專利名稱：切割模片粘接膜的制作方法
技術領域：
本發明涉及切割模片粘接膜。切割模片粘接膜是在將用于粘合芯片狀工件(半導體芯片等)和電極部件的膠粘劑在切割前附設在工件(半導體晶片等)上的狀態下，用于對工件進行切割的薄膜。另外，本發明涉及使用切割模片粘接膜的芯片狀工件的固定方法。進而涉及通過該固定方法膠粘固定有芯片狀工件的半導體裝置。例如本發明的切割模片粘接膜可以適用于硅半導體、化合物半導體、半導體封裝、玻璃、陶瓷等的各種工件。
背景技術：
形成有電路圖案的半導體晶片，在根據需要通過背面研磨而調整厚度后切割為芯片狀工件(切割工序)。在切割工序中，為了除去切斷層，一般通過適度的液壓(通常為2kg/cm2左右)清洗半導體晶片。然后，利用膠粘劑將上述芯片狀工件粘合在引線框等的被粘合體上(組裝工序)后，進入鍵合工序。在所述組裝工序中，將膠粘劑涂布在引線框或芯片狀工件上。但是，在該方法中，膠粘劑層的均勻化困難，并且膠粘劑的涂布需要特殊的裝置以及需要較長時間。因此，提出了以下的切割模片粘接膜，即，在切割工序中，在膠粘保持半導體晶片的同時，也付與組裝工序中必要的芯片粘合用的膠粘劑層的切割模片粘接膜(例如參照特開昭60-57642號公報)。
所述專利文獻1中記載的切割模片粘接膜是以能夠剝離膠粘劑層的方式而設置在支撐基材上的薄膜。即，在基于膠粘劑層的保持下，對半導體晶片進行切割后，對支撐基材進行延伸將芯片狀工件與膠粘層一起剝離，對其分別回收并借助該膠粘劑層使其粘合在引線框等的被粘合體上。
在這種切割模片粘接膜的膠粘劑層上，為了不產生不能切割或尺寸誤差等，希望對半導體晶片的良好保持力以及能夠將切割后的芯片狀工件與膠粘劑層一體從支撐基材上剝離的良好剝離性。但是，使該兩特性平衡是非常不容易的。特別是如利用旋轉圓形刀具等對半導體晶片進行切割的方式等，要求在膠粘劑層上具有很大保持力時，很難獲得滿足上述特性的切割模片粘接膜。
因此，為了克服這種問題，提出了各種改良方法(例如參照特開平2-248064號公報)。在專利文獻2中，提出了以下方法，即，使在支撐基材與膠粘劑層之間夾持能夠紫外線固化的粘合劑層，在對其進行切割后進行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力降低，通過兩者間的剝離而容易拾取芯片狀工件的方法。
但是，即使通過該改良方法，有時也很難形成使切割時的保持力與之后的剝離性平衡的膠粘劑層。例如，在為了獲得10mm×10mm以上的大型芯片狀工件時，由于其面積大，通過一般的芯片焊接機不能很容易地對芯片狀工件進行拾取。
對于上述問題，本申請人提出了一種切割模片粘接膜，即，在對工件進行切割時的保持力與將通過切割獲得的芯片狀工件與其模片膠粘用膠粘劑層一體剝離時的剝離性之間的平衡性優異的切割模片粘接膜(專利申請2002-299930號)。即使在使用該切割模片粘接膜的拾取工序中，也可以采用使用一般的切割用粘合薄膜時的方式。即，使切割模片粘接膜處于一定程度的伸張狀態，以點狀或線狀對拾取的芯片狀工件下部的切割模片粘接膜進行上頂或抹擦，在以助長該芯片狀工件與切割模片粘接膜之間的剝離的狀態下通過從上部真空吸附進行拾取，從而獲得芯片狀工件。根據上述已申請的切割模片粘接膜，可以很好地進行拾取。
但是，在近年來，隨著IC卡等的普及，工件(半導體元件)進一步薄形化，具有在以上述手法進行拾取時芯片狀工件容易變形，或者切割模片粘接膜與芯片狀工件之間的剝離性降低的傾向。其結果剝離力變高，不利于拾取。
薄形芯片狀工件的拾取機理，大概推斷如下。即，在拾取薄形芯片狀工件時，以頂針對切割模片粘接膜進行上頂而助長剝離時，由于工件薄、剛性低，因此工件端部變形，切割模片粘接膜與工件的剝離角度與以往的具有剛性的厚的工件相比變低，由此導致剝離力變高，因此變得不利于拾取。
發明內容
本發明提供一種以下所述的切割模片粘接膜，即在支撐基材上具有粘合劑層，在該粘合劑層上設置有能夠剝離的模片膠粘用膠粘劑層，即使在工件是薄形的情況下，對該薄形工件進行切割時的保持力、與將通過切割得到的芯片狀工件和該模片膠粘用膠粘劑層一體剝離時的剝離性之間的平衡特性優良的切割模片粘接膜。
另外，本發明目的在于提供一種使用了該切割模片粘接膜的芯片狀工件的固定方法。進而其目的在于提供一種通過該固定方法膠粘固定了芯片狀工件的半導體裝置。
本發明人等為了解決上述課題，進行了銳意的研究，結果發現了以下所示的切割模片粘接膜，從而完成了本發明。
