用于壓敏膠粘劑層的光固化組合物和用其制備的切割膠帶的制作方法

專利名稱：：用于壓敏膠粘劑層的光固化組合物和用其制備的切割膠帶的制作方法
技術領域：
：該公開涉及用于形成壓敏膠粘劑層('PSA層，)的光固化組合物和使用該光固化組合物制備的切割膠帶。更具體地，該光固化組合物包含壓敏粘性粘合劑('PSA粘合劑')、反應性丙烯酸酯、熱固化劑和光敏引發劑。該PSA粘合劑含有壓敏膠粘劑聚合物樹脂('PSA聚合物樹脂，或筒稱'PSA樹脂')和具有碳-碳雙鍵并被引入到PSA樹脂側鏈中的低分子量丙烯酸酯。該反應性丙烯酸酯在分子鏈中包含二曱基硅氧烷單元。切割膠帶含有使用光固化組合物形成的PSA層。
背景技術：
：在傳統半導體制造方法中，大直徑電路設計晶圓進行分段加工，其中通過切割將晶圓分成較小的晶片，通過粘結將晶片粘附到支撐元件，例如PCB和引線框架基底上。具體地，將切割膠帶安裝在晶圓的背面上(安裝步驟)，將晶圓和切割膠帶切成預定尺寸的晶片(切割步驟)，用UV輻照切割后的晶圓(UV輻照步驟)，提升(liftedup)單個的晶片(拾取步驟)，將提升的晶片粘附到支撐元件上(晶粒粘結步驟)。安裝步驟中粘附到晶圓背面的切割膠帶用于牢固地支撐晶圓，以防止由于切割步驟中切割膠帶所用壓敏膠粘劑的高壓敏粘附力導致的晶圓移動。切割膠帶的另一作用是防止在晶片表面和側面由刀片形成裂縫。而且切割膠帶用于在拾取步驟中擴展基礎膜，從而更容易地拾取晶片。切割膠帶一般分成兩類壓敏膠粘劑型和UV輻照型。在半導體制造方法中UV輻照型切割膠帶通常用于拾取薄晶圓的大尺寸晶片。切割UV輻照型切割膠帶并在其背面用UV輻照。UV輻照使得切割膠帶的PSA層固化，降低了PSA層和晶圓之間界面處的剝離強度，從而能夠容易地拾取單個晶圓晶片。為了在切割步驟后包裝用于電信號連接的單個晶片，該晶片必須粘附在支撐元件上，例如PCB或引線框架基底。為此，將液體環氧樹脂引入到支撐元件上，并將單個的晶片粘附其上。如上所述，由于該方法包括兩個步驟，即用切割膠帶切割和使用液體環氧樹脂的晶粒粘結(diebonding),就成本和產量而言，這是不利的。在這些情況下，進行了大量研究來縮短兩步法流程。近年來，逐漸使用切割晶粒粘結膜。根據使用切割晶粒粘結膜的常規方法，將環氧樹脂膜放置在作為切割膠帶的薄膜的上表面，然后在切割膠帶的壓敏膠粘劑和環氧樹脂膜之間拾取晶片，從而將傳統流程中的步驟的數量減少到單一步驟。因此，就加工時間和產量而言，使用切割晶粒粘結膜更有益。但是由于切割晶粒粘結膜很昂貴，返回到傳統加工流程(其中循序使用切割膠帶和液體環氧樹脂)的趨勢日益增長。在薄膜制備公司中已經進行了各種嘗試來生產低成本的切割晶粒粘結膜，但由于形成多層結構導致的不可避免的加工成本，尚未令人滿意地實現切割晶粒粘結膜價格的下降。半導體制造方法中使用的晶片的重量逐漸變輕，尺寸和厚度變小。按照這種趨勢，傳統兩步法中所用切割膠帶的作用顯現出來，用于防止在UV輻照前由于高粘性形成晶片裂紋和碎片，以及用于在UV輻照后由于低粘性容易地拾取晶片。隨著半導體元件的高度集成化，切割晶粒變得更薄。近年來，已經開發并制備出80微米薄的晶圓。這樣薄的晶圓晶片在拾取過程中甚至在很小的外部沖擊下也會損壞。因此，有必要將傳統拾取/晶粒粘結設備的加工參數調節到拾取薄晶圓比拾取厚晶圓更低的值。這些加工參數包括擴展量、接腳(pin)的數量、接腳的上升高度和速率、壓降、夾頭類型等。其中，接腳的上升高度和速率對于調節拾取是最重要的參數。當晶片的厚度下降時，兩個參數的調節幅度大大下降。如果接腳的上升高度提高以利于晶片的拾取時，那么較薄的晶片有可能開裂和損壞，而引起包裝后可靠性的嚴重問題。因此，拾取80微米薄的晶圓時使用的切割膠帶UV固化后從晶圓的剝離強度必須比用于拾取厚晶圓的傳統切割膠帶的更低。切割膠帶的低剝離強度有利于拾取薄晶圓。為了解決上述問題，已經付出了很多的努力。例如，第10-2003-0004136號韓國未審專利公開提出了一種制備抗靜電切割膠帶的技術，該抗靜電切割膠帶包含光交聯抗靜電壓敏膠粘劑層，其中PSA層包含具有醇鹽基團封端的聚烯化氧鏈的丙烯酸酯低聚物。加入該UV固化抗靜電丙烯酸酯低聚物，防止切割膠帶從晶圓表面剝離時切割膠帶和晶圓之間的剝離強度由于靜電相互作用而提高。但是，由于丙烯酸酯低聚物的UV反應性與普通丙烯酸酯相比無關緊要，低分子量丙烯酸酯在UV固化后轉移到晶圓上，就可靠性而言產生了問題。而且，當與包含普通抗靜電劑的切割膠帶相比，該切割膠帶顯示出的抗靜電性不令人滿意。從抗靜電性來看，與普通陰離子或陽離子抗靜電劑的物理混合是有利的，但即使在這樣的情況下，也遇到了與轉移到晶圓表面相關的嚴重問題。而且，第10-2005-0019696號韓國7未審專利公開提出了一種壓敏膠粘劑(PSA)切割膠帶，包含PVC支撐體。即使在UV輻照后10天，該切割膠帶中所用的丙烯酸壓敏膠粘劑的壓敏粘附力仍保持在80~130g/25mm。實際上，該壓敏粘附力是不足以拾取80微米薄的晶圓的。丙烯酸壓敏膠粘劑的壓敏粘附力在UV固化后必須低于5g/25mm(0.05N/25mm)，以拾取80微米薄的晶片。而且，第2007-100064號日本未審專利公開提出了UV固化壓敏膠粘劑(PSA)組合物和使用該PSA組合物制備的切割膠帶。PSA組合物包含主要由丙烯酸烷基酯作為單體成分組成的壓敏膠粘劑樹脂，其中烷基含至少一個異冰片基作為環烴基。但是，UV固化后切割膠帶和晶圓之間的剝離強度也不足夠低。因此切割膠帶不能夠顯示出對于80微米薄晶圓的令人滿意的拾取性能。而且，第2006-342330號日本未審專利公開公開了一種切割膠帶，包含多層基膜和壓敏膠粘劑(PSA)層，以實現對于80微米薄晶圓的改進的拾取性能。多層基膜具有其上涂覆有PSA層的上層，包含熔點為95。C或更低的烯式樹脂。上層的厚度是基膜總厚度的一半或更多。通過在切割步驟切割，而不是實際上協助拾取晶圓，基膜結構和組成的差異有效地使瑕疵的出現(例如毛邊和溢料)最小化，但不能有效地實現對于薄晶圓的改進的拾取性能。如今用如下兩種方法制備光固化壓敏膠粘劑(PSA)組合物。