發光元件、發光設備、照明設備和電子器具的制作方法

專利名稱：發光元件、發光設備、照明設備和電子器具的制作方法
技術領域：
本發明涉及利用電致發光的發光元件。另外，本發明涉及具有該發光元件 的發光設備、照明設備和電子器具。
背景技術：
近年來，需要薄且平的顯示設備作為用于電視機、手機、數碼相機等的顯 示設備。作為一種符合該要求的顯示設備，利用自發光式發光元件的顯示設備 正吸引人們的注意力。利用電致發光的發光元件正是自發光式發光元件之一， 其中發光材料被夾在一對電極之間，向其施加電壓，使得可以獲得來自發光材 料的光發射。
這種自發光式發光元件與液晶顯示元件相比具有許多優點，比如像素的可 視度較高，不需要背光源，并且被認為適合于平板顯示元件。另外，這種發光 元件可以被制造成薄且輕，這也是很大的優點。此外，響應速度極高，這是這 種發光元件的另一個特點。
此外，像這樣的自發光式發光元件可以形成一薄膜；因此，通過形成大面 積元件，可以很容易地獲得平面光發射。該特點是很難從點光源(典型的是白 熾燈泡或LED)或線光源(典型的是日光燈管)中獲得的。相應地，作為平面 光源的自發光式發光元件(可應用于發光系統等)的有效值很高。
根據發光材料是有機化合物還是無機化合物，可將利用電致發光的發光元 件分成兩組。通常，前者被稱為有機EL元件，后者被稱為無機EL元件。
無機EL元件根據其元件結構而被分成分散型無機EL元件和薄膜無機EL 元件。兩者的區別在于，前者包括發光材料粒子分散在粘合劑中的發光層，后 者包括磷光材料薄膜構成的發光層。然而，其機理是相同的，被高電場加速的 電子與基材或發光中心碰撞激發便獲得了光發射。出于這個原因， 一般的無機 EL元件都需要高電場來提供光發射，并且有必要向發光元件施加幾百伏的電
壓。例如，近年來，已開發了用于發射高亮度藍光(這對全色顯示是必需的) 的無機EL元件；然而，它需要100 200 V的驅動電壓(例如，參照文獻l:
日本應用物理期刊，1999年第38巻第L1291頁)。因此，無機EL元件消耗 更多的能量，并且很難應用于微型-中型顯示器(比如手機等的顯示器)。

發明內容
考慮到上述問題，本發明的目的是提供一種能夠發射混合顏色光的發光元 件、利用這種發光元件的發光設備以及利用這種發光元件的照明設備。此外， 另一個目的是提供一種利用這些的發光設備和電子器具。
本發明的一個方面是一種發光設備，它包括第一電極；形成于第一電極 上的發光層，該發光層包括由組成式MX代表的化合物、受主、第一施主、第 二施主；以及形成于發光層上的第二電極。該化合物具有晶體結構。M是選自 周期表第2族到第13族的元素。X是硫族元素。受主是化合價低于M的離子。 發光層還可以包括另一種受主，它是化合價低于M的離子。第一和第二施主可 以是化合價低于X的離子。M可以由周期表第2族到第13族的兩種或更多種 元素組成。此外，晶體結構包括至少一種單位晶胞。該單位晶胞的晶系是下列 之一立方晶系；六方晶系；四方晶系；斜方晶系；單斜晶系；以及三斜晶系； 或它們的組合。此外，該化合物是選自下列的一種ZnO， ZnS, ZnSe, MgS， CaS, SrS和ZnMgS。
在本發明中，各種發光中心化合物被用于制造發光元件的光發射體。該光 發射體是一種熒光體，其以硫族化合物為基材并且向其添加了作為熒光中心化 合物的卣族元素。按常規，硫化鋅(ZnS)這樣一種硫族化合物被用作基材，氯化 亞銅(I)(CuCl)這樣一種卣族化合物被用作發光中心；然而，該光發射體不受這 些材料限制，并且具有與常規光發射體等價或更佳的特征。在上面的結構中， 成為光發射體基材的硫族化合物是一種包括周期表第16族中的硫族元素以及 周期表第2 13族中的金屬元素的化合物，其中第16族中的硫族元素即氧(0)、 硫(S)、硒(Se)、碲(Te)或釙(Po)。作為示例，可以給出氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、 硒化鋅(ZnSe)、硫化鎂(MgS)、硫化鈣(CaS)或硫化鍶(SrS)。此外，可以使用像 SrGa2S4或ZnMgS這樣的復合材料，其中混合了兩種或更多種硫族化合物。
此外，在上面的結構中，鹵族化合物是一種包括周期表第17族中的鹵族
元素的化合物，第17族中的鹵族元素即氟(F)、氯(C1)、溴(Br)、碘(I)或砹(At)。
例如，上述鹵族化合物是一種還包括下列周期表元素中的至少一種的化合物
第ll族中的銅(Cu)、銀(Ag)或金(Au)，它們是過渡金屬元素；鈰(Ce)、釤(Sm)、 銪(Eu)、鋱(Tb)或銩(Tm)，它們是稀土元素；鋁(Al)或鎵(Ga)，它們是典型的金 屬元素；等等。因為銅化合物中的銅離子可以變為單價或雙價，所以可以給出 氟化亞銅(I) (CuF)、氟化銅(II) (CuF2)、氯化亞銅(I) (CuCl)、氯化銅(II) (CuCl2)、 溴化亞銅(I) (CuBr)、溴化銅(II) (CuBr2)、碘化亞銅(I) (Cul)、碘化銅(II) (Cul2) 等等。此外，作為銀化合物，給出了氟化銀、氯化銀、溴化銀(AgBr)、碘化銀 (Agl)等。使用銀化合物時，可以不像使用銅離子那樣受到化合價的限制。此外， 可以使用復合材料，其中混合了像上述鹵族化合物中的兩種或更多種。
本發明涉及一種發光元件，它包括第一電極、在第一電極上的發光層以及 在發光層上的第二電極。發光層包括硫族元素和鹵族元素。
此外，本發明涉及一種發光元件，它包括第一電極、在第一電極上的第一 介電薄膜、在第一介電薄膜上的發光層、在發光層上的第二介電薄膜以及在第 二介電薄膜上的第二電極。發光層包括硫族元素和鹵族元素。
在本發明中，發光層的發光基材由一種或兩種或更多種硫族化合物構成， 它們包括硫族元素以及周期表第2 13族的元素。
在本發明中，發光層的發光中心由一種或兩種或更多種鹵族化合物構成， 它們包括鹵族元素以及典型的金屬元素、過渡金屬元素或稀土元素。