即，本發明涉及的切割模片粘接膜是一種在支撐基材1上具有粘合劑層2、并且在該粘合劑層2上具有模片膠粘用膠粘劑層3的切割模片粘接膜，其特征在于，在23℃、剝離角度15°、剝離點移動速度2.5mm/sec的條件下對所述粘合劑層2的相對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力進行測定時，對應于模片膠粘用膠粘劑層3上的工件粘貼部分3a的部分2a與對應于其之外的部分3b的一部分或全部的部分2b上不同，滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力，并且粘合劑層2a的相對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力為2.3N/25mm以下。
上述本發明的切割模片粘接膜1，在支撐基材1上具有粘合劑層2，在該粘合劑層2上設置有可以剝離的模片膠粘用膠粘劑層3。上述的粘合劑層2被設計為對應于模片膠粘用膠粘劑層3上的工件粘貼部分3a及其之外的部分3b的部分2a、2b上，相對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力，粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。即，粘合劑層2b在切割時或展開時與膠粘劑層3適度膠粘并且使粘合劑層2與膠粘劑層3不剝離。另一方面，使粘合劑層2a可以輕剝離。因此，可以獲得一種即使對于超過10mm×10mm的大型芯片，也不會引起切割不良，并且使在切割后得到的芯片狀工件容易剝離并拾取的切割模片粘接膜。這樣，本發明的切割模片粘接膜1可以很好的平衡切割時等的保持力與拾取時的剝離性。
并且，粘合劑層2的相對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力，即使在剝離角度為15°比較低的狀態下，粘合力為2.3N/25mm以下，比較低。因此，即使在工件為薄形而容易變形并且在拾取時的剝離角度小的時候，也可以良好地進行芯片狀工件的拾取。所述粘合力為2.0N/25mm以下，進而優選為1.8N/25mm以下。另外，從芯片崩邊等觀點來看，優選為0.1N/25mm以上，進而優選為0.3N/25mm以上。
在所述切割模片粘接膜1中，模片膠粘用膠粘劑層3的工件粘貼部分3a處的相對于工件的粘合力與相對于粘合劑層2a的粘合力，優選滿足相對于工件的粘合力＞相對于粘合劑層2a的粘合力。
所述模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力通過在工件與粘合劑層2a之間的關系上滿足上述關系，可以在對工件進行切割之后以將模片膠粘用膠粘劑層3附設在芯片狀工件上的狀態下很容易地從粘合劑層2a上剝離。
上述切割模片粘接膜1可以將工件粘貼部分3a以外的部分3b的一部分設為切割環粘貼部分3b’。在該切割模片粘接膜1中，模片膠粘用膠粘劑層3的切割環粘貼部分3b’上相對于切割環的粘合力與相對于粘合劑層2b’的粘合力，優選滿足相對于切割環的粘合力＜相對于粘合劑層2b’的粘合力。
通過使模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力滿足上述關系，可以進一步很好地平衡切割時等的保持力與拾取時的剝離性。
另外，本發明涉及的切割模片粘接膜2是一種在支撐基材1上具有粘合劑層2并且在該粘合劑層2上具有模片膠粘用膠粘劑層3的切割模片粘接膜，其特征在于，上述模片膠粘用膠粘劑層3作為工件粘貼部分3a被設置在粘合劑層2的一部分上，在23℃、剝離角度15°、剝離點移動速度2.5mm/sec的條件下對所述粘合劑層2的相對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力進行測定時，在粘合劑層2上的對應于工件粘貼部分3a的部分2a與其之外的部分2b上粘合力不同，滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力，并且粘合劑層2a的相對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力為2.3N/25mm以下。
上述本發明的切割模片粘接膜2在支撐基材1上具有粘合劑層2，并且在該粘合劑層2上的一部分上，模片膠粘用膠粘劑層3作為工件粘貼部分3a被設置為可以剝離。上述的粘合劑層2被設計為對應于工件粘貼部分3a的部分2a及其之外的部分2b上，粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。即，使粘合劑層2a可以輕剝離。另一方面，在粘合劑層2b上能夠膠粘晶片環，并且在切割時或展開時它們可以被固定不剝離。因此，可以獲得一種即使對于超過10mm×10mm的大型芯片，也不會引起切割不良，并且使在切割后得到的芯片狀工件容易剝離并拾取的切割模片粘接膜。這樣，本發明的切割模片粘接膜2可以很好地平衡切割時等的保持力與拾取時的剝離性。
