至第一基材22，所以通過該接合膜3可以可靠地得到接合體1，所述結合體1為第一 基材22與第二基材23在第一端子221與第二端子231之間電接合的接合體。另外，接合膜3如圖5(c)所示，以與對置的第一端子221與第二端子231相對應 的方式設置。即，與相鄰的第一端子221 (第二端子231)對應的接合膜3彼此獨立地設置。 由此可以可靠地防止以下情況的發生，所述情況為在使用利用各向異性導電膜(ACF)、各 向異性導電糊劑(ACP)等構成的接合膜以橫跨相鄰的第一端子221 (第二端子231)彼此之 間，一并地將對置的第一端子221與第二端子231電接合時，上述接合膜內會產生遷移，所 導致的相鄰的第一端子221 (第二端子231)彼此間發生短路。另外，在該構成的接合體1中，并非是如在以往的接合方法中使用的粘接劑那樣 基于錨效果之類的物理性結合為主的粘接，而是基于共價鍵之類的在短時間內產生的牢固 的化學性結合，將兩個端子221、231接合。因此，接合體1可以在短時間內形成且極難剝離， 也難以產生接合不均等。另外，根據此種接合方法，由于沒有在高溫(例如，700°C以上)熱處理的必要，因 此可以用于以耐熱性低的材料構成的第一基材22和第二基材23的接合。另外，第一基材22的熱膨脹率與第二基材23的熱膨脹率互相不同時，優選在盡量 低的溫度下進行接合。通過在低溫下進行接合，可以實現在接合界面產生的熱應力的進一 步降低。具體而言，雖然因第一基材22與第二基材23的熱膨脹率之差的不同而不同，但是 優選在第一基材22和第二基材23的溫度為25 50°C左右的狀態下，將第一基材22與第 二基材23貼合，更優選在25 40°C左右的狀態下進行貼合。若在此種溫度范圍，即使第一 基材22與第二基材23的熱膨脹率的差在一定程度上較大，也可以將在接合界面產生的熱 應力降至足夠低。其結果是，可以可靠地抑制或防止接合體1中的翹曲、剝離等的發生。
另外，此時，具體的第一基材22與第二基材23之間的熱膨脹系數的差為5X 10_5/ K以上時，如上所述，推薦在盡量低的溫度下進行接合。如上所述，可以得到圖5(b)所示的接合體(本發明的接合體)1。在這樣得到的接合體1中，優選第一基材22與第二基材23之間的接合強度為 4MPa(40kgf/cm2)以上，更優選為IOMPa(lOOkgf/cm2)以上。具有此種接合強度的接合體1 可以充分地防止其剝離。另外，根據本發明的接合方法，可以高效地制作將第一基材22與 第二基材23以上述那樣的大接合強度接合的接合體1。另外，接合膜3的厚度方向上的體積電阻率優選為1Χ105Ω · cm以下，更優選 1Χ104Ω 以下。由此，通過接合膜3可以可靠地使第一端子221與第二端子231之間 導通。另外，根據本發明的接合方法，可以高效地制造這種表現優良的導電性的接合膜3。《第2實施方式》 以下，對本發明的接合方法的第2實施方式進行說明。圖7、圖8為用于對發明的接合方法的第2實施方式進行說明的圖(縱剖面圖)。 此外，在以下的說明中，圖7、圖8中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。以下，對接合方法的第2實施方式進行說明，以與上述第1實施方式中的所述接合 方法不同的點為中心進行說明，對同樣的事項省略其說明。在本實施方式的接合方法中，除了在轉印用基材21的接合面(表面)210的膜形 成區域41形成接合膜3之外，還在第一基材22的設有第一端子221的接合面220的大致 整個表面及第二基材23的設有第二端子231的接合面230的大致整個表面上，利用不含有 導電性粒子38的液狀材料形成接合膜3’。