此外，本發明涉及一種發光元件，它包括第一電極、在第一電極上的發光 層以及在發光層上的第二電極。發光層包括至少兩種鹵族元素。
此外，本發明涉及一種發光元件，它包括第一電極、在第一電極上的第一 介電薄膜、在第一介電薄膜上的發光層、在發光層上的第二介電薄膜以及在第 二介電薄膜上的第二電極。發光層包括至少兩種鹵族元素。
在本發明中，發光層包括選自下列作為添加材料的至少兩種元素典型的 金屬元素；過渡金屬元素；以及稀土元素。
此外，本發明涉及一種包括上述發光元件的發光設備。
此外，在本發明中，上述發光設備可以被用于照明設備。
此外，本發明涉及一種在顯示部分中使用上述發光設備的電子器具。 此外，本發明包括一種具有上述發光元件的發光設備。本說明書中的發光 設備包括圖像顯示設備、發光設備或光源(包括照明設備)。另外，本發明的
發光設備包括像FPC (柔性印刷電路)、TAB (巻帶自動接合)巻帶或TCP (巻帶載體包)這樣的連接器被附著于具有發光元件的面板的模塊；具有在其 末端設置有印刷引線板的TAB巻帶或TCP的模塊；以及通過COG (玻璃上芯 片)方法在發光元件上直接安裝IC (集成電路)的模塊。
本發明包括一種將本發明的發光元件用于顯示部分的電子器具。相應地， 本發明的電子器具包括顯示部分，它具有上述發光元件；以及控制裝置，用 于控制發光元件的光發射。
對于本發明的發光元件而言，發光層可以由硫族化合物和鹵族化合物構
成。此外，在使用本發明的發光元件的情況下，有可能實現混合顏色和白色的 光發射，而非單色光發射。
對于像過渡金屬這種具有d軌道的離子而言，根據晶格中配體相對于金屬 離子是形成規則八面體的六配位還是形成規則四面體的四配位，會有晶體場分 裂方面的差異；然而，已知根據光譜化學順序，配體對過渡金屬的晶體場分裂 的影響有多大也是有差異的。如果氟(F)、氯(C1)、溴(Br)和碘(I)被視為配體， 則即使離子是相同化合價的陰離子，晶體場分裂的能級也取決于配體的類型，
并且已知該能級是r<Br—<cr<r。即，鹵族元素不同，能級也不同，通過使光
發射譜向長波長一側移動或向短波長一側移動，或者通過獲得較寬的峰值范 圍，混合顏色光發射是可能的。此外，也有可能從這種混合顏色光發射的組合 或者使用較寬的光譜范圍，獲得白光發射。


在附圖中
圖1A-1C都描繪了本發明的發光元件; 圖2描繪了本發明的發光設備； 圖3A-3B都描繪了本發明的發光設備; 圖4A-4D都描繪了本發明的電子器具;
圖5描繪了本發明的電子器具；
圖6A-6C都描繪了本發明的電子器具；
圖7描繪了本發明的電子器具；
圖8描繪了本發明的電子器具；
圖9描繪了本發明的發光元件；
圖IO描繪了本發明的發光設備；
圖11描繪了本發明的發光設備；
圖12描繪了本發明的發光設備；
圖13A和13B描繪了本發明的發光設備；以及
圖14A和14B描繪了本發明的發光設備。
具體實施例方式
下面參照附圖解釋本發明的實施方式。然而，本領域技術人員很容易理解， 本發明并不限于下面的描述，在不背離本發明的精神和范圍的情況下可以按照 各種方式改變本發明的模式和細節。因此，本發明不應該被解釋成限于下面的 實施方式的描述。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A-1C描述根據本發明的薄膜發光元件。 本實施方式中所描述的發光元件具有一種元件結構，其中第一電極101和 第二電極105被設置在基板100之上，同時第一介電層102、發光層103和第 二介電層104被插入第一電極101和第二電極105之間。注意到，在本實施方 式中，下文在描述第一電極101和第二電極105時假定了任一個都可以充當陽 極或陰極。
基板100被用作發光元件的支撐基材。對于基板100而言，可以使用玻璃、 石英、塑料等。注意到，除此之外的其它材料也可以使用，只要它在發光元件 的制造過程中充當支撐基材就可以。
對于第一電極101和第二電極105，可以使用金屬、合金、導電化合物、 上述的混合物等。具體來講，其示例是氧化銦錫(ITO)、含硅或氧化硅的氧化銦
錫、氧化銦鋅(IZO)、含氧化鎢和氧化鋅的氧化銦錫(IWZO)等。這些導電金屬 氧化物薄膜通常是通過濺射形成的。例如，通過使用一種將1 20 Wt。/。的氧化
鋅添加到氧化銦的耙，利用濺射就可以形成氧化銦鋅(IZO)。通過使用一種相對 于氧化銦含0.5 5 wt。/。的氧化鎢和0.1 1 wt。/。的氧化鋅的靶，利用濺射就可以 形成含氧化鎢和氧化鋅的氧化銦錫(IWZO)。或者，可以使用鋁(A1)、銀(Ag)、 金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、 鈀(Pd)、金屬材料的氮化物(比如氮化鈦(TiN))等等。注意到，當第一電極 101和/或第二電極105形成后具有透光性時，具有低可見光透光率的材料薄膜 在形成厚度約為1 nm 50nm，優選5 nm 20 nm時也是可以用于透光電極的。 注意到，該電極也可以通過濺射以外的真空蒸鍍、CVD或溶膠-凝膠方法來形 成。
然而，因為光發射是通過穿透第一電極101或第二電極105而被提取到外 部的，所以有必要使兩者中的至少一個由透光材料構成。此外，較佳地，選擇 一種材料，使得第一電極101的功函數大于第二電極105的功函數。此外，第 一電極101和第二電極105沒必要都具有單層結構，也可以使用具有雙層或更 多層的結構。
只要已知的材料被用于第一介電層102和第二介電層104，就沒問題，但 是使用具有高介電常數的材料是特別有利的。對于這些介電層，可以使用有機
