專利名稱：：粘附片以及電子元器件的制造方法
技術領域：
：本發明涉及粘附片以及電子元器件的制造方法。
背景技術：
：近年來，由于手機等電子設備的高性能化，磨削技術的重要性已廣泛得到認識。在磨削工序中，需要能夠可靠地固定被加工物且在剝離時不會帶來亞微米級的異物的粘附齊U。作為固定被加工物的方法之一，已知采用粘附片的方法(參照專利文獻13)。在制造電子元器件時，經常使用在硅或砷化鎵等的半導體晶片上形成電路圖案而成的電子元器件集合體或在平板狀的絕緣基板等上形成電路圖案而成的電子元器件集合體。此外，隨著機能的高性能化，半導體晶片上的電路圖案逐漸開始使用Si、SiO2,Si3N4,AlSi,AlSiCu,PI等多種多樣的材質。專利文獻1日本專利特公平06-018190號公報專利文獻2日本專利特開2000-008010號公報專利文獻3日本專利特許第3729584號公報發明的揭示然而，上述文獻記載的現有技術在以下方面有改進的空間。第一，背面研磨(backgrinding)被普遍使用，其特征是將電子元器件集合體的電路側固定于粘附片并對電路的背面進行磨削。但是，在采用現有的粘附片的背面研磨中，當展開卷起的粘附片時，容易發生粘連，并且有時在磨削(背面研磨)后的晶片表面上會產生微小的凹凸(波紋)。第二，有些使用者會設置在將保護片(粘附片)粘合于電路面的狀態下透過膠帶確認電路面的圖案和批次的工序，因此保護片(粘附片)還需要透明性。本發明是鑒于上述情況而完成的發明，其目的是提供一種粘附片，該粘附片可以抑制在展開卷起的粘附片時發生的粘連，還可以抑制磨削后的晶片表面上產生微小的凹凸(波紋)，且具有透明性。此外，本發明的另一目的是提供使用該粘附片的電子元器件制造方法。本發明提供一種粘附片，它是包括片狀基材和層疊于基材的一面的粘附劑層的粘附片，基材的一面的平均表面粗糙度為0.1μm3.5μm，基材的另一面的平均表面粗糙度力0.05μm0.7μm。如果采用該構成，則構成粘附片的基材的兩面的平均粗糙度被分別調整至特定范圍內，因此可以抑制展開卷起的粘附片時發生的粘連，還可以抑制磨削后的晶片表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片的透明性。此外，本發明提供一種電子元器件的制造方法，它是磨削晶片而獲得的電子元器件的制造方法，該方法包括將晶片粘合于上述粘附片的粘附劑層表面的工序；在粘合于粘附片的狀態下，磨削晶片的露出面而使其平滑的工序。根據該方法，構成粘附片的基材的兩面的平均粗糙度被分別調整至特定范圍內，因此可以抑制展開卷起的粘附片時發生的粘連，還可以抑制磨削后的晶片表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片的透明性。如果采用本發明，則可以抑制展開卷起的粘附片時發生的粘連，還可以抑制磨削后的晶片表面上產生微小的凹凸(波紋)，能夠維持粘附片的透明性。附圖的簡單說明圖1是用于對使用粘附片的晶片的背面研磨進行說明的工序剖視圖。圖2是用于對粘附片的卷起和展開時的粘連進行說明的工序剖視圖。符號的說明101硅晶片102真空卡盤工作臺103粘附劑層104剝離用膜105剝離襯里106基材膜108卷起的帶剝離襯里的粘附片110粘附片實施發明的最佳方式以下，使用附圖對本發明的實施方式進行說明。在所有的附圖中，用相同的符號標記相同的構成要件，適當省略說明。〈術語的說明〉在本說明書中，單體單元是指來源于單體的結構單元。只要沒有特別規定，本發明中的份及％以質量基準表示。<實施方式的概要>圖1是用于對使用粘附片的晶片背面研磨進行說明的工序剖視圖。