專利名稱：：含沸石的用于銅的化學機械拋光組合物的制作方法
技術領域：
：本發明涉及對半導體裝置制造過程中使用的銅膜進行拋光的化學機械拋光漿料組合物。
背景技術：
：近年來，半導體裝置的制造過程中，晶片的尺寸不斷增加，目前其直度已達到300mm，同時，由于高功能半導體裝置的高度整合，金屬配線層的數量也在增加，因此，由于剛性DOF(聚焦深度)和精密設計規則的應用，目前對平面化技術的依賴不斷增大。ILD(內層電介質)和PMD(金屬沉積前電介質)層的整體平面化已成為基本的方法。此外，為了解決由于裝置上的精細配線圖案而造成配線電阻增加的問題，現已使用銅代替鎢或鋁作為配線材料。自從1997年IBM公開了使用鑲嵌法(Damasceneprocess)的銅芯片后，現己積極地開發出制造銅芯片的方法。由于在將銅用作金屬配線時不能進行使用等離子體的蝕刻法，己知缺少化學機械拋光(CMP)法將不能進行鑲嵌法。因此，隨著銅配線在半導體裝置中使用的增加，銅拋光漿料的重要性也在提高。通常，銅拋光法分兩步進行，首先為主體Cu(bulkCu)拋光，其次為阻擋層拋光。在主體銅拋光中，通過使用漿料快速地除去銅，所述漿料具有高的銅除去速率并且對阻擋層的銅層具有高選擇性，隨后拋光操作在鉭基阻擋層停止。換而言之，作為主體銅拋光漿料，現己開發出具有高的銅除去速率并且對阻擋層的銅層具有高選擇性的漿料。現已公開的常規主體銅拋光漿料包含研磨劑、氧化劑以及與銅離子結合以改進銅層除去速率的絡合劑。例如，美國專利第6，593，239號公開了包含有機酸基化合物作為絡合劑的主體銅拋光漿料，其中公開了包含研磨劑、0.3-15.0重量％的氧化劑、1-3重量%的絡合劑以及0.08-1重量％的成膜劑的拋光組合物。然而，由于所述拋光漿料組合物包含大于1重量％的絡合劑，所以難以控制銅層的凹陷和腐蝕(或蝕刻)。如上所述，常規的主體銅拋光漿料使用可與銅離子結合的絡合劑以增加銅層的除去速率。然而，因為絡合劑的含量過高，所以由于銅蝕刻速率的增加很可能導致發生凹陷或其他缺陷，此外，在絡合劑含量過低的情況下，除去速率變低。同時，在韓國專利第0165145號中公開了包含甘氨酸的銅拋光漿料組合物。銅拋光漿料組合物具有在銅層表面上形成氧化物膜的功能，從而限制對銅層的蝕刻。在銅拋光漿料組合物中，由于氧化劑/有機酸的重量比維持在20或以上，并且pH維持在堿性pH區域而非中性pH區域，可以理解拋光性能的可重復性將會因為過氧化氫在堿性pH區域中的降解而變差。此外，當在中性pH區域中使用銅拋光漿料組合物的情況下，對銅層的拋光性能也會變差。
發明內容技術問題本發明的目的是提供主體銅CMP組合物，其具有高的銅層除去速率，并且對阻擋層的銅層具有高選擇性，以及具有最小化的絡合劑含量。本發明的另一個目的是提供可控制銅層凹陷和腐蝕(或蝕刻)的主體銅CMP組合物。技術方案本發明人發現，如果拋光槳料組合物包含沸石，則使用少量絡合劑即可使該拋光漿料組合物具有高的銅層除去速率和對阻擋層的銅層具有高選擇性。本發明涉及對半導體制造過程中形成的含銅層的基板進行拋光的主體銅CMP組合物，其特征是使用沸石吸收銅離子并實現機械拋光機制，更具體地，本發明涉及包含沸石、絡合劑和氧化劑的主體銅CMP組合物，其中所述絡合劑的含量為0.01-0.8重量％。沸石為多孔材料，其中規律地排列著具有所需孔度的納米孔。根據其組成，可將沸石分為鋁硅酸鹽、鋁磷酸鹽(A1P04)、硅鋁磷酸鹽(SAPO)沸石、金屬鋁磷酸鹽(MeAPO)和金屬硅酸鹽沸石。鋁硅酸鹽基沸石可通過下式表示M2/n0.xAl203'ySi02.zH20其中，M為原子價為n的陽離子，z為結晶水的分子數，并且y/x的比值隨晶休結構而改變，其值通常為1-100。所述沸石通常具有5-20A的孔，并且孔入口的大小為3-13A。通常，沸石具有15-50%的空隙體積，200m"g或以上的大表面積，2-5的低莫氏(Mohr)硬度，以及2-3g/cm3的低密度。由于沸石具有其中接收化合物的大體積的內部孔徑，因此在用于CMP時，沸石可在CMP之前包含有用的化合物，并且在對銅層進行CMP后吸收并除去銅離子，從而具有優良的拋光性能。此外，由于沸石具有低于常規無機顆粒的硬度和密度，因此可在拋光過程中限制劃痕的產生。此外，基于沸石的上述性質，由于可以減少常規銅拋光漿料組合物中所包含的絡合劑的含量，因此可以使用少量的絡合劑來提供高的銅層除去速率和對阻擋層銅層的高選擇性，并減少凹陷和腐蝕的發生。