專利名稱：：用于發光器件的單晶熒光體光轉化結構的制作方法
技術領域：
：本發明涉及固態發光器件和其制造方法，更詳細地講，本發明涉及用在固態發光器件中的光轉化結構。
背景技術：
：發光二極管和激光二極管是眾所周知的在施加足夠電壓時能夠產生光的固態發光元件。發光二極管和激光二極管可以通稱為發光器件("LED")。發光器件通常包括形成于在底材如藍寶石、硅、碳化硅、砷化鎵等上生長的外延層中的p-n結。LED產生的光的波長分布通常取決于制造p-n結的材料和構成器件的有源區的薄外延層的結構。經常需要將熒光體結合到固態發光器件中以加強具體頻帶中的發射輻射和/或將至少一些所述輻射轉化到另一頻帶。術語"熒光體"在本文中可用來指在一波長下吸收光且在不同波長下再發射光的任何材料，此與吸收和再發射之間的延遲無關且與所涉及的波長無關。因此，術語"熒光體"在本文中可用來指有時稱為熒光材料和/或磷光材料的材料。通常，熒光體吸收較短波長的光且再發射較長波長的光。同樣地，由LED在第一波長下發射的一些或所有光可被熒光體顆粒吸收，所述熒光體顆粒可響應地在第二波長下發射光。例如，單個發藍光LED可被黃色熒光體如鈰摻雜的釔鋁石榴石(YAG)圍繞。產生的光(其為藍光與黃光的組合)對于觀測者可呈現白色。雖然由本領域的技術人員已知并使用過許多熒光體，但仍存在對于改善量子效率和便于制造包括熒光體的固態發光器件的熒光體材料和方法的需要。發明概述根據本發明的一些實施方案，提供了包括固態發光晶粒和光轉化結構的固態發光器件。所述固態發光晶粒經構造以在其激發時發射光。所述光轉化結構包括單晶熒光體且可在所述固態發光晶粒的發光表面上。在一些實施方案中，所述光轉化結構經由粘合層連接至所述發光表面，在一些實施方案中，所述粘合層包含聚硅氧烷聚合物。此外，在一些實施方案中，所述光轉化結構可定尺寸以適合所述固態發光晶粒的發光表面。在一些實施方案中，所述光轉化結構可直接在所述固態發光晶粒的發光表面上。另外，在一些實施方案中，所述光轉化結構可充當固態發光晶粒的底材。可作為單晶生長的熒光體材料可在本發明的一些實施方案的光轉化結構中使用。例如，可使用鈰摻雜的單晶熒光體，例如鈰YAG、Ce:(Ca，Mg，Sr)AlSi&和/或Ce:SrGaS。作為另一實例，可使用銪摻雜的單晶熒光體，例如Eu:(Ca，Sr)AlSiN3、Eu:Sr2—xBaxSi04、Eu:SrGaS、Eu:a-SiAlON和銪摻雜的硅石榴石。根據本發明的一些實施方案，可將所述單晶熒光體光轉化結構紋理化、糙化、蝕刻和/或特征化。根據本發明的一些實施方案，還提供了制造固態發光器件的方法。在一些實施方案中，制造固態發光器件的方法包括將包括單晶熒光體的光轉化結構置放于固態發光晶粒3的發光表面上。根據本發明的一些實施方案，所述光轉化結構的置放可包括將包括單晶熒光體的光轉化結構粘合連接至所述固態發光晶粒的發光表面。根據本發明的其它實施方案，所述光轉化結構的置放還可包括經由單晶薄膜沉積技術在所述固態發光晶粒的表面上生長單晶熒光體。此外，根據本發明的一些實施方案，提供了制造固態發光器件的方法，所述方法包括在包括單晶熒光體的光轉化結構的表面上生長固態發光晶粒。在一些實施方案中，所述光轉化結構的表面可在所述固態發光晶粒在其上生長之前被拋光。附圖簡述圖1A-1F為常規發光二極管的各種構造的剖視圖。圖1G為常規封裝發光二極管的剖視圖。圖2A-2F為根據本發明的各種實施方案的固態發光器件在其中間物制造期間的剖視圖。圖3A-3F為根據本發明的各種實施方案的固態發光器件在連接單晶熒光體光轉化結構之后的剖視圖。圖3G為根據本發明的各種實施方案的圖3F的封裝器件的剖視圖。圖3H-3M為根據本發明的各種實施方案的固態發光器件在連接單晶熒光體光轉化結構之后的剖視圖。圖3N為根據本發明的各種實施方案的圖3M的封裝器件的剖視圖。圖4為可被執行以制造根據本發明的各種實施方案的固態發光器件的操作流程圖。圖5A和5B為根據本發明的各種實施方案的封裝器件的剖視圖。圖6A-6F為根據本發明的其它實施方案的固態發光器件的剖視圖。圖7A-7F為根據本發明的又一其它實施方案的固態發光器件的剖視圖。圖8A-8F為根據本發明的再一其它實施方案的固態發光器件的剖視圖。圖9A-9F為根據本發明的另外實施方案的固態發光器件的剖視圖。圖IOA和IOB為根據本發明的各種實施方案的固態發光器件在其中間物制造期間的剖視圖。圖ll為可被執行以制造根據本發明的各種實施方案的單晶光轉化結構的操作流程圖。圖12為可經構造以連接至多個根據本發明的各種實施方案的固態發光晶粒的大面積預型件的剖視圖。圖13為可被執行以制造根據本發明的各種實施方案的固態發光器件的操作流程圖。圖14為可被執行以制造根據本發明的各種實施方案的固態發光器件的操作流程圖。圖15為包括根據本發明的一些實施方案的發光器件、具有背光的顯示裝置的示意圖。圖16為包括根據本發明的一些實施方案的發光器件的固態光源的示意圖。發明詳述下文中參考示出本發明的示例性實施方案的附圖更全面地描述本發明。然而，本發明可以許多不同形式體現且不應認為本發明局限于本文所闡述的示例性實施方案。更確切地講，提供公開的實施方案是使得本公開更加透徹、完整并將本發明的范圍完全傳達給本領域的技術人員。在圖中，為清楚起見，可將層和區域的大小和相對大小放大。此外，本文中描述并說明的各個實施方案也包括其互補導電類型(complementaryconductivitytype)實施方案。類似的數字自始至終指的是類似的元件。應當理解的是，當稱元件或層在另一元件"上"，"連接"、"耦合"或"響應"(和/或其變體)另一元件時，它可以直接在另一元件上或直接連接、耦合或響應另一元件或者可存在插入元件。相比之下，當稱元件"直接"在另一元件上，"直接連接"、"直接耦合"或"直接響應"(和/或其變體)另一元件時，則不存在插入元件。類似的數字自始至終指的是類似的元件。如本文中所用，術語"和/或"包括一個或多個相關聯的所列項目的任何或所有組合，其可縮寫為'7"。應當理解的是，雖然術語第一、第二、第三等可在本文中用以描述多個元件、部件、區域、層和/或部分，但這些元件、部件、區域、層和/或部分不應該受到這些術語限制。