專利名稱：：用于拋光高階梯高度氧化層的自動停止研磨劑組合物的制作方法
技術領域：
：本發明涉及自動停止(auto-stopping)的化學-機械拋光組合物，其用于拋光具有高階梯高度(step-hdght)的不平度大的半導體器件；以及使用該組合物用于化學-機械拋光的方法。
背景技術：
：隨著半導體元件體積的縮小，密度的提高，用于形成微型圖案的技術己投入使用，因此半導體器件的表面結構由于更高的表層階梯高度變得更加復雜。作為平整技術，在半導體器件制造中為了去除基材上形成的特定層的階梯高度，采用了CMP方法。隨著集成度的提高和工藝規范的嚴格化，需要快速平整具有很大階梯高度的絕緣層。比如，對具有很高階梯高度的硅氧化層做化學-機械拋光就是這種情況，所述硅氧化層是在制造DRAM電容后為絕緣而涂敷的。如果在拋光具有高階梯高度的層時，階梯高度可以被迅速去除，并且在階梯高度去除之后，去除速率變得非常緩慢，得到自動停止功能，這有利于通過減少原材料消耗、增加加工余量(processmargin)、并且縮短加工時間來提高生產力，具有如下優點1)縮短待拋光層的氣相沉積時間，并節約氣相沉積原材料；2)縮短化學-機械拋光時間，并節約要使用的漿料；3)增加加工余量。因此，需要開發具備自動停止功能的拋光組合物，其能在拋光的初始階段快速去除階梯高度，但該速率在去除階梯高度之后變得非常緩慢。同時，對于半導體基材上的氧化層的拋光組合物，韓國專利公開No.2005-4051公開了含有二氧化鈰作為研磨劑、羧酸或其鹽、以及醇化合物的漿料組合物；韓國專利公開No.2004-16154公開了包含金屬氧化物的研磨顆粒、去除速率促進劑、分子量為1,000-100,000的陰離子聚合物鈍化劑、以及具有1-12個碳原子的陰離子鈍化劑的水溶液，但這些都是用于制備STI(淺槽隔離)的拋光漿料，對氧化層與氮化層的比例具有高選擇性。對于由于半導體基材上的氧化層的拋光組合物中的添加劑而具有成膜功能，或者因此具有自動停止功能的拋光組合物，韓國專利公開No.2001-7534公開了一種CMP方法，其包括表面電勢被調整為負值的研磨顆粒和由水溶性聚合物組成的表面活性劑；韓國專利公開No.1996-5827公開了一種CMP方法，其使用包含有機化合物的研磨劑，所述有機化合物具有至少一個選自COOH(羧基)和COOMl(Ml是原子或者可以和磺酰基的氫原子或者羧基中的氫原子發生取代反應成鹽的官能團)且分子量至少為100的親水基團。韓國專利公開No.1998-63482公開了一種拋光組合物，其還包含離子部分與研磨顆粒所帶電荷不同的聚合電解質，其分子量為約500-約IO，OOO，并且其濃度占研磨顆粒重量的約5-50%;然而，常規的拋光組合物所顯示出的自動停止功能并不能明顯地應用于半導體制造生產。韓國專利公開No.2003-53138公開了一種拋光組合物，其包含鍛制二氧化硅和/或膠體二氧化硅、pH調節劑、氟化合物、磷酸鹽類陰離子添加劑、胺類添加劑如三乙醇胺、氧化劑和水，但是這種拋光組合物沒有顯示本發明所希望的自動停止功能，并且附加成分的組成也不相同。
發明內容技術問題本發明人發現，含有氨基醇(如三乙醇胺(TEA)和2-二甲胺基-2-甲基-l-丙醇(DMAMP))，或者羥基和羧基總數至少為3的羥基羧酸的組合物，在去除半導體基材上的氧化層的不平度(imevenness)之后，表現出優異的自動停止功能，并且當羥基羧酸和氨基醇同時使用時，所述自動停止功能進一步提高，實現了本發明。因此，本發明的目的是提供在初始階段快速去除階梯高度的拋光組合物，對那些具有很大的階梯高度，表面不平度嚴重的待拋光層，快速去除凸起部分，而幾乎不拋光凹陷部分，并且去除階梯高度后，去除速率大大降低因此拋光自動停止。本發明的另一目的是提供具有自動停止功能的拋光組合物，以縮短待拋光層的氣相沉積時間，節約沉積材料，縮短化學-機械拋光時間，并且節約使用的漿料。技術方案本發明涉及用于平整化過程中的化學-機械拋光組合物，其通過快速拋光半導體器件制造技術中由二氧化硅組成、不平度嚴重且具有高階梯高度的有圖案硅片來實現平整化，以及使用該拋光組合物用于化學-機械拋光的方法，特別是具有自動停止功能的組合物，其在一開始提供高的階梯高度去除速率，但在去除階梯高度實現平整化之后，去除速率大大降低，其特征在于其含有i)金屬氧化物研磨顆粒；和ii)至少一種選自下面組中的化合物化學式1表示的氨基醇、化學式2表示的羥基羧酸或其鹽，或者其混合物；化學式1:R1-N(32)-A-OH化學式2:(OH)n-R-(COOH)m其中，A表示具有2-5個碳原子的直鏈或者支鏈亞烴基(alkylene)，R1和R2各自獨立地表示氫或者具有1-5個碳原子的含有或者不含-OH取代基的直鏈或者支鏈垸基，R表示具有l-6個碳原子的直鏈或者支鏈亞烷基、具有5-7個碳原子的環亞烷基、具有7-9個碳原子的亞苯基或者亞芳烷基，n和m各自表示不小于1的整數，且n+m不小于3。根據本發明的拋光組合物含有能夠實現自動停止拋光的化學物質，其通過吸附于氧化層而抑制拋光。當使用根據本發明的拋光組合物拋光具有高階梯高度的氧化層時，其凸起部分在拋光初始階段受到較強的物理壓力，因此研磨顆粒的拋光性能起到強烈作用，而在凹陷部分，吸附于待拋光層上的自動停止劑在待拋光層上形成薄膜來抑制拋光，明顯降低去除速率。隨著拋光的進行，凸起部分和凹陷部分之間的階梯高度變小，減少。此時，待拋光層上形成的拋光抑制層的作用由于壓力的原因大于物理拋光作用，因此顯著降低去除速率。含有根據本發明的拋光組合物的研磨顆粒選自二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋯和氧化鋁。優選使用二氧化鈰，因為它在包含二氧化硅的表面(比如玻璃或者半導體基材)上有非常高的去除速率，有利于半導體基材的拋光，盡管二氧化鈰的硬度低于二氧化硅顆粒或者氧化鋁顆粒。本發明使用的二氧化鈰通過在空氣中，在600-900℃的溫度下煅燒碳酸鈰水合物制備得到。研磨顆粒的含量對于提供足夠的階梯高度去除速率是重要的，其用量可根據所需的去除速率而變化，因為根據顆粒類型的不同，相同的含量可能產生不同的去除速率。當研磨顆粒為二氧化鈰時，其含量為0.1-20重量％，優選為0.5-5重量％，更優選為1-3重量％。較低的含量可能降低去除階梯高度的速率，而高含量可能造成拋光缺陷并降低拋光的自動停止功能。考慮到劃痕和去除速率，二氧化鈰研磨顆粒的尺寸優選為分散液中二次顆粒直徑為50-500nm，更優選為80-300nm。顆粒尺寸越小，去除速率越低；顆粒尺寸越大，拋光缺陷發生頻率越大。根據本發明的拋光組合物含有拋光自動停止劑、至少一種選自下面組中的化合物化學式l表示的氨基醇、化學式2表示的羥基羧酸及其鹽、或它們的混合物化學式1:RrN(R2)-A-OH化學式2:(OH)n-R-(COOH)m其中，A表示具有2-5個碳原子的直鏈或者支鏈亞烴基，R,和R2各自獨立地表示氫或者具有1-5個碳原子的具有或者不含-OH取代基的直鏈或者支鏈烷基，R表示具有l-6個碳原子的直鏈或者支鏈的亞烷基、具有5-7個碳原子的環亞烷基、具有7-9個碳原子的亞苯基或者亞芳烷基，n和m各自表示選自l-7的整數，且n+m不小于3。