如圖1(a)所示，本實施方式的粘附片110包括片狀基材106以及層疊于基材106的一面的粘附劑層103。該粘附片110中，構成粘附片110的基材106的兩面的平均表面粗糙度被調整至特定范圍內，因此可以抑制展開卷起的粘附片110時發生的粘連，還可以抑制磨削后的半導體晶片表面上產生微小的凹凸(波紋)，且可以維持粘附片110的透明性。<基材>本實施方式的粘附片110中，片狀基材106的一面、即要涂布粘附劑的一側的面的平均表面粗糙度(Ral)優選在0.1μm以上，特別優選在1.0μm以上。如果該平均表面粗糙度(Ral)在這些下限以上，則可以抑制僅卷起構成粘附片110的基材106時發生在基材106之間的粘連。另一方面，該平均表面粗糙度(Ral)優選在3.5μπι以下，特別優選在3.0μπι以下。如果該平均表面粗糙度(Ral)在這些上限以下，則可以維持透明性，還可以抑制磨削后的半導體晶片101表面上產生微小的凹凸(波紋)。此外，在本實施方式的粘附片110中，片狀基材106的另一面、即不涂布粘附劑的一側的面的平均表面粗糙度(Ra2)并無特別限定，在不會引起粘連的范圍內使用，具體優選在0.05μm以上，特別優選在0.1μm以上。如果該平均表面粗糙度(Ra2)在這些下限以上，則可以抑制僅卷起構成粘附片110的基材106時發生在基材106之間的粘連。另一方面，該平均表面粗糙度(Ra2)優選在0.7μπι以下，特別優選在0.4μπι以下。如果該平均表面粗糙度(Ral)在這些上限以下，則可以維持透明性，還可以抑制磨削后的半導體晶片101表面上產生微小的凹凸(波紋)。本實施方式的粘附片110中，由于作為片狀基材106，使用EVA(乙烯乙酸乙烯酯)，因此硬度的條件變得容易。即，較好是片狀基材106的至少一部分包含乙烯乙酸乙烯酯。特別是當在半導體晶片101的磨削中使用時，如果基材太軟時，則來自研磨頭(未圖示)的沖擊導致半導體晶片101的垂直運動，無法磨削成均勻的厚度。此外，當以多層結構形成片狀基材106時，較好是多層結構中至少包括1層包含EVA(乙烯乙酸乙烯酯)的層。該情況下，由于多層結構中的至少一層是包含EVA(乙烯乙酸乙烯酯)的層，因此硬度調節也同樣變得容易。這時，為了調整柔軟性，該EVA(乙烯乙酸乙烯酯)中的乙酸乙烯酯的含量優選在3質量％以上，更優選在5質量％以上。當乙酸乙烯酯含量在這些下限以上時，可以吸收磨削時所承受的應力，因此可以抑制磨削后的半導體晶片101開裂。另一方面，為了調整柔軟性，該EVA(乙烯乙酸乙烯酯)中乙酸乙烯酯的含量優選在20質量％以下，更優選在15質量％以下。當乙酸乙烯酯含量在這些上限以下時，可以使半導體晶片101的磨削精度提高。本實施方式的粘附片110中，作為片狀基材106，無需僅使用EVA(乙烯乙酸乙烯酯)，可以進一步采用多種材質。作為這樣使用多種材質的方法，可以例舉使用混合物、共聚物、層疊膜等的方法。本實施方式的粘附片110中，片狀材料106的厚度并無特別限定，但從粘附片110的強度的確保和柔軟性的維持的角度來看，理想的是10μm300μm。〈粘附劑層〉本實施方式的粘附片110中，用于粘附劑層103的粘附劑較好是容易設定粘附力的丙烯酸聚合物，可以通過包含固化劑來更精密地調整粘附力。此外，較好是構成丙烯酸聚合物的丙烯酸單體中的至少一種包括含官能團的單體。該含官能團的單體優選在丙烯酸聚合物中摻合并聚合有0.01質量％10質量％。如果該含官能團的單體的配比在0.01%質量以上，則對被粘體的粘附力足夠強，滲水的發生容易得到抑制；如果該含官能團的單體的配比在10質量％以下，則對被粘體的粘附力不會過強，因此容易抑制粘附劑殘留的發生。