然后，使第一基材22和第二基材23所分別具有 的接合膜3’的表面附近體現粘接性，經由從轉印用基材21轉印的接合膜3使這些接合膜 3’彼此接觸。由此，通過在第一端子221與第二端子231使第一基材22與第二基材23接 合而得到預接合體1’。然后，對該預接合體1’進行加壓，通過導電性粒子38將第一端子 221與第二端子231電連接，由此得到接合體1。以下，對各工序進行說明。[1’ ]首先，準備與上述工序[1]同樣的轉印用基材21、第一基材22和第二基材 23。[2’ ]接著，按照上述工序[2]中說明的相同的方式，在轉印用基材21的接合面 220的膜形成區域41形成以規定形狀構圖的接合膜3。進而，使用含有硅酮材料的液狀材料，即從上述工序[2]中使用的液狀材料35中 除去了導電性粒子38的液狀材料，在第一基材22的設有第一端子221的一側表面的接合 面220的大致整個表面上形成不含導電性粒子38的接合膜3’。另外，在第二基材23的設 有第二端子231的一側表面的接合面230的大致整個表面與第一基材22同樣地形成不含 導電性粒子38的接合膜3’。此外，對于在第一基材22和第二基材23上的不含導電性粒子38的接合膜3’的 形成而言，可以使用含有硅酮材料的液狀材料取代含有硅酮材料和導電性粒子38的液狀 材料35，通過上述工序[2]中說明相同的方法進行。第一基材22和第二基材23中形成的接合膜3’的平均厚度設定得盡可能薄，具體 而言，優選設定為0. 1 IOym左右，更優選0.5 5μπι左右。由此，在下面的工序[3’ ]和后面的工序[4’]中，對接合膜3’賦予能量時，可以在其表面附近可靠地體現粘接性。另外，在后面的工序[5’ ]中，沿接合膜3的厚度方向對預接合體1’進行加壓時，通過導電性 粒子38可以將第一端子221與第二端子231可靠地電連接。[3’ ]接著，如圖7(a)所示，通過對在第一基材22的接合面220側形成的接合膜 3’賦予能量，可以使在第一基材22上形成的接合膜3’的表面附近體現粘接性。進而，如圖7 (b)所示，經由在轉印用基材21上形成的接合膜3與在第一基材22上 形成的接合膜3’將轉印用基材21與第一基材22接合后，通過將轉印用基材21與第一基 材22分離，將在轉印用基材21上形成的接合膜3從轉印用基材21轉印至第一基材22 (參 照圖7(c))。如本實施方式這樣，除了在轉印用基材21設置的接合膜3之外，還通過在第一基 材22上設置接合膜3’的構成，是接合膜3與接合膜3’之間的接合更牢固，因此可以更可 靠地將接合于轉印用基材21的接合膜3從轉印用基材21剝離。此外，作為對形成于第一基材22的接合膜3’賦予能量的方法，可以使用與上述工 序[3]中說明的相同的方法，特別優選使用將接合膜3暴露于等離子體的方法。另外，對接合膜的能量的賦予，可以不只對在第一基材22上形成的接合膜3’進 行，也對在轉印用基材21上形成的接合膜3進行。進而，也可以省略對在第一基材22上形 成的接合膜3’進行能量的賦予，而單獨對在轉印用基材21上形成的接合膜3進行。[4’ ]接著，如圖8(a)所示，通過對在第二基材23的接合面230側形成的接合膜 3’賦予能量，可以在第二基材23上形成接合膜3’的表面附近體現粘接性。進而，如圖8(b)所示，通過使轉印于第一基材22的接合膜3與在第二基材23上 形成的接合膜3’接觸，將它們彼此接合，可以得到經由兩個接合膜3’和一個接合膜3而將 第一基材22與第二基材23接合的接合體1’。如本實施方式那樣，除了轉印于第一基材22的接合膜3之外，還通過第二基材23 的設置接合膜3’的構成，使接合膜3與接合膜3’之間的接合更牢固，因此所得的接合體1’ 具有更優良的接合強度。