材料或無機材料。例如，如果使用有機材料，則可以使用縮醛樹脂、環氧樹脂、 甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯或氰基乙基纖維素。如果使用無機 材料，則可以給出像氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)這樣的氮化物，或者像鈦酸鋇 (BaTi03)、鈦酸鍶(SrTi03)、鈦酸鋰(LiTi03)、鈦酸鉛(PbTi03)、五氧化鉭0^205)、 氧化鉍(Bi203)、鈦酯鈣(CaTi03)、鈮酸鉀(KNb03)、氧化硅(8102)或氧化鋁(八1203) 這樣的氧化物。此外，該材料可以是這些無機材料的復合材料。此外，第一介 電層102和第二介電層104沒必要是一層，也可以提供兩層或更多層。此外， 第一介電層102和第二介電層104的膜厚度是1 nm 10000 nm， 300 nm 800 nm則更佳。
在發光層103中，可以使用半導體作為基材。特別使用硫族化合物，比如 含周期表第2 13族的金屬元素的氧化物、硫化物或硒化物。例如，作為硫化 物，可以給出硫化鋅(ZnS)、硫化亞銅(Oi2S)、硫化鋁(Al2S3)、硫化l丐(CaS)、硫 化鍶(SrS)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎂(MgS)等。作為氧化物，可以給出氧化鋅(ZnO)、 氧化釔(￥203)、氧化鎵(Ga203)等。作為硒化物，可以給出硒化鋅(ZnSe)、硒化 鎘(CdSe)、硒化鋇(BaSe)等。此外，也可以使用復合材料，其中混合了這些硫 族化合物中的兩種或更多種。例如，可以給出像SrGa2S4、 ZnMgS、 Y202S或 Zn2Si04這樣的復合材料。發光層的膜厚度是10nm 1000nm， 30nm 500 nm 則更佳。
在發光層103中，除了成為基材的硫族化合物以外，還添加了成為發光中 心的材料。作為添加的材料，可以給出鹵族化合物。鹵族化合物是包含周期表 第17族中的鹵族元素的化合物，第17族中的鹵族元素即氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、 碘(I)或砹(At)。此外，例如，鹵族化合物是一種還包括下列周期表元素中的至 少一種的化合物第11族中的銅(Cu)、銀(Ag)和金(Au)，它們是過渡金屬元素； 以及鈰(Ce)、釤(Sm)、銪(Eu)、鋱(Tb)和銩(Tm)，它們是稀土元素。作為銅化合 物，有氟化亞銅(CuF)、氯化亞銅(CuCl)、溴化亞銅(CuBr)、碘化亞銅(CuI)等。 此外，鹵族化合物可以是一種使用像鋁(Al)或鎵(Ga)這種典型金屬元素的鹵族 化合物。此外，作為發光中心，可以使用復合材料，其中混合了像上述那些鹵 族化合物中的兩種或更多種。鹵族化合物具有一種光發射機理，其中氟(F)、氯 (Cl)、溴(Br)、碘(I)或砍(At)充當施主，并且典型的金屬元素、過渡金屬或稀土 元素充當受主，并且通過施主和受主的復合而發射出光。
作為發光層的添加材料，多種上述鹵族化合物可以被添加到發光層的基材 中。例如，在將硫化鋅(ZnS)用作發光層的基材的情況下，碘化亞銅(I) (Cul)可 以作為添加材料被添加，同時添加氯化亞銅(I)(CuCl)。結果，不再僅通過氯化 亞銅來獲得光發射，也可以用不同能級的碘化亞銅獲得光發射，并且也可以獲 得混合顏色光發射。此外，若不同時添加同一金屬的不同鹵族化合物，比如氯 化亞銅(I)和碘化亞銅(I)，則可以同時添加不同金屬的鹵族化合物。例如，通過 相對于基材硫化鋅(ZnS)同時添加氯化銀(AgCl)和氯化錳(II) (MnCl2)，也可以獲 得混合的光發射。此外，也可以同時添加不同金屬的不同鹵族化合物。例如， 通過相對于基材硫化鋅(ZnS)同時添加氯化亞銅(CuCl)和氟化錳(II) (MnF2)，可
以獲得混合顏色光發射。
根據本發明的發光元件并不限于具有上述結構，并且關于電極上的介電 層，可以是這樣的，即僅一個介電層形成于第一電極或第二電極上。此外，如
圖1B所示，該結構可以是這樣的，即在基板106上僅發光層108被設置在第 一電極107和第二電極109之間，并且不包括介電層。此外，在不包括介電層 的結構中，p型半導體和n型半導體可以被堆疊在第一電極和第二電極之間， 并且這些半導體之一或兩者可以是發光層。
根據本發明在半導體材料中使用添加材料的情況下，通過固態反應使該添 加材料被含在硫化物中，該固態反應即這樣一種方法，稱取硫化物和該添加材 料，在研缽中混合，使得晶粒直徑足夠小、均勻和分散，然后通過加熱在電爐 中反應。烘烤溫度最好是500 2000°C。這是因為，固態反應在溫度太低時并 不進行，基材在溫度太高時會分解。注意到，盡管可以按粉末形式進行烘烤， 但是按粉末變粗形成顆粒形式進行烘烤則更佳。此外，可以首先在高溫下進行 預烘烤，然后，在添加上述添加材料之后在較低溫度下進行烘烤。基材可以在 首次烘烤期間被烘烤，在第二次烘烤期間，可以添加上述添加材料并進行烘烤。 此外，在進行固態反應的情況下，該反應可以在大氣壓下的稀有氣體氬氣(Ar) 等中進行，也可以在氮氣(N2)、氧氣(02)、硫化氫(H2S)等中進行。此外，有這 樣一種情況，其中最好在真空態中進行烘烤，并且上述材料被包含在真空氣壓 下的石英管中，然后進行烘烤。此外，上述材料被包含在真空態的石英管中， 并且根據利用烘烤電爐的溫度分布的化學運輸方法，可以實現上述烘烤。通過 按上述方式進行烘烤，來激活基材。舉例來說，基材由組成式MX代表，其中 M是選自周期表第2 13族的元素，X是硫族元素。在烘烤之后，在基材的晶 體結構中(該晶體結構包括至少一種單位晶胞。該單位晶胞的晶系是下列之一 立方晶系；六方晶系；四方晶系；斜方晶系；單斜晶系；以及三斜晶系；或它 們的組合)，X的第一晶格點被第一鹵族元素替代，X的第二晶格點被第二鹵 族元素替代。第一和第二鹵族元素是成為發光中心的材料中所包含的元素，并 且充當施主。成為發光中心的材料中所包含的典型金屬或過渡金屬等金屬替代 了 M的晶格點中的至少一個，或者進入晶體結構中的間隙中，并且充當受主。 與第一鹵族元素配對的受主以及與第二鹵族元素配對的受主可以是相同的或 不同的。由基材、充當施主的至少兩種鹵族元素以及充當受主的金屬一起構成