這些術語僅僅用來區分一個元件、部件、區域、層或部分與另一區域、層或部分。因此，在不脫離本發明的教導的情況下，下文論述的第一元件、部件、區域、層或部分可稱作第二元件、部件、區域、層或部分。本文所用的術語只是出于描述具體實施方案的目的，并不意味著限制本發明。如本文中所用，除非上下文另外清楚地指明，否則單數形式"一"、"一個"和"該"還意味著包括復數形式。還應當理解的是，術語"包括"和/或"包含"(和/或其變體)當在本說明書中使用時指定存在所說明的特征、整數、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或增加一個或多個其它特征、整數、步驟、操作、元件、部件和/或其群組。相比之下，術語"由......組成"(和/或其變體)當在本說明書中使用時指定所說明數目的特征、整數、步驟、操作、元件和/或部件，且排除另外的特征、整數、步驟、操作、元件和/或部件。本發明參考根據本發明的實施方案的方法和/或裝置(系統)的方框圖和/或流程圖描述如下。應當理解的是，方框圖和/或流程圖中的一個方框和方框圖和/或流程圖中的方框的組合可體現執行在方框圖和/或流程圖中所指定的功能/作用的裝置/系統(結構)、設備(功能)和/或步驟(方法)。還應當注意到，在一些供選的實施方案中，方框中所指出的功能/作用可以流程圖中所指出的順序之外的順序發生。例如，順序示出的兩個方框實際上可基本同時執行，或者這些方框有時可以倒序執行，這取決于所涉及的功能/作用。此外，流程圖和/或方框圖的給定方框的功能可分成多個方框和/或流程圖和/或方框圖的兩個或多個方框的功能可至少部分地合并。此夕卜，相對術語如"下"或"底部"和"上"或"頂部"可在本文中用以描述圖中所說明的一個元件與另外元件的關系。應當理解的是，相對術語意味著除了圖中所描繪的方向之外還包括器件的不同方向。例如，如果將一個圖中的器件翻轉，則描述為在其它元件的"下"側上的元件將定向為在其它元件的"上"側上。因此，根據圖的具體方向，示例性術語"下"可包括"下"和"上"兩個方向。類似地，如果將一個圖中的器件翻轉，則描述為在其它元件的"下面"或"下方"的元件將定向為在其它元件的"上面"。因此，示例性術語"下面"或"下方"可包括上面和下面兩個方向。本發明的示例性實施方案在本文中參考剖視圖描述，所述剖視圖是本發明的理想化的實施方案(和中間結構)的示意性圖示。因而，例如，預期會出現因制造技術和/或公差導致的圖示的形狀的變化。因此，除非本文明確地如此規定，否則不應將本發明公開的示例性實施方案視為局限于本文所說明的區域的具體形狀，而是包括由例如制造導致的形狀的偏離。例如，示意為矩形的嵌入區域通常在其邊緣將具有圓形或曲線特征和/或嵌入濃度梯度，而不是嵌入區域到非嵌入區域的二元變化。同樣，通過嵌入形成的埋置區域可在埋置區域與經其發生嵌入的表面之間的區域中產生一些嵌入。因此，除非本文中明確地如此規定，否則圖中所說明的區域本質上為示意性的，其形狀并不意味著說明器件的區域的實際形狀且并不意味著限制本發明的范圍。除非另外規定，否則本文中所用的所有術語(包括技術術語和科學術語)都具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。還應當理解的是，除非本文明確地如此規定，否則術語如在通常所用詞典中規定的術語應當解釋為具有與它們在相關領域和本申請的上下文中的意義一致的意義，并且不應以理想或太正式的意義來解釋。根據本發明的一些實施方案，提供了固態發光器件，所述固態發光器件包括經構造以在其激發時發射光的固態發光晶粒和在所述固態發光晶粒的發光表面上的單晶熒光體光轉化結構。在一些實施方案中，所述單晶熒光體光轉化結構可通過薄膜氣相沉積技術如M0CVD、MBE、LPE等在固態晶粒的發光表面上形成，如下文進一步詳細描述。在其它實施方案中，所述單晶熒光體可外部生長(例如經由Czochralksi型方法)，它還可被稱為任選定尺寸以適合晶粒的發光表面的預型件，隨后使其連接至所述發光表面，如下文進一步詳細描述。在一些實施方案中，所述單晶熒光體預型件可粘合連接至發光晶粒。此外，在一些實施方案中，所述光轉化結構可充當固態發光晶粒的底材。"單晶熒光體光轉化結構"為在包括可在一波長下吸收光且在另一波長下再發射光的單晶熒光體的LED中的結構。在一些實施方案中，所述單晶熒光體光轉化結構由單晶熒光體組成。措詞"粘合連接"是指兩個元件彼此接合。接合可經由單個粘合層或經由一個或多個中間粘合和/或其它層/結構直接進行以形成固態發光晶粒與粘合連接至其的單晶熒光體預型件的整體結構，使得此整體結構可置放于基座(submcnmt)或其它封裝元件上。最后，術語"透明"是指來自固態發光器件的光學輻射可穿過材料而沒有被全部吸收或全部反射。根據本發明的各種實施方案，單晶熒光體光轉化結構的使用可在固態發光器件的制造中提供許多潛在優勢。例如，經常需要將熒光體和/或其它光學元件結合到固態發光器件中。然而，當涂覆熒光體層時，所述涂層可能過厚和/或不合需要地不均勻。此外，結合到圓頂或殼中的熒光體層也可能太厚和/或不均勻。另外，目前通常將熒光體以多晶粉末形式提供給LED，其中熒光體顆粒的大小和質量會顯著影響熒光體的量子效率。另外，可將熒光體顆粒施用到聚硅氧烷或其它聚合物基質的芯片上。自熒光體顆粒發射的光的相關色溫(CCT)可通過改變聚合物基質中熒光體顆粒的數量或通過改變聚合物基質的厚度而改變。然而，可能難以切割、成型和/或操作一些聚合物光轉化結構以將其精確地置放在芯片上。此外，雖然所述聚合物僅存在于光轉化結構中以充當熒光體顆粒的惰性基質，但如果使用相對厚的預型件，則其吸收會變成問題。因此，在實踐中，特別是在大規模生產中，可使用相對薄的結構，其可導致操作困難。所述單晶熒光體光轉化結構可由可作為單晶生長的任何合適的熒光體材料形成。例如，在一些實施方案中，所述單晶熒光體材料可為鈰(Ce)摻雜的單晶，例如Y3Al5012(Ce:YAG)。在其它實施方案中，可使用其它熒光體，例如Ce和/或銪(Eu)摻雜的(Ca，Sr，Mg)AlSiN3;Eu摻雜的Sr2—xBaxSi04(B0SE);Ce或Eu摻雜的硫化鎵酸鍶；或Eu摻雜的a-SiA10N、Y202S、La202S、硅石榴石、Y202S或La202S。