另外，對接合膜的能量的賦予，可以不只對在第二基材23上形成的接合膜3’進 行，而也對轉印于第一基材22的接合膜3進行。進而，也可以省略在第二基材23上形成的 接合膜3’的能量的賦予，而單獨對轉印于第一基材22的接合膜3進行。[5’ ]接著，如在上述工序[5]中說明的那樣，沿接合膜3的厚度方向對預接合體 1’加壓，即，使第一基材22與第二基材23分離距離接近。由此，如圖8(c)所示，可以維持經由接合膜3、3’的第一基材22與第二基材23的 連接，同時通過接合膜3中的導電性粒子38可以使第一端子221與第二端子231電連接， 其結果是，可以形成通過接合膜3、3’將第一基材22與第二基材23更牢固且電連接的接合 體1。在本實施方式中，在第一端子221與第二端子231之間，除了接合膜3以外介有兩 個接合膜3’，通過對預接合體1’進行加壓，可以同時壓潰接合膜3和接合膜3’。因此，最 終性地，接合膜3中所含的導電性粒子38彼此在厚度方向上接觸，因此與上述第1實施方 式同樣地，第一端子221與第二端子231通過導電性粒子38電連接。按以上所述可以得到接合體1。
此外，在本實施方式中，雖然對在第一基材22和第二基材23的接合面(表面)220 和接合面230的雙方上形成接合膜3’的情況進行了說明，但是并不限于這種情況，也可以 是在接合面(表面)220和接合面230的任一方形成上述接合膜3’。以上所述各實施方式的接合方法，可以用于各種基材(部件)所具有的端子彼此 的接合。即，本發明的接合體適用于經由接合膜將各種部件所具有的端子彼此接合的情況。以下，對將本發明的接合體應用于透射型液晶顯示裝置的情況的實施方式進行說 明。<液晶顯示裝置>這里，圖9表示透射型液晶顯示裝置的平面圖，圖10為圖9所示的透射型液晶顯 示裝置所具有的液晶面板的分解立體圖，圖11為圖9中A-A線剖面圖，圖12為圖9中B-B 線剖面圖。此外，各圖中，為了避免圖變得繁雜，省略一部分部件。另外，在以下的說明中， 將圖9中紙面方向前側稱為“上”，紙面里側稱為“下”，將圖10 圖12中上側稱為“上”，將 下側稱為“下”。 各圖所示的透射型液晶顯示裝置(以下，簡稱為“液晶顯示裝置”)401具有液晶 面板(顯示面板)402、用于驅動液晶面板402的多個驅動IC封裝403，兩個輸入用配線基 板405，背光板(光源機構)406。該液晶顯示裝置401是將來自背光板406的光透射于液 晶面板402而可顯示圖像(信息)的裝置。液晶面板402具有相互對置配置的下基板407、上基板408，在這些下基板407與 上基板408之間以包圍顯示區域的方式設置有密封件409 (參照圖11)。進而，在通過這些下基板407、上基板408和密封件409而劃分成的空間中收納作 為電光學物質的液晶，如圖10和圖11所示形成有液晶層410。下基板407和上基板408分別由例如各種玻璃材料、各種樹脂材料等構成。下基板407在其上表面(液晶層410側的表面)設置有以矩陣狀(行列狀)配置 的多個像素電極411、沿X方向延伸存在的信號電極412。一排的像素電極411各自分別通 過TFD元件或TFT元件之類的開關元件413連接于一根信號電極412。另外，在下基板407的下表面設置有偏振板414。另一方面，在上基板408的下表面(液晶層410側的表面)設置有多個形成為帶 狀的掃描電極415。這些的掃描電極415沿著與信號電極412成大致垂直的Y方向，以規定 的間隔相互地大致平行地配置，且以與像素電極411構成對置電極的方式排列。