化學式1表示的化合物舉例為三乙醇胺、2-二甲基氨基-2-甲基-l-丙醇、l-氨基-2-丙醇、l-二甲基氨基-2-丙醇、3-二甲基氨基-l-丙醇、2-氨基-l-丙醇、2-二甲基氨基-l-丙醇、2-二乙基氨基-l-丙醇、2-二乙基氨基-l-乙醇、2-乙基氨基-l-乙醇、l-(二甲基氨基)-2-丙醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-丙基二乙醇胺、N-異丙基二乙醇胺、N-(2-甲丙基)二乙醇胺、N-正丁基二乙醇胺、N-叔丁基乙醇胺、N-環己基二乙醇胺、N-十二烷基二乙基胺、2-(二甲基氨基)乙醇、2-二乙基氨基乙醇、2-二丙氨乙醇、2-丁氨乙醇、2-叔丁氨乙醇、2-環氨乙醇、2-氨基-2-戊醇、2-[二(2-羥基乙基)氨萄-2-甲基-1-丙醇、2-[二(2-羥基乙基)氨基]-2-丙醇、N，N-二(2-羥基丙基)乙醇胺、2-氨基-2-甲基-l-丙醇、三(羥甲基)氨甲垸(Trizma)和三異丙醇胺(TIPA)，并且該化合物可以單獨使用或組合使用。具有拋光自動停止性能的拋光組合物中包含的化學式1表示的氨基醇化合物優選為三乙醇胺、2-二甲基氨基-2-甲基-l-丙醇、三(羥甲基)氨基甲烷或者三異丙醇胺、或它們的混合物。氨基醇是同時具有胺基官能團和羥基官能團的化合物，前者具有親水性和堿性，后者能夠形成氫鍵，所述氨基醇吸附于氧化層表面，用于抑制低壓力下的拋光作用。一般認為之所以顯示出這種性能是因為二氧化硅層具有負的zeta電勢，而氨基醇分子在弱堿、中性和酸性pH的很寬的pH范圍內易于帶正電荷，因此兩者間具有引力。根據本發明的拋光組合物中合適的氨基醇用量取決于研磨顆粒的含量和尺寸，以及其它組分的含量和pH值。能夠表現出去除階梯高度的高速率和自動停止拋光性能的含量為0.5-15重量％，優選為1-10重量％，更優選為2-6重量％。如果自動停止劑的含量太低則自動停止功能弱，而如果太高，則拋光初始階段去除階梯高度的速率減小。化學式2表示的化合物是羧基和羥基總數至少為3的羥基羧酸。作為根據本發明的自動停止劑，可以含有選自所述羥基羧酸或其鹽，或它們的混合物的化合物。由化學式2表示的羥基羧酸的鹽，通過所述羥基羧酸與一價陽離子或者二價陽離子組合形成。所述一價陽離子的實例包括K、,4和伯、仲、叔和季銨陽離子例如NR4(R:氫或者C1C7垸基)，所述二價陽離子包括Ca、Mg、Cu等。根據本發明，選自羥基羧酸、及其鹽、或它們的混合物的化合物優選為COOH和OH總數至少為3(更優選至少為4)的化合物。當COOH和OH的總數小于3時，去除階梯高度的速率和平板的去除速率之間差別不大，因此基本不能得到自動停止功能。根據本發明的羥基羧酸包括葡萄糖酸、葡庚糖酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、檸蘋酸、酮丙二酸(ketomalonicacid)、二羥甲基丙酸、二羥乙基丙酸、二羥甲基丁酸、二羥乙基丁酸、甘油酸、粘酸、糖二酸、奎尼酸、戊糖酸(pentaricacid)、2,4-二羥基苯甲酸、沒食子酸等。該羥基羧酸可單獨使用或組合使用。根據本發明，選自羥基羧酸、其鹽或它們的混合物的化合物的含量為0.01-15重量％，優選為0.05-10重量％，更優選為0.1-5重量％。如果自動停止劑的含量太低則自動停止功能弱，但如果太高，則在初始階段去除階梯高度的速率減小。為了實現增強的自動停止功能，根據本發明的拋光組合物優選包含選自化學式2表示的羥基羧酸或其鹽或它們的混合物的化合物，以及化學式1表示的氨基醇。更優選的氨基醇化合物包括三乙醇胺、二乙醇胺、單乙醇胺、2-二甲基氨基-2-甲基-l-丙醇、三(羥甲基)氨基甲垸或三異丙醇胺或它們的混合物。當氨基醇與選自羥基羧酸及其鹽或它們的混合物的化合物共用時，氨基醇的含量為0.01-10重量％，優選為0.05-5重量％，更優選為0.1-3重量％。如果氨基醇的含量太低，則自動停止功能弱，但如果太高，則去除階梯高度的速率減小。根據本發明的拋光組合物除了所述金屬氧化物研磨顆粒和自動停止劑外，如果需要，還包含pH調節劑、季胺化合物、表面活性劑、潤滑劑、高分子有機酸、防腐劑等。本發明通過研磨顆粒的拋光性能與自動停止劑抑制平板去除速率的性能的組合來實現。根據本發明具有自動停止性能的拋光組合物能在寬的pH范圍內起作用，但如果pH太低或者太高，去除階梯高度的速率就會降低或者自動停止性能減弱。優選的pH范圍為4-11，更優選為5-8。對于調節pH的pH調節劑，任何選自無機酸(比如硝酸、鹽酸、硫酸、高氯酸)或有機酸，或任何無機或有機堿均可以使用，它可以調節組合物的pH值而對拋光組合物的性能(包括去除階梯高度的高速率和自動停止功能)沒有不良影響。根據本發明的用于半導體生產的拋光漿料還可以包含季銨鹽，其選自氫氧化銨、氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙基氫、氫氧化四丁基胺等。所述季銨鹽還作為防腐劑或pH調節劑，其用量為0.01-10重量％，更優選為0.1-5重量％。可以添加有助于潤滑功能的表面活性劑和潤滑劑。由于具有高分子量的陽離子表面活性劑，在與二氧化鈰分散液混合時可能導致快速沉積的問題，因此有利地使用陰離子型和非離子型表面活性劑。潤滑劑的實例包括甘油和乙二醇。表面活性劑的用量為0.0001-0.5重量％，優選0.001-0.1重量％。潤滑劑的用量為0.01-10重量％，優選為0.1-5重量％。高分子有機酸用于提高去除階梯高度的速率。具有酸性基團的水溶性聚合物可以作為高分子有機酸。優選使用聚丙烯酸或聚丙烯酸共聚物或它們的混合物。市售聚丙烯酸產品往往沒有關于分子量的信息，并且通常以水溶液的形式銷售，因此每個產品中的聚丙烯酸含量均不相同。根據本發明，使用粘度為0.8-20cps的2.5%含水聚丙烯酸溶液作為半導體拋光漿料的添加劑。例如，本發明使用的2.5%的聚丙烯酸水溶液，對聚丙烯酸L，溶液粘度為1.67cps，對聚丙烯酸S(由NipponZunyakuKabushikikaisha生產)，溶液粘度為1.21cps。高分子有機酸的含量優選為0.1-10重量％，更優選為0.3-5重量％。如果高分子有機酸的含量太低，則提高階梯高度去除速率的效果低，但是如果太高則該去除速率反而降低。對于聚丙烯酸，如果使用低粘度的聚丙烯酸S和高粘度的聚丙烯酸L的混合物可以獲得優異的效果，并且低粘度聚丙烯酸與高粘度聚丙烯酸的含量比值優選為5-95重量％:95-5重量％。當只使用低粘度聚丙烯酸時，拋光初始階段的階梯高度去除速率往往較低，而只使用高粘度聚丙烯酸時，去除階梯高度的速率高，但去除階梯高度后的去除速率變高而減弱了自動停止功能。根據本發明的拋光組合物由有機酸組成，因此可能由于微生物或者細菌的侵蝕發生外觀上的變化。為了避免這種損壞，可以使用防腐劑。任何能夠抑制對根據本發明的漿料組合物組分的侵蝕的防腐劑，均可以使用。異噻唑啉化合物可以用作該防腐劑，優選5-氯-2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮、2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮或者2-甲基-3-異噻唑酮。