另外，在一些實施方案中，還可使用歐洲專利公開案第1，696，016號、美國專利公開案第2007/0075629號和—提交的美國專利申請第號(代理機構案號第5308-727號)標題為CeriumandEuropium-DopedPhosphorCompositionsandLightEmittingDevicesIncludingtheSame(鋪禾口銪慘雜的熒光體組合物和包括其的發光器件)(發明人RonanP.LeToquin)中所述的熒光體。所述單晶熒光體還可以任何合適量摻雜。在一些實施方案中，將Ce和/或Eu摻雜到單晶熒光體中，使得摻雜劑濃度為約0.1%-約20%。因為本發明的光轉化結構由單晶熒光體形成，所以相對于傳統使用的光轉化結構6來說，折光指數可得到提高，此歸因于熒光體的折光指數比較高。提取效率由于單晶熒光體光轉化結構的比較高的折光指數由此可得到提高。此外，在一些實施方案中，所述單晶熒光體光轉化結構可相對較薄，例如，在約10nm到約200iim范圍內，在其它實施方案中，在約10iim至lj200iim范圍內，在一些實施方案中，在約15iim至lj約35iim范圍內。另外，在一些實施方案中，單晶薄膜的厚度可大約為黃光的波長(500-600nm)，其可將共振引入單晶熒光體中且提高光提取。在聚合物光轉化結構中見到的內吸收和反射(bounce)也可通過使用單晶熒光體光轉化結構降低。并且，在一些實施方案中，所述單晶熒光體光轉化結構為可獨立于固態發光晶粒形成的預型件，因此其可在不影響固態發光晶粒的可靠性和/或產率的情況下制造并測試。最后，相對堅硬的單晶熒光體可允許光轉化結構更有效地紋理化、糙化、蝕刻和/或特征化。圖1A-1E為根據本發明的各種實施方案可與單晶熒光體光轉化結構并任選與其它光學器件組合使用的常規發光二極管(LED)的多種構造的剖視圖。如圖1A-1E所示，固態發光器件100包括可包括二極管區域D和底材S的固態發光晶粒110。二極管區域D經構造以在其通過在陽極觸點A與陰極觸點C之間施加電壓激發時發射光。二極管區域D可包含有機和/或無機材料。在無機器件中，底材S可包含碳化硅、藍寶石和/或任何其它單種元素和/或化合物半導體材料，二極管區域D可包含碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鋅和/或任何其它單種元素或化合物半導體材料，它可與底材S相同或不同。底材S的厚度可為約100iim-約250iim，盡管可使用更薄或更厚的底材或可能根本不使用底材。陰極C和陽極A觸點可由金屬和/或其它導體形成，且可為至少部分透明和/或反射的。有機和無機LED的設計和制造為本領域的技術人員所熟知，在本文中不必詳細描述。如在圖1A-1E中描繪的LED可由Cree，inc.(本申請的受讓人)例如以商標XThin⑧、MegaBright、EZBright、UltraThinTM、RazerThin⑧、XBright⑧、XLamp⑧和/或其它商標及由其它公司銷售。在圖1A中，光發射可自二極管區域D直接發生。相比之下，在圖1B的實施方案中，發射可自二極管區域D經由底材S發生。在圖1C和ID中，底材S可經成形以提高自底材S的側壁的發射和/或提供其它合乎需要的作用。最后，在圖1E中，所述底材本身可顯著變薄或完全消除，以使得僅存在二極管區域D。此外，在所有上述實施方案中，陽極A和陰極C觸點可具有各種構造且可如所說明提供在固態發光晶粒110的相對側上，或提供在固態發光晶粒110的同一側上。還可提供給定類型的多個觸點。圖1F通過提供固態發光器件100來提供圖1A-1E的概括，固態發光器件100包括固態發光晶粒110，固態發光晶粒110包括圖1A-1E的二極管區域D，還可包括圖1A-1E的底材，其可經構造以在其經由可包括圖1A-1E的陽極A和陰極C的一個或多個觸點120a、120b激發時發射光。圖1G說明通過將所述器件IOO安裝在基座130上封裝的圖1F的固態發光器件100，基座130使用一個或多個引線接合134提供外部電接頭132以及提供保護圓頂或蓋140。如本領域的技術人員所熟知，可采用許多其它封裝技術來封裝固態發光晶粒，且其在本文中不必另外描述。例如，封裝技術見述于以下專利中2004年9月14日授予Slater,Jr.等的標題為LightEmittingDiodesIncludingModificationsforLightExtraction(包括對于光提取的改進的發光二極管)的美國專利第6，791，119號；2005年5月3曰授予Slater,Jr.等的標題為Flip-BondingofLightEmittingDevicesandLightEmittingDevicesSuitableforFlip-ChipBonding(發光器件的倒裝式接合和適于倒裝式接合的發光器件)的美國專利第6，888，167號；2004年5月24日授予Slater,Jr.等的標題為LightEmittingDiodesIncludingModificationsforSubmo皿tBonding(包括對于基座接合的改進的發光二極管)的美國專利第6，740，906號；2005年2月8日授予Slater，Jr.等的標題為Phosphor-CoatedLightEmittingDiodesIncludingTaperedSidewalls，andFabricationMethodsTherefor(包括錐形側壁的涂有熒光體的發光二極管和其制造方法)的美國專利第6，853，010號；2005年4月26日授予Andrews的標題為LightEmittingDevicesforLightConversionandMethodsandSemiconductorChips,forFabricatingtheSame(用于光轉化的發光器件和制造其的方法及半導體芯片)的美國專利第6，885，033號；和2006年4月18日授予Negley等的標題為Tra固issiveOpticalElementsIncludingTransparentPlasticShellHavingaPhosphorDispersedTherein,andMethodsofFabricatingSame(包括熒光體分散在其中的熒光體的透明塑料殼的透射光學元件和其制造方法)的美國專利第7，029，935號；2005年3月10日Negley等公開的SolidMetalBlockMountingSubstratesforSemiconductorLightEmittingDevices,andOxidizingMethodsforFabricatingSame(用于半導體發光器件的固態金屬塊安裝底材及制造其的氧化方法)的美國專利申請公開案第2005/0051789號；2005年9月29日Negley公開的SemiconductorLightEmittingDevicesIncludingFlexibleFilmHavingThereinanOpticalElement,andMethodsofAssemblingSame(包括其中具有光學元件的柔性薄膜的半導體發光器件和其封裝方法)的美國專利申請公開案第2005/0212405號；2006年1月26日Negley公開的ReflectiveOpticalElementsforSemiconductorLightEmittingDevices(用于半導體發光器件的反射光學元件)的美國專利申請公開案第2006/0018122號；2006年3月23日Negley公開的SemiconductorLightEmittingDevicesIncludingPatternableFilmsComprisingTransparentSiliconeandPhosphor,andMethodsofMa皿facturingSame(包括包含透明聚硅氧烷及熒光體的可圖案化薄膜的半導體發光器件和其制造方法)的美國專利申請公開案第2006/0061259號；2006年5月11日Negley公開的SolidMetalBlockSemiconductorLightEmittingDeviceMountingSubstratesandPackagesIncludingCavitiesandHeatSinks,andMethodsofPackagingSame(固態金屬塊半導體發光器件安裝底材和包括空腔和散熱器的封裝及其封裝方法)的美國專利申請公開案第2006/0097385號；2006年6月15日Negley等公開的SemiconductorLightEmittingDeviceMountingSubstratesandPackagesIncludingCavitiesandCoverPlates，andMethodsofPackagingSame(半導體發光器件安裝底材和包括空腔和蓋板的封裝及其封裝方法)的美國專利申i青公開案第2006/0124953;和2006年6月29日Negley等公開的LightEmittingDiodeArraysforDirectBacklightingofLiquidCrystalDisplays(用于液晶顯示器的直接背光的發光二極管陣列)的美國專利申請公開案第2006/0139945號；和2006年4月21日Villard提交的MultipleThermalPathPackagingForSolidStateLightEmittingA卯aratusAndAssociatedAssemblingMethods(用于固態發光裝置的多熱路徑封裝及相關組裝方法)的美國申請第11/408，767號，其全部轉讓給本發明的受讓人，其說明書如同完全在本文中闡述一樣通過全文引用方式結合到本文中來。8圖2A-2F為根據本發明的各種實施方案包括外部生長且隨后連接至固態發光器件的單晶熒光體光轉化結構的固態發光器件的中間物制造(本文中還稱為"預型件")的剖視圖。圖2A-2F的各個固態發光器件采用圖1A-1F的各個固態發光晶粒。如下所述，所述單晶熒光體光轉化結構可任選在連接至固態發光晶粒之前或之后例如通過切割、拋光、紋理化等改變。如圖2A所示，單晶熒光體光轉化結構200足夠薄以致于允許至少一些自固態發光晶粒110發射的光穿過。層210a、210b如粘合層還可提供在單晶熒光體光轉化結構200上和/或提供在晶粒110上，如由箭頭230所示，所述層使單晶熒光體光轉化結構200與固態發光晶粒110彼此連接，例如粘合連接，以及使單晶熒光體光轉化結構200與固態發光晶粒110彼此光學耦合。單晶熒光體光轉化結構200為可改變至少一些自固態發光晶粒110發射的光的光學元件。如下所述，其它光學元件可與根據本發明的一些實施方案的單晶熒光體光轉化結構200組合使用。還應當理解的是，在一些實施方案中，層210a、210b可僅提供在單晶熒光體光轉化結構200上或僅提供在晶粒110上。層210a、210b可為透明的環氧化物如熱固性聚硅氧烷凝膠或橡膠(可自DowCorning、Shin-Etsu、NuSil、GE等購得)和/或任何其它透明的環氧化物。還如圖2A所示，與基于聚硅氧烷的光轉化結構相比，單晶熒光體光轉化結構200可相對堅硬。在一些實施方案中，所述單晶熒光體光轉化結構可具有接近LED晶粒的表面的大小，例如約1000iimX1000iim，且其厚度可為約liim-約100ym。然而，在其它實施方案中，可以其它尺寸提供。還如圖2A所示，所述固態發光晶粒可包括外接觸墊，如陰極C，單晶熒光體光轉化結構200可包括經構造以暴露外接觸墊C的凹口、孔和/或其它孔隙200a。在圖2A的實施方案中，單晶熒光體光轉化結構200為平面的且可具有均勻厚度。此外，除了可經提供以暴露外接觸面C的孔隙、凹口或其它表面特征200a之外，圖2A的單晶熒光體光轉化結構200可具有與固態發光晶粒110的表面相同的尺寸和形狀。可能還需要在所述單晶熒光體光轉化結構中提供一個或多個特征以便于使單晶熒光體光轉化結構200與晶粒110對準。圖2B說明本發明的其它實施方案，其中單晶熒光體光轉化結構200為非平面的且可例如包括經構造以沿固態發光晶粒110的側壁延伸的側壁202。自所述固態發光晶粒的側壁發射的輻射以及自單晶熒光體光轉化結構200所連接的主表面發射的輻射因此可穿過單晶熒光體光轉化結構200。