像素電極411與掃描電極415重合的部分(含有該附近的部分)構成一個像素， 在這些電極之間，對于每個像素而言，液晶層410的液晶驅動，即液晶的取向狀態變化。這里，如圖9所示，下基板407具有從平面視角看比上基板408的外緣更靠外側 (圖9中，左側和上側)伸出的伸出區域(框緣)407A。在該伸出區域407A的上表面形成有連接于信號電極412和掃描電極415的配線 圖案422。在各掃描電極415的下表面分別設置有紅(R)、綠(G)、藍⑶的有色層(濾色 器)416，這些各有色層416被黑矩陣417分隔開。另外，在上基板408的上表面設置有與上述偏振板414的偏振軸不同的偏振板 418。
在這種構成的液晶面板402中，從背光板406發出的光，經偏振板414被偏振化 后，通過下基板407和各像素電極411而入射于液晶層410。入射于液晶層410的光，通過 每個像素中取向狀態被控制了的液晶來進行強度調制。經過強度調制的各光通過有色層 416、掃描電極415和上基板408之后，被偏振板418偏振化，向外部射出。由此，在液晶顯 示裝置401中，從上基板408的與液晶層410的相反側，可以辨識出例如文字、數字、圖形等 彩色圖像(含動態圖像和靜止圖像兩者)。如圖9和圖11所示，各驅動IC封裝403分別具有設置有驅動用配線圖案419的可 撓性基板420，收納于該可撓性基板420內且與驅動用配線圖案419電連接的驅動IC421。驅動IC421是具有生成應供給于信號電極412和掃描電極415的驅動信號的功能 的元件，由半導體芯片構成。另外，如圖12所示，驅動用配線圖案419以與配線圖案422相對應的方式設置成 條狀，驅動用配線圖案419的各配線419a的一端部分別與配線圖案422的各配線422a連 接(接合)。 各輸入用配線基板405是分別具有輸入用配線圖案423的印制配線基板，其將來 自安裝有電源用IC和控制用IC的電路基板(圖中未示出)的信號(圖像信號等)經由該 輸入用配線圖案423傳遞至各驅動IC421。各輸入用配線圖案423以與各驅動用配線圖案419對應的方式設置，輸入用配線 圖案423的各配線的一端部分別與驅動用配線圖案419的各配線419a連接(接合)。另 夕卜，輸入用配線圖案423的各配線的另一端部分別與電路基板所具有的各配線連接。在這樣構成的液晶顯示裝置401的驅動系統中，來自電路基板的信號通過各輸入 用配線圖案423和各驅動用配線圖案419輸入至各驅動IC421中，通過這些各驅動IC421 生成應供給于信號電極412和掃描電極415的驅動信號。由信號電極側的驅動IC421(沿 著圖9中Y方向排列的驅動IC421)生成的驅動信號通過驅動用配線圖案419和信號電極 412供給于開關元件。開關元件根據供給的驅動信號對像素電極411供給電流。另外，由掃 描電極415側的驅動IC421 (沿著圖9中X方向排列的驅動IC421)生成的驅動信號通過驅 動用配線圖案419供給于掃描電極415。由此，在像素電極411與掃描電極415之間，對于 各像素中，液晶層410的液晶驅動，即液晶的取向狀態變化。在以上的液晶顯示裝置，如圖11所示，將設有配線圖案422的伸出區域407A，與設 有驅動用配線圖案419的驅動IC封裝403接合時，以及將輸入用配線基板405與驅動IC 封裝403接合時，可以應用本發明的接合方法。換言之，在經由接合膜3來連接伸出區域407A與驅動IC封裝403的接合體、經由 接合膜3來連接輸入用配線基板405與驅動IC封裝403的接合體之中，至少1處可以應用 本發明的接合體。