在下文中，對本發明進行詳細描述。本發明涉及包含沸石、絡合劑和氧化劑的主體銅拋光組合物，其中相對于組合物的總重量，所述絡合劑的含量為0.01-0.8重量％。此外，本發明的拋光組合物還包含選自防腐蝕劑、表面活性劑、氨基醇、水溶性聚合物和消泡劑的一種或多種添加劑。優選地，制備包含在根據本發明的主體銅拋光組合物中的沸石，使得其在漿料溶液中具有10-1000nm的二次平均粒徑度，更優選50-300nm。如果粒度大于1000nm，存在以下缺點因為沉淀而造成分散穩定性下降和由于大顆粒而產生劃痕；而如果粒度小于10nm，則難以進行制備并且除去速率也會降低。可通過粉碎具有大粒度的沸石為納米范圍內的沸石、或直接合成平均粒度在納米范圍內的沸石，來制備平均粒度在所述范圍內的沸石。可通過在堿性溶液中高溫下加熱反應物或通過水熱合成來實現所述合成過程。在粉碎沸石的情況下，優選制備的粉碎沸石的平均粒度在上述范圍內并且形成的顆粒分布窄而均勻，從而在銅拋光過程中獲得所需的分散穩定7性和除去速率并減小Ji-劃痕的產生。在粉碎沸石的過程中，可將沸石與例如水的介質混合，并通過研磨、高速混合(hi-mixing)或流體沖擊進行精密粉碎，并對該分散體溶液進行區分。在本發明中，沸石的粉碎方法包括研磨、高速混合和流體沖擊法。在研磨法中，將沸石與珠粒混合，隨后通過使用珠磨機、戴諾磨(Dynomill)、球磨機和碾磨機進行高速攪拌。在高速混合法中，使用轉子使流體高速旋轉并撞擊定子，從而產生摩擦。此外，流體沖擊法為反向沖擊法。在沸石的粉碎過程中，沸石的天然結晶度可能下降或受到損失。然而，此類粉碎沸石可用于本發明中。根據其組成和結構，沸石分為多個種類，并且在本發明中可使用所有具有內孔的材料而對其組成和結構沒有限制，只要它們是合成的或經粉碎而具有在上述范圍之內的粒度。在本發明中，使用鋁硅酸鹽沸石。鋁硅酸鹽沸石是一種多孔復合氧化物，其具有由硅和鋁原子和氧原子形成的規則四面體配位結構作為基礎結構，可根據其結構將其分為多個種類。根據其含量比和結構，沸石Al203/Si02可具有不同的拋光性質和不同的選擇性。優選所用的沸石選自X型、Y型、4A型和ZSM-5型。優選地，根據本發明的主體銅拋光組合物中包含的沸石的含量為0.1-7重量％，更優選0.3-5重量％。如果沸石的含量小于0.1重量％，則對銅離子的吸收能力相對較差，并且難以對機械拋光基質做出貢獻；如果沸石的含量大于7重量％，則對阻擋金屬層的除去速率增大，并且漿料的分散穩定性變差。根據本發明的主體銅拋光組合物中包含的絡合劑可以為有機酸或氨基酸，并且所述絡合劑包括檸檬酸、丙二酸、己二酸、琥珀酸、草酸、葡糖酸、酒石酸、蘋果酸、二乙基丙二酸、乙酸、巰基琥珀酸、苯四羧酸、喹啉酸、甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、天門冬氨酸、谷氨酸和精氨酸等。優選絡合劑的含量為0.01-0.8重量％，更優選0.05-0.5重量％。如果絡合劑的含量小于0.01重量％，則銅的除去速率很低，因此其基本不能用于工業領域;如果絡合劑的含量大于0.8重量％，則銅的除去速率增加，但蝕刻速率也增加，并且有在銅層中出現凹陷或腐蝕的可能性。在使用檸檬酸作為絡合劑的情況下，可以通過改變檸檬酸的含量控制除去速率。本發明的拋光組合物可以在酸性、中性或堿性pH范圍中使用，例如pH3-12的范圍。為了控制pH，使用KOH、氨、四甲基氫氧化銨和嗎啉等以及它們的混合物作為堿性材料，和使用無機酸，例如硝酸、磷酸、硫酸和鹽酸等作為酸性材料。酸性pH范圍優選pH3-6.5，更優選pH3-6;中性pH范圍優選為pH6.5-8.5，更優選pH7-8;且堿性pH范圍優選pH8.5-12。優選使用選自氫氧化鉀、硝酸、四甲基氫氧化銨、氫氧化銨(NH4OH)和嗎啉中的一種或多種作為pH控制劑。如果pH大于上述范圍，則沸石的分散穩定性變差并產生大尺寸的顆粒，因此其可以用作拋光漿料，且如果pH小于上述范圍，則腐蝕性增加。根據本發明的拋光漿料組合物中包含的氧化劑起到對銅層表面氧化的作用。優選氧化劑的含量為所述組合物總重量的0.01-15重量％。如果其含量小于0.01重量％，則氧化能力變差，由此使除去速率降低；如果其含量大于15重量％，則腐蝕性增加。