并且，粘合劑層2的相對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力，即使在剝離角度為15°比較低的狀態下，粘合力為2.3N/25mm以下，比較低。因此，即使在工件為薄形而容易變形并且在拾取時的剝離角度小的時候，也可以良好地進行芯片狀工件的拾取。所述粘合力為2.0N/25mm以下，進而優選為1.8N/25mm以下。另外，從芯片崩邊等觀點來看，優選為0.1N/25mm以上，進而優選為0.3N/25mm以上。
在所述切割模片粘接膜2中，工件粘貼部分3a的相對于工件的粘合力與相對于粘合劑層2a的粘合力優選滿足相對于工件的粘合力＞相對于粘合劑層2a的粘合力。
所述模片膠粘用膠粘劑層3a的粘合力通過在工件與粘合劑層2a之間的關系上滿足上述關系，可以在對工件進行切割之后以將模片膠粘用膠粘劑層3a附設在芯片狀工件上的狀態下很容易地從粘合劑層2a上剝離。
上述切割模片粘接膜1、2的粘合劑層2，優選通過放射線固化型粘合劑形成，對應于工件粘貼部分3a的粘合劑層2a可以通過對其照射放射線而形成。
所述放射線固化型粘合劑可以優選使用含有丙烯酸系聚合物并且其玻璃化溫度為-70℃以上的粘合劑。另外，所述放射線固化型粘合劑優選含有丙烯酸系聚合物并且其重均分子量為50萬以上。此外，所述放射線固化型粘合劑優選含有40重量％以上的平均在一個分子中含有6個以上的碳-碳雙鍵的放射線固化型樹脂。
另外，所述切割模片粘接膜1、2的模片膠粘用膠粘劑層3，從減小粘合劑層與模片膠粘用膠粘劑層的粘合力的觀點來看，優選進而將貼合在芯片狀工件等上的薄膜進一步貼合在半導體元件上并且最終進行固定化(熱固化型時使固化)的、在貼合前的、25℃下的拉伸儲能彈性模量為50MPa以上。拉伸儲能彈性模量優選為70MPa以上，進一步優選為80MPa以上。此外，從向工件貼合的觀點來看，拉伸儲能彈性模量優選為2500MPa以下，進一步優選為1000MPa以下，尤其優選為500MPa以下。
另外，本發明涉及的芯片狀工件的固定方法，其特征在于，具有在所述切割模片粘接膜1、2的模片膠粘用膠粘劑層3a上壓接工件的工序，將工件切割為芯片狀的工序，將芯片狀工件與模片膠粘用膠粘劑層3a一起從粘合劑層2a上剝離的工序，經由模片膠粘用膠粘劑層3a將芯片狀工件膠粘固定在半導體元件上的工序。
所述芯片狀工件的固定方法也優選使用在工件厚度低于100μm的情況。進而也可以優選使用在工件的厚度低于50μm的情況。
此外，本發明還涉及一種通過將芯片狀工件向基板或芯片上固定的方法，借助模片膠粘用膠粘劑層3a將芯片狀工件膠粘固定在半導體元件上的半導體裝置。
本發明的另外其它目的、特征以及優點通過以下記載可以會更加清楚。此外，本發明的優點通過參照附圖的以下說明也會變得更加清楚。
圖1是本發明的切割模片粘接膜1的一例剖面圖。
圖2是本發明的切割模片粘接膜1的一例剖面圖。
圖3是本發明的切割模片粘接膜2的一例剖面圖。
具體實施例方式
以下參照附圖對本發明的切割模片粘接膜進行說明。圖1、2是本發明的切割模片粘接膜1的一例剖面圖，在支持基材1上具有粘合劑層2，在該粘合劑層2上具有模片膠粘用膠粘劑層3。
在圖1中，在所述粘合劑層2上設計各個部分2a、2b，以便使與模片膠粘用膠粘劑層3的剝離性滿足在對應于工件粘貼部分3a的界面A與對應于其之外的部分3b的界面B上、界面A的剝離力＞界面B的剝離力的關系。粘合劑層2a對應于模片膠粘用膠粘劑層3上的工件粘貼部分3a，粘合劑層2b對應于其之外的部分3b。
圖2是所述部分3b的一部分對應于切割環粘貼部分3b’的例子。即，切割環粘貼部分3b’和與之對應形成的粘合劑層2b’之間的界面B’的剝離力被設計為界面A的剝離力＞界面B’的剝離力的關系。另外，圖1的粘合劑層2的除了粘合劑層2a以外的全部設為粘合劑層2b，但是也可以如圖2所示，將粘合劑層2a以外的一部分設為粘合劑層2b。
圖3是表示本發明的切割模片粘接膜2的一例剖面圖，在支撐基板1上具有粘合劑層2，在該粘合劑層2上的一部分上具有工件粘貼部分3a。所述粘合劑層2的各個部分2a、2b被設計為對應于工件粘貼部分3a的部分2a與其以外的部分2b的粘合力滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力的關系。