如果防腐劑的含量太低，則防腐效果弱，但是如果太高，則抑制作為研磨劑的性能。根據本發明的含有氨基醇作為自動停止劑，具有自動停止功能的優選的拋光組合物包含基于拋光組合物總重量，0.1-20重量％的金屬氧化物研磨顆粒、0.5-15重量％的氨基醇化合物或它們的混合物，更優選地，所述拋光組合物包含基于拋光劑總重量，0.5-5重量％的金屬氧化物研磨顆粒、1-10重量％的化學式1表示的氨基醇化合物或它們的混合物，并且pH在4-11的范圍內，特別是5-8。作為另一種拋光組合物，最優選的是包含1-3重量％的二氧化鈰，2-6重量％的三乙醇胺和0.1-10重量％的聚丙烯酸，并且pH在5-8的范圍內。根據本發明的含有羥基羧酸或其鹽的優選的拋光組合物包含基于拋光組合物總重量，0.1-20重量％的金屬氧化物研磨顆粒、0.01-15重量%的選自羥基羧酸及其鹽或它們的混合物的化合物，更優選地，所述拋光組合物包含基于拋光劑總重量，0.5-5重量％的金屬氧化物研磨顆粒、0.05-10重量％的選自羥基羧酸及其鹽或它們的混合物的化合物，并且pH在4-11的范圍內，更優選pH在5-8的范圍內。根據本發明的含有羥基羧酸或其鹽和氨基醇，具有自動停止功能的優選的拋光組合物含有基于拋光組合物總重量，0.1-20重量％的金屬氧化物研磨顆粒、0.01-10重量％的化學式1表示的氨基醇或它們的混合物，以及0.01-15重量％的化學式2表示的羥基羧酸、其鹽或它們的混合物，并且pH在4-11的范圍內。更優選的拋光組合物含有基于拋光劑其總重量，0.5-5重量％的二氧化鈰、0.05-10重量％的選自羥基羧酸及其鹽或它們的混合物的化合物、以及0.05-5重量％的氨基醇，并且pH在5-8的范圍內。最優選的組合物包含基于拋光組合物總重量，1-3重量％的二氧化鈰、0.1-5重量％的葡萄糖酸或其鹽、以及0.1-3重量％的三乙醇胺，并且pH在5-8的范圍內。根據本發明的自動停止拋光漿料可用于半導體制造過程中的層以及具有高階梯高度的二氧化硅層的平整化，在所述半導體制造過程中的層上可以形成本發明的組合物的自動停止拋光層。圖1是具有高階梯高度的半導體基材的橫截面圖2顯示了凸起部分和凹陷部分的平均厚度與拋光時間的關系，作為根據本發明的實施例7的結果；圖3顯示了隨線寬(pitch)和圖案密度的變化，拋光前后凸起部分的厚度變化，作為根據本發明的實施例7的結果；圖4顯示了凸起部分和凹陷部分的平均厚度與拋光時間的關系，作為根據本發明的實施例14的結果；圖5顯示了隨線寬(pitch)和圖案密度的變化，拋光前后凸起部分的厚度變化，作為根據本發明的實施例14的結果。附圖中重要部件的描述10-基材20-線路圖案(wiringpattem)或者電容器30-絕緣層31-凸起部分32-凹陷部分33-理想的拋光停止面具體實施例方式下面參照實施例對本發明的結構和效果作更詳細的描述，但這些實施例不構成對本發明范圍的限制。實施例1將碳酸鈰水合物在空氣中在750'C下煅燒4小時以制備二氧化鈰。向其中加入去離子水及少量的分散劑，并使用介質攪拌型(media-agitatingtype)粉末粉碎機粉碎及分散后，最后向其中加入去離子水以得到固體含量為5%的二氧化鈰分散液。所述分散液中的顆粒尺寸是140nm，pH值為8.4。作為具有自動停止功能的添加劑，通過混合三乙醇胺和其它乙醇，并使用硝酸調節pH制備了研磨添加劑。將這樣得到的添加劑與研磨顆粒的分散液混合來制備研磨劑。另外，不使用硝酸作為pH值調節劑單獨制備了一種研磨劑(實驗編號1-1和1-2)。保持二氧化鈰的濃度為1%,氨基醇的加入量和pH值則如表l所示變化，來制備研磨劑。在化學-機械拋光過程中使用的基材是通過等離子CVD法制得的基材，所述CVD法使用上面涂敷有二氧化硅層的四乙氧基硅垸(TEOS)，并在Si基材上形成不同的線寬和密度的圖案，并氣相沉積厚度約20000A的二氧化硅層，所述二氧化硅層的不平整部分階梯高度約7000A。此外，為了研究去除階梯高度后的去除速率，用同樣方法制備了氣相沉積了二氧化硅層的晶片。每個基材都在G&PTech.制造的CMP設備中拋光，在研磨盤和研磨頭轉速分別為93rpm和87rpm的情況下，調節壓力到300g/cm2。經拋光，研磨劑中二氧化鈰的含量為1%，進料速率為200毫升/分鐘。去除階梯高度的速率、晶片去除速率以及去除速率比(去除階梯高度的速率/晶片去除速率)顯示在表1中表l<table>complextableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>從表1可以看出，當只用二氧化鈰而不用三乙醇胺拋光時(對比例1-1)，去除圖案化的晶片的階梯高度的速率低于晶片的去除速率，但在實驗l-l、1-2中，只另外加入了氨基醇，去除階梯高度之后的去除速率，即晶片去除速率大大降低，增大了去除階梯高度的速率/晶片的去除速率的比例。在實驗1-3到1-10中，用硝酸調節pH，晶片的去除速率大大降低，但去除階梯高度的速率大大增大，與對比例1-1相比大大增大了兩者的速率比。還可以認識到，隨著三乙醇胺加入量的增加，晶片的去除速率降低，但如果超過一定量，則去除速率保持在非常低的水平。pH范圍在4-11時顯示了優異的自動停止功能。實施例1的結果的意義在于，加入了氨基醇的根據本發明的拋光組合物在去除有圖案的基材的階梯高度之后的去除速率大大降低，顯示了拋光的自動停止功能。實施例2為研究加入聚丙烯酸(PAA)的效果，通過改變加入量來進行評價。用與實施例1相同的步驟制備研磨劑，但是加入了聚丙烯酸，pH穩定調至6.9。聚丙烯酸和三乙醇胺的濃度如表2所示，并且拋光條件與實施例1中的相同。加入的聚丙烯酸是NipponZunyaku的產品，為聚丙烯酸L(2.5。/。的水溶液的粘度為1.67cps)和聚丙烯酸S(粘度為1.21cps)的3/7w/w(L/S)混合物。去除圖案的階梯高度的速率、晶片的去除速率，以及去除速率比相對于三乙醇胺和聚丙烯酸的加入量的變化顯示在表2中。表2<table><row><column>實驗編號</column><column>三乙醇胺(％)</column><column>PAA(%)</column><column>去除階梯高度的速率(A/分鐘)</column><column>晶片去除速率(A/分鐘)</column><column>速率比</column></row><row><column>2-1</column><column>2.1</column><column>0.0</column><column>2271</column><column>1027</column><column>2.21</column></row><row><column>2-2</column><column>0.7</column><column>0.5</column><column>3460</column><column>3163</column><column>1.09</column></row><row><column>2-3</column><column>1.4</column><column>1.0</column><column>3739</column><column>2015</column