氧化劑包括包含一個或多個過氧基團的化合物、包含處于最高氧化態的元素的化合物及它們的混合物。包含一個或多個過氧基團的化合物包括過氧化氫的加成產物，例如過氧化氫、脲過氧化氫和過碳酸鹽、有機過氧化物，例如過氧化苯甲酰、過乙酸和二叔丁基過氧化物、過硫酸鹽(單過硫酸鹽、二過硫酸鹽)、過氧化鈉及它們的混合物。包含處于最高氧化態的元素的化合物包括高碘酸鹽、過硼酸鹽和高錳酸鹽等，也可使用非過氧化物(non-percompound)。非過氧化物包括溴酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸和鈰(IV)化合物，例如硝酸銨鈽(IV)，也可將如硝酸鐵的化合物作為氧化劑使用。根據本發明的拋光組合物，優選分別在酸性、中性和堿性pH范圍使用不同種類的氧化劑，從而改進除去速率并獲得其穩定性，且還優選在酸性(pH3-6.5)、中性(pH6.5-8.5)和堿性pH(pH8.5-12)范圍中氧化劑的含量各不相同。在酸性和中性pH范圍中優選使用過氧化氫作為氧化劑，并且在酸性pH范圍中過氧化氫的含量為拋光組合物總重量的1-12重量％,更優選3-10重量％。如果在酸性pH范圍中過氧化氫的含量小于1重量％，則銅的除去速率降低并在表面產生劃痕；如果在酸性pH范圍中過氧化氫的含量大于12重量％，由于氧化銅層變的堅固，則難以除去銅層，從而降低了銅除去速率。此外，優選在中性pH范圍中過氧化氫的含量為0.1-3重量9%，更優選0.1-2重量％，且最優選0.1-1重量％。如果氧化劑的含量小于0.1重量％，由于低的氧化能力，使得銅的除去速率降低；如果氧化劑的含量大于3重量％，則腐蝕性增大，由此使銅表面變得不再均勻。在堿性pH范圍優選使用過硫酸鹽作為氧化劑，并且過硫酸鹽的含量為0.05-5重量％，更優選0.5-3wt.%。如果過硫酸鹽的含量小于0.05重量％，則銅的除去速率降低；如果過硫酸鹽的含量大于5重量％，則銅表面的腐蝕增大。此外，通過將中性pH范圍中氧化劑的含量控制在0.1-3重量％，可以使銅層表面的缺陷最小化。優選使用具有高除去速率的甘氨酸作為絡合劑。為了維持較低的蝕刻速率并增大除去速率，如果使用沸石作為研磨劑并保持低的甘氨酸和氧化劑含量，則可以在沒有防腐蝕劑的情況下，顯著地減小銅層和阻擋層的表面缺陷。在中性pH范圍中使用甘氨酸的情況下，優選甘氨酸的含量為0.01-0.7重量％，更優選0.05-0.5重量％。如果其含量小于0.01重量％，則銅層的除去速率降低；且如果其含量大于0.7重量％，則銅層的蝕刻速率增大，并且由此發生例如凹陷的缺陷。根據本發明的主體銅拋光組合物可進一步包含選自防腐蝕劑、表面活性劑、氨基醇、水溶性聚合物、消泡劑和殺真菌劑的一種或多種添加劑，并可進一步包含具有機械拋光功能的研磨顆粒。根據本發明的拋光槳料組合物中包含的防腐蝕劑起到限制銅腐蝕的作用，并由此穩定銅表面，從而減少拋光過程后的缺陷。防腐蝕劑包括苯并三唑或四唑基化合物。更確切地說，可使用選自苯并三唑、5-氨基四唑、1-烷基-氨基四唑、5-羥基-四唑、l-烷基-5-羥基-四唑、四唑-5-硫醇、咪唑及它們的混合物中的一種或多種作為防腐蝕劑，并且更優選使用苯并三唑。優選四唑基化合物中的烷基為Cl-C5直鏈或枝化垸基。優選防腐蝕劑的含量為拋光組合物總重量的0.0001-0.5重量％，且更優選0.0001-0.05重量％。如果防腐蝕劑的含量大于0.05重量％，則銅層的除去速率降低并且對拋光過程后的清潔過程有不利的影響；且如果防腐蝕劑的含量小于0.0001重量%，則除去速率增大，但由于腐蝕性的增加可能發生凹陷。拋光衆料組合物中所含的表面活性劑包括選自十二烷基苯磺酸、月桂基氧磺酸、木質素磺酸、萘磺酸、二丁基萘磺酸、月桂基醚磺酸及它們的鹽的一種或多種。優選表面活性劑的含量為拋光組合物總重量的0.001-0.5重量％，且更優選0.05-0.5重量Q/。。更優選使用具有十二碳鏈和磺酸鹽(S(V)結構，并發揮防止腐蝕和進行潤滑操作的功能的十二烷基苯磺酸或其鹽，從而提高除去速率并防止腐蝕。如果表面活性劑的含量小于0.001重量％，則不能充分發揮抗腐蝕作用；如果表面活性劑的含量大于0.5重量％，則會產生大量的泡沫。在使用表面活性劑時，根據本發明的拋光組合物可進一步包含消泡劑。消泡劑發揮限制由于使用表面活性劑而生成泡沫的作用，且對其種類沒有特別的限制，并且可根據表面活性劑的含量適當地控制其含量。