此時，將與配線圖案422的形狀對應的接合膜從轉印用基板轉印至伸出區域407A 上，經由該接合膜3，將伸出區域407A的設置有配線圖案422的一側表面與驅動IC封裝403 所具有的可撓性基板420的設置有驅動用配線圖案419 一側表面接合，由此可以得到將它 們彼此接合的接合體。此外，在本實施方式中，例如如圖12所示，配線圖案422所具有的各配線422a與 驅動用配線圖案419所具有的各配線419a之間的接合，通過設置與每個對應的配線422a、419a的接合膜3來進行，由此，可以將配線422a、419a彼此通過接合膜3接合并且電連接。 這樣，在本實施方式中，由于接合膜3針對每個配線422a、419a獨立設置，因此由遷移的發 生而引起的相鄰配線422a、422a彼此間的短路的發生就可以被可靠地防止。以上，基于圖示的實施方式對本發明的接合方法和接合體進行說明，但是本發明 不限于此。例如，在本發明的接合方法中，根據需要可以增加一個以上的任意目的的工序。 另外，本發明的接合體當然也可以應用于液晶顯示裝置以外的裝置。具體而言， 本發明的接合體，例如可以應用于存儲器之類的半導體元件、水晶振蕩器之類的壓電元件、 太陽能電池之類的光電變換元件、微型反射鏡之類的MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)部件、壓力傳感器、加速度傳感器之類的傳感器部件、有機EL元件、電泳顯示元件 之類的顯示元件用部件等各種部件與搭載基板的接合體。實施例下面，對本發明的具體實施例進行說明。(實施例1)首先，作為轉印用基材，準備在縱20mmX橫20mmX平均厚度Imm的單結晶硅基板 的表面形成有聚四氟乙烯(PTFE)膜的基材，進而，作為第一基材和第二基材，分別準備設 置有條狀的配線圖案的玻璃基板。然后，對第一基材和第二基材的形成有配線圖案的一側 表面進行基于氧等離子體的基底處理。此外，將各玻璃基板的尺寸設為縱20mmX橫20mmX平均厚度1mm。另外，條狀的 配線圖案為以從各玻璃基板上突出的方式形成的銅薄膜，對于其尺寸，將配線的寬和配線 間的間隔都設為200 μ m。接著，作為硅酮材料，準備含有聚酯改性硅酮材料的溶液( ；^〒〃 · >” 才-> ζ · 歹〗J 7 A ·夕\ “ >合同公司制，“XR32-A1612，，)，在該溶液中，將作為導 電性粒子實施了鍍金的聚苯乙烯粒子(平均粒徑5μπι)以最終得到的接合膜中的含有率 為10wt%的方式進行分散，由此制備液狀材料。然后，利用前述的液滴噴出裝置500將5pL 的該液狀材料以液滴形式供給于轉印用基材的形成有PTFE膜的一側表面上，由此形成與 在玻璃基板上形成的配線圖案的形狀對應的液狀覆膜。接著，以200°C使該液狀覆膜進行1小時干燥、硬化，在轉印用基材上形成接合膜 (平均厚度約20 μ m，接合膜的寬210μπι，接合膜間的間隔180μπι)。接著，使用圖6所示的大氣壓等離子體裝置，利用以下所示的條件使形成于轉印 用基材上的接合膜與等離子體接觸。由此，使接合膜活性化，并在其表面體現粘接性。〈等離子體處理條件〉 處理氣體 氦氣和氧氣的混合氣體 氣體供給速度10SLM 電極間距離1mm 施加電壓lkVp_p·電壓頻率40MHz·移動速度Imm/秒接著，以使與配線圖案的形狀對應地形成的接合膜的與等離子體接觸的表面與第一基材所具有的配線圖案的表面接觸的方式，使轉印用基材與第一基材重疊，由此將接合 膜與配線圖案接合。接著，通過將轉印用基材與上述第一基材分離，將接合膜從轉印用基材轉印至第