的光發射體是一種新穎的復合材料，并且作為一種具有混合顏色光發射的光發 射體可以應用于發光層。注意到，M可以由周期表第2 13族中的兩種或更多
種元素構成，就像ZnMgS。
作為用于形成第一電極、第二電極、第一介電層和第二介電層的方法，可
以使用已知的方法。例如，可以使用真空蒸鍍方法，比如電阻加熱蒸鍍方法、
電子束蒸鍍(EB蒸鍍)方法或熱壁方法；物理氣相沉積(PVD)方法，比如濺射 方法、離子噴鍍方法或MEB方法；化學氣相沉積(CVD)方法，比如金屬有機
CVD方法或低壓氫化物運輸方法；原子層外延(ALE)方法；等等。此外，作為
濕法，可以使用噴墨方法、旋轉涂敷方法、印刷方法、噴射方法、涂刷方法、 陽極氧化方法、溶膠-凝膠方法等。
用于形成發光層的方法可以與用于形成電極或介電層的方法相同。例如，
可以使用真空蒸鍍方法，比如電阻加熱蒸鍍方法、電子束蒸鍍(EB蒸鍍)
方法或熱壁方法；物理氣相沉積(PVD)方法，比如濺射方法、離子噴鍍方法或 MEB方法；化學氣相沉積(CVD)方法，比如金屬有機CVD方法或低壓氫化物 運輸方法；原子層外延(ALE)方法；等等。此外，作為濕法，可以使用噴墨方 法、旋轉涂敷方法、印刷方法、噴射方法、涂刷方法、陽極氧化方法、溶膠-凝膠方法等。
下面參照圖1C，描述一種具有不同結構的發光元件。
該發光元件具有一種元件結構，其中第一電極111和第二電極116被設置 在基板110上，同時第一介電層112、第一發光層113、第二發光層114和第 二介電層115被插在第一電極111和第二電極116之間。注意到，在本實施方 式中，下文描述第一電極111和第二電極116時假定了任一個都可以充當陽極 或陰極。
上述材料和形成方法可以用于基板110、第一電極111、第二電極116、第 一介電層112和第二介電層115。按相似的方式，對于第一發光層113和第二 發光層114而言，可以使用上述材料和烘烤方法。
在形成具有兩個發光層的發光元件的情況下，當使用第一發光層113和第 二發光層114時，通過具有相同顏色的光發射，可以形成發光強度得到提高的 發光元件。此外，在光發射具有不同顏色的情況下，可以獲得具有混合顏色的
發光元件，并且從這種混合顏色的組合，可以獲得具有白光發射的發光元件。 發光層的數目并非必須限于兩層，如有必要，可以形成具有兩層或更多發光層 的發光元件。
作為發光層的結構，例如，硫化鋅(ZnS)被用于第一發光層113的基材，氯 化銀(AgCl)被用作變為發光中心的添加材料。此外，在第一發光層113上所形 成的第二發光層114中，硫化鋅(ZnS)被用于基材，氯化亞銅(I)(CuCl)被用作上 述添加材料。結果，可以從一個發光元件中獲得混合的顏色。這樣，通過用相 同的基材形成發光元件，可以防止因基材差異而導致的性能退化，并且發光元 件的壽命可以被延長。然而，第一發光層和第二發光層中基材并非必須一樣。
此外，為了提高光發射強度，在第一發光層113中，硫化鈣(CaS)和氯化銪 (II) (EuCl2)被分別用作基材和添加材料，在第二發光層114中，氧化釔(丫203) 和氯化銪(m)(EuCl3)被分別用作基材和添加材料。結果，可以形成其強度得到 提高且具有單色光發射的發光元件。
作為本發明的發光元件，根據用于形成發光層的半導體的遷移率，可以獲 得能在低驅動電壓下工作的發光元件。如果光發射在這種低驅動電壓下是可能 的，則可以獲得其功耗得到減小的發光元件。
注意到，本實施方式可以恰當地與另一個實施方式組合。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖2，描述了包括本發明的發光元件的發光設備。
本實施方式中所描述的發光設備是一種無源發光設備，其中驅動發光元件 時無須特別提供驅動元件(比如晶體管)。圖2是通過應用本發明而制造的無 源發光設備的透視圖。
在圖2中，在基板951上，發光層955被設置在第一電極952和第二電極 956之間。注意到，發光層955包括實施方式1中所描述的發光層。
第一電極952的邊緣部分是用絕緣層953覆蓋的。隔離層954被設置在絕 緣層953上。隔離層954的側壁是傾斜的，使得一個側壁與另一個側壁之間的 距離在朝著基板表面的方向上變得越來越窄。換句話說，在隔離層954的短邊 方向上的橫截面是梯形的，其中底部(與絕緣層953接觸的一側)比頂部(與
絕緣層953不接觸的一側)短。這樣，設置了隔離層954，由此可以防止因靜 電等而導致的發光元件的缺陷。此外，在無源發光設備中，通過包括本發明的 發光元件(它是在低驅動電壓下工作的)，便可以實現低功耗的驅動。
盡管在本實施方式中描述了發光元件的一種結構，但是并非必須限于該結
構。介電層可能會形成于電極上，并且發光層可能具有如實施方式1所示的p 型半導體和n型半導體的堆疊結構。
實施方式3
在本實施方式中，描述了包括本發明的發光元件的發光設備。 在本實施方式中，將描述一種有源發光設備，其中發光元件的驅動受到晶 體管的控制。在本實施方式中，將參照圖3A-3B描述一種發光設備，在其像素 部分包括了本發明的發光元件。圖3A是顯示出該發光設備的頂視圖，圖3B是 沿著線A-A'和B-B'截取的圖3A的橫截面圖。標號601表示驅動器電路部分(源 極一側驅動器電路)；602表示像素部分；603表示驅動器電路部分(柵極一 側驅動器電路)，每一個都以虛線表示。標號604表示密封基板；605表示密 封劑；密封劑605圍繞的一部分是空間607。
注意到，引線608是用于傳輸將要輸入到源極一側驅動器電路601和柵極 一側驅動器電路603的信號的引線，并且接收來自FPC (柔性印刷電路，它是 外部輸入端)609的視頻信號、時鐘信號、啟動信號、復位信號等。盡管此處 僅示出了FPC，但是該FPC可以具有印刷引線板(PWB)。本說明書中的發光設 備不僅包括僅提供發光設備的情況，還包括發光設備連接到FPC或PWB的情 況。
接下來，將參照圖3B來解釋橫截面結構。驅動器電路部分和像素部分形 成于元件基板610上。此處，示出了源極一側驅動器電路601 (它是多個驅動 器電路部分之一)以及像素部分602中的一個像素。