可將消泡劑分為硅基消泡劑和非硅基消泡劑。例如，硅基消泡劑包括含有聚二垸基硅氧烷的消泡劑，且非硅基消泡劑包括含有聚亞垸基二醇的消泡劑。優選聚二烷基硅氧垸和聚亞垸基二醇中的垸基為Cl-C5直鏈或枝化烷基。此外，本發明還包含氨基醇以減低對阻擋層的除去速率并改進漿料的分散穩定性。由于可以控制氨基醇的含量，所以不必特別限定其含量。然而，優選其含量為0.01-1.0重量％。如果氨基醇的含量小于0.01重量％,則降低除去速率的功能變差；如果氨基醇的含量大于1.0重量％，則分散穩定性變差。氨基醇包括2-氨基-2-甲基-l-丙醇(AMP)、3-氨基-l-丙醇、2-氨基-l-丙醇、l-氨基-2-丙醇、1-氨基-戊醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、2-二甲基氨基-2-甲基-l-丙醇、N，N-二乙基乙醇胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺或它們的混合物。根據本發明的拋光組合物可進一步包含水溶性聚合物。水溶性聚合物的功能在于提高除去速率，阻止基板凹陷部分的銅層被拋光，增加臺階高度(stepheight)的除去速率，并由此最終減少凹陷。水溶性聚合物包括聚乙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯垸酮、聚環氧乙烷以及以天然聚合物(如羥乙基纖維素和羧甲基纖維素)作為組成體的材料。也可使用包含至少兩個或多個不同單體的共聚物(如聚丙烯酸共聚物)作為水溶性聚合物。優選使用聚丙烯酸作為水溶性聚合物，并且水溶性聚合物的含量為拋光組合物總重量的0.001-2重量％，優選0.02-1重量％。如果水溶性聚合物含量小于0.001重量％，則凹陷減少的作用變差；如果水溶性聚合物的含量大于2重量％，則分散穩定性變差。本發明的拋光組合物可進一步包含殺真菌劑以限制微生物的增殖。此外，本發明還包含具有機械拋光作用的研磨顆粒。可使用氣相法二氧化硅、膠體二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、有機聚合物顆粒或它們的混合物作為研磨顆粒，更優選使用膠體二氧化硅。優選研磨顆粒的粒度為5-2000nm，更優選10-500nm。由于可根據所需情況控制研磨顆粒的含量，所以不必特別限定其含量。然而，優選其含量為0.01-8.0重量％，更優選0.05-3.0重量％。如果其含量小于0.01重量％，則機械拋光作用變差；如果其含量大于8.0重量％，則分散穩定性變差，或者產生劃痕。根據本發明的主體銅CMP組合物，在酸性pH范圍中，組合物包含0.3-5重量％的沸石、0.05-0.5重量％的檸檬酸、0.05-0.5重量％的十二烷基苯磺酸或其鹽、0.0001-0.5重量％的苯并三唑以及3-10重量％的過氧化氫，其中所述pH為3-6.5，并且沸石的二級粒度為50-300nm;在堿性pH范圍中，組合物包含0.3-5重量％的沸石、0.05-0.5重量％的檸檬酸、0.05-0.5重量％的十二烷基苯磺酸或其鹽、0.0001-0.5重量％的苯并三唑以及0.5-3重量％的過硫酸銨，其中所述pH為8.5-12，并且沸石的二級粒度為50-300nm。并且在中性pH范圍中，組合物包含0.3-5重量％的沸石、0.05-0.5重量%的甘氨酸、0.1-2重量％的過氧化氫和0.001-0.5重量％的十二垸基苯磺酸或其鹽，其中所述pH為6.5-8.5，并且二級粒度為50-300nm，其中所述組合物還包含選自0.001-2重量％的聚丙烯酸和0.0001-0.5重量％的苯并三唑的一種或多種，并且還包含0.01-1.0重量％的氨基醇。此外，本發明還提供了半導體的制造方法，其中使用根據本發明的CMP組合物拋光包含銅的半導體基板。具體實施例方式本發明的實際和目前優選的實施方案為示例性的。然而，應理解本領域技術人員在考慮本公開后可在本發明的精神和范圍之內進行改動和改進。在拋光過程中使用銅晶片和鉅晶片作為測試晶片，其中通過PVD法分別以10000A和2000A的厚度沉積。使用ChangminTechCompany制造的四點探針測量薄層電阻，隨后轉化成厚度值，由此計算金屬層的厚度。室溫下將銅晶片在拋光漿料中浸漬10分鐘并清洗后，測量厚度的變化，并由12此計算蝕刻速率。