作為該丙烯酸聚合物中的主要單體，可以例舉(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆寇酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸環己基酯、以及(甲基)丙烯酸芐基酯等(甲基)丙烯酸單體。作為該丙烯酸單體，特別好是至少一部分包括含官能團的單體。作為該含官能團的單體，優選具有以下官能團的單體羥基、羧基、環氧基、酰胺基、氨基、羥甲基、磺酸基、氨基磺酸基、(亞)磷酸酯基。在這些單體中，特別優選具有這些官能團的乙烯基化合物，較好是具有羥基的乙烯基化合物。此外，在此所說的乙烯基化合物包括后述的丙烯酸酯。作為具有羥基的含官能團的單體，例如有(甲基)丙烯酸-2-羥乙基酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙基酯以及(甲基)丙烯酸-2-羥丁基酯。此外，本實施方式的粘附劑層103中，較好是在使上述的丙烯酸聚合物與固化劑反應而使粘附劑層103固化后，構成該丙烯酸聚合物的含羧基的單體于該丙烯酸聚合物中占1質量％以下。換言之，較好是在通過固化劑使粘附劑反應的含官能團的單體中，具有羧基的含官能團的單體占1質量％以下。對金屬的粘附力因使用具有羧基的含官能團的單體而增加，所以與固化劑反應后的具有羧基的含官能團的單體如果超過1質量％，則存在對金屬的粘附力高而發生粘附劑殘留的傾向，較好是在1質量％以下。因此，作為具有羧基的單體，優選容易通過與固化劑的反應而消除的單體，優選使用例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐、衣康酸、富馬酸、丙烯酰胺-N-乙醇酸以及肉桂酸。本實施方式的粘附片110中，用于粘附劑層103的粘附劑中較好是摻入固化劑。當摻入固化劑時，相對于100質量份丙烯酸聚合物，固化劑的配比優選0.1質量份20質量份。這是由于如果該固化劑的配比為0.1質量份20質量份，則可以抑制粘附劑殘留的發生。作為摻入粘附劑層103的固化劑，有多官能異氰酸酯固化劑、多官能環氧固化劑、1-吖丙因(azirine)化合物、三聚氰胺化合物等，優選多官能異氰酸酯固化劑、多官能環氧固化劑。通過使用多官能環氧固化劑或多官能異氰酸酯固化劑作為上述固化劑的至少一部分，可以選擇性地使具有羧基的含官能團單體反應而消除，能夠調節固化后的具有羧基的含官能團的單體的量。作為多官能異氰酸酯固化劑，例如有芳香族多異氰酸酯固化劑、脂肪族多異氰酸酯固化劑、脂環族多異氰酸酯固化劑。此外，優選脂肪族多異氰酸酯固化劑，特別優選其中的六亞甲二異氰酸酯固化劑。該異氰酸酯固化劑因為可以賦予粘附劑柔軟性，對于有凹凸的被粘體也有效，所以優選。芳香族多異氰酸酯沒有特別的限制，可以例舉例如1，3_苯二異氰酸酯、4，4’-連二苯基二異氰酸酯、1，4-苯基二異氰酸酯、4，4’-二苯甲烷二異氰酸酯、2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、4，4，-甲苯胺二異氰酸酯、2，4，6_三異氰酸酯基甲苯、1，3，5_三異氰酸酯基苯、聯茴香胺二異氰酸酯、4，4’-二苯醚二異氰酸酯、4，4’，4〃-三苯基甲烷三異氰酸酯、ω，ω，-二異氰酸酯基-1，3_二甲基苯、ω，ω，-二異氰酸酯基-1，4_二甲基苯、ω，ω，-二異氰酸酯基-1，4-二乙基苯、1，4_四甲基苯二亞甲基二異氰酸酯以及1，3-四甲基苯二亞甲基二異氰酸酯等。