側壁202可部分或完全沿晶粒的側壁延伸。此外，在一些實施方案中，單晶熒光體光轉化結構200可全程圍繞晶粒(包括在晶粒的側壁和相對面上)延伸。如圖2B所示，層210b可位于晶粒上，且還可提供在單晶熒光體光轉化結構200上，包括提供在單晶熒光體光轉化結構200的側壁202上和/或晶粒110的側壁上。圖2C說明本發明的其它實施方案，其中所述單晶熒光體光轉化結構延伸超出晶粒110的表面。因此，如圖2C所示，單晶熒光體光轉化結構200伸出固態發光晶粒110的表面。通過提供伸出物，來自所述器件的側壁的輻射可穿過單晶熒光體光轉化結構200。還如圖2C所示，伸出物204可比單晶熒光體光轉化結構200的剩余部分厚。此外，伸出物204可延伸超出所述晶粒大距離，可延伸到其中安裝晶粒110的空腔的側壁，以使得基本全部自所述空腔發射的光穿過單晶熒光體光轉化結構200。圖2D說明其它實施方案，其中均勻厚度的單晶熒光體光轉化結構200可包括伸出物204。此外，伸出物204可延伸超出所述晶粒大距離，可延伸到其中安裝晶粒110的空腔的側壁，以使得基本全部自所述空腔發射的光穿過所述單晶熒光體光轉化結構。圖2E說明圖2B的單晶熒光體光轉化結構以及沿LED晶粒110的側壁以及在其上表面上延伸的耦合/粘合層210c的用途。最后，圖2F概括地說明單晶熒光體光轉化結構200和耦合/粘合層210a/210b的用途，所述耦合/粘合層210a/210b使單晶熒光體光轉化結構200與發光晶粒如箭頭230所示彼此連接且使單晶熒光體光轉化結構200與發光晶粒110彼此耦合。本領域的技術人員應當理解的是，圖2A-2F的實施方案可以各種變換和組合而組合。因此，例如，圖2D的單晶熒光體光轉化結構可與圖2C的固態發光晶粒一起使用，圖2E的單晶熒光體光轉化結構可與圖2D的固態發光晶粒一起使用。圖3A-3F相應于圖2A_2F，但說明通過可包括圖2A的耦合/粘合層210a和/或210b的層210連接至發光晶粒110的單晶熒光體光轉化結構200。因此，在使單晶熒光體光轉化結構200與晶粒110連接之后，提供固態發光晶粒110與單晶熒光體光轉化結構200的整體結構300。如圖3G所示，隨后可將該整體結構300安裝于基座130上且進一步封裝。圖3H-3N相應于圖3A_3G，但說明不穿過單晶熒光體光轉化結構200本身但穿過層210的低矮(lowprofile)引線接合334。在這些實施方案中，引線334可在置放粘合/耦合層210和單晶熒光體光轉化結構200于晶粒110上之前與陽極A或陰極C接合。圖3H-3N的低矮引線接合實施方案可避免對于單晶熒光體光轉化結構200中切口的需要，此可便于制造LED且可使單晶熒光體光轉化結構在組裝期間較易于對準。此外，在這些實施方案中，可需要提供在其中容納引線334的較厚層210。在本發明的一些實施方案中，可使用約35iim-約70iim的厚度。如上所述，層210可為液體環氧化物。所述液體環氧化物可在使單晶熒光體光轉化結構200連接至晶粒110之前分配到單晶熒光體光轉化結構200和/或固態發光晶粒110上，隨后在使單晶熒光體光轉化結構200連接至晶粒110之后固化。例如，上述基于聚硅氧烷的液體環氧化物可在室溫下分配且使用置放單晶熒光體光轉化結構200的摘嵌力散布。隨后固化可通過在烘箱中加熱進行。在一些實施方案中，可使用厚度為約0.1iim-約50iim的粘合層。此外，在其它實施方案中，可在將單晶熒光體光轉化結構200置放于晶粒110上之后施用"芯吸"粘合/光學耦合流體以提供薄層210。單晶熒光體光轉化結構可如圖2A-2F和3A-3N中所說明構建以提供根據本發明的一些實施方案的各種潛在優勢。例如，在圖2B、2E、3B、3E、31和3L中，單晶熒光體光轉化結構200包括至少部分地沿或鄰近固態發光晶粒110的側壁延伸的側壁202。根據本發明的一些實施方案，已經發現雖然光可主要自晶粒110的上表面發射，但可發生一些低角度側壁發射。該側壁發射會不利地影響固態發光器件的所要相關色溫(CCT)均勻性。然而，通過提供三維(非平面)單晶熒光體光轉化結構200，側發射也可被單晶熒光體光轉化結構200"捕獲"。在一些實施方案中，背發射也可通過在晶粒的相對面和側壁上提供單晶熒光體光轉化結構而捕獲。在另一實例中，如圖2C、2D、3C、3D、3J和3K所說明，所述單晶熒光體光轉化結構可包括厚度與單晶熒光體光轉化結構200的剩余部分厚度相同或不同的伸出物204。伸出物204可捕獲自固態發光晶粒110的側壁發射的輻射。此外，在一些實施方案中，通過提供較厚的伸出物，所述單晶熒光體光轉化結構可將例如非朗伯(Lambertian)輻射圖轉化為更10合乎需要的朗伯輻射圖或可將稍微朗伯的輻射圖轉化為更朗伯的輻射圖。本領域的技術人員應當理解的是，圖2C、3C和3J的單晶熒光體光轉化結構的較厚部分可如圖2C、3C和3J所示向固態發光晶粒110延伸和/或遠離所述固態發光晶粒延伸。圖4為可被執行以制造根據本發明的各種實施方案的固態發光器件的操作流程圖。參看圖4，在方框410處，固態發光晶粒如晶粒110使用傳統技術制造。在方框420處，單晶熒光體光轉化結構如單晶熒光體光轉化結構200使用下文將詳細描述的技術和/或使用其它單晶熒光體光轉化結構制造技術制造。應當理解的是，所述晶粒和單晶熒光體光轉化結構可以圖4所示順序以外的順序制造和/或時間上至少部分重疊地制造。隨后，在方框430處，將粘合劑如耦合/粘合層210施用到晶粒110和/或單晶熒光體光轉化結構200上。在方框440處，隨后使單晶熒光體光轉化結構與晶粒彼此連接。如果需要，則在方框450處使粘合劑固化。隨后可在方框460處例如通過將晶粒110與單晶熒光體光轉化結構200的整體結構接合到基座和/或其它封裝底材而進行隨后封裝。還應當理解的是，引線接合可在執行方框440處的連接步驟之前或之后連接至晶粒上。雖然所述單晶熒光體光轉化結構在高溫下可極其穩定，因此其可直接置放于發光表面上或緊挨著發光表面置放，但所述單晶熒光體的效率通常與單晶熒光體光轉化結構200的溫度逆向相關。晶粒110可相對較熱，例如處于約ll(TC，因此使單晶熒光體光轉化結構200自晶粒110升起或分離可降低或最小化單晶熒光體光轉化結構200的熱度，由此改善量子效率。