通過使用肉眼或光學顯微鏡觀察表面狀態檢測腐蝕水平。將觀察結果分為表面狀態良好的情況、發生少量腐蝕的情況和發生嚴重腐蝕的情況。表面狀態良好的情況標記為"〇"，發生少量腐蝕的情況標記為"△"，并將發生嚴重腐蝕的情況標記為"X"。使用碾磨機粉碎沸石，隨后使用。此外，在各個實施方案中所述沸石的粒度為沸石二級粒度的平均值。使用硝酸和氫氧化鉀作為pH控制劑。在各實施方案中，BTA為苯并三唑，DBS為十二烷基苯磺酸，且PAA為聚丙烯酸。實施方案l:拋光性質與檸檬酸含量的關系使用G&PTechnologyCompany制造的Poli500CE作為拋光裝置。在拋光條件下，臺/頭(Table/Head)速度為30/30rpm、拋光壓力為100g/cm2，漿料供應速率為200ml/分鐘，且拋光時間為60秒。并使用RohmandHaasCompany制造的IC1400作為拋光墊。通過碾磨機粉碎ZSM-5型沸石以使其粒度為170nm，并使沸石的含量為1重量％。在添加0.08重量％BTA、0.1重量％DBS和8重量％過氧化氫，并使檸檬酸的含量分別為0.15重量％、0.3重量％和0.60重量％后，將pH保持在3.8。隨后，評估除去速率和蝕刻速率。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表1所示，根據檸檬酸的含量測量銅層的除去速率和蝕刻速率。可理解除去速率隨著檸檬酸含量的增加而增大。與含量為0.3重量％時相比，擰檬酸含量為0.6重量％時的蝕刻速率顯著增加。在表1中，在蝕刻速率方面，優選檸檬酸的含量小于0.6重量％，更優選0.5重量％或以下。同時，在檸檬酸含量大于0.6重量％的情況下，該組合物只有在通過添加防腐蝕劑以降低蝕刻速率時才能使用。實施方案2:拋光性質與沸石含量的關系拋光組合物包含0.3重量％的檸檬酸、0.08重量％的BTA、0.1重量％的DBS、8重量％的過氧化氫，并且其pH為3.9。使用粒度為170nm的ZSM-5型沸石，并在與實施方案1相同的條件下進行試驗，除了將沸石的含量分別變為1重量％和2重量％。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表2所示，在根據沸石含量進行的銅層除去速率的評估結果中，可理解當沸石含量從1重量％增加到2重量％時，除去速率得到了改進，而蝕刻速率幾乎沒有變化。實施方案3:拋光性質與過氧化氫含量的關系拋光組合物包含2重量％經粉碎的粒度為170nm的ZSM-5型沸石、0.3重量％的檸檬酸、0.08重量％的BTA和0.1重量％的DBS，而過氧化氫的含量分別變為4重量％、6重量％和8重量％。隨后，使用與實施方案l中相同的條件進行評估，除了pH為3.9。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>〇沒有腐蝕(良好)；少量腐蝕；X:嚴重腐蝕如表3所示，在根據過氧化氫含量進行的銅層除去速率的評估結果中，可理解銅層的除去速率隨著過氧化氫含量的增加而增加，而蝕刻速率則減小。實施例4:拋光性質與表面活性劑含量的關系拋光組合物包含2重量％經粉碎的粒度為177nm的ZSM-5型沸石、0.3重量％的檸檬酸、0.08重量％的BTA和8重量％的過氧化氫，并將pH保持在3.9，同時DBS的含量分別變為0重量％、0.01重量％、0.1重量％和0.3重量％。隨后，在與實施方案l中相同的條件下進行評估。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>如表4所示，DBS的含量為0.01重量％時，銅層的除去速率得到很大的改進。可以理解，其含量大于0.1重量％時，銅層的除去速率增加而蝕刻速率下降，并且添加表面活性劑有助于拋光和蝕刻性能的改進，而這些是拋光組合物的重要因素。實施方案5:拋光性質與BTA含量的關系拋光組合物包含2重量％經粉碎的粒度為177nm的ZSM-5型沸石、0.3重量％的檸檬酸、0.1重量％的DBS和8重量°/。的過氧化氫，并將pH保持在3.9，同時BTA的含量分別變為0重量％、0.08重量％、0.1重量％和0.3重量％。隨后，在與實施方案1中相同的條件下進行評估。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>如表5所示，可以理解在添加BTA時，蝕刻速率急劇下降。