脂肪族多異氰酸酯沒有特別的限制，可以例舉例如亞丙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯、1，6-己二異氰酸酯、1，5_亞戊基二異氰酸酯、1，2_亞丙基二異氰酸酯、2，3-亞丁基二異氰酸酯、1，3_亞丁基二異氰酸酯、1，12-亞十二烷基二異氰酸酯以及2，4，4-三甲基-1，6-己二異氰酸酯等。脂環族多異氰酸酯沒有特別的限制，例如有3-異氰酸甲酯基-3，5，5_三甲基環己基異氰酸酯、1，3-環戊烷二異氰酸酯、1，3-環己烷二異氰酸酯、1，4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2，4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2，6-環己烷二異氰酸酯、4，4’-亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、1，4_雙(異氰酸甲酯基)環己烷以及1，4_雙(異氰酸甲酯基)環己烷。多官能環氧固化劑主要是指具有至少2個環氧基以及至少1個叔氮原子的化合物，可以例舉N，N-縮水甘油基苯胺、N，N-縮水甘油基甲苯胺、m-N，N-縮水甘油基氨基苯基縮水甘油基醚、P-N,N-縮水甘油基氨基苯基縮水甘油基醚、異氰脲酸三縮水甘油酯、N,N，N’，N’-四縮水甘油基二氨基二苯基甲烷、N，N，N’，N’-四縮水甘油基-m-苯二甲胺以及N，N，N，，N，，N〃-五縮水甘油基二亞乙基三胺等。〈粘附片〉本實施方式的粘附片110通過在基材106上形成粘附劑層103而制得。在基材106上形成粘附劑層103的方法沒有特別的限制，可以使用例如通常的逗號刮刀涂布、唇口涂布、凹版涂布、輥涂、絲網印刷涂布等涂布方式。粘附劑層103可以直接在基材106上形成，也可以在表面進行過剝離處理的剝離紙等上形成粘附劑層103后再轉印至基材膜(基材106)。本實施方式的粘附劑層103的厚度優選在3μm以上，更優選在5μm以上。如果該厚度在這些下限以上，則可以吸收半導體晶片101上的電路面的凹凸，因此可以抑制半導體晶片101表面產生微凹(dimple)或裂縫。另一方面，該粘附劑層103的厚度優選在1000μm以下，更優選在100μm以下。這是因為如果該厚度在這些上限以下，則可以控制成本。本實施方式的粘附片110的保存方法沒有特別的限制，可以例舉使聚乙烯層疊紙、剝離處理塑料膜等剝離片或剝離紙密合于粘附劑層103的粘附面的方法。<電子元器件的制造方法>本實施方式的粘附片110用于半導體晶片的背面研磨。S卩，本實施方式的粘附片110適合用于背面研磨中的半導體電子元器件集合體的固定。粘附片110的被加工物沒有特別的限制，通常稱為“工件”的電子元器件集合體適合用作被加工物。當用于背面研磨時，將形成在電子元器件集合體上的電路面粘附于粘附片110來使用。作為電子元器件集合體，可以例舉在絕緣物電路基板(或半導體晶片101)等上形成有電路圖案的集合體。作為構成電路面的材質，可以例舉Si、Si02、Si3N4、AlSi、AlSiCu、PI等。作為半導體晶片，可以例舉硅晶片或砷化鎵等。在這些電子元器件集合體中，優選使用半導體晶片101。<背面研磨>作為背面研磨的進行方式，除將粘附片110固定在電子元器件集合體的電路側來磨削電路的背面之外，沒有特別的限制，例如可以優選按照圖1所示的步驟進行。