參看圖5A，根據本發明的一些實施方案，單晶熒光體光轉化結構200置放在晶粒110之上且置放在基座130上，由此單晶熒光體光轉化結構200經由透明底材500連接至晶粒110。在其它實施方案中，透明底材500不存在，因此單晶熒光體光轉化結構200不經由透明底材500連接至晶粒IIO，而作為替代，在晶粒110與單晶熒光體光轉化結構200之間存在空白空間。參看圖5B，在可稱為"遠程熒光體"的一些實施方案中，單晶熒光體光轉化結構200可經由側壁510在基座130之上升起且經由透明底材500連接至晶粒110。在一些實施方案中，透明底材500不存在，因此單晶熒光體光轉化結構200不經由透明底材500連接至晶粒110，而是由側壁510支撐。因此，在晶粒110與單晶熒光體光轉化結構200之間提供空白空間。側壁510可由反射表面(例如鋁)形成和/或涂有反射材料，以更有效地照射單晶熒光體光轉化結構200。應當理解的是，晶粒110與單晶熒光體光轉化結構200之間的距離可根據晶粒110、基座130和透明底材500的構造而不同。根據本發明的各種實施方案，許多其它光學元件可與所述單晶熒光體光轉化結構組合提供。通常，所述光學元件可經構造以通過改變自固態發光晶粒iio發射的至少一些光的振幅、頻率和/或方向改變該至少一些光。這些光學元件可包括另外的光轉化結構，所述光轉化結構包括多晶熒光體顆粒、光學折射元件如透鏡、濾光元件如濾色片、光學散射元件如光學散射顆粒、光學擴散元件如紋理表面和/或光學反射元件如反射表面，所述另外的光轉化結構包括在所述單晶熒光體光轉化結構內和/或所述單晶熒光體光轉化結構上。可提供這些實施方案和/或其它實施方案的組合。此外，可提供兩個或更多個單晶熒光體光轉化結構，所述光轉化結構中各單晶熒光體光轉化結構可執行不同光學處理作用、相同光學處理作用或重疊處理作用，這取決于固態發光器件的所要功能。現將詳細描述許多其它實例。11例如，如圖6A-6F所示，在其中包括散射顆粒620的第二光轉化結構600可通過第二層610連接/耦合，以將光轉化和光散射的功能分到兩個不同光轉化結構200、600。第二層610可與第一層210相同或不同。應當理解的是，第一光轉化結構200和第二光轉化結構600相對于固態發光晶粒110的順序可自圖6A-6F中所示的順序逆轉。此外，第一光轉化結構與第二光轉化結構不必彼此符合或具有相同厚度。最后，從制造觀點來看，可制造第一光轉化結構200和第二光轉化結構600，隨后使其彼此連接，之后使第一光轉化結構200和第二光轉化結構600的組合件連接至固態發光晶粒110。或者，所述光轉化結構之一可連接至固態發光晶粒IIO，隨后可使另一光轉化結構連接至已連接至固態發光晶粒110的光轉化結構上。在本發明的其它實施方案中，還可使用三個或更多個光轉化結構。作為另一實例，圖7A-7F中所說明的實施方案提供在單晶熒光體光轉化結構200上的光學元件，例如多晶熒光體顆粒720。涂層可通過在單晶熒光體光轉化結構的制造期間在任一點涂覆單晶熒光體光轉化結構，隨后通過使涂覆的單晶熒光體光轉化結構連接至固態發光晶粒來提供。然而，在其它實施方案中，涂覆可在使單晶熒光體光轉化結構連接至晶粒之后執行。圖8A-8F說明本發明的其它實施方案，其中在單晶熒光體光轉化結構200上，例如在單晶熒光體光轉化結構200的側壁上，提供反射鏡820。反射鏡820可通過將雜散側面輻射反射回主輻射路徑而改變發光晶粒的輻射圖。反射鏡820可通過在使單晶熒光體光轉化結構200連接至固態發光晶粒之前使其選擇性地金屬化而產生。在其它實施方案中，單晶熒光體光轉化結構200可在將其連接之后金屬化。應當理解的是，鏡子和/或其它反射鏡820可與本文所述的任何其它實施方案組合。還應當理解的是，金屬化還可用來提供電跡線、引線和/或觸點，以在所述單晶熒光體光轉化結構中和/或上提供電元件。圖9A-9F說明本發明的其它實施方案，其中所述光學元件為由使單晶熒光體光轉化結構200的表面紋理化形成的散射器920。單晶熒光體的相對硬度可便于表面的有效紋理化。本領域的技術人員熟知蝕刻、澆鑄、噴砂和/或其它紋理化技術。如還眾所周知的，紋理化可提供可容許更均勻的CCT的發射輻射的散射。還應當理解的是，紋理化可在單獨單晶熒光體光轉化結構上提供，且可與本文所述的本發明的任何其它實施方案組合。此外，不進行紋理化820，晶粒規模的透鏡和/或微透鏡陣列也可提供在單晶熒光體光轉化結構200的表面上以提供另外光學處理。本領域的技術人員應當理解的是，固態發光晶粒的表面本身可通過蝕刻半導體材料紋理化。遺憾的是，該蝕刻會降低固態發光晶粒的產率和/或可靠性。形成鮮明對比，本發明的實施方案可使用常規蝕刻技術使單獨單晶熒光體光轉化結構紋理化，隨后使用該紋理化的單晶熒光體光轉化結構來降低或避免對于使固態發光晶粒本身紋理化的需要。圖IOA和IOB說明本發明的一些實施方案，其中單晶熒光體光轉化結構提供用于外延生長固態發光晶粒的底材。圖IOA描繪根據本發明的一些實施方案的單晶熒光體光轉化結構1010。正如本發明的其它實施方案一樣，可使用任何合適的單晶熒光體材料，包括本文所述的特定熒光體材料。圖IOB描繪充當固態發光晶粒1020的底材的單晶熒光體光轉化結構1010。可使用任何合適的固態發光材料，但在一些實施方案中，可使用第III族氮化物，如GaN或InGaN，在一些實施方案中，可使用材料如ZnO或GaP。正如本文所述的其它實施方案一樣，可使用許多不同構造，且所述構造可與其它光學元件如本文所述的光學元件組合使用。這些實施方案可使用單晶熒光體層1010作為用于外延生長固態發光晶粒1020的底材。在一些實施方案中，可在其間提供一個或多個緩沖層。此外，在一些實施方案中，熒光體層本身可在另一層或底材上形成。圖11為可被執行以制造根據本發明的各種實施方案的單晶熒光體光轉化結構的操作流程圖，其可相應于圖4的方框420。如在方框lllO處所示，例如通過Czochralski型方法制造單晶熒光體薄片。Czochralski型方法為通過向充滿類似熔料的坩堝中插入無機材料的小晶種，隨后在旋轉的同時從熔料中緩慢牽拉晶種來產生大單晶或晶錠(boules)的方法。