支撐基材1是作為切割模片粘接膜的強度母體的構件。例如可以舉出低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，離聚物樹脂，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物，乙烯-丁烯共聚物，乙烯-己烯共聚物，聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯，聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯基硫化物、芳香族酰胺(紙)、玻璃、玻璃纖維布、氟樹脂、聚氯乙稀、聚片氯乙烯、纖維素系樹脂、硅酮樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為支撐基材的材料可以舉出所述樹脂的交聯體等的聚合物。另外，構成支撐基材的所述示例材料也可以根據需要對官能團、功能性單體或改性單體進行接枝而使用。
在所述支撐基材由塑料薄膜構成的情況下，該塑料薄膜可以無拉伸使用，也可以根據需要使用實施了單軸拉伸或雙軸拉伸后的薄膜。若根據通過拉伸處理等付與熱收縮性的樹脂薄片，可以在切割后使該支撐基材熱收縮而使粘合劑層2a與膠粘劑層3a之間的接觸面積減少，從而可以容易回收芯片狀工件。
支撐基材的制膜方法，可以采用以往的公知制膜方法進行制膜。例如可以優選使用壓延機制膜、澆注機制膜、膨脹擠壓、T模擠壓等。支撐基材的表面，為了提高與鄰接的層之間的密接性、保持性等，可以實施慣用的表面處理，例如實施鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等的化學或物理處理、基于底涂劑(例如后述的粘合物質)的涂敷處理。
所述支撐基材可以適宜選擇使用同種或不同種的材料。另外，支撐基材可以是單層或者多層，也可以是將上述兩種以上的樹脂進行干摻合后的摻合基材。多層薄膜可以使用所述樹脂等，通過共擠壓法、干式層壓法等慣用的薄膜疊層法制造。另外，為了在支撐基材上付與抗靜電性能，可以在上述的基材上設置由金屬、合金、它們的氧化物等構成的厚度30～500左右的導電性物質的蒸鍍層。支撐基材可以是單層也可以是兩種以上的多層。另外，在粘合劑層2是放射線固化型的情況下，使用至少部分透過X線、紫外線、電子線等的放射線的粘合劑層。
支撐基材1的厚度沒有特別限定可以根據情況適宜確定，但是一般優選10～300μm左右，更優選30～200μm。
粘合劑層2的形成中所用的粘合劑沒有特別限定，優選使用容易在粘合劑層2a、2b中設置粘合力差的放射線固化型粘合劑層。放射線固化型粘合劑可以通過紫外線等的放射線照射使交聯度增大而容易地使其粘合力降低。因此，對應于工件粘貼部分3a，通過使放射線固化型粘合劑層固化，可以容易地形成粘合力顯著降低的粘合劑層2a。為了在固化并且粘合力降低的粘合劑層2a上粘貼膠粘劑層3或3a，粘合劑層2a與膠粘劑層3a之間的界面，具有在拾取時容易剝離的性質。另一方面，沒有照射放射線的部分具有足夠的粘合力，形成粘合劑層2b。
在切割模片粘接膜1中，通過未固化的放射線固化型粘合劑形成的粘合劑層2b與膠粘劑層3粘合，可以確保切割時的保持力。這樣，放射線固化型粘合劑可以很好的維持對用于將芯片狀工件(半導體芯片等)固定在基板、芯片狀工件等的被粘結體(稱為半導體元件)上的模片膠粘用膠粘劑層3進行剝離和膠粘的平衡。在切割模片粘接膜2中，粘合劑層2b可以固定晶片環等。
在粘合劑層2的形成中所用的放射線固化型粘合劑，可以使用具有碳-碳雙鍵等的放射線固化型的官能團并且顯示粘合性的粘合劑，沒有特別限定。
作為放射線固化型粘合劑，例如可以示例在所述丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑、硅酮系粘合劑、聚乙烯醚類粘合劑等一般的壓敏性粘合劑中配合了放射線固化型的單體成分或低聚物成分的添加型的放射線固化型粘合劑。作為所述壓敏性粘合劑，從避免半導體晶片或玻璃等的污染的電子部件的基于超純水或者乙醇等的有機溶劑的清洗性等的觀點來看，優選將丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸系粘合劑。