(1)第一工序中，以電子元器件集合體的電路面與粘附片110的粘附劑層103接觸的方式，承載于機械加工卡盤工作臺上，進行吸附、固定；(2)第二工序中，將粘附片110粘附于電路面，沿著電子元器件集合體的外周部裁剪粘附片110;(3)第三工序中，將電子元器件集合體磨削至所需的厚度；(4)第四工序中，解除卡盤工作臺的吸附，將固定于粘附片110的電子元器件集合體從機械加工工作臺上取下；(5)第五工序中，將粘附片110與電子元器件集合體剝離，回收電子元器件集合體。作為將粘附片110與電子元器件集合體剝離來回收電子元器件集合體的方法，可以例舉例如圖1所示的下述方法。(1)第一步驟中，將電子元器件集合體的磨削面側吸附于卡盤工作臺102而固定；(2)第二步驟中，在粘附片110側粘附通常稱為“剝離帶”的剝離用粘附膜104；(3)第三步驟中，剝離剝離用粘附膜104，粘附片110附著于剝離用粘附膜104上，被從電子元器件集合體剝離；(4)第四步驟中，解除卡盤工作臺102的吸附，回收電子元器件集合體。該方法適合用于電子元器件集合體的絕緣電路基板(或半導體晶片101)的厚度在約100μm以上時。電子元器件集合體經切割而制成電子元器件(芯片)。當電子元器件集合體(或半導體晶片101)容易破損的情況下，例如通過作為圖1所示的步驟的變形例的下述方法將粘附片110與電子元器件集合體(或半導體晶片101)剝離，回收電子元器件集合體(或半導體晶片101)。(1)第一步驟中，將電子元器件集合體(或半導體晶片101)的磨削面固定到承載于機械加工卡盤工作臺(未圖示)的切割用膠帶上；(2)第二步驟中，在粘附片110側粘附通常稱為“剝離帶”的剝離用粘附膜104；(3)第三步驟中，剝離剝離用粘附膜104，粘附片110附著于剝離用粘附膜104上，被從電子元器件集合體(或半導體晶片101)剝離。該方法適合用于電子元器件集合體的絕緣電路基板(或半導體晶片101)薄而容易破損時。電子元器件集合體經切割而制成電子元器件。〈作用效果〉以下，對本實施方式的作用效果進行說明。本實施方式的粘附片110包括片狀基材106以及層疊于基材106的一面的粘附劑層103。此外，該粘附片110中，基材106的一面的平均粗糙度為0.Ιμπι3.5μπι且基材106的另一面的平均粗糙度為0.05μm0.7μm，因此可以抑制在展開卷起的粘附片110時發生的粘連，還可以抑制磨削后的半導體晶片101表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片110的透明性。此外，本實施方式的粘附片110中，較好是基材106的至少一部分包含乙烯乙酸乙烯酯。該情況下，基材106的硬度調節變得容易，因此可以抑制來自研磨頭(未圖示)的沖擊導致的半導體晶片101的垂直運動，易于將半導體晶片101磨削成均勻的厚度。此外，本實施方式的粘附片110中，基材106可以由多層結構形成且多層結構中的至少一層包含乙烯乙酸乙烯酯。該情況下，與上述的情況同樣，基材106的硬度調節變得容易，因此可以抑制來自研磨頭(未圖示)的沖擊導致的半導體晶片101的垂直運動，易于將半導體晶片101磨削成均勻的厚度。此外，本實施方式的粘附片110中，上述的乙烯乙酸乙烯酯中的乙酸乙烯酯的含量優選3質量％20質量％。該情況下，可以吸收磨削時所承受的應力，因此可以抑制磨削后的半導體晶片101開裂。此外，該情況下，可以對粘附片110的柔軟性進行調整，所以可以使半導體晶片101的磨削精度提高。此外，本實施方式的粘附片110中，粘附劑層103較好是包含丙烯酸聚合物。這是因為容易設定粘附劑層103的粘附力。此外，本實施方式的粘附片110中，較好是構成上述丙烯酸聚合物的丙烯酸單體中的至少一種為具有羥基的單體。這是由于該情況下，粘附劑層103對被粘體的粘附力增強，因此滲水的發生得到抑制。