一基材上。 接著，使用圖6所示的大氣壓等離子體裝置，以與上述的條件同樣的條件使等離 子體與轉印于第一基材上的接合膜接觸。由此，再次使接合膜活性化，并使其表面體現粘接 性。接著，以接合膜的與等離子體接觸的表面與第二基材所具有的配線圖案的表面接 觸的方式，使第一基材與第二基材重疊，由此使接合膜與配線圖案接合，得到第一基材與第 二基材經由接合膜接合的預接合體。接著，沿著接合膜的厚度方向對得到的預接合體進行加壓(50MPa)，以使第一基材 與第二基材分離的距離接近，同時在常溫(攝氏25度左右)維持20秒鐘，通過使接合膜中 所含的導電性粒子在厚度方向接觸，可以將各基材所具有的配線圖案彼此電連接。通過經過以上的工序，可以得到設置于第一基材的配線圖案與設置于第二基材的 配線圖案經由接合膜中所含的導電性粒子而電連接的接合體。進而，利用QUAD GROUP公司制的“Romulus”對該接合體的第一基材與第二基材之 間的接合強度進行測定時，為4MPa以上。此外，在與每個配線對應地形成的各接合膜中，在各配線間的間隔位置相互不接 合，在所得的接合體中，分別獨立地形成。(實施例2)作為第一基材，代替設置有條狀的配線圖案的玻璃基板，而準備設置有條狀的配 線圖案的不銹鋼基板，作為第二基材，準備設置有條狀的配線圖案的聚酰亞胺基板代替設 置有條狀的配線圖案的玻璃基板，除此以往，與上述實施例1同樣地得到接合體。在本實施例2中，也與上述實施例1同樣，接合體的第一基材與第二基材之間的接 合強度為4MPa以上，進而，與每個配線對應地形成的各接合膜，在各配線間的間隔位置，相 互不接合，在所得的接合體中，分別獨立地形成。(實施例3)在第一基材和第二基材的設置有配線圖案一側的表面的大致整個表面，使用從形 成接合膜的液狀材料中除去導電性粒子的液狀材料在轉印用基材上形成接合膜(0. 5 μ m)， 除了使用形成有此種接合膜的第一基材和第二基材以外，與上述實施例1同樣地得到接合 體。在本實施例3中，也與上述實施例1同樣，接合體的第一基材與第二基材之間的接 合強度為4MPa以上。進而，與每個配線對應地形成的各接合膜在各配線間的間隔的位置相 互不接合，在所得的接合體中分別獨立地形成。
權利要求
一種接合方法，其特征在于，包括第一工序，準備轉印用基材、具有第一端子的第一基材及具有第二端子的第二基材，所述轉印用基材至少在表面附近具有相對于含有硅酮材料和導電性粒子的液狀材料的疏液性，所述第一基材和所述第二基材將經由接合膜而相互電接合；第二工序，在所述轉印用基材的賦予所述疏液性的一表面側涂布所述液狀材料而形成以規定形狀構圖的液狀覆膜后進行干燥，得到以所述規定形狀構圖的接合膜；第三工序，通過對所述接合膜賦予能量，使得在所述接合膜的表面附近表現粘接性，經由該接合膜將所述轉印用基材與所述第一基材接合后，通過將所述轉印用基材與所述第一基材分離，將所述接合膜從所述轉印用基材轉印至所述第一基材；第四工序，通過對被轉印的所述接合膜賦予能量，使得在所述接合膜的表面附近表現粘接性，經由該接合膜將所述第一基材與所述第二基材接合，由此得到所述第一基材與所述第二基材彼此接合而成的預接合體；第五工序，沿所述接合膜的厚度方向對所述預接合體進行加壓，而維持經由該接合膜的所述第一基材與所述第二基材的接合，并且經由所述接合膜中的所述導電性粒子將所述第一端子與所述第二端子電連接，由此得到接合體。
2.根據權利要求1所述的接合方法，其中，在使所述第一基材與所述第二基材以所述第一端子與所述第二端子彼此對置的方式 重疊時，所述第一端子與所述第二端子被設置在相互重合的位置。
3.根據權利要求2所述的接合方法，其中，所述規定形狀是在第三工序中將所述接合膜轉印于所述第一基材時，形成與所述第一 端子的形狀對應的形狀。
4.根據權利要求1 3中任一項所述的接合方法，其中，在所述第二工序中，在所述第一基材的經由所述接合膜與所述第二基材接合的一側表 面的大致整個表面上形成不含所述導電性粒子的接合膜。