在一些實施方案中，所述單晶熒光體薄片可在載體底材如玻璃底材上生長。回頭參看圖ll，在方框1120處，分離(singulate)所述單晶熒光體薄片以形成各個單晶熒光體光轉化結構。在一些實施方案中，分離單晶熒光體薄片，但不分離連接的底材，而在其它實施方案中，分離單晶熒光體薄片和連接的底材兩者。如方框1130中所示，所述單晶熒光體光轉化結構可使用摘嵌和/或常規機構從所述底材上移走并使其連接至所述固態發光晶粒。本發明的一些實施方案可容許大規模生產光轉化結構，這是由于其堅硬而可通過自動化設備操作。如上所述，在一些實施方案中，所述單晶熒光體光轉化結構可為平面的且可具有與所述發光晶粒的表面相同的大小和形狀。在其它實施方案中，所述單晶熒光體光轉化結構可用激光或鋸床切割成所要形狀，以提供例如在正方形單晶熒光體光轉化結構中的引線接合凹口和/或容許所述單晶熒光體光轉化結構配合并圍繞晶粒表面。在其它實施方案中，所要形狀可通過在形成單晶熒光體光轉化結構之后蝕刻所述單晶熒光體光轉化結構形成。此外，在一些實施方案中，可制造三維預型件，其可提供具有淺杯形狀的單晶熒光體光轉化結構以容許晶粒邊緣被具有適當用于引線接合和/或其它特征的切口的單晶熒光體光轉化結構覆蓋。此外，所述單晶熒光體光轉化結構可具有不同厚度以匹配LED的光強度，這可提高或最大化光轉化的均勻性，由此提供更均勻的照明。本發明的實施方案上文已關于為粘合連接至單個LED的預型件的單晶熒光體光轉化結構作出描述。然而，在其它實施方案中，如圖12所說明，可使用大單晶熒光體預型件薄片1200粘合連接在大設備中的多個LED晶粒120。可改變單晶熒光體的類型和薄片1200的厚度以得到不同溫度的白光，此取決于所使用的薄片。隨后可通過改變或增加/減少用于發射控制的熒光體薄片提供不同類型的光，例如早晨日光、正午日光、傍晚光和/或其它顏色。如上所述，代替外部生長的單晶熒光體單晶熒光體光轉化結構200，在本發明的一些實施方案中，單晶熒光體單晶熒光體光轉化結構200可在固態發光晶粒的發光表面上生長。本文中所用的術語"生長"是指經由任何單晶薄膜沉積技術如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)、低壓沉積(LPD)和本領域技術人員已知的任何其它單晶薄膜沉積技術形成單晶熒光體薄膜。正如所述單晶熒光體預型件一樣，包括在發光晶粒上直接生長的單晶熒光體的LED可具有許多不同構造。例如，圖3A-3N中所說明的任何構造可通過在固態發光晶粒上生長單晶熒光體單晶熒光體光轉化結構產生。另外，圖5A和5B所示的構造也可以通過使用單晶熒光體薄膜沉積技術獲得。例如，參看圖5A，可在基座130中提供犧牲層或其它支撐結構以容許單晶熒光體層生長。作為另一實施例，參看圖5B，單晶熒光體可在透明底材500上生長，或正如圖5A—樣，可提供支撐層以便于單晶熒光體生長。參看圖3A-3N，在一些實施方案中，所述單晶熒光體可在晶粒110的表面上直接生長。因此，耦合/粘合層210不必存在于LED中，但在一些實施方案中，可存在耦合/粘合層210，尤其是提供低矮引線接合334可穿過的層。另外，在一些實施方案中，可經由本領域的技術人員已知的掩模技術實現單晶熒光體單晶熒光體光轉化結構200的選擇性生長。此外，在一些實施方案中，可生長覆蓋單晶熒光體，隨后將其蝕刻以提供給單晶熒光體單晶熒光體光轉化結構200孔隙、孔或其它特征。同時根據一些實施方案，支撐層和/或犧牲層可在固態發光晶粒110上形成或鄰近固態發光晶粒110形成，以支撐各種形狀和構造的單晶熒光體光轉化結構200的形成。還應當理解的是，可組合使用掩模處理和蝕刻處理。圖13為可被執行以制造根據本發明的實施方案的固態發光器件的操作流程圖。參看圖13，在方框1310處，固態發光晶粒如晶粒IIO使用傳統技術制造。在方框1320處，在一些實施方案中，掩模、耦合層和/或臨時層(如犧牲層或支撐層)可在所述固態發光晶粒上和/或鄰近所述固態發光晶粒形成。例如，在圖3A-3G所說明的實施方案中，可將陽極或陰極掩蔽以容許在晶粒IIO上而不是觸點120a上形成單晶熒光體光轉化結構。另外，構造如在圖3B、3C、3D、3F、3I、3J、3K和3L中描繪的那些構造可需要在晶粒110上和/或鄰近晶粒110的臨時支撐或犧牲層以提供用于形成非平面和/或伸出的單晶熒光體光轉化結構的支撐。參看方框1330，單晶熒光體可在晶粒110的表面上生長。在一些實施方案中，在方框1340處，可發生掩模、支撐層和/或犧牲層的去除。隨后可在方框1350處例如通過將晶粒110與單晶熒光體光轉化結構200的整體結構接合到基座和/或其它封裝底材上而進行隨后封裝。還應當理解的是，引線接合可在方框1330處的沉積步驟之前或之后連接至晶粒。正如外部生長的單晶熒光體光轉化結構一樣，許多其它光學元件可與在發光晶粒的表面上直接生長的單晶熒光體光轉化結構組合提供。關于外部生長的單晶熒光體光轉化結構(預型件)描述的所有光學元件和組合還可與在固態發光晶粒上生長的單晶熒光體光轉化結構一起使用，包括如下光轉化結構，所述光轉化結構包括散射顆粒，如圖6A-6F中所說明；多晶熒光體顆粒涂層，如圖7A-7F中所說明；反射鏡，如圖8A-8F中所說明；和擴散元件，如圖9A-9F中所說明。圖14為可被執行以制造根據本發明的其它實施方案的固態發光器件的操作流程圖。參看圖14，在方框1410處，單晶熒光體可使用任何合適技術如通過本文所述的任何技術生長。在一些實施方案中，單晶熒光體層在另一層或底材上生長。此外，在一些實施方案中，單晶熒光體可一個底材上生長且轉移到另一底材上以便進一步處理。在方框1420處，隨后可例如通過使用本領域中已知用于拋光單晶和/或其它無機層的拋光技術拋光所述單晶熒光體。在方框1430處，隨后可使固態發光晶粒在所述單晶熒光體上外延生長。可使用任何適于生長固態發光晶粒的技術。例如，用于在單晶熒光體上生長第III族氮化物如GaN或InGaN的技術可類似于在于其它底材如硅、碳化硅和藍寶石上生長第III族氮化物中所用的那些技術。具體技術可類似于美國專利第7，211，833號、第7，170，097號、第7，125，737號、第7，087，936號、第7，084，436號、第7，042，020號、第7，037，742號、第7，034，328號和第7，026，659號中所述的那些技術，這些專利中每一者的內容通過全文引用結合到本文中來。