此外，本實施方式的粘附片110中，較好是上述的具有羥基的單體在丙烯酸聚合物中占0.01質量％10質量％。該情況下，不僅因粘附劑層103對被粘體的粘附力充分增強而滲水的發生得到抑制，而且由于粘附劑層103對被粘體的粘附力不會變得過強，因此可以抑制粘附劑殘留。此外，本實施方式的粘附片110中，較好是粘附劑層103還包含固化劑。這是因為該情況下，粘附劑層103對被粘體的粘附力不會變得過強，所以可以抑制粘附劑殘留。此外，本實施方式的粘附片110中，較好是粘附劑層103相對于100質量份丙烯酸聚合物包含0.1質量份20質量份的固化劑。這是因為該情況下，粘附劑層103對被粘體的粘附力被調整至適度的范圍內，所以可以抑制粘附劑殘留。此外，本實施方式的粘附片110中，較好是在使上述的丙烯酸聚合物與固化劑反應而使粘附劑層103固化后，構成丙烯酸聚合物的含羧基的單體于丙烯酸聚合物中占1質量％以下。這是因為粘附劑層103對金屬的粘附力不會變得過強，因此可以抑制粘附劑殘留的發生。此外，本實施方式的粘附片110中，較好是上述固化劑的至少一部分為多官能異氰酸酯固化劑。采用多官能異氰酸酯固化劑的原因是該固化劑可以通過與具有羥基及羧基的單體進行反應而將這些基團消除。此外，本實施方式的粘附片110中，上述多官能異氰酸酯固化劑優選1，6_己二異氰酸酯固化劑。這是由于該1，6_己二異氰酸酯固化劑可以賦予粘附劑柔軟性，對存在凹凸的被粘體也有效。此外，該固化劑可以使羥基和羧基反應而將它們消除，特別是可以選擇性地與具有羥基的單體反應來調節含官能團的單體的量。此外，本實施方式的粘附片110中，上述固化劑中的至少一部分可以是多官能環氧固化劑。通過摻入多官能環氧固化劑，通過可以同時與羥基和羧基反應而將它們消除。特別是多官能環氧固化劑可以選擇性地與具有羧基的單體反應，因此可以選擇性地消除該羧基。該固化劑可以對固化后的具有羧基的單體的量進行調節。此外，本實施方式的粘附片110優選用于半導體晶片的背面研磨。這是因為如上所述，本實施方式的粘附片110可以抑制展開卷起的粘附片110時發生的粘連，還可以抑制半導體晶片背面研磨后的在半導體晶片101表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片110的透明性。此外，本實施方式的電子元器件的制造方法是磨削半導體晶片101而獲得的電子元器件的制造方法，該方法包括將半導體晶片101粘合于上述粘附片110的粘附劑層103表面的工序；在粘合于粘附片的狀態下，磨削半導體晶片101的露出面而使其平滑的工序。該方法所使用的粘附片110中，如上所述，基材106的兩面的平均表面粗糙度被調整至特定的范圍內。因此，如果采用該方法，可以抑制展開卷起的粘附片110時發生的粘連，還可以抑制磨削后的半導體晶片101表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片110的透明性。本實施方式的電子元器件的制造方法可以還包括在上述的磨削后將半導體晶片101與粘附劑層103剝離的工序。該方法所使用的粘附片110中，基材106的兩面的平均表面粗糙度被調整至特定的范圍內，因此可以抑制展開卷起的粘附片110時發生的粘連，還可以抑制磨削后的半導體晶片101表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片110的透明性。此外，如果采用這些方法，不僅可以防止展開卷起的粘附片110時發生的粘連，對于由形成電路的各種材質形成的半導體晶片101可以提高磨削性，而且還起到防止亞微米級的污染的效果。