><column>1.86</column></row><row><column>2-4</column><column>2.1</column><column>1.0</column><column>3402</column><column>413</column><column>8.24</column></row><row><column>2-5</column><column>2.1</column><column>1.5</column><column>3276</column><column>712</column><column>4.60</column></row><row><column>2-6</column><column>2.8</column><column>2.0</column><column>2938</column><column>338</column><column>8.69</column></row><row><column>2-7</column><column>3.5</column><column>2.5</column><column>2259</column><column>208</column><column>10.86</column></row><table>由表2可以看出，當改變研磨添加劑中聚丙烯酸的濃度進行拋光時，加入聚丙烯酸提高了去除階梯高度的速率。在向2.1%的三乙醇胺中再加入聚丙烯酸的情況中，去除階梯高度的速率顯著增加，晶片的去除速率則減小，導致速率比增加。可以認識到，隨著聚丙烯酸和三乙醇胺的量的增加，去除速率比(去除階梯高度的速率/晶片去除速率)增大。實施例3為了研究三乙醇胺的量和聚丙烯酸的量之間的依賴關系，在拋光條件與實施例i中相同的情況下，通過制備組成與實施例2中的研磨劑相同的研磨劑來進行拋光，但是加入的聚丙烯酸的濃度為1%和1.5%，如表3所示改變三乙醇胺的量表3<table><row><column>實驗編號</column><column>PAA(0/0)</column><column>三乙醇胺(%)</column><column>去除階梯高度的速率(A/分鐘)</column><column>晶片去除速率(A/分鐘)</column><column>速率比</column></row><row><column>3-1</column></row><row><column></column><column>1</column><column>1.4</column><column>3739</column><column>2015</column><column>1.86</column><column>3-2</column><column>1.5</column><column>3611</column><column>1782</column><column>2.03</column></row><row><column>3-3</column><column>2.1</column><column>3402</column><column>413</column><column>8.24</column></row><row><column>3-4</column><column>2.8</column><column>3162</column><column>211</column><column>15.0</column></row><row><column>3-5</column></row><row><column></column><column>1.5</column><column>1.5</column><column>3567</column><column>1681</column><column>2.12</column></row><row><column>3-6</column><column>2.1</column><column>3276</column><column>712</column><column>4.60</column></row><row><column>3-7</column><column>2.5</column><column>2976</column><column>226</column><column>13.2</column></row><row><column>3-8</column><column>3.2</column><column>2946</column><column>160</column><column>18.4</column></row><row><column>3-9</column><column>4.2</column><column>1872</column><column>120</column><column>15.6</column></row><table>從表3的結果可以看出，在加入聚丙烯酸的量不變的情況下，隨著三乙醇胺的量的增加，晶片的去除速率急劇減小，但去除階梯高度的速率和晶片的去除速率之比趨于增大。如果加入2.1%或者更多的三乙醇胺，晶片的去除速率則明顯下降，因此去除階梯高度后拋光自動停止。實施例4為了研究聚丙烯酸分子量對自動停止功能的影響，將兩種具有不同粘度的聚丙烯酸混合在一起，如表4所示，并向其中加入三乙醇胺以制備pH為6.9的研磨添加劑。將二氧化鈰漿料與所述研磨添加劑混合后，得到二氧化鈰含量為1%,聚丙烯酸含量為1.3%，三乙醇胺含量為2.2%的拋光組合物，在與前述實施例相同的條件下進行拋光。表4<table><row><column>實驗編號</column><column>添加劑成分</column><column>去除階梯高度的速率(A/分鐘)</column><column>晶片去除速率(A/分鐘)</column><column>速率比</column></row><row><column>4-1</column><column>L/S(0/1)-TEA</column><column>2074</column><column>222</column><column>9.34</column></row><row><column>4-2</column><column>L/S(3〃)-TEA</column><column>3340</column><column>405</column><column>8.25</column></row><row><column>4-3</column><column>L/S(1/1)-TEA</column><column>3634</column><column>740</column><column>4.91</column></row><row><column>4-4</column><column>L/S(7/3)-TEA</column><column>3768</column><column>695</column><column>5.42</column></row><row><column>4-5</column><column>L/S(l/0)-TEA</column><column>3414</column><column>1372</column><column>2.49</column></row><row><column>L:聚丙烯酸L(2.5n/。