在一些實施方案中，在所述固態發光晶粒在單晶熒光體上外延生長之前在所述單晶熒光體上提供一個或多個緩沖層。在方框1440處，可封裝得到固態發光器件，所述固態發光器件可包括例如分離在單晶熒光體上生長的固態發光晶粒。在許多應用中可使用根據本發明的一些實施方案提供的發光器件。例如，參看圖15，包括多個根據本發明的一些實施方案的發光器件的照明面板1540可用作顯示器如液晶顯示器(LCD)1550的背光。控制固態背光面板的系統和方法例如見述于2006年3月6日提交的標題為AdaptiveAdjustmentofLightOutputofSolidStateLightingPanels(固態照明面板的光輸出的適應性調節)的美國專利申請第11/368，976號，該專利已轉讓給本發明的受讓人且其公開通過全文引用結合到本文中來。如圖15所示，LCD1550可包括相對于LCD屏幕1554安置的照明面板1540，使得由照明面板1540發射的光1556穿過LCD屏幕1554以提供LCD屏幕1554的背光。LCD屏幕1554包括適當配置的遮擋板和相關的濾光器，其經構造以選擇性地通過/阻斷來自照明面板1540的所選顏色的光1556以產生顯示圖像。照明面板1540可包括多個根據本文所述的任何實施方案的發光器件。作為另一實例，參看圖16，包括多個根據本發明的一些實施方案的發光器件的照明面板1540可用作固態照明設備或光源1360的照明面板。由光源1560發射的光1566可用來照亮區域和/或目標。固態光源例如見述于2006年4月21日提交的標題為SolidStateLuminairesorGeneralIllumination(固態光源或通用照明)的美國專利申請第11/408，648號，該專利已轉讓給本發明的受讓人且其公開通過全文引用結合到本文中來。本文結合上述說明書和附圖公開了許多不同的實施方案。應當理解的是，逐字描述和說明這些實施方案的每一組合和次組合將過于重復且使其模糊。因此，本說明書(包括附圖)應該視為構成本文所述的實施方案以及制作和使用其的方式和方法的所有組合和次組合的詳細書面說明書，且應該支持要求保護任何這類組合或次組合的權利要求。在附圖和說明書中，已經公開了本發明的實施方案，并且雖然采用了特定術語，但是它們僅是一般和描述意義上的使用并且不是為了限制的目的，本發明的范圍在下面的權利要求書中闡述。1權利要求一種固態發光器件，所述固態發光器件包括固態發光晶粒，所述固態發光晶粒經構造以在其激發時發射光；和光轉化結構，所述光轉化結構包括在所述固態發光晶粒的發光表面上的單晶熒光體。2.權利要求l的固態發光器件，其中所述光轉化結構經由粘合層連接至所述發光表面。3.權利要求2的固態發光器件，其中所述粘合層包含聚硅氧烷聚合物。4.權利要求2的固態發光器件，其中所述光轉化結構經定的尺寸以適合所述固態發光晶粒的發光表面。5.權利要求l的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含鈰。6.權利要求5的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含濃度為約0.1%-約20%的鈰。7.權利要求5的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含Ce3+摻雜的Y3A15012(Ce:YAG)。8權利要求5的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含鈰摻雜的CaxSryMgl—x—yAlSiN3或鈰摻雜的硫化鎵酸鍶。9.權利要求l的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含銪。10.權利要求9的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含濃度為約O.5%-約20%的銪。11.權利要求9的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含Eu2+摻雜的Sr2—xBaxSi04(BOSE)。12.權利要求9的固態發光器件，其中所述單晶熒光體包含銪摻雜的材料，其中所述材料選自CaxSivxAlSiN硫化鎵酸鍶、a-SiA10N、硅石榴石、Y202S和La202S。13.權利要求1的固態發光器件，其中所述單晶熒光體的表面被紋理化、糙化、蝕刻和/或特征化。14.權利要求l的固態發光器件，其中所述光轉化結構直接在所述固態發光晶粒的發光表面上。15.權利要求l的固態發光器件，其中所述光轉化結構充當所述固態發光晶粒的底材。16.權利要求1的固態發光器件，其中所述單晶熒光體的厚度為約lOnm-約200微米。17.—種制造固態發光器件的方法，所述方法包括置放包括單晶熒光體的光轉化結構于固態發光晶粒的發光表面上。18.權利要求17的方法，其中置放所述單晶熒光體于所述發光表面上包括粘合連接所述光轉化結構至所述固態發光晶粒的發光表面。19.權利要求17的方法，其中置放所述單晶熒光體于所述發光表面上包括經由薄膜沉積技術在所述固態發光晶粒的表面上生長單晶熒光體。20.—種制造固態發光器件的方法，所述方法包括在包括單晶熒光體的光轉化結構的表面上生長固態發光晶粒。21.權利要求20的方法，其中所述光轉化結構的表面在所述固態發光晶粒在其上生長之前被拋光。全文摘要固態發光器件包括固態發光晶粒和光轉化結構。所述光轉化結構可包括單晶熒光體且可在所述固態發光晶粒的發光表面上。所述光轉化結構可經由粘合層連接至所述固態發光晶粒的發光表面。所述光轉化結構還可直接在所述固態發光晶粒的發光表面上。本發明還公開了相關方法。文檔編號C09K11/79GK101755031SQ200880025158公開日2010年6月23日申請日期2008年5月2日優先權日2007年5月16日發明者A·查克拉博爾蒂,B·P·克勒,N·W·小梅登多普,R·P·萊托奎恩申請人:克里公司