5.根據權利要求1 4中任一項所述的接合方法，其中，在所述第二工序中，在所述第二基材的經由所述接合膜與所述第一基材接合的一側表 面的大致整個表面上形成不含所述導電性粒子的接合膜。
6.根據權利要求1 5中任一項所述的接合方法，其中，在所述第二工序中，所述液狀覆膜通過使用液滴噴出法將所述液狀材料以液滴形式供 給來形成。
7.根據權利要求6所述的接合方法，其中，所述液滴噴出法是利用基于壓電元件的振動而將所述液狀材料從噴墨頭所具有的噴 嘴孔以液滴形式噴出的噴墨法。
8.根據權利要求1 7中任一項所述的接合方法，其中，所述硅酮材料其主骨架由聚二甲基硅氧烷構成，該主骨架呈分枝狀。
9.根據權利要求8所述的接合方法，其中，所述硅酮材料中所述聚二甲基硅氧烷所具有的甲基的至少一個被苯基取代。
10.根據權利要求1 9中任一項所述的接合方法，其中，所述硅酮材料具有多個硅烷醇基。
11.根據權利要求1 10中任一項所述的接合方法，所述硅酮材料是通過與聚酯樹脂進行脫水縮合反應而得到的一種聚酯改性硅酮材料。
12.根據權利要求11所述的接合方法，其中，所述聚酯樹脂由飽和多元酸與多元醇的酯化反應而得到。
13.根據權利要求1 12中任一項所述的接合方法，其中， 所述導電性粒子具有基材粒子、覆蓋該基材粒子的表面的導電膜。
14.根據權利要求1 13中任一項所述的接合方法，其中， 所述導電性粒子的平均粒徑為0. 3 100 μ m。
15.根據權利要求1 14中任一項所述的接合方法，其中， 所述接合膜的平均厚度為0. 5 500 μ m。
16.根據權利要求1 15中任一項所述的接合方法，其中，在所述第三工序和第四工序中，對所述接合膜的所述能量的賦予通過使等離子體與所 述接合膜接觸來進行。
17.根據權利要求16所述的接合方法，其中， 所述等離子體的接觸在大氣壓下進行。
18.根據權利要求16或17所述的接合方法，其中，所述等離子體的接觸通過以下方式進行對相互對置的電極之間施加電壓，并在該狀 態下向所述電極之間導入氣體，由此將被等離子體化的所述氣體供給到所述接合膜。
19.根據權利要求1 18中任一項所述的接合方法，其中，預先對所述第一端子和所述第二端子實施用于提高與所述接合膜的密合性的表面處理。
20.一種接合體，其特征在于，所述第一基材與所述第二基材經由通過權利要求1 19中任一項所述的接合方法而 形成的接合膜進行接合，并且所述第一端子與第二端子通過所述導電性粒子而電連接。
全文摘要
本發明提供可以采用以高成膜精度構圖的接合膜將兩個基材具有的端子彼此電接合的接合方法，以及具有以該接合方法接合的接合膜的接合體。本發明的接合方法具有以下工序準備轉印用基材、具有第一端子(221)的第一基材(22)，具有第二端子(231)的第二基材(23)的工序；在轉印用基材涂布、干燥含有硅酮材料和導電性粒子(38)的液狀材料得到以規定形狀構圖的接合膜(3)的工序，經由接合膜(3)將轉印用基材與第一基材(22)接合后將它們彼此分離，由此將接合膜(3)轉印于第一基材(22)的工序；通過將第一基材(22)與第二基材(23)接合，得到它們彼此接合的預接合體(1’)的工序，對預接合體(1’)進行加壓得到經由導電性粒子(38)使第一端子(221)與第二端子(231)電連接的接合體(1)的工序。
文檔編號C09J9/02GK101845278SQ20101014913
公開日2010年9月29日 申請日期2010年3月26日 優先權日2009年3月26日
發明者五味一博, 今村峰宏 申請人:精工愛普生株式會社