水溶液，粘度為1.67cps)</column></row><row><column>S:聚丙烯酸S(2.5%水溶液，粘度為l,21cps)</column></row><table>從表4的結果可以看出，如果聚丙烯酸的粘度低(低平均分子量)則晶片的去除速率減小，提供了優異的自動停止功能，而使用大量的高粘度聚丙烯酸時，階梯高度去除后的去除速率(即晶片去除速率)稍微增大。這種結果證實，根據拋光目的，可以通過適當地混合低粘度聚丙烯酸和高粘度聚丙烯酸以獲得兩種性能(去除階梯高度和自動停止)的最佳結合點。實施例5使用與上述相同的拋光條件，測量去除階梯高度的速率和晶片的去除速率，但是拋光組合物中二氧化鈰的濃度為.0%和1.5%，并如表5所示改變聚丙烯酸和三乙醇胺的量；并計算去除速率比(去除階梯高度的速率/晶片的去除速率)。表5<table>complextableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>從表5可以看出，當二氧化鈰的濃度從1.0%升到1.5%，去除階梯高度的速率增加至少1000A/分鐘，而速率比沒有明顯的變化。這意味著二氧化鈰濃度的增加有利于要求高階梯高度去除速率的過程。實施例6為了研究其它添加劑的作用，如表6所示，將氨基醇和/或氫氧化銨的衍生物與聚丙烯酸混合，并且用硝酸將pH調至6.9。將每種研磨劑混合，使其具有1°/。的二氧化鈰和1.5%的聚丙烯酸濃度，以制備拋光組合物，在與實施例1中相同的拋光條件下測量去除階梯高度的速率和晶片的去除速率。表6<table>complextableseeorgininaldocumentpage16</column></row><table>從表6可以看出，當所述組合物中含有氨基醇時，去除階梯高度的速率和拋光后續階段的自動停止功能良好。此外，注意到，當所述組合物中只含有四甲基氫氧化銨(TMAH)作為季銨鹽或者與氨基醇組合時，去除階梯高度的速率和拋光后續階段的自動停止功能良好。實施例7為了研究線寬和圖案密度[凸起部分面積/(凹陷部分面積+凸起部分面積)]對有圖案晶片的作用，評價了具有不同線寬和圖案密度的有圖案晶片。圖2顯示了凹陷部分和凸起部分的平均厚度相對于拋光時間的變化。二氧化硅漿料是半導體制造工藝中用于拋光二氧化硅層的常規漿料，其含有11%的二氧化硅。漿料A是由1%的二氧化鈰、1.5%的聚丙烯酸(L/S-3/7)和2.52%的三乙醇胺組成的拋光組合物，漿料B是由1.5%的二氧化鈰、1.7%的聚丙烯酸(L/S-3/7)和2.38%的三乙醇胺組成的拋光組合物。這些漿料的拋光條件與實施例1的相同。可以發現在使用二氧化硅漿料的情況下，去除階梯高度之后絕緣層厚度也迅速減小，但漿料A和漿料B則在去除階梯高度之后(即平整化之后)，降低絕緣層厚度的速率小得多。此外，在拋光180秒鐘之后，評估了凸起部分的厚度如何受到線寬和圖案密度的影響。圖3的結果顯示，拋光前的厚度相同，不因為線寬和圖案密度有任何變化，而拋光后的二氧化硅漿料由于對線寬和圖案密度的高度依賴并沒有收到平整化作用。另一方面，在漿料A組合物和B組合物的情況下，取得了優異的平整化效果，同時只降低了大約一半的厚度。實施例8按照實施例1的描述制備二氧化鈰分散液，使用表7中所列的羥基羧酸作為具有自動停止功能的添加劑，并且用KOH和硝酸調節pH至6.9。制備每一種研磨劑的羥基羧酸的量如表7所示，但保持二氧化鈰的濃度為1.5%不變。基材和拋光條件同實施例1所述。表7顯示了去除階梯高度的速率、晶片的去除速率和去除速率比(去除階梯高度的速率/晶片去除速率)。表7<table>complextableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>從表7可以看出，在對比例7-l的情況中，僅用二氧化鈰研磨顆粒拋光，在對比例7-2和對比例7-3中，用包含具有一個羧基和一個羥基的乳酸的CMP漿料拋光，去除階梯高度的速率遠低于晶片的去除速率。在使用了僅含有羥基的多元醇(例如木糖醇)(對比例7-4和對比例7-5)的情況中，晶片的去除速率高，且沒有顯示自動停止功能。這證實，羥基和羧基總數至少為3的羥基羧酸的加入導致了去除階梯高度的速率增加，晶片的去除速率減小，因此提高了速率比(去除階梯高度的速率/晶片去除速率)，獲得了自動停止功能。在表7所列的羥基羧酸中，從檸檬酸和葡萄糖酸(COOH和OH總數至少為4)獲得的效果更加優異。實施例9與實施例8相同，使用二氧化鈰含量為1.5%的二氧化鈽分散液，并按與實施例8相同的方式評價拋光性能。結果如表8所示。將氨基醇加入羥基羧酸或其鹽中，作為有自動停止功能的添加劑，如果需要，用硝酸或TMAH或KOH調節pH至6.9。在加入防腐劑、潤滑劑或表面活性劑的情況下，使用2-甲基-3-異噻唑酮作為防腐劑，甘油或乙二醇作為潤滑劑，ZonylFSN(Dupont)作為表面活性劑。在表8中，TEA表示三乙醇胺，PAA表示聚丙烯酸混合物(L/S-3/7:L:2.5%水溶液的粘度為1.67cps，S:2.5%水溶液的粘度為1.21cps)。表8<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>當與羥基有機酸一起加入TEA時，晶片去除速率大幅減小，引起去除階梯高度的速率/晶片的去除速率的比例增大，證實了氨基醇的加入對自動停止功能具有協同作用。當部分羥基羧酸被PAA代替時，去除階梯高度的速率增大，而發現，如果需要，在不破壞拋光性能的情況下，還可以使用表面活性劑、水溶性聚合物、潤滑劑和防腐劑。在使用醋酸、琥珀酸和乳酸的情況下，去除階梯高度的速率/晶片去除速率的比例低，但從羥基和羧基總數至少為3的蘋果酸幵始，速率比突然增大，大大提高了自動停止功能，顯示出優異的高階梯高度去除速率。實施例10改變加入的檸檬酸和三乙醇胺的量進行化學-機械拋光，并評價。使用的研磨劑中含有1.5重量Q/。的二氧化鈰，如果需要，用硝酸或K0H將pH調節至6.9。按照與實施例8相同的步驟制備拋光劑。在與實施例1中描述的相同拋光條件下進行拋光。相對于添加劑的量，去除階梯高度的速率、晶片去除速率以及圖案去除速率之比顯示在表3中。觀察晶片的表面狀況并按照不平整瑕疵的出現率對其作出評價O:好，△:中，X:差。