根據第一種方法，將低分子量低聚物或丙烯酸酯與作為主要原料的壓敏膠粘劑聚合物樹脂進行物理混合。根據第二種方法，具有碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯被引入到壓敏膠粘劑聚合物樹脂的側鏈中，從而使所得產品表現為一種化合物。考慮到在UV輻照后減少粘性和剝離強度，PSA組合物優選PSA樹脂和UV固化低分子量丙烯酸酯的混合物，所述PSA組合物包含光固化化合物(下稱'壓敏粘性(PSA)粘合劑，或'丙烯酸丙烯酸酯，)，它由壓敏膠粘劑(PSA)樹脂和通過化學反應引入到PSA樹脂側鏈中的UV固化材料組成。傳統的PSA組合物一般都是將PSA樹脂與UV固化低分子量材料進行物理混合制備的，顯示出即使在UV輻照后由于PSA樹脂的固有粘結性對于80微米薄晶圓的較差的拾取性能。80微米薄晶圓的拾取性能可以實驗確定。而且，拾取性能能夠通過將切割膠帶層合到晶圓上，用UV輻照該層合物，測量該固化的層合物的剝離強度，而進行間接評估。可以使用萬能拉力試驗機或Heidon試驗機來測量剝離強度。在由試驗得到的剝離強度曲線中，在剝離的初始階段(即在屈服點)可以觀察到峰值，隨后，曲線在預定區域保持恒值。因此切割膠帶和晶圓間的平均剝離強度和最大剝離強度必須分開表示。當兩個剝離強度因素都低的情況下，可以在薄晶圓中進行拾取。僅用PSA粘合劑制備的切割膠帶在UV固化后基本失去其粘性，但由于粘合劑的內聚強度高，使得切割膠帶和晶圓在屈服點的最大剝離強度提高，通過UV使其嚴重收縮。在實際的半導體制造方法中，拾取所需的最大力可以認為與最大剝離強度相同。因此使用最大力的PSA粘合劑使得難以拾取薄晶圓。剝離強度在屈服點高的原因是因為粘附到晶圓上的PSA粘合劑的UV固化導致了PSA組合物的強烈收縮，但是晶圓的尺寸并未變化，致使PSA粘合劑和晶圓的界面被固定。這種固定提高了最大剝離強度，在半導體制造方法中的拾取過程中產生缺陷。為了解決這些問題，減、少引入到PSA樹脂中的具有碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯的數量，從而降低UV固化后PSA粘合劑的內聚力。然而在這種情況下，絕對剝離強度不合時宜地提高了。
發明內容此處公開的是用于形成壓敏膠粘劑層('PSA層')的光固化組合物，其包含壓敏粘性粘合劑('PSA粘合劑')，該壓敏粘性粘合劑包含丙烯酸單體的共聚物(即壓敏膠粘劑聚合物樹脂，又稱'PSA聚合物樹脂'或簡稱'PSA樹脂')和結合到該共聚物上的具有至少一個碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯；具有硅氧烷骨架的反應性丙烯酸酯；熱固化劑；和光引發劑，其中，該反應性丙烯酸酯的重均分子量為1,000或更大，并且基于100重量份的該壓敏粘性粘合劑，該組合物包含0.01~5重量份的反應性丙烯酸酯。反應性丙烯酸酯(例如硅氧烷改性的丙烯酸酯)用于使PSA粘合劑產生分離和滑移特性，以防止發生連結，從而使PSA層和薄晶圓之間的最大剝離強度降低，確保對于薄晶圓足夠的拾取性能。本文還公開了一種切割膠帶，包含使用光固化組合物形成的壓敏膠粘劑(PSA)層。本文還公開了一種用于壓敏膠粘劑層的光固化組合物的形成方法，該方法包括形成壓敏粘性粘合劑，該壓敏粘性粘合劑包含丙烯酸單體的共聚物和結合到該共聚物上的具有至少一個碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯；并且將該壓敏粘性粘合劑與具有硅氧烷骨架的反應性丙烯酸酯、熱固化劑和光引發劑混合，其中，該反應性丙烯酸酯的重均分子量為1,000或更大，并且基于100重量份的該壓敏粘性粘合劑，使用0.01~5重量份的反應性丙烯酸酯。由于在UV輻照后切割膠帶中沒有發生連結，PSA層和薄晶圓之間的最大剝離強度相當低，薄晶圓的拾取性能優異。從以下的詳細說明并聯系附圖可以更清楚地理解示例性實施方式，其中圖1所示為切割膠帶的截面的典型示意圖2所示為在半導體制造方法中安裝晶圓的步驟的截面示意圖3所示為半導體制造方法中切割晶圓步驟的截面示意圖4所示為半導體制造方法中拾取晶圓晶片步驟的截面示意和圖5所示為半導體制造方法中將晶圓晶片粘結到晶粒上的步驟的截面示意圖。具體實施例方式下面參照附圖詳細說明示例性實施方式。應該這樣理解當稱元件或層在另一元件或層"之上"、"介于"、"位于"或"在…之間"時，它是直接在其它元件或層之上、介于、位于或在其它元件或層之間，或者是也可以存在中間元件或中間層。可以理解為，雖然此處所用的術語第一、第二、第三等來描述各種元件、成分、區域、層和/或部位，但這些元件、成分、區域、層和/或部位應不被這些術語所限制。這些術語只是用來將一種元件、成分、區域、層或部位與另一種元件、成分、區域、層或部位進行區分。因此下面所述的第一元件、第一成分、第一區域、第一層或第一部位可以被稱為第二元件、第二成分、第二區域、第二層或第二部位，而不背離本發明的技術。除非另外清楚地說明，此處所用的單數形式的"一種，，和"該"表示還包含復數形式。還可以理解在說明書中使用術語"包含"和/或"含有"時，表示存在所述特征、整數、步驟、操作、元件和/或成分，但并不排除存在或還有一種或多種其它特征、整數、步驟、操作、元件、成分和/或其組合。除非另有定義，此處所用的所有術語(包括技術術語和科學術語)的含義與本發明所屬
技術領域：
普通技術人員所理解的相同。還可以理解的是術語(例如常用詞典定義的那些)應該解釋為具有相關
技術領域：