形成了 n溝道TFT 623和p溝道TFT 624組合而成的CMOS電路，并以該 電路作為源極一側驅動器電路601。用于形成驅動器電路的TFT可能是已知的 CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路的TFT。在本實施方式中描述了在基板 上形成驅動器電路的驅動器集成類型，但是這并不總是必需的，并且驅動器電
路可以不形成于基板上而是形成于基板之外。TFT的結構不受特別限制，并且 可以使用交錯的TFT，或者可以使用反向交錯的TFT。用于TFT的半導體膜的 結晶性不受特別限制，可以使用非晶半導體膜，或者可以使用結晶半導體膜。 此外，半導體材料層不受特別限制，可以使用無機化合物，或者可以使用有機 化合物。
像素部分602包括多個像素，每一個像素包括開關TFT 611 、電流控制TFT 612以及第一電極613，第一電極613電連接到電流控制TFT 612的漏極。注 意到，形成絕緣體614以覆蓋第一電極613的邊緣部分。此處，使用正型光敏 丙烯酸樹脂膜。
形成絕緣體614，使其具有曲面，該曲面在上邊緣部分或下邊緣部分彎曲， 以便獲得有利的覆蓋。例如，在將正型光敏丙烯酸樹脂用作絕緣體614的材料 的情況下，形成的絕緣體614最好具有曲面，該曲面僅在上邊緣部分具有曲率 半徑(0.2 pm 3 pm)。負型(經光輻射變得不可在蝕刻劑中溶解)或正型(經 光輻射變得可在蝕刻劑中溶解)都可以用作絕緣體614。
在第一電極613上設置包括發光物質的層616 (也被稱為發光層)和第二 電極617，形成發光元件618。第一電極613和第二電極617中的至少一個具 有透光性，來自發光層616的光發射可以被提取到外部。注意到，如果第一電 極613和第二電極617都由具有透光性的材料構成，則可以從元件基板610 — 側和密封基板604 —側提取光發射，并且發光元件618可以被用于雙發射設備。
第一電極613、發光層616和第二電極617可以通過各種方法形成。具體 來講，它們可以通過下列方法形成真空蒸鍍方法，比如電阻加熱蒸鍍方法、 電子束蒸鍍(EB蒸鍍)方法或熱壁方法；物理氣相沉積(PVD)方法，比如濺射 方法、離子噴鍍方法或MEB方法；化學氣相沉積(CVD)方法，比如金屬有機 CVD方法或低壓氫化物運輸CVD方法；原子層外延(ALE)方法；等等。此外， 可以使用噴墨方法、旋轉涂敷方法、印刷方法、噴射方法、涂刷方法、陽極氧 化方法、溶膠-凝膠方法等。另外，每一個電極或每一層都可以用不同的膜形成 方法來形成。
通過用密封劑605將密封基板604連接到元件基板610上，發光元件618 就被設置在空間607中，該空間607由元件基板610、密封基板604和密封劑
605圍成。用填充劑來填充空間607，但是也有這樣的情況，即用密封劑605
或用惰性氣體(氮、氬等)來填充空間607。
環氧基樹脂最好被用于密封劑605。較佳地，該材料盡可能不允許濕氣或
氧氣穿透進來。作為密封基板604，可以使用由FRP (玻璃纖維增強塑料)、
PVF (聚氟乙烯)、邁拉(Mylar)、聚酯或丙烯酸類材料等構成的塑料基板，
而不使用玻璃基板或石英基板。
按上述方式，可以獲得包括本發明的發光元件的發光設備。 本發明的顯示設備包括實施方式1所描述的發光元件。此外，當兩種或更
多種鹵族化合物被用于上述添加材料時，可以制造出混合顏色元件或這種混合
顏色組合而得到的白色元件。
實施方式4
在本實施方式中，將描述本發明的電子器具，它包括在其一部分中的上述 實施方式3所描述的發光設備。本發明的電子器具包括實施方式1-3所描述的 發光元件。
利用本發明的發光設備所制造的電子器具的示例如下像攝像機或數碼相 機這樣的照相機；護目鏡式顯示器；導航系統；聲音再現設備(汽車音頻系統、 音頻組件等)；計算機；游戲機；便攜式信息終端(便攜式計算機、手機、便 攜式游戲機、電子書等)；具有記錄介質的圖像再現設備[具體來講，即用于復 制像數字通用光盤(DVD)這種記錄介質且具有顯示圖像的顯示設備的設備]; 等等。圖4A-8顯示出這些電子器具的具體示例。
圖4A顯示出根據本發明的電視機，它包括機殼9101、支撐基座9102、顯 示部分9103、揚聲器部分9104、視頻輸入端9105等。在這種電視機中，顯示 部分9103包括與實施方式1-3中所描述的那些相似的發光元件，它們排列成矩 陣。結果，對于混合顏色或白色發光元件而言，有必要形成用于液晶的濾色片。
圖4B顯示出根據本發明的計算機，它包括主體9201、機殼9202、顯示部 分92(B、鍵盤9204、外部連接端口 9205、定點鼠標9206等。在這種計算機中， 顯示部分9203包括與實施方式1-3所描述的那些相似的發光元件，它們排列成 矩陣。
圖4C顯示出根據本發明的手機，它包括主體9401、機殼9402、顯示部分 9403、音頻輸入部分9404、音頻輸出部分9405、操作按鍵9406、外部連接端 口 9407、天線9408等。在這種手機中，顯示部分9403包括與實施方式1-3所 描述的那些相似的發光元件，它們排列成矩陣。
圖4D顯示出根據本發明的照相機，它包括主體9501、顯示部分9502、機 殼9503、外部連接端口 9504、遠程控制接收部分9505、圖像接收部分9506、 電池9507、音頻輸入部分9508、操作按鍵9509、目鏡部分9510等。在這種照 相機中，顯示部分9502包括與實施方式1-3所描述的那些相似的發光元件，它 們排列成矩陣。
按上述方式，本發明的發光設備的應用范圍極寬，并且這種發光設備可以 應用于各種領域的電子器具。
此外，因為本發明的發光設備包括能發射混合顏色或白色光的發光元件， 所以它也可以被用于照明設備。參照圖5，描述了一種模式，其中本發明的發 光元件被用在照明設備中。