表9<table><row><column>實驗</column><column>檸檬酸%</column><column>TEA%</column><column>去除階梯高度的速率率(A/分鐘)</column><column>晶片去除速度速率/晶片去(A/分鐘)</column><column>去除階梯的高除速率(A/分鐘)</column><column>晶片表面</column></row><row><column>9-1</column><column>0.16</column><column>1</column><column>4395</column><column>1166</column><column>3.8</column><column>△</column></row><row><column>9-2</column><column>0.28</column><column>1</column><column>4345</column><column>602</column><column>7.2</column><column>△</column></row><row><column>9-3</column><column>0.41</column><column>1</column><column>3970</column><column>703</column><column>5.6</column><column>o</column></row><row><column>9-4</column><column>0.61</column><column>1.5</column><column>3935</column><column>337</column><column>11.7</column><column>o</column></row><row><column>9-5</column><column>0.33</column><column>2</column><column>3606</column><column>301</column><column>12.0</column><column>o</column></row><row><column>9-6</column><column>0.57</column><column>2</column><column>3273</column><column>264</column><column>12.4</column><column>o</column></row><row><column>9-7</column><column>0.82</column><column>2</column><column>3243</column><column>216</column><column>15.0</column><column>o</column></row><table>當具有三個羧基和一個羥基的檸檬酸與三乙醇胺(作為氨基醇)組合使用時，去除階梯高度的速率/晶片去除速率的比例為3.8或更高，顯示出自動停止功能。具體來說，當檸檬酸的含量為0.3重量％或者更大時，去除階梯高度的速率/晶片去除速率的比例高，且觀察到的晶片表面發生的瑕疵減少，有利于獲得均勻的表面。此外，當羥基羧酸和氨基醇的量增大時，晶片的去除速率減小，促進了自動停止功能，且晶片表面瑕疵的發生減少，提供了均勻的表面。實施例11改變加入的葡萄糖酸和三乙醇胺的量后進行拋光，并評價。研磨劑含有1.5重量％的二氧化鈰，并調節pH至6.9。按照實施例1中描述的相同步驟制備拋光組合物。在與實施例8相同的拋光條件下進行拋光。去除階梯高度的速率、晶片的去除速率以及圖案的去除速率與添加劑的量的關系如表10所示。觀察晶片的表面狀況并按照不平整瑕疵的出現率對其作出評價○:好，△:中，X:差。表10<table><row><column>實驗編號</column><column>葡萄糖酸％</column><column>TEA%</column><column>去除階梯高度的速率(/分鐘)</column><column>晶片去除速率(/分鐘)</column><column>去除階梯高度的速率/晶片去除速率</column><column>晶片表面</column></row><row><column>10-1</column><column>0.47</column><column>0.4</column><column>4014</column><column>179</column><column>22.4</column><column>○</column></row><row><column>10-2</column><column>0.47</column><column>0.8</column><column>4363</column><column>169</column><column>25.8</column><column>○</column></row><row><column>10-3</column><column>0.3</column><column>1</column><column>4748</column><column>234</column><column>20.3</column><column>○</column></row><row><column>10-4</column><column>0.18</column><column>1.5</column><column>4787</column><column>301</column><column>15.9</column><column>△</column></row><row><column>10-5</column><column>0.44</column><column>1.5</column><column>4184</column><column>155</column><column>27.0</column><column>○</column></row><row><column>10-6</column><column>0.89</column><column>1.5</column><column>3124</column><column>125</column><column>25.0</column><column>○</column></row><row><column>10-7</column><column>0.24</column><column>2</column><column>4680</column><column>228</column><column>20.5</column><column>○</column></row><row><column>10-8</column><column>0.59</column><column>2</column><column>3032</column><column>135</column><column>22.5</column><column>○</column></row><row><column>10-9</column><column>1.18</column><column>2</column><column>1950</column><column>99</column><column>19.7</column><column>○</column></row><table>當具有一個羧基和五個羥基的葡萄糖酸與三乙醇胺(作為氨基醇)組合使用時，去除階梯高度的速率高，但是晶片的去除速率低，顯示了優異的自動停止功能。當葡萄糖酸的含量為0.18重量％時，晶片表面發生微小的瑕疵，因此當葡萄糖酸的含量為0.3重量％或者更大時</column><column>更優選。