環境中相一致的含義，不進行理想化或過度形式化含義的解釋，除非是這樣表述的。根據一個實施方式，提供一種用于形成壓敏膠粘劑層('PSA層，)的光固化組合物，其包含包含壓敏膠粘劑聚合物樹脂('PSA聚合物樹脂，)和含碳-碳雙鍵且被引入到PSA樹脂側鏈中的低分子量丙烯酸酯的壓敏粘性粘合劑('PSA粘合劑，)；分子鏈中包含二曱基硅氧烷單元的反應性丙烯酸酯；熱固化劑和光引發劑。具體地，光固化組合物包含100重量份的PSA粘合劑(A)，0.01~5重量份重均分子量為1,000~100,000g/mol的反應性丙烯酸酯，0.1~10重量份的熱固化劑(C)和0.01~5重量份的光引發劑(D)。PSA粘合劑(A)可以單獨使用以形成切割膠帶的PSA層。當晶圓粘附到切割膠帶上時，在晶圓和切割膠帶界面處產生阻擋切割膠帶收縮的力，導致部分連結而無關晶圓厚度，因為晶圓是無機基底，其尺寸不變。該連結使得難以拾取晶圓晶片。在晶圓和PSA層的界面處發生連結，與晶圓厚度無關。盡管接腳的沖程提高了，在100微米厚的晶圓中形成晶片裂紋的可能性很小。因此可以充分提高沖程以放松連結，產生極少或沒有拾取缺陷。相反地，由于在80微米薄的晶圓中容易產生晶片裂紋，晶圓晶片的拾取受到接腳沖程的限制，因此難以充分調節加工參數以放松連結，導致產生許多拾取缺陷。即，使用PSA粘合劑(A)形成PSA層必然會導致PSA層和80微米薄的晶圓之間的連結，導致出現許多拾取缺陷。因此如果不控制連結，難以在80微米薄的晶圓中期望幾乎很少或者沒有缺陷。在優選實施方式中，PSA粘合劑(A)與在分子鏈中含二曱基硅氧烷的反應性丙烯酸酯混合，形成切割膠帶的PSA層，層合到80微米薄的晶圓上，用UV輻12照。即使在UV輻照后在PSA層和晶圓之間都沒有發生連結，使得拾取晶圓成為可能。拾取晶圓同時克服由UV引起晶圓層合PSA層收縮導致的連結的最小強度是能夠物理測量的。通常，將晶圓從切割膠帶剝離所需的剝離強度被細分成平均剝離強度和在剝離初始階段屈服點的最大剝離強度。最大剝離強度是造成連結的原因。因此，最大剝離強度的降低是連結減少的原因，從而在80微米薄的晶圓中不產生缺陷。由常規PSA粘合劑形成的PSA層和晶圓之間的最大剝離強度至少為0.10N/25mm。最大剝離強度高于0.10N/25mm時，拾取80微米薄的晶圓時會產生許多缺陷。在含有使用PSA粘合劑(A)和在分子鏈中含有二曱基硅氧烷單元的反應性丙烯酸酯(B)形成的PSA層的切割膠帶中，PSA層和晶圓間的最大剝離強度不大于0.05N/25mm。最大剝離強度低于0.05N/25mm時，沒有發生連結，在拾取80微米薄的晶圓時沒有產生缺陷。在一個實施方式中，反應性丙烯酸酯(B)的結構由下式1表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>,(1)其中R是脂肪族或芳族基團，n是5~l，OOO的整數。反應性丙烯酸酯(B)的分子內二曱基硅氧烷單元的存在確保了從有機和無機材料的良好分離特性。當與粘附體表面接觸時，二曱基硅氧烷單元的曱基用作極性分子。這些結構特征使得反應性丙烯酸酯(B)對極性有機和無機粘附體而言具有良好的分離特性和滑移特性。反應性丙烯酸酯(B)的末端碳-碳雙鍵被UV輻照激活，并參與交聯。另外，反應性丙烯酸酯(B)分子鏈中存在的二曱基硅氧烷單元使PSA層在UV固化后產生優異的分離特性，從而使PSA層對于晶圓不穩固(slippery)。因此，UV固化過程中PSA層和晶圓之間沒有發生連結，PSA層和晶圓之間的最大剝離強度被降低到0.05N/25mm或更小。式1中的R可以是任何脂肪族和芳族基團。優選地，反應性丙烯酸酯(B)的重均分子量為1,000~100,000g/mol。重均分子量低于l,000g/mol的低分子量丙烯酸酯(B)有可能從PSA層轉移到晶圓表面。該轉移消極地影響了最終產品的可靠性。同時，重均分子量大于100,000g/mol的低分子量丙烯酸酯(B)與PSA粘合劑(A)不相容，由于其主要的硅氧烷結構，導致光固化組合物的涂覆性差。以100重量份的PSA粘合劑(A)計，優選使用0.01~5重量份的反應性丙烯酸酯(B)。反應性丙烯酸酯(B)的用量小于0.1重量份(即二曱基硅氧烷單元的絕對量小)，不能夠使光固化組合物產生分離特性和滑移特性。因此，由于UV輻照在晶圓表面上發生了連結，PSA層和晶圓間的最大剝離強度升高到大于0.1N/25mm。特別地，在拾取80微米薄的晶圓時觀察到許多缺陷。同時，雖然丙烯酸酯(B)大于5重量份的用量不會產生UV固化后的滑移特性問題，由于存在二曱基硅氧烷單元，即使在UV固化前也顯示出滑移特性，導致UV固化前PSA和晶圓間的剝離強度非常低。因此，切割時晶圓被刀片移動，產生碎屑碎片和晶片裂紋，致使加工性差。另外，由于光固化組合物在UV固化前不容易粘附到環形架(ringframe)上，PSA層在擴展過程中從環形架分層。分層還是在晶圓全部區域出現缺陷的原因。PSA粘合劑(A)最優選通過作為反應示蹤劑的羥基和異氰酸酯基間的加成反應來制備。由于PSA粘合劑是含至少一個羥基的丙烯酸酯共聚物，熱固化劑(C)必需包含異氰酸酯基團。當PSA粘合劑包含除羥基外的官能團時，可以單獨使用選自三聚氰胺/曱醛樹脂和環氧樹脂的化合物，或者是使用其混合物。熱固化劑(C)用作交聯劑，其可與PSA粘合劑(A)的官能團反應。熱固化劑(C)與PSA粘合劑(A)發生交聯形成三維網狀結構。通過加入固化劑，在基膜表面形成了硬涂層，在切割和UV輻照時不會分層。以100重量份的PSA粘合劑(A)計，熱固化劑(C)的用量優選為0.1-10重量^f分。當熱固化劑的含量小于0.1重量份時，光固化組合物中不發生交聯。因此，由于光固化組合物與基膜的粘合性差，光固化組合物的涂層與基膜分層。同時，當熱固化劑的含量大于10重量份時，在光固化組合物中發生過度交聯。因此，在UV輻照前光固化組合物失去了粘性，導致切割膠帶與晶圓的粘合性差，從而使得切割時晶片飛出。而且，光固化組合物與環形架的粘合性變差，導致展開時切割膠帶從環形架分離。熱固化劑優選是含異氰酸酯基的化合物。合適的熱固化劑的具體例子包括芳族異氰酸酯，例如4,4，-二苯基醚二異氰酸酯和4,4，-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯、六亞曱基二異氰酸酯、2,2，4-三曱基六亞曱基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯和4,4，-二環己基曱烷二異氰酸酯。當光引發劑的含量低于0.01重量份時，由UV輻照引起的光引發劑的自由基形成效率變差，導致PSA層和粘附體間界面的粘合降低不足。