即，在采用現有的粘附片的背面研磨中，對于由各種各樣的材質形成的半導體晶片101，可能會發生亞微米級的粘附劑殘留，但是如果采用這些方法，這些問題可得到解決。以上，參照附圖對本發明的實施方式進行了說明，但它們僅僅是本發明的示例，還可以采用除上述以外的各種構成。例如，上述實施方式中未特別限定半導體晶片101的種類，可以使用任何種類的晶片，諸如硅晶片、砷化鎵晶片等。由于不論對于哪一種類的晶片，都有適合對該晶片進行背面研磨的磨削頭(未圖示)，因此可以使用該磨削頭(未圖示)實施與上述實施方式同樣的電子元器件的制造方法，該情況下也可以獲得同樣的作用效果。實施例以下，通過實施例對本發明進行進一步的說明，但本發明并不局限于這些實施例。〈實施例1>下面，實施例1的粘附片的制造配方。(基材)乙烯乙酸乙烯酯基材將以乙酸乙烯酯含量為8%的乙烯乙酸乙烯酯為主體的市售的顆粒(東曹株式會社(東〃一社)制，商品名=Ultrathene520F)熔化，通過T型模共擠出法成形而制成膜。通過控制成形時的壓花輥，將基材的一面的平均表面粗糙度(Ral)設定為2.0μm并將基材的另一面的平均表面粗糙度(Ra2)設定為0.3μm。此外，膜的厚度設為120μm。(粘附劑)獲得由共聚物形成的合成品，該共聚物通過將80%的丙烯酸丁酯、19%的(甲基)丙烯酸甲酯以及的丙烯酸-2-羥基乙酯(含官能團的單體)共聚而獲得。還有，合成品的玻璃化溫度是-53.3°C。此外，再將多官能異氰酸酯固化劑1，6_己二異氰酸酯(日本聚氨酯工業株式會社(日本f1J々^夕>工業社)制，制品名foronateHL的市售品)適當地加入上述的合成品中，制成粘附劑。然后，將粘附劑涂布到PET隔膜上，以干燥后的粘附劑層的厚度為20μm的條件進行涂布，再層疊于厚120μm的基材膜，從而獲得粘附片。<實施例24、比較例12>除將與粘附劑相反的一側的基材的平均表面粗糙度(Ra2)如表1所示進行改變以外，實施例24和比較例12與實施例1同樣地進行操作。<實施例58、比較例34>除將要涂布粘附劑的一側的基材的平均表面粗糙度(Ral)如表1所示進行改變以外，實施例58和比較例34與實施例1同樣地進行操作。〈評價方法〉(1)磨削性如圖1所示，將粘附片110粘附于5英寸的鏡面晶片(半導體晶片101)上(圖1(a))，磨削至300μm的厚度(圖1(b))，將鏡面晶片(半導體晶片101)的磨削面固定到真空卡盤工作臺102上(圖1(c))，將粘附片110通過剝離用膜104剝離(圖1(d))。使用平坦度測定裝置(平坦度測試儀，ADE-9500)對經磨削的硅晶片(半導體晶片101)進行測定。面內的凹凸的差值在5μπι以下的情況評價為〇，5μπι以上的情況評價為X。評價結果示于下述的表1。裝配機株式會社高鳥(株式會社夕力卜1J)制的裝配機ΑΤΜ-1100磨削機株式會社迪斯科(株式會社^二)制的背面研磨機Dre-850(2)粘連如圖2所示，在制得粘附片110之后(圖2(a))，與剝離襯里105上進行粘合(圖2(b))，卷成卷狀(圖2(c))。然后，將展開時(圖2(c)和圖2(d)的中間過程(未圖示))未發生粘連的粘附片評價為◎，將發生粘連但可使用的粘附片評價為〇，將發生粘連而無法使用的粘附片評價為X。評價結果示于下述的表1。(3)透明性粘附片的透明性使用須賀試驗機株式會社(卞力1式験機株式會社)制的霧度計(HZ-2)進行測定。將霧度為020%的粘附片評價為◎，將霧度為2040%的粘附片評價為〇，將霧度為40100%的粘附片評價為X。評價結果示于下述的表1。