實施方案6:拋光性質與pH變化的關系拋光組合物包含2重量％經粉碎的粒度為177nm的ZSM-5型沸石、0.3重量％的檸檬酸、0.1重量％的DBS、0.08.%的BTA和8重量％的過氧化氫。然后根據pH的變化進行評估，其他條件與實施方案1中的條件相同。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如表6所示，可以理解除去速率在pH為3.9時最高，而在所有本實施方案的組合物中均表現為低蝕刻速率。實施方案7:堿性拋光組合物在本實施方案中，制備堿性拋光組合物。也就是說，在拋光組合物的pH為9.3或9.6的狀態下評估拋光和蝕刻性質。拋光組合物包含2重量％經粉碎的粒度為177nm的ZSM-5型沸石、1重量％或2重量％的過硫酸銨、0.1重量％、0.3重量％和0.5重量％的擰檬酸、0.0005重量％的BTA、0.05重量％、0.1重量％和0.2重量％的DBS。此外，拋光條件與實施例1中的條件相同。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如表7所示，可以理解在添加作為氧化劑的過硫酸銨時，除去速率增加。特別地，當過硫酸銨從1重量％增加到2重量％時，以及當pH從9.3增加到9.6時，除去速率增加。然而，除去速率隨擰檬酸的變化相對較小。實施方案8:拋光性質與研磨劑種類的關系拋光組合物包含0.3重量％的檸檬酸、0.1重量％的DBS、0.08重量％的BTA、8重量％的過氧化氫，并將pH保持在pH3.9，隨后使用沸石和其他類型的研磨劑。使用AceHighTechCompany和S-ChemTech制造的膠體二氧化硅，和DegussaCompany制造的氣相法氧化鋁(alu-3)。拋光條件與實施例l中的條件相同。表8<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>如表8所示，在使用ZSM-5型沸石制備拋光組合物的情況下，除去速率最大且蝕刻速率最低，從而獲得優異的拋光性質。實施方案9:選擇性的評估拋光組合物包含2重量％的ZSM-5型沸石、0.3重量％的檸檬酸、8重量o/。的過氧化氫、0.1重量y。的DBS、0.08重量c/。的BTA，并將pH分別變為3.9和9.6，使用DoosanDNDCompany制造的Unipla211CMP裝置對8英寸的銅和鉭晶片進行拋光評估。在酸性pH范圍中的拋光條件漿料流速為200ml/分鐘，軸的旋轉速度為120rpm，壓板(platen)的旋轉速度為24rpm，晶片壓力為2.4psi，保持器環壓力為6psi，并使用DongsungA&TCompany制造的襯墊。在堿性T3H范圍中的拋光條件漿料流速為300ml/分鐘，軸的旋轉速度為120rpm，壓板的旋轉速度為24rpm，晶片壓力為4.3psi，保持器環壓力為6psi，并使用DongsungA&TCompany制造的襯墊。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表9所示，根據本發明的拋光組合物具有高的銅層除去速率和低的銅蝕刻速率，因此可以限制腐蝕和凹陷。此外，由于拋光組合物具有對銅層的高拋光選擇性，其具有可作為主體銅拋光組合物使用的優異性質。實施方案10:拋光性質在中性PH范圍中與絡合劑種類的關系使用DoosanDNDCompany制造的Unipla211CMP裝置作為CMP裝置。在拋光條件下，槳料流速為200ml/分鐘，軸的旋轉速度為120rpm，壓板的旋轉速度為24rpm,晶片壓力為2.5psi，并使用Rhom&HassCompany制造的拋光墊(ICI000A2)。將ZSM-5型沸石粉碎以使其具有120nm的二級粒度，并隨后將其作為研磨劑使用。將pH保持在7.7并更換絡合劑的種類，同時評估銅層的除去速率。表10<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表IO所示，在改變絡合劑的同時進行拋光評估。在中性pH范圍中，在使用甘氨酸作為絡合劑的情況下，除去速率最高。此外，與pH為7相比，pH為7.7的除去速率有增大的趨勢，并且在進行蝕刻過程中，在pH為6.5或以下時，表面發生腐蝕。