因此未能實現所需的拾取性能，而無關晶片尺寸。同時，當光引發劑的含量大于5重量份時，一部分引發劑保持未反應，產生氣味，并被轉移到粘附體上，在UV輻照效率方面沒有進一步的改進，使得包裝PSA層時的可靠性變差。作為光固化組合物的光引發劑，可以使用任何已知的光聚合引發劑，而無任何特別限定。優選光引發劑可以選自二苯曱酮類，苯乙酮類，蒽醌類及其混合物。合適光引發劑的具體例子包括二苯曱酮類，例如二苯曱酮、4，4，-二曱基氨基二苯曱酮、4，4，-二乙基氨基二苯曱酮和4,4，-二氯二苯曱酮；苯乙酮類，例如苯乙酮和二乙氧基苯乙酮；和蒽醌類，例如2-乙基蒽醌和^又丁基蒽醌。為了更好的溶解性和貯藏性，只要不影響實施方式的目的，光固化組合物還可以包含至少一種選自如下的添加劑表面活性劑、抗靜電劑、存儲穩定劑、濕潤劑、分散劑和填料。本領域技術人員根據所需用途和需要可以很容易地確定添加劑的種類。本領域已知的任何添加劑都可以應用于該光固化組合物中。根據另一實施方式，提供一種切割膠帶，包含使用該光固化組合物形成的壓敏膠粘劑(PSA)層。該切割膠帶的結構可以為PSA層形成在基膜的一個表面上，其上層合有離型膜來保護PSA層，但不局限于該結構。下面參照附圖將更詳細地說明該切割膠帶。圖1所示為切割膠帶1的典型截面示意圖。如圖1所示，切割膠帶1包含可擴展的基膜2(例如聚烯烴膜)，形成在基膜2的一個表面上的壓敏膠粘劑(PSA)層3,層合在PSA層3上的離型膜4,來保護PSA層3。基膜2支撐用于防止切割時上面的晶圓移動的PSA層3。基膜2由室溫下可拉伸的材料制成，來增大切割后('擴展步驟')晶片間的間距。該可拉伸的基膜有利于在切割后拾取單個晶片。圖2所示為離型膜4從切割膠帶1除去及晶圓5層合到PSA層3('安裝步驟，)階段的截面示意圖。圖3所示為用刀片將大直徑晶圓切割成單個的小晶片('晶圓切割步驟')階段的截面示意圖。基膜2的部分用刀片進行切割。圖4所示為使用夾頭將單個切割晶片升起('拾取步驟，)階段的截面示意圖。圖5所示為液體環氧樹脂6粘附到支撐元件7上以包裝拾取的晶片('晶粒粘結步驟')階段的截面示意圖。UV輻照前切割膠帶1的PSA層3必須牢固地粘附到晶圓(或晶片)或環形架上。如果UV輻照前晶圓4和PSA層3的界面粘附力不大的話，切割過程中晶片容易從PSA層3剝落，并部分巻曲。剝落和部分巻曲使得晶片移動，造成晶片損壞的危險(例如晶片裂紋)，晶片飛出等。固定擴展基膜的環形架同時向基膜施加張力，進行擴展步驟。因此PSA層3和環形架之間的弱的粘附力導致PSA層3從環形架分離，使晶圓產生缺陷。UV輻照后由于交聯PSA層3變得更硬和更有粘性，從而使PSA層3和上面的晶圓4之間的界面剝離強度在UV輻照后顯著降低。剝離強度的減幅增加時，容易拾取晶片。特別地，該PSA層3干燥前的粘結強度必須從切割步驟就足夠牢固地支撐晶片。拾取步驟中粘結強度必須顯著降低，從而使晶片安全地傳遞到晶粒粘結步驟。即，PSA層3在UV輻照前后須具有兩個相反的物理性能。最外層的離型膜4用于保護PSA層3不受雜質的影響，并將切割膠帶1纏繞成輥狀。下面將詳細說明切割膠帶的結構。切割膠帶1的基膜2可以用各種塑料制造，特別是熱塑性塑料。特別優選熱塑性塑料的理由是熱塑性膜在切割步驟后可以被擴展，從而拾取晶片，并在隨后步驟中可以再拾取一些剩余的晶片。即，基膜優選是熱塑性膜，其優點是有還原的能力。基膜2必須能夠擴展，優選透過UV。特別地，當UV固化壓敏膠粘劑(PSA)組合物用于形成PSA層3時，優選基膜2在UV波長是高度透過的，而在該波長下PSA組合物是可固化的。因此基膜2中必須不含有任何UV吸收劑。基膜2適用的聚合物材料是聚烯烴，例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚丁烯-1、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯丁二烯橡膠混合物和聚氯乙烯。其它例子是塑料，例如聚對苯二曱酸乙二酯、聚碳酸酯和聚曱基丙烯酸曱酯，熱塑性彈性體，例如聚氨酯和聚酰胺-多元醇共聚物及其混合物。基膜可以由兩層或更多層組成，以在切割步驟中實現改進的機械加工性和擴展性。通常，基膜可以通過如下制備混合聚烯烴片，熔融該混合物，擠出或吹塑該熔融的混合物。該膜的耐熱性和機械性能可以根據聚烯烴片的種類而定。聚烯烴膜的霧度值須至少為85。在聚烯烴膜的制備過程中，聚烯烴膜須識別所用冷卻輥的表面，從而使聚烯烴膜的一個表面被壓花，由于光散射而產生霧度。半導體制造方法中，處于預切割階段的霧度值小于85的薄膜被層合到晶圓的一個表面上的情形中，薄膜的位置識別出現錯誤，使得不可能以連續的方式實施該方法。進行壓花來更好地識別基膜，防止在基膜制造過程中出現中斷(blocking),能夠巻繞基膜。PSA層3形成在基膜2壓花表面的相反表面上。基膜2的相反表面優選被改性，以提高與PSA層3的粘結性。可以通過多種物理方法(例如電暈和等離子處理)和化學方法(例如在線涂覆和底漆處理)進行表面改性。在一個優選實施方式中，基膜2的表面用電暈放電處理進行表面改性，從而使PSA層3涂覆其上。在基膜2上形成PSA層3可以通過各種方法實現。例如利用直接涂覆在基膜2上形成PSA層3。在另一實施方式中，PSA層3涂覆在離型膜上，干燥，并轉移到基膜2上。不管哪一種實施方式，PSA層能夠以任何已知技術例如刮條涂布、凹輥涂布、逗點涂布、逆輥涂布、敷料器涂布、噴涂等形成。考慮各種因素，例如伸長率、可加工性和UV透過性來確定基膜2的厚度。基膜2的厚度優選為30~300pm,更優選50~200pm。當基膜2薄于30pm時，預切割階段不能得到令人滿意的加工性，UV輻照時產生的熱導致變形。同時，當基膜2厚于300nm時，就18設備而言，在擴展步驟時需要過大的強度，從經濟效率來看是不利的。(B)PSA層對于切割膠帶1的PSA層3的類型沒有特別限定。由于UV輻照步驟前的高粘度，PSA層3必須牢固地粘附到上面的晶圓5上。