圖5顯示出一種將本發明的發光設備用作背光源的液晶顯示設備的示例。 圖5所示液晶顯示設備包括機殼501、液晶層502、背光源503和機殼504。液 晶層502連接到驅動器IC 505。本發明的發光設備被用作背光源503，通過端 子506向其提供電流。
通過將本發明的發光設備用作液晶顯示設備的背光源，可以獲得長壽命的 背光源，這種長壽命是無機EL所獨有的。因為本發明的發光設備是平面發射 光發射設備并且可以形成很大的面積，所以可以獲得更大面積的背光源，并且 也可以獲得更大面積的液晶顯示設備。此外，因為發光設備很薄，所以顯示設 備的厚度的減小也是可能的。
此外，因為應用本發明的發光設備可以發射高亮度的光，所以它可以被用 作汽車、自行車、輪船等的前燈。圖6A-6C顯示出一個示例，其中應用本發明 的發光設備被用作汽車的前燈。圖6B是放大的橫截面圖，顯示出圖6A的前燈 1000。在圖6B中，本發明的發光設備被用作光源1011。從光源1011發射的光 在反射器1012處反射并且被提取到外部。如圖6B所示，通過使用多個光源， 可以獲得更高亮度的光。圖6C是一個示例，其中按圓柱形制造的本發明的發
光設備被用作光源。來自光源1021的光發射在反射器1022處反射并且被提取
到外部。
圖7顯示出一個示例，其中應用本發明的發光設備被用作臺燈，它是一種 照明系統。圖7所示臺燈包括外殼2001和光源2002，本發明的發光設備被用 于光源2002。因為本發明的發光設備能夠發射高亮度的光，所以當需要完成精 細手工工作等時，這種臺燈可以照亮雙手。
圖8顯示出一個示例，其中應用本發明的發光設備被用于室內照明系統 3001。因為本發明的發光設備具有很大的面積，所以它可以被用于大面積照明 系統。另外，因為本發明的發光設備很薄且功耗很低，所以它可以被用于低功 耗的薄照明系統。
這樣，在將應用本發明的發光設備用作室內照明系統3001時，可以在房 間內設置根據本發明的電視機3002 (像圖4A所描述的那種)，以便觀看公共 廣播和電影。在這種情況下，因為這些設備的功耗很低，所以可以在照明良好 的房間內觀看視覺沖擊力強的圖像，而不必擔心電費。
照明系統并不限于圖6A-8所示的那些，并且本發明的發光設備可以應用 于各種模式的照明系統，其中包括用于房屋和公共設施的照明系統。在這種情 況下，本發明的照明系統的光發射介質是薄膜，這增大了設計自由度。相應地， 可以向市場提供各種具有精巧設計的產品。
實施方式5
在本實施方式中，將參照圖9描述具有一種結構的發光元件的模式，其中
本發明的多個發光單元堆疊在一起(在下文中被稱為堆疊式元件)。這種發光 元件具有多個位于第一電極和第二電極之間的發光單元。這種發光單元具有一
種與實施方式1-3的發光層相似的結構；例如，這種發光單元是插在兩個介電 層之間的發光層；發光層與一個介電層接觸；僅一個發光層；或兩個或多個發 光層。
在圖9中，第一發光單元1411和第二發光單元1412堆疊在第一電極1401 和第二電極1402之間。與實施方式1-3中的那些相似的材料可以應用于第一電 極1401和第二電極1402。此外，第一電極1401和第二電極1402沒有必要具
有相同的結構。
電荷產生層1413可以是有機化合物和金屬氧化物的絡合物，或者它可以 是第三電極。有機化合物和金屬氧化物的絡合物由有機化合物以及像v2o5、 M003或W03這樣的金屬氧化物構成。作為有機化合物層，可以使用各種化合
物，比如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴以及高分子化合物(低聚物、枝
狀聚合物、聚合物等)。注意到，較佳地，將空穴遷移率為10—6cm"Vs或更大 的有機化合物用作空穴輸運有機化合物。然而，除上述材料以外的其它材料也 是可以使用的，只要該材料的空穴輸運特性高于電子輸運特性。因為有機化合 物和金屬氧化物的絡合物具有卓越的載流子注入特性和載流子輸運特性，所以 可以實現低電壓驅動和低電流驅動。對于電極而言，可以使用透明的材料或反 射性材料。
利用有機化合物和金屬氧化物的絡合物以及其它材料的組合，可以形成電 荷產生層1413。例如，可以將下列兩層組合起來以形成電荷產生層1413:含 有機化合物和金屬氧化物的絡合物的層；以及含選自電子施予材料的化合物和 具有高電子輸運性的化合物的層。或者，含有機化合物和金屬氧化物的絡合物 的層以及透明導電膜可以被組合起來，以形成電荷產生層1413。
在任何情況下，這是可接受的，只要當向第一電極1401和第二電極1402 施加電壓時，插在第一發光單元1411和第二發光單元1412之間的電荷產生層 1413能從一側向發光單元注入電子，并且從另一側向發光單元注入空穴就可 以。
盡管本實施方式中描述了具有兩個發光單元的發光元件，但是可以按相似 的方式使用堆疊有三個或更多個發光單元的發光元件。通過排列多個發光單 元， 一對電極之間的電絕緣電荷產生層將它們隔離開，就像根據本實施方式的 發光元件中那樣，可以在高亮度區域中實現長壽命的元件，同時保持低電流密 度。另外，在上述發光元件應用于例如照明系統的情況下，大面積的均勻光發 射是可能的，因為可以使電極材料的電阻所導致的電壓降減小。此外，在上述 發光元件應用于顯示設備的情況下，可以實現一種驅動電壓低、功耗小且對比 度高的顯示設備。
注意到，本實施方式可以與其它實施方式恰當地組合起來。
實施方式6
在本實施方式中，將描述一種具有通過應用本發明而制造的發光元件的發 光設備。
在本實施方式中，將參照圖10-13B描述作為發光設備的一個模式的顯示 設備。圖IO是顯示出該顯示設備的主要部分的配置圖。
在基板410上，設置了第一電極416以及第二電極418，第二電極418在 與第一電極416相交的方向上延伸。與實施方式1-5中所描述的那些相似的EL 層被至少設置在第一電極416和第二電極418的相交之處，由此形成了發光元 件。在圖IO的顯示設備中，布置了多個第一電極416和多個第二電極418,并 且將要成為像素的發光元件排列成矩陣，由此形成了顯示部分414。在顯示部 分414中，通過控制第一電極416和第二電極418的電勢，來控制每一個光發 射元件的光發射和非光發射。這樣，顯示部分414就可以顯示移動的圖像和靜 止的圖像。