從上述結果中可以發現，如果羥基羧酸和氨基醇的量增大，晶片的去除速率減小，增強了自動停止功能，且表面上瑕疵發生率減少到可以提供均勻的表面。但是，如果葡萄糖酸的濃度太高，則可能降低去除階梯高度的速率而不利，而如果太低，則可能在晶片表面產生瑕疵。實施例12按照實施例8描述的步驟制備拋光組合物，但包含1.5重量％的二氧化鈰、0.3重量％的葡萄糖酸、1重量°/。的TEA。用硝酸或者KOH調節pH至表ll所示的范圍。表11<table>實驗編號</column></row><row><column>pH</column><column>階梯高度去除速率(A/分鐘)</column><column>晶片去除速率(A/分鐘)</column><column>去除階梯高度的速率/晶片去除速率(A/分鐘)</column></row><row><column>11-1</column><column>5.5</column><column>2431</column><column>69</column><column>35.2</column></row><row><column>11-2</column><column>6.0</column><column>3632</column><column>129</column><column>28.2</column></row><row><column>11-3</column><column>6.4</column><column>4520</column><column>191</column><column>23.7</column></row><row><column>11-4</column><column>6.9</column><column>4748</column><column>238</column><column>19.9</column></row><row><column>11-57.3</column><column>4824</column><column>309</column><column>15.6</column></row><row><column>11-6</column><column>7.8</column><column>4930</column><column>485</column><column>10.2</column></row><table>從表11顯示的結果中可以看到，在指定的pH范圍內，所有的去除階梯高度速率/晶片去除速率的比值均不小于10。如果pH低，發現晶片的去除速率降低，自動停止功能增強，但去除階梯高度的速率也降低。另一方面，如果pH高，發現去除階梯高度的速率有利地增大，但晶片的去除速率也增大。因此，證實pH范圍在5-8更優選。實施例13如表12所示，改變二氧化鈰的含量，按照實施例8描述的相同步驟評價拋光性質。拋光組合物包含0.3%的葡萄糖酸和1。/。的TEA，并且pH調節至6.9。<table><row><column>實驗編號</column><column>二氧化鈰%</column><column>去除階梯高度的速率(A/分鐘)</column><column>晶片去除速率(A/分鐘)</column><column>去除階梯高度的速率/晶片去除速率(A/分鐘)</column></row><row><column>12-1</column><column>1.0</column><column>3261</column><column>160</column><column>20.4</column></row><row><column>12-2</column><column>1.5</column><column>4748</column><column>238</column><column>19.9</column></row><row><column>12-3</column><column>2.0</column><column>5315</column><column>318</column><column>16.7</column></row><table>從表12顯示的結果可以看到，去除階梯高度的速率和晶片的去除速率隨著二氧化鈰濃度的增大而增大，且去除階梯高度的速率/晶片去除速率的比例也較高，顯示了很好的自動停止功能。實施例14為了研究線寬和圖案密度對有圖案晶片的作用，在實施例7描述的條件下拋光有圖案晶片。圖4顯示了凹陷部分和凸起部分平均厚度的變化與拋光時間的關系。漿料C是由1.5%的二氧化鈰、0.3%的葡萄糖酸和1.0%的三乙醇胺組成的拋光組合物，并且漿料D是由1.5%的二氧化鈰、0.5%的酒石酸和1.0%的三乙醇胺組成的拋光組合物。研究發現，在使用二氧化硅漿料的情況下，絕緣層的厚度在去除階梯高度之后迅速減小，但漿料C和D在去除階梯高度之后(即平整化之后)去除絕緣層的速率則低得多。此外，拋光180秒后，當研究線寬和圖案密度的作用與凸起部分的厚度的關系時(圖5)，證明，二氧化硅漿料與線寬或圖案密度之間存在很大的相關性，但拋光劑C和D組合物與線寬或圖案密度之間的相關性較小，其厚度的減少較小。工業適用性根據本發明的拋光組合物在拋光具有高階梯高度的待拋光層時去除階梯高度，并且在去除階梯高度之后具有非常低的去除速率，提供了自動停止功能。因此，本發明具有縮短待拋光層的氣相沉積時間、節約沉積原材料、縮短化學-機械拋光時間、節約使用的漿料并確保加工余量的效果。本發明有利于節約材料成本和處理時間，從而提高產量和生產力。權利要求1、具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含i)金屬氧化物研磨顆粒；和ii)至少一種選自下面組中的化合物化學式1表示的氨基醇、化學式2表示的羥基羧酸或其鹽，或它們的混合物；化學式1R1-N(R2)-A-OH化學式2(OH)n-R-(COOH)m其中，A表示具有2-5個碳原子的直鏈或者支鏈亞烷基，R1和R2各自獨立地表示氫或者具有1-5個碳原子且含有或者不含-OH取代基的直鏈或者支鏈烷基，R表示具有1-6個碳原子的直鏈或者支鏈亞烷基、具有5-7個碳原子的環亞烷基、具有7-9個碳原子的亞苯基或者亞芳烷基，n和m各自表示不小于1的整數，且n+m不小于3。2、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含基于拋光組合物的總重量，0.1-20重量％的金屬氧化物研磨顆粒、0.5-15重量.％的化學式1表示的氨基醇化合物或它們的混合物。3、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含基于拋光組合物的總重量，0.1-20重量％的金屬氧化物研磨顆粒、0.01-15重量°/。的化學式2表示的羥基羧酸或其鹽或它們的混合物。4、根據權利要求2的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含基于拋光組合物的總重量，0.5-5重量％的金屬氧化物研磨顆粒和1-10重量％的化學式1表示的氨基醇或它們的混合物，并且所述組合物的pH為4-11。