在pH為8.5顯示了類似的除去速率，但如果pH大于8.5，過氧化氫的穩定性相對較差，并由此出現拋光再現性的問題。因此，優選將pH控制在6.5-8.5的范圍內。實施方案ll:拋光性質與甘氨酸含量的關系如下表ll所示，在改變甘氨酸含量的同時，評估銅的拋光性質。表11<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>如上所示，改變甘氨酸的含量。可以理解，除去速率隨著甘氨酸含量的增加而增大。當甘氨酸的含量大于0.7重量％時，腐蝕速率很高，因此，優選甘氨酸的含量為0.7重量％或以下。實施方案12:拋光性質與過氧化氫含量的關系如下表12所示，在改變甘氨酸含量的同時，評估銅的拋光性質。通過肉眼或光學顯微鏡觀察拋光過程后的表面狀態。表12<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>由于過氧化氫含量的變化，當過氧化氫的含量為1重量％時，銅層的除去速率最高。此外，還降低了蝕刻速率。當在中性pH范圍中不使用作為保護層形成劑的BTA時，以及當氧化劑/有機酸的比例低時，可以降低蝕刻速率。實施方案13:拋光性質與添加BTA的關系為了評估銅拋光性質與BTA的添加及其含量的關系，按照下表13的描述改變漿料組合物。表13<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>如表13所示，由于添加BTA使得除去速率降低，但腐蝕速率降低得更多。表面狀態沒有變差。工業實用性本發明的拋光組合物具有高的銅層除去速率和低的銅蝕刻速率，因此可以限制腐蝕和凹陷。此外，由于拋光組合物具有對銅層的高拋光選擇性，其具有可作為主體銅拋光組合物使用的優異性質。本領域技術人員應理解以上說明書中公開的概念和具體實施方案可作為用于實現與本發明相同目的的改進或設計其它實施方案的基礎。本領域技術人員還應理解，此類等價實施方案不脫離本權利要求書中所述的本發明的精神和范圍。權利要求1、用于拋光含銅基板的化學機械拋光組合物，其中包含沸石、氧化劑和絡合劑，其中所述絡合劑的含量為所述拋光組合物總重量的0.01-0.8重量％。2、如權利要求1所述的化學機械拋光組合物，其中所述沸石的含量為所述拋光組合物總重量的0.1-7重量％，且所述氧化劑的含量為0.01-15重量％。3、如權利要求2所述的化學機械拋光組合物，其中所述絡合劑是選自檸檬酸、丙二酸、己二酸、琥珀酸、草酸、葡糖酸、酒石酸、蘋果酸、二乙基丙二酸、乙酸、巰基琥珀酸、苯四羧酸、喹啉酸、甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、天門冬氨酸、谷氨酸和精氨酸的一種或多種。4、如權利要求1所述的化學機械拋光組合物，其中所述絡合劑的含量為所述拋光組合物總重量的0.05-0.5重量％。5、如權利要求3所述的化學機械拋光組合物，其中所述絡合劑為檸檬酸并且其含量為所述拋光組合物總重量的0.05-0.5重量％。6、如權利要求2所述的化學機械拋光組合物，其中所述沸石的二級平均粒度為10-1000nm。7、如權利要求6所述的化學機械拋光組合物，其中所述沸石選自X型、Y型、4A型和ZSM-5型。8、如權利要求2所述的化學機械拋光組合物，其中所述組合物的pH為3-12。9、如權利要求8所述的化學機械拋光組合物，其中所述氧化劑為1-12重量％的過氧化氫，pH為3-6.5。10、如權利要求8所述的化學機械拋光組合物，其中所述氧化劑為0.05-5重量％的過硫酸鹽，pH為8.5-12。11、如權利要求8所述的化學機械拋光組合物，其中pH為6.5-8.5。12、如權利要求ll所述的化學機械拋光組合物，其還包含占所述組合物總重量的0.01-0.7重量％的甘氨酸作為絡合劑。13、如權利要求12所述的化學機械拋光組合物，其還包含占所述組合物總重量的0.1-3重量％的過氧化氫作為氧化劑。14、如權利要求8所述的化學機械拋光組合物，其中通過選自氫氧化鉀、硝酸、四甲基氫氧化銨(TMAH)、氫氧化銨(NH4OH)和嗎啉的pH控制劑控制pH。15、如權利要求1-14中任一項所述的化學機械拋光組合物，其中所述拋光組合物還包含選自防腐蝕劑、表面活性劑、氨基醇、水溶性聚合物、消泡劑和殺真菌劑中的一種或多種。