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>〈實驗的分析〉由表中所示的實驗結果可知，如果采用本粘附片，則由于構成粘附片的基材的兩面的平均表面粗糙度被分別調整至特定范圍內，因此可以抑制展開卷起的粘附片時發生的粘連，還可以抑制磨削后的晶片表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片的透明性。以上，基于實施例對本發明進行了說明。本領域的技術人員應理解，這些實施例僅僅是示例，可能各種變形例，而這樣的變形例也在本發明的范圍內。產業上利用的可能性上述的粘附帶抑制基材卷繞時的粘連以及制成帶的形式時的粘連，且具有透明性。此外，上述的粘附帶對于形成電路的各種材質起到提高磨削性和防止亞微米級的污染的效果。權利要求一種粘附片，它是包括片狀基材和層疊于所述基材的一面的粘附劑層的粘附片，其特征在于，所述基材的所述一面的平均表面粗糙度為0.1μm～3.5μm，所述基材的另一面的平均表面粗糙度為0.05μm～0.7μm。2.如權利要求1所述的粘附片，其特征在于，所述基材的至少一部分包含乙烯乙酸乙烯酯。3.如權利要求2所述的粘附片，其特征在于，所述基材由多層結構形成，且所述多層結構中的至少一層包含乙烯乙酸乙烯酯。4.如權利要求2所述的粘附片，其特征在于，所述乙烯乙酸乙烯酯中的乙酸乙烯酯含量為3質量％20質量％。5.如權利要求1所述的粘附片，其特征在于，所述粘附劑層包含丙烯酸聚合物。6.如權利要求5所述的粘附片，其特征在于，構成所述丙烯酸聚合物的丙烯酸單體中的至少一種為具有羥基的單體。7.如權利要求6所述的粘附片，其特征在于，所述具有羥基的單體在所述丙烯酸聚合物中占0.01質量％10質量％。8.如權利要求5所述的粘附片，其特征在于，所述粘附劑層還包含固化劑。9.如權利要求8所述的粘附片，其特征在于，所述粘附劑層相對于100質量份所述丙烯酸聚合物包含0.1質量份20質量份的所述固化劑。10.如權利要求8所述的粘附片，其特征在于，所述固化劑中的至少一部分是多官能異氰酸酯固化劑。11.如權利要求10所述的粘附片，其特征在于，所述多官能異氰酸酯固化劑是1，6_己二異氰酸酯固化劑。12.如權利要求8所述的粘附片，其特征在于，所述固化劑中的至少一部分是多官能環氧固化劑。13.如權利要求8所述的粘附片，其特征在于，使所述丙烯酸聚合物與所述固化劑反應而使所述粘附劑層固化后，構成所述丙烯酸聚合物的含羧基的單體在所述丙烯酸聚合物中占1質量％以下。14.如權利要求1所述的粘附片，其特征在于，用于半導體晶片的背面研磨。15.一種電子元器件的制造方法，它是磨削晶片而獲得的電子元器件的制造方法，其特征在于，包括將所述晶片粘合于權利要求1所述的粘附片的所述粘附劑層表面的工序；在粘合于粘附片的狀態下，磨削所述晶片的露出面而使其平滑的工序。16.如權利要求15所述的電子元器件的制造方法，其特征在于，還包括在所述磨削后，將所述晶片與所述粘附劑層剝離的工序。全文摘要本發明提供一種粘附片，它是包括片狀基材和層疊于基材的一面的粘附劑層的粘附片，基材的一面的平均表面粗糙度為0.1μm～3.5μm，基材的另一面的平均表面粗糙度為0.05μm～0.7μm。如果采用該構成，則構成粘附片的基材的兩面的平均表面粗糙度被分別調整至特定范圍內，因此可以抑制展開卷起的粘附片時發生的粘連，還可以抑制磨削后的晶片表面上產生微小的凹凸(波紋)，且能夠維持粘附片的透明性。文檔編號C09J7/02GK101802120SQ20078010044公開日2010年8月11日申請日期2007年8月30日優先權日2007年8月30日發明者久米雅士,九津見正信申請人:電氣化學工業株式會社