5、根據權利要求3的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含基于拋光組合物的總重量，0.5-5重量％的金屬氧化物研磨顆粒和0.05-10重量％的化學式2表示的羥基羧酸或其鹽或它們的混合物，并且所述組合物的pH為4-11。6、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含基于拋光組合物的總重量，0.5-5重量％的金屬氧化物研磨顆粒、0.01-10重量％的化學式1表示的氨基醇和0.01-15重量％的化學式2表示的羥基羧酸或其鹽或它們的混合物，并且所述組合物的pH為4-11。7、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述羥基羧酸選自化學式2表示的化合物及其混合物化學式2:(OH)n-R-(COOH)m其中，R表示具有l-6個碳原子的直鏈或者支鏈的亞烷基、具有5-7個碳原子的環亞烷基、具有7-9個碳原子的亞苯基或者亞芳烷基，n和m分別表示l-7的整數，且n+m不小于4。8、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述羥基羧酸選自葡萄糖酸、葡庚糖酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、檸蘋酸、酮丙二酸、二羥甲基丙酸、二羥乙基丙酸、二羥甲基丁酸、二羥乙基丁酸、甘油酸、粘酸、糖二酸、奎尼酸、戊糖酸、2,4-二羥基苯甲酸、沒食子酸，及它們的混合物。9、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述氨基醇選自三乙醇胺、2-二甲基氨基-2-甲基-l-丙醇、1-氨基-2-丙醇、l-二甲基氨基-2-丙醇、3-二甲基氨基-l-丙醇、2-氨基-l-丙醇、2-二甲基氨基-l-丙醇、2-二乙基氨基-l-丙醇、2-二乙基氨基-l-乙醇、2-乙氨基-l-乙醇、l-(二甲基氨基)-2-丙醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-丙基二乙醇胺、N-異丙基二乙醇胺、N-(2-甲丙基)二乙醇胺、N-正丁基二乙醇胺、N-叔丁基乙醇胺、N-環己基二乙醇胺、N-十二烷基二乙基胺、2-(二甲基氨基)乙醇、2-二乙基氨基乙醇、2-二丙氨乙醇、2-丁氨乙醇、2-叔丁氨乙醇、2-環氨乙醇、2-氨基-2-戊醇、2-[二(2-羥基乙基)氨基]-2-甲基-1-丙醇、2-[二(2-羥基乙基)氨基]-2-丙醇、N,N-二(2-羥基丙基)乙醇胺、2-氨基-2-甲基-l-丙醇、三(羥甲基)氨甲烷和三異丙醇胺，或它們的混合物。10、根據權利要求9的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述氨基醇選自三乙醇胺、二乙醇胺、單乙醇胺、2-二甲基氨基-2-甲基-l-丙醇、三(羥甲基)氨基甲烷、三異丙醇胺及它們的混合物。11、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述金屬氧化物研磨顆粒選自二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋯和氧化鋁。12、根據權利要求11的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述金屬氧化物研磨顆粒是在分散液中二次顆粒直徑為50-500nm的二氧化鈽。13、根據權利要求11的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含基于拋光組合物的總重量，0.5-5重量％的二氧化鈰、0.05-5重量°/。的化學式1表示的氨基醇或它們的混合物，以及0.05-10重量%的化學式2表示的羥基羧酸或其鹽或它們的混合物。14、根據權利要求13的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含1-3重量％的二氧化鈰、0.1-3重量％的三乙醇胺作為氨基醇及0.1-5重量％的葡萄糖酸作為羥基羧酸。15、根據權利要求1的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其還包含一種或多種選自pH調節劑、季銨鹽、高分子有機酸、表面活性劑和潤滑劑的組分。16、根據權利要求15的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述pH調節劑是無機酸、有機酸、無機堿或有機堿。17、根據權利要求15的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其pH值為5-8。18、根據權利要求15的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述季銨鹽選自氫氧化銨、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基胺、氫氧化四丙基氫和氫氧化四丁基胺。19、根據權利要求15的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其特征在于所述高分子有機酸是聚丙烯酸或聚丙烯酸的共聚物。20、根據權利要求15的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含異噻唑化合物作為防腐劑。21、根據權利要求19的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物，其包含0.1-10重量％的聚丙烯酸作為高分子有機酸。22、拋光基材的方法，其使用根據權利要求1至15任一項的具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物。全文摘要本發明涉及化學-機械拋光組合物，其用于半導體器件的生產技術中具有高階梯高度、不平度嚴重的二氧化硅層的化學-機械拋光過程，以及使用所述具有自動停止功能的化學-機械拋光組合物的方法，即在去除階梯高度進行平整化后拋光速率大大減小，其特征在于所述化學-機械拋光組合物包含i)金屬氧化物研磨顆粒；和ii)至少一種化合物，該化合物選自氨基醇、羥基和羧基總數至少為3的羥基羧酸或其鹽，或它們的混合物。在本發明的組合物中還可以含有高分子有機酸、防腐劑、潤滑劑和表面活性劑。根據本發明的自動停止拋光組合物能夠縮短待拋光層的氣相沉積時間、節約氣相沉積原材料、縮短化學-機械拋光時間并節約使用的漿料。因此，根據本發明，材料消耗減少，加工時間縮短，并且通過拋光速率的自動停止功能增加了加工余量，從而有利地提高了生產力。文檔編號C09K3/14GK101208404SQ200680023347公開日2008年6月25日申請日期2006年4月28日優先權日2005年4月28日發明者安定律,樸休范,樸鐘寬,李泰京,白貴宗,鄭銀逸,金錫主,韓德洙申請人:韓國泰科諾賽美材料株式會社