在這種顯示設備中，用于顯示圖片的信號被加到第一電極416 (它在基板 上沿著一個方向延伸)和第二電極418 (它與第一電極416相交)上，并且檢 測發光元件的光發射和非光發射。換句話說，這是一個簡單的矩陣顯示設備， 其中像素主要由外部電路所給出的信號來驅動。像這樣的顯示設備具有簡單的 結構，并且即使是面積很大時也很容易制造。
如有必要，可以設置對置基板412，當被調節至顯示部分414的位置時， 它可以充當保護材料。對置基板412不必是硬的平板材料；并且也可以使用樹 脂膜或樹脂材料。第一電極416和第二電極418被引至基板410的末端，以形 成將要連接到外部電路的端子。換句話說，第一電極416和第二電極418與基 板410的末端處的第一和第二柔性引線板420和422接觸。除了用于控制視頻 信號的控制器電路以外，外部電路包括電源電路、調諧電路等。
圖ll是局部放大圖，顯示出圖10中的顯示部分4I4的結構。隔離層424 形成于基板410上的第一電極416的邊緣部分之上。EL層426至少形成于第一 電極416的露出的表面上。第二電極418形成于EL層426之上。第二電極418 與第一電極416相交，所以它也在隔離層424上延伸。隔離層424是用絕緣材 料形成的，使得可防止第一電極416和第二電極418之間短路。在隔離層424
覆蓋第一電極416的邊緣部分的那一部分中，隔離層424的邊緣部分是傾斜的， 以免產生很陡的臺階，并且具有所謂的錐形。在隔離層424具有這種形狀的情 況下，EL層426和第二電極418的覆蓋情況得到改善，并且可以防止出現像斷 裂或撕裂這樣的缺陷。
圖12是圖10中的顯示部分414的平面圖，它顯示出第一電極416、第二 電極418、隔離層424和EL層426在基板410上的排列情況。在第二電極418 由氧化銦錫、氧化鋅等的氧化透明導電膜構成的情況下，最好設置輔助的電極 428，以便減小電阻損耗。在這種情況下，輔助電極428可以用難熔金屬(比 如鈦、鉤、鉻或鉭)來構成，或者可以用難熔金屬和低電阻金屬(比如鋁或銀) 的組合來構成。
圖13A和13B顯示出沿圖12中的線A-B和線C-D截取的橫截面圖。圖 13A是排列了圖11所示第一電極416的橫截面圖，圖13B是排列了圖ll所示 第二電極418的橫截面圖。EL層426形成于基板410上第一電極416和第二電 極418的相交之處，并且發光元件形成于這些部分中。此外，填充劑432被設 置在基板410和對置基板412之間。圖13B所示的輔助電極428被設置在隔離 層424上并且與第二電極418接觸。形成于隔離層424上的輔助電極428并不 阻擋來自第一電極416和第二電極418相交之處所形成的發光元件的光；因此， 所發射的光被有效地利用。另外，在使用該結構的情況下，可以防止輔助電極 428和第一電極416之間短路。
在圖14A和14B中，示出了顏色轉換層430被布置在圖13A和13B中的 對置基板412上的示例。顏色轉換層430轉換來自EL層426的光波長，使得 光發射的顏色發生變化。在這種情況下，從EL層426中發射的光最好是具有 高能量的藍光或紫外光。當設置了用于將光轉換成紅光、綠光和藍光的顏色轉 換層430時，可以獲得能執行RGB全色顯示的顯示器。此外，顏色轉換層430 可以被有色層(濾色片)替代。在這種情況下，EL層426可以被構造用于發射 白光。可以適當提供填充劑432，以便將基板410和對置基板412彼此固定到 一起。
在利用本實施方式的發光元件的顯示設備中，通過使發光元件中的EL層 變薄，便可以增大該元件的光發射強度和壽命。
本申請基于2006年3月2日提交到日本專利局的日本專利申請 2006-056994，其內容引用在此作為參考。
權利要求
1. 一種發光設備，包括第一電極；發光層，所述發光層形成于第一電極上并且包括基材和發光中心；以及第二電極，所述第二電極形成于所述發光層上，其中，所述基材包含硫族元素以及至少一種選自周期表第2到13族的元素，并且所述發光中心包含至少一種鹵元素以及至少一種選自一般的金屬元素、過渡金屬元素和稀土元素的元素。
2. 如權利要求l所述的發光設備，其特征在于，所述基材是一種選自ZnO、 ZnS、 ZnSe、 MgS、 CaS、 SrS、 SrGa2S4和ZnMgS的化合物。
3. 如權利要求l所述的發光設備，其特征在于，所述發光中心是一種選自CuF、 CuF2、 CuCl、 CuCl2、 CuBr、 CuBr2、 Cul、 Cul2、 AgBr和Agl的化合物。
4. 如權利要求1所述的發光設備，其特征在于，所述過渡金屬元素是Cu、 Ag禾B Au。
5. —種電子器具，包括權利要求1的發光設備。
6. —種發光設備，包括 第一電極；形成于所述第一電極上的介電層；發光層，所述發光層形成于所述介電層上并且包括基材和發光中心；以及 形成于所述發光層上的第二電極，其中，所述基材包含硫族元素以及至少一種選自周期表第2到13族的元素，并且所述發光中心包含至少一種鹵元素以及至少一種選自一般的金屬元素、過渡 金屬元素和稀土元素的元素。
7. 如權利要求6所述的發光設備，其特征在于，所述基材是一種選自ZnO、 ZnS、 ZnSe、 MgS、 CaS、 SrS、 SrGa2S4和ZnMgS的化合物。
8. 如權利要求6所述的發光設備，其特征在于，所述發光中心是一種選自CuF、 CuF2、 CuCl、 CuCl2、 CuBr、 CuBr2、 Cul、 Cul2、 AgBr和Agl的化合物。
9. 如權利要求6所述的發光設備，其特征在于，所述過渡金屬元素是Cu、 Ag禾B Au。
10. 如權利要求6所述的發光設備，其特征在于，所述介電層包括至少一種選 自下組的材料縮醛樹脂、環氧樹脂、甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚乙烯、聚苯 乙烯、氰基乙基纖維素、氮化鋁、氮化硼、鈦酸鹽、鈦酸鍶、鈦酸鋰、鈦酸鉛、 五氧化鉭、氧化鉍、鈦酯鈣、鈮酸鉀、氧化硅和氧化鋁。