此外PSA層3必須牢固地粘附到環形架上，以防止在切割步驟的洗滌和干燥過程中水分的滲透。另外，PSA層3必須保持高粘性，防止環形架由于高度拉伸被分層。再有，PSA層3可以由任何材料形成，該材料變得高度粘結，并在UV輻照步驟后由于交聯而收縮，以明顯降低與晶圓5界面處的粘結力，從而能夠容易地拾取單個的晶片，并且晶粒粘結到支撐元件7上。特別地，PSA層3可以由任何組合物形成，該組合物能夠被UV輻照固化，或者由熱固化或其它外部能來施加能量之前或之后，明顯降低與晶圓5的界面處的粘結力。在一個優選實施方式中，使用光固化組合物形成切割膠帶1的PSA層3,該組合物包含100重量份的壓敏粘性(PSA)粘合劑(A)作為主要原料，它由壓敏膠粘劑聚合物樹脂('PSA聚合物樹脂，或簡稱'PSA樹脂')和含碳-碳雙鍵并被引入到PSA樹脂側鏈中的低分子量丙烯酸酯構成，0.01~5重量份重均分子量為1，000~100,000g/mol并在分子鏈中含有二曱基硅氧烷單元的反應性丙烯酸酯(B)，0.1~10重量份的熱固化劑(C)和0.01~5重量份的光引發劑(D)。在PSA粘合劑(A)中，含碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯通過化學反應被引入到PSA樹脂的側鏈中。PSA粘合劑(A)表現得像一個分子。該PSA粘合劑(A)被設計成能夠解決由于PSA聚合物樹脂和低分子量UV固化材料的物理混合產生的不相容和低分子量丙烯酸酯向晶圓轉移的問題。通過以下兩步法制備PSA粘合劑(A):(1)通過聚合反應制備PSA樹脂，和(2)向PSA樹脂中加入含碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯。該PSA樹脂可以選自各種樹脂，例如丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、氨基曱酸乙酯樹脂、硅氧烷樹脂和天然橡膠樹脂。優選丙烯酸樹脂，因為它的粘合強度高以及耐熱性好。官能團或低分子量丙烯酸酯容易被引入到丙烯酸樹脂的側鏈中。在步驟(l)中，丙烯酸PSA樹脂是通過共聚合丙烯酸單體成分制備的。丙烯酸單體的例子包括丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸、(曱基)丙烯酸2-羥乙酯、(曱基)丙烯酸甲酯、苯乙烯(styrenic)丙烯酸酯單體、(曱基)丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸硬脂酰酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸癸酯、乙酸乙烯酯和丙烯腈。PSA樹脂是通過溶液聚合制備的。具體地，PSA樹脂是通過在回流下將單體成分滴加到適合的溶劑中來制備的。考慮各種因素，例如分子量、聚合度和分子量分布，來適當改變反應條件。丙烯酸樹脂的玻璃化轉變溫度優選-6(TC~0'C之間，更優選-40°C-l(TC之間。玻璃化轉變溫度低于-40'C的丙烯酸樹脂的粘性很高，使得PSA層很弱。而玻璃化轉變溫度高于-10'C的丙烯酸樹脂是不利的，因為室溫下的粘結性低。該低粘結性導致對晶圓或環形架的粘結性差，致使在擴展步驟中晶片飛出并與環形架分離。控制單體的種類和含量，將丙烯酸PSA樹脂的玻璃化轉變溫度限制在上述定義的范圍內。丙烯酸PSA聚合物樹脂是通過共聚合各種單體的組合而制備的。共聚物的玻璃化轉變溫度通過所選單體的混合比例而確定。這些單體主要被分成兩組帶有官能團的單體和無官能團的單體。含以下能夠加成反應的官能團的至少一種單體對于粘附到作為極性聚合物膜的聚烯烴膜的表面是必要的羥基、羧基、環氧基和胺基。將含UV固化雙鍵的低分子量單體引入到聚合物樹脂側鏈中是必要的。在步驟(2)中，含碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯與PSA樹脂發生反應。此時，低分子量丙烯酸酯的官能團與PSA樹脂的側鏈中的官能團反應，從而使低分子量丙烯酸酯被引入到PSA樹脂的側鏈中。能夠用于加成反應(步驟2)制備PSA粘合劑(A)的官能團的典型組合是高反應性官能團的組合，例如羧基和環氧基團的組合，雍基和異氰酸酯基團的組合，以及羧基和胺基團的組合。考慮到反應性和反應路徑，最優選羥基和異氰酸酯基團的組合。PSA樹脂必須包含官能團，例如羥基和羧基。此外，即使在加成反應后，官能團也必須保留在PSA樹脂中。因此PSA粘合劑的羥基值和酸值必須保持恒定。在一個優選實施方式中，進行羥基和異氰酸酯基團之間的氨基曱酸乙酯反應用于加成反應。羧基和環氧基團或者羧基和胺基之間的加成反應只在相對高的溫度下進行。在這種情況下，需要加熱將含碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯引入到聚合物樹脂的側鏈中。但是碳-碳雙鍵在加成反應過程中由于高反應溫度而斷裂。該鍵的斷裂產生交聯和凝膠化，而不可能得到所需的PSA粘合劑。當在加熱下進行加成反應以提高PSA粘合劑的產率時，低分子量丙烯酸酯可以部分聚合。可以加入氬醌化合物作為聚合引發劑，來提高加成反應的產率，同時保持碳-碳雙鍵的完整。羧基和環氧基團或者羧基和胺基之間的加成反應比羥基和異氰酸酯基團之間的反應性低。在前面的情形中，難以將含碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯引入到聚合物樹脂的側鏈中。因此引入到聚合物樹脂側鏈中的碳-碳雙鍵的數量較少，在UV輻照步驟之后不能使得PSA層3和晶圓5之間的剝離強度明顯降低。含碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯由于其反應轉化速率低能夠過量使用，但是一部分低分子量丙烯酸酯在混合液中保持未反應。低分子量丙烯酸酯的剩余部分保留在PSA層內，隨后，隨著時間的流逝，它緩慢地上升到PSA層的表面，形成油帶狀形式的低分子量材料帶。當晶圓5層合到PSA層3上時，低分子量丙烯酸酯緩慢轉移到上面的晶圓5中。