16、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述防腐蝕劑選自苯并三唑、5-氨基四唑、1-烷基-氨基四唑、5-羥基-四唑、1-烷基-5-羥基-四唑、四唑-5-硫醇、咪唑及它們的混合物中的一種或多種，并且所述防腐蝕劑的含量為所述組合物總重量的0.0001-0.5重量％。17、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述表面活性劑選自十二烷基苯磺酸、月桂基氧磺酸、木質素磺酸、萘磺酸、二丁基萘磺酸、月桂基醚磺酸及它們的鹽中的一種或多種，并且所述表面活性劑的含量為所述拋光組合物總重量的0.001-0.5重量％。18、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述消泡劑選自聚亞烷基二醇基化合物和聚二烷基硅氧烷基化合物中的一種或多種。19、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述氨基醇選自2-氨基-2-甲基-l-丙醇(AMP)、3-氨基-l-丙醇、2-氨基-l-丙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-戊醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、2-二甲基氨基-2-甲基-l-丙醇、N,N-二乙基乙醇胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和它們的混合物，并且其含量為所述拋光組合物總重量的0.01-1重量％。20、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述水溶性聚合物選自羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚環氧乙烷及它們的混合物，并且其含量為所述拋光組合物總重量的0.001-2重量％。21、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其還包含選自氣相法二氧化硅、膠體二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、有機聚合物顆粒和它們的混合物的研磨顆粒，并且所述研磨顆粒的含量為所述拋光組合物總重量的0.01-8重量％。22、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述拋光組合物包含0.3-5重量％的沸石、0.05-0.5重量％的檸檬酸、0.05-0.5重量％的十二烷基苯磺酸或其鹽、0.0001-0.5重量％的苯并三唑和3-10重量％的過氧化氫，并且pH為3-6.5，并且所述沸石的二級粒度為50-300nm。23、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述拋光組合物包含0.3-5重量％的沸石、0.05-0.5重量％的檸檬酸、0.05-0.5重量％的十二垸基苯磺酸或其鹽、0.0001-0.5重量％的苯并三唑和0.5-3重量％的過硫酸銨，并且pH為8.5-12，并且所述沸石的二級粒度為50-300nm。24、如權利要求15所述的化學機械拋光組合物，其中所述拋光組合物包含0.3-5重量％的沸石、0.05-0.5重量％的甘氨酸、0.1-2重量％的過氧化氫、0.001-0.5重量％的十二垸基苯磺酸或其鹽、0.001-2重量％的聚丙烯酸和0.0001-0.5重量％的苯并三唑，并且pH為6.5-8.5，并且所述沸石的二級粒度為50-300nm。25、半導體裝置的制造方法，其中使用權利要求1-14中任一項所述的化學機械拋光組合物拋光含銅基板。全文摘要本發明涉及對半導體裝置制造過程使用的銅膜進行拋光的CMP漿料組合物。所述用于拋光含銅基板的CMP組合物包含沸石、氧化劑和絡合劑，其中所述絡合劑的含量為拋光組合物總重量的0.01-0.8重量％。文檔編號C09K3/14GK101541913SQ200780043352公開日2009年9月23日申請日期2007年12月20日優先權日2006年12月22日發明者樸烋范,鄭銀逸,金錫主申請人:韓國泰科諾賽美材料株式會社