11. 一種電子器具，包括權利要求6的發光設備。
12. —種發光設備，包括 第一電極；形成于所述第一電極上的第一介電層；發光層，所述發光層形成于所述第一介電層上并且包括基材和發光中心； 形成于所述發光層上的第二介電層；以及 形成于所述第二介電層上的第二電極，其中，所述基材包含硫族元素以及至少一種選自周期表第2到13族的元素，并且所述發光中心包含至少一種鹵元素以及至少一種選自一般的金屬元素、過渡 金屬元素和稀土元素的元素。
13. 如權利要求12所述的發光設備，其特征在于，所述基材是一種選自ZnO、 ZnS、 ZnSe、 MgS、 CaS、 SrS、 SrGa2S^P ZnMgS的化合物。
14. 如權利要求12所述的發光設備，其特征在于，所述發光中心是一種選自 CuF、 CuF2、 CuCl、 CuCl2、 CuBr、 CuBr2、 Cul、 Cul2、 AgBr和Agl的化合物。
15. 如權利要求12所述的發光設備，其特征在于，所述過渡金屬元素是Cu、 Ag禾卩Au。
16. 如權利要求12所述的發光設備，其特征在于，所述第一介電層和第二介 電層各自包括至少一種選自下組的材料縮醛樹脂、環氧樹脂、甲基丙烯酸甲酯、 聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、氰基乙基纖維素、氮化鋁、氮化硼、鈦酸鹽、鈦酸 鍶、鈦酸鋰、鈦酸鉛、五氧化鉭、氧化鉍、鈦酯鈣、鈮酸鉀、氧化硅和氧化鋁。
17. —種電子器具，包括權利要求12的發光設備。
18. —種照明設備，包括 第一電極；發光層，所述發光層形成于第一電極上并且包括基材和發光中心；以及 第二電極，所述第二電極形成于所述發光層上，其中，所述基材包含硫族元素以及至少一種選自周期表第2到13族的元素，并且所述發光中心包含至少一種卣元素以及至少一種選自一般的金屬元素、過渡 金屬元素和稀土元素的元素。
19. 如權利要求18所述的照明設備，其特征在于，所述基材是一種選自ZnO、 ZnS、 ZnSe、 MgS、 CaS、 SrS、 SrGa^4和ZnMgS的化合物。
20. 如權利要求18所述的照明設備，其特征在于，所述發光中心是一種選自 CuF、 CuF2、 CuCl、 CuCl2、 CuBr、 CuBr2、 Cul、 Cul2、 AgBr和Agl的化合物。
21. 如權利要求18所述的照明設備，其特征在于，所述過渡金屬元素是Cu、 Ag禾d Au。
22. 如權利要求18所述的照明設備，其特征在于，它還包括在所述第一電極 和所述發光層之間的介電層。
23. --種電子器具，包括權利要求18的照明設備。
24. —種發光設備，包括.-第一電極；發光層，所述發光層形成于所述第一電極上并且包括由組成通式MX所代表 的化合物、受主、第一施主、第二施主；以及 形成于所述發光層上的第二電極， 其中，所述化合物具有晶體結構， M是選自周期表第2到13族的元素， X是硫族元素，并且 所述受主是化合價低于M的離子。
25. 如權利要求24所述的發光設備，其特征在于，所述發光層還包括另一種 受主，它是化合價低于M的離子。
26. 如權利要求24所述的發光設備，其特征在于，所述第一施主和所述第二施主各自是化合價低于X的離子。
27. 如權利要求24所述的發光設備，其特征在于，M由兩種或更多種選自周 期表第2到13族的元素組成。
28. 如權利要求24所述的發光設備，其特征在于，所述晶體結構包括至少一 個單位晶胞。
29. 如權利要求28所述的發光設備，其特征在于，所述單位晶胞的晶系是下 列之一立方晶系、六方晶系、四方晶系、斜方晶系、單斜晶系、三斜晶系、 或者它們的組合。
30. 如權利要求24所述的發光設備，其特征在于，所述化合物是下列中的一 禾中ZnO、 ZnS、 ZnSe、 MgS、 CaS、 SrS禾口ZnMgS。
31. —種電子器具，包括權利要求24的發光設備。
32. —種發光設備，包括 第一電極；發光層，所述發光層形成于所述第一電極上并且包括由組成通式MX所代表 的化合物、第一受主、第二受主、第一施主和第二施主；以及 形成于所述發光層上的第二電極， 其中，所述化合物具有晶體結構， M是選自周期表第2到13族的元素， X是硫族元素，所述第一受主和第二受主各自是選自一般的金屬元素、過渡金屬元素和稀土 元素的元素，所述第一施主是鹵元素，并且 所述第二施主是除第一鹵元素外的第二鹵元素。
33. 如權利要求32所述的發光設備，其特征在于，所述晶體結構包括至少一 個單位晶胞。
34. 如權利要求33所述的發光設備，其特征在于，所述單位晶胞的晶系是下 列之一立方晶系、六方晶系、四方晶系、斜方晶系、單斜晶系、三斜晶系、 或者它們的組合。
35. 如權利要求32所述的發光設備，其特征在于，在所述晶體結構中X的第一晶格點被第一施主替代，在所述晶體結構中X的第二晶格點被第二施主替代， 第一和第二受主各自位于M的晶格點處或者位于晶體結構的間隙處。
36. 如權利要求32所述的發光設備，其特征在于，所述化合物是下列中的一 禾中ZnO、 ZnS、 ZnSe、 MgS、 CaS禾口 SrS。
37. 如權利要求32所述的發光設備，其特征在于，所述第一受主與所述第二 受主相同。
38. —種電子器具，包括權利要求32的發光設備。
全文摘要
發光層包含發光基材，它包括硫族化合物；以及發光中心，它包括兩種鹵族化合物。硫族化合物包含硫族元素以及選自周期表第2到13族的元素，并且鹵族化合物包含鹵族元素以及選自典型的金屬元素、過渡金屬元素或稀土元素中的元素。
文檔編號C09K11/78GK101395966SQ20078000732
公開日2009年3月25日 申請日期2007年2月22日 優先權日2006年3月2日
發明者中村康男, 坂田淳一郎, 大原宏樹 申請人:株式會社半導體能源研究所