在隨后的半導體可靠性測試中，轉移到晶圓5上的低分子量丙烯酸酯成為污染的原因。在一個優選實施方式中，使用氨基曱酸乙酯反應機制，將含碳-碳雙鍵的UV固化低分子量丙烯酸酯加入到丙烯酸PSA聚合物樹脂的側鏈中。即，根據羥基和異氰酸酯基團的反應性設計PSA粘合劑A。用于氨基曱酸乙酯粘結的兩個反應機制是l)向含羥基的丙烯酸PSA聚合物樹脂的側鏈中引入含異氰酸酯基團的丙烯酸酯，和2)向含異氰酸酯基團的丙烯酸PSA聚合物樹脂的側鏈中引入含羥基的丙烯酸酯。后面的機制由于其本身問題而不是所期望的。例如，當含異氰酸酯基團的丙烯酸酯與其它單體混合和聚合時，由于異氰酸酯基團的高反應性，所用溶劑和單體的選擇受到限制。此外，由于通過共聚合制備的側鏈中含異氰酸酯基團的丙烯酸PSA樹脂是高反應性的，在儲藏過程中，它與水分或其它羥基化合物反應而導致損壞。作為含異氰酸酯基團的低分子量丙烯酸酯，可以列舉，例如甲基丙烯酰基異氰酸酯，2-曱基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯或間異丙烯基二曱基￥基異氰酸酯。PSA粘合劑(A)的重均分子量為100,000~2,000,000。重均分子量低于100,000的PSA粘合劑(A)被涂覆在基膜上，以形成粘合性和粘合強度差的涂層。依靠切割刀片將該涂層容易地從基膜分層，從而使晶片飛出或裂開。而當PSA粘合劑(A)的重均分子量高于2,000,000時，基本上不溶于溶劑，這就導致差的加工性能(例如涂覆性差)。PSA粘合劑(A)的重均分子量主要在制備基膜的第一步驟中確定，并通過加成反應而稍微提高。何已知的光聚合引發劑來形成PSA層，而無任何特殊限定。合適的光聚合引發劑的具體例子包括二苯曱酮類，例如二苯曱酮、4，4'-二曱基氨基二苯曱酮、4,4，-二乙基氨基二苯曱酮和4,4，-二氯二苯曱酮；苯乙酮類，例如苯乙酮和二乙氧基苯乙酮；和蒽醌類，例如2-乙基蒽醌和叔丁基蒽醌。這些光聚合引發劑可以單獨使用，或者以其兩種或更多種的混合物使用。光引發劑的用量以100重量份的PSA粘合劑(A)計優選為0.01~5重量份。當光引發劑的用量小于0.01重量份時，UV輻照并未使光固化組合物固化，而不能使PSA層3和晶圓之間的粘合強度充分降低。因此不能夠實現所需的拾取性能，而跟晶片尺寸沒有關系。同時當光引發劑的用量大于5重量份時，UV輻照的效率沒有進一步的提高。另外，一部分引發劑保持未反應而產生氣味，并被轉移到晶圓5，弄臟晶圓表面，導致半導體包裝的可靠性變差。使用UV固化PSA組合物制備切割膠帶主要是通過施覆法實現的。可以不加限制地使用任何用于形成均勻涂層的施覆法，其例子包括刮條涂布，噴涂涂布，凹輥涂布，逗點涂布和蘸涂。而后通過熱固化來干燥涂層。可以通過多種方法在基膜上形成涂層。例如利用直接涂覆在作為基膜的聚烯烴膜上形成涂層。或者PSA層涂覆在離型膜上，并將其轉移到作為基膜的聚烯烴膜上。PSA層3優選厚度為2~50pm，更優選5~30pm。當PSA層3比5pm薄時，得不到PSA層3與環形架之間的合適粘合強度。而當PSA層3厚于30pm時，UV輻照后沒有帶來PSA層3和晶圓5之間的粘合強度的充分降低。PSA層3可以在特定溫度下熟化預定的一段時間。通常，甚至在熱固化之后，PSA層的固化也會連續進行一定的時間。因此，優選使PSA層3在涂層穩定性中的依賴于時間的變量最小化的條件下進行熟化。參照下面的實施例更詳細地理解典型實施方式。但是，這些實施例僅僅是用于說明，并不能被解釋為對實施方式范圍的限制。23實施例制備例1:制備壓敏粘性(PSA)粘合劑將6.00kg的曱乙酮和0.60kg的甲苯作為有機溶劑，投入到裝配有回流冷凝器、溫度計和滴液漏斗的20L四頸燒瓶中。燒瓶的溫度升高到60°C。然后，將3.40kg的丙烯酸2-乙基己酯、0.20kg的丙烯酸乙酯、0.30kg的乙酸乙烯酯、0.48kg的曱基丙烯酸2-羥乙酯、0.43kg的丙烯酸和0.04kg的過氧化苯曱酰混合在一起，并在60~70。C通過滴液漏斗經3小時邊以250rpm攪拌邊滴加到燒瓶中。添加完成之后，在相同條件下將反應混合物熟化4小時，然后向其中加入0.20kg的乙酸乙酯和O.Olkg的偶氮二異丁腈。將所得混合物放置4小時，測量粘度和固體含量。停止反應，得到丙烯酸PSA樹脂，發現該丙烯酸PSA樹脂的粘度為15,000~20,OOOcps。丙烯酸PSA樹脂的固體含量調節為45%。向該丙烯酸PSA樹脂中加入0.30kg的2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯，在室溫下反應1小時，來制備PSA粘合劑(A)。將100g的PSA粘合劑(A)、lg重均分子量為1,630g/mol的反應性丙烯酸酯(X-22-164B,Shin-EtsuChemicalCo"Ltd.)、lg的異氰酸酉旨固4匕齊'j(L-45,NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.)和0.5g的光引發劑(IC-184,Ciba-Geigy)混合在一起，制備UV固化壓敏膠粘劑(PSA)組合物。將該光固化組合物涂覆在100pm厚聚烯烴膜的一個表面上，干燥，制得lOpm厚的切割膠帶(a)。將100g的PSA粘合劑(A)、lg重均分子量為2,730g/mol的反應性丙烯酸酯(X-22-164C,Shin-EtsuChemicalCo"Ltd.)、lg的異氰酸醋固4匕齊寸(L-45,NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.)和0.5g的光引發劑(IC-184,Ciba-Geigy)混合在一起制備UV固化PSA組合物。將光固化組合物涂覆在lOOiim厚聚烯烴膜的一個表面上，干燥，制得10pm厚的切割膠帶(b)。[實施例3]將100g的PSA粘合劑(A)、lg重均分子量為4，600g/mol的反應性丙烯酸酯(X-22-174DX,Shin-EtsuChemicalCo.,Ltd.)、1g的異氛酸酯固化劑(L-45,NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.)和0.5g的光引發劑(IC-184，Ciba-Geigy)混合在一起，制備UV固化PSA組合物。將該光固化組合物涂覆在100pm厚聚烯烴膜的一個表面上，干燥，制得lOnm厚的切割膠帶(c)。將100g的PSA粘合劑(A)、lg的異氰酸酯固化劑(L-45,NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.)和0.5g的光引發劑(IC-184,Ciba-Geigy)混合在一起，制備UV固化PSA組合物。將該光固化組合物涂覆在100pm厚聚烯烴膜的一個表面上，干燥，制得lOpm厚的切割膠帶(d)。將100g的PSA粘合劑(A)、lg重均分子量為450g/mol的反應性丙烯酸酯(X-22-164AS,Shin-EtsuChemicalCo"Ltd.)、lg的異氰酸酯EH匕齊寸(L-45,NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.)和0.5g的光引發劑(IC-184,Ciba-Geigy)混合在一起，制備UV固化PSA組合物。將該光固化組合物涂覆在100pm厚聚烯烴膜的一個表面上，干燥，制得10nm厚的切割膠帶(e)。將100g的PSA粘合劑(A)、0.005g重均分子量為4,600g/mol的反應性丙烯酸酯(X-22-174DX,Shin-EtsuChemicalCo.,Ltd.)、lg的異氛酸酉旨SH匕齊'J(L-45,NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.)和0.5g的光引發劑(IC-184,Ciba-Geigy)混合在一起，制備UV固化PSA組合物。將該光固化組合物涂覆在100pm厚聚烯烴膜的一個表面上，干燥，制得10^m厚的切割膠帶(f)。[對比例4]將100g的PSA粘合劑(A)、8g重均分子量為4,600g/mol的反應性丙烯酸酯(X-22-174DX,Shin-EtsuChemicalCo"Ltd.)、1g的異氰酸酉旨固4匕劑(L-45，NipponPolyurethaneIndustryCo.,Ltd.)和0.5g的光引發劑(IC-184,Ciba-Geigy)混合在一起，制備UV固化PSA組合物。將該光固化組合物涂覆在100pm厚聚烯烴膜的一個表面上，干燥，制得10pm厚的切割膠帶(g)。①測量晶圓和切割膠帶之間的180。剝離強度(UV固化前后)根據JISZ0237步驟來測量晶圓和切割膠帶間的180°剝離強度。將每個樣品切割成尺寸為15mmx100mm的測試片。分別將每個測試片的切割膠帶和晶圓夾持到拉伸測試機(InstronSerieslX/sAutomatedmaterialsTester-3343)的10N負載室中的上部和下部夾具上。測量拉伸速率為300mm/min時將切割膠帶從晶圓剝離所需的載荷。使用高壓水銀燈(照明強度70W/cm2,AR08UV,Aaron)用UV輻照測試件，曝光量為140mJ/cm2,2秒鐘。在UV輻照前后，在每個試驗中測量10個樣品的平均剝離強度和最大剝離強度。②測量SUS和切割膠帶間的180。剝離強度(UV固化前后)根據JISZ0237步驟來測量SUS和切割膠帶間的180°剝離強度。將每個樣品切割成尺寸為15mmx100mm的測試片。分別將每個測試片的切割膠帶和SUS夾持到拉伸測試機(InstronSerieslX/sAutomatedmaterialsTester-3343)的10N負載室中的上部和下部夾具上。測量拉伸速率為300mm/min時切割膠帶從SUS剝離所需的載荷。使用高壓水纟艮燈(照明強度70W/cm2,AR08UV,Aaron)用UV輻照測試件，曝光量為140mJ/cm2,2秒鐘。在UV輻照前后，在每個試驗中測量10個樣品的最大剝離強度。③粘性測量(UV固化前后)使用探針粘性測試機(ChemilabTackTester),測量實施例1~3和對比例1~4中制備的切割膠帶的PSA層UV固化前后的粘性。依照ASTMD2979-71的測試方法，將清潔的探針尖端與每個PSA層的表面以10士0,lmm/秒的速率、9.79±1.01kPa的恒定載荷接觸l.O士O.Ol秒，之后從PSA層分離。此時分離所需的最大力確定為測試件的粘度值。使用高壓水銀燈(照明強度70W/cm2，AR08UV,Aaron)用UV輻照測試件，曝光量為140mJ/cm2,時間2秒鐘。④拾取成功率25。C下，將直徑為8英寸的硅晶圓(厚度80pm)壓在實施例1~3和對比例1~4中制備的每個切割膠帶上10秒鐘，并用切割鋸(DFD-650,DISCO)切割成尺寸為16mmx9mm。然后使用高壓水4艮燈(照明強度70W/cm2,AR08UV，Aaron)用UV輻照得到的膜，曝光量為140mJ/cm2,時間2秒鐘。使用晶粒粘結機(SDB-10M，Mechatronics)，對200個在硅晶圓中心部分的晶片進行拾取測試，觀'J量晶片的拾取成功率。⑤轉移觀察將每個切割膠帶粘附到直徑為8英寸的晶圓表面，使用高壓水銀燈(照明強度70W/cm2,AR08UV，Aaron)用UV輻照，曝光量為140mJ/cm2，時間2秒鐘，并從晶圓剝離。用X射線光電子光鐠儀(XPS)計算晶圓表面上尺寸大于0.3pm的顆粒數量。得到的結果示于表1。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表1的結果顯示，對比例1中未使用任何反應性丙烯酸酯制造的切割膠帶具有高于0.1N/25mm的最大剝離強度，因為UV固化后沒有滑移特性，表明在切割膠帶中產生了連結。對于80微米薄的晶圓，該連結導致了16%的低拾取成功率。由于二曱基硅氧烷單元的滑移特性，在實施例1~3制備的每個切割膠帶中未與晶圓發生連結，相對于100重量份的壓敏粘性(PSA)粘合劑，其包含0.01~5重量份重均分子量為1,000~100,000g/mol的反應性丙烯酸酯，因此，在UV輻照后PSA層和晶圓間的最大剝離強度低于0.05N/25mm，對于80微米薄的晶圓的拾取成功率為100%。相比之下，雖然對比例2制備的切割膠帶的拾取成功率為100%,但是低分子量丙烯酸酯轉移到晶圓表面，致使可靠性差，所述切割膠帶包含相對于100重量份的PSA粘合劑為1重量份的重均分子量低于l,000g/mol且分子鏈中含有二曱基硅氧烷單元的反應性丙烯酸酯。與對比例1中未使用任何反應性丙烯酸酯制備的切割膠帶類似，對比例3制備的切割膠帶未顯示出滑移特性，所述切割膠帶包含相對于100重量份的PSA粘合劑為0.005重量份的重均分子量高于l,000g/mol且分子鏈中含有二曱基硅氧烷單元的反應性丙烯酸酯，因此，在晶圓和PSA層之間的界面處產生連結。該連結使得UV輻照后晶圓和PSA層間的最大剝離強度高于0.1N/25mm，從而導致拾取成功率非常低。在對比例4中制備的切割膠帶中，其包含相對于100重量份的PSA粘合劑為8重量份的重均分子量高于l,000g/mol且分子鏈中含有二曱基硅氧烷單元的反應性丙烯酸酯，過量的反應性丙烯酸酯提高了涂層的滑移特性，從而降低了UV輻照前以及UV輻照后晶圓和PSA層之間的最大剝離強度，使得切割過程中晶片飛出并產生碎片。另外，UV輻照前SUS和PSA層之間的最大剝離強度降低，使得拾取過程中環形架分層，次品率高。從以上明顯可看出，光固化組合物的反應性丙烯酸酯(例如硅氧烷改性丙烯酸酯)用于使PSA粘合劑產生分離特性和滑移特性，防止出現連結，從而保證了即使在薄晶圓中也具有足夠的拾取性能。另夕卜，由于UV輻照后切割膠帶中未發生連結，PSA層和薄晶圓之間的最大剝離強度是相當低的，并且薄晶圓的拾取性能優異。雖然公開了用于說明的示例性實施方式，但只要不背離如所附權利要求所公開的本發明的范圍和宗旨，本領域技術人員可以對其進行各種改進、添加和替代。權利要求1.一種用于壓敏膠粘劑層的光固化組合物，該組合物包含:壓敏粘性粘合劑，該壓敏粘性粘合劑包含丙烯酸單體的共聚物和結合到該共聚物上的具有至少一個碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯；具有硅氧烷骨架的反應性丙烯酸酯；熱固化劑；和光引發劑，其中，該反應性丙烯酸酯的重均分子量為1,000或更大，并且基于100重量份的該壓敏粘性粘合劑，該組合物包含0.01～5重量份的該反應性丙烯酸酯。2.根據權利要求1的光固化組合物，其中該反應性丙烯酸酯在其骨架中具有二曱基硅氧烷單元。3.根據權利要求1的光固化組合物，其中該反應性丙烯酸酯由下式1表示)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中R是脂肪族或芳族基團，n是5~1,000的整數。4.根據權利要求1的光固化組合物，其中該反應性丙烯酸酯的重均分子量為1,000~100,000g/mol。5.根據權利要求1的光固化組合物，其中該低分子量丙烯酸酯通過氨基曱酸乙酯鍵與該丙烯酸單體的共聚物結合。6.根據權利要求5的光固化組合物，其中該低分子量丙烯酸酯包含曱基丙烯酰基部分、2-曱基丙烯酰氧基乙基部分或間異丙烯基二曱基芐基部分中的一種或多種。7.根據權利要求1的光固化組合物，其中該丙烯酸單體的共聚物中的每種丙烯酸單體都具有羥基、羧基、環氧基或胺基。8.根據權利要求1的光固化組合物，其中該丙烯酸單體的共聚物是如下成分中一種或多種的共聚物丙烯酸丁酯，丙烯酸2-乙基己酯，丙烯酸，(曱基)丙烯酸2-羥乙酯，(曱基)丙烯酸曱酯，苯乙烯丙烯酸酯單體，(曱基)丙烯酸縮水甘油酯，丙烯酸異辛酯，曱基丙烯酸硬脂酰酯，丙烯酸月桂酯，丙烯酸癸酯，乙酸乙烯酯或丙烯腈。9.根據權利要求1的光固化組合物，其中該丙烯酸單體的共聚物的玻璃化轉變溫度為-60。C~0°C。10.根據權利要求1的光固化組合物，其中該壓敏粘性粘合劑的重均分子量為100,000~2,000,000。11.根據權利要求1的光固化組合物，其中基于100重量份的該壓敏粘性粘合劑，該組合物包含0.1-10重量份的熱固化劑和0.01~5重量份的光引發劑。12.根據權利要求1的光固化組合物，其中該熱固化劑包含一種或多種被構造成與該壓敏粘性粘合劑的官能團反應的含異氰酸酯基團的化合物。13.根據權利要求1的光固化組合物，其中該光引發劑包含二苯曱酮、苯乙酮或蒽醌中的一種或多種。14.一種切割膠帶，包含使用權利要求1的光固化組合物形成的壓敏膠粘劑層。15.根據權利要求14的切割膠帶，其中切割膠帶包含基膜、形成在該基膜上的壓敏膠粘劑層和該壓敏膠粘劑層上的保護性離型膜。16.根據權利要求14的切割膠帶，其中UV輻照后該切割膠帶的最大晶圓剝離強度不大于0.05N/25mm。17.—種用于壓敏膠粘劑層的光固化組合物的形成方法，該方法包括形成壓敏粘性粘合劑，該壓敏粘性粘合劑包含丙烯酸單體的共聚物和結合到該共聚物上的具有至少一個碳-碳雙鍵的低分子量丙烯酸酯；并且將該壓敏粘性粘合劑與具有硅氧烷骨架的反應性丙烯酸酯、熱固化劑和光引發劑混合，其中，該反應性丙烯酸酯的重均分子量為1，000或更大，并且基于100重量份的該壓敏粘性粘合劑，使用0.01~5重量份的反應性丙烯酸酯。全文摘要本發明公開了一種用于形成壓敏膠粘劑層的光固化組合物。該光固化組合物包含壓敏粘性粘合劑、反應性丙烯酸酯、熱固化劑和光引發劑。該壓敏粘性粘合劑由壓敏膠粘劑聚合物樹脂和含碳-碳雙鍵且被引入到壓敏膠粘劑樹脂側鏈中的低分子量丙烯酸酯構成。該反應性丙烯酸酯在分子鏈中包含二甲基硅氧烷單元。在此還公開了一種切割膠帶，包含使用該光固化組合物形成的壓敏膠粘劑層。當薄晶圓安裝到切割膠帶上、切割并用UV輻照時，沒有發生連結。因此，壓敏膠粘劑層和薄晶圓之間的最大剝離強度是相當低的，薄晶圓的拾取性能優異。文檔編號C09J133/00GK101376797SQ20081014678公開日2009年3月4日申請日期2008年8月29日優先權日2007年8月31日發明者丁暢范,宋圭錫,崔承執,樸白晟,河京珍,黃龍河申請人:第一毛織株式會社