作為形成上述丙烯酸類聚合物的單體成分，可以列舉出如(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一酯、十二酯、十三酯、十四酯、十六酯、十八酯、二十酯等烷基的碳原子數1～30、特別是碳原子數4～18的直鏈或支鏈烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如，環戊酯、環己酯等)等。它們可以單獨使用，也可以合用2種以上。其中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，是完全和本發明的(甲基)相同的意思。另外，丙烯酸類聚合物從撕下粘合力的觀點來看，優選是玻璃化溫度-70℃以上、更優選-60℃以上的物質。進而，更優選玻璃化溫度在-40～-10℃的物質。因此，形成丙烯酸系聚合物的主要單體優選均聚物的玻璃化溫度為-70℃以上的單體。
上述丙烯酸類聚合物必要時可以含有與能夠和上述(甲基)丙烯酸烷基酯或者環烷基酯共聚的其他單體成分相對應的單元，以進行內聚力、耐熱性等的改性。作為這種單體成分，可以列舉出如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸以及巴豆酸等含羧基單體，馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、以及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰羥基萘磺酸等含磺酸基單體，2-羥乙基丙烯酰磷酸等含磷酸基單體，(甲基)丙烯酸縮水甘油酸酯、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸-N-羥甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰嗎啉、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。這些能夠共聚的單體成分可以使用一種，也可以使用兩種以上。這些能夠共聚的單體的使用量優選在整個單體成分的40重量％以下。
而且，上述丙烯酸類聚合物為了進行交聯，也可以根據需要作為共聚用單體成分含有多官能性單體等。作為這種多官能性單體，可以舉例為己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、以及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體可以使用1種或2種以上。從粘合特性等觀點來看，多官能單體的使用量優選為整個單體成分的30重量％以下。
上述丙烯酸類聚合物可以通過聚合單一的單體或2種以上的單體混合物而成。聚合也能夠通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、或懸浮聚合等適宜的方式而進行。從防止清潔的被粘結體的污染等觀點來看，優選其低分子量成分的含量小。從這一點出發，丙烯酸類聚合物的數均分子量優選50萬以上，進一步優選80萬～300萬左右。
另外，在所述粘合劑中為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸系聚合物等的數均分子量，可以適宜采用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以舉出添加具異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、密胺系交聯劑、尿素樹脂、酸酐、聚胺、含有羧基的聚合物等的所謂交聯劑使其反應的方法。在使用外部交聯劑時，其使用量可以根據與應交聯的基礎聚合物的平衡、進而根據作為粘合劑的使用用途來適宜確定。一般來說，相對于上述基礎聚合物100重量份優選配合5重量份以下，更優選配合0.01～5重量份。另外，也可以根據需要除了在粘合劑中添加上述成分以外還可以添加以往公知的各種粘合賦予劑、抗老化劑、填充劑、著色劑等的添加劑。
作為配合在粘合劑中的放射線固化型的單體成分，可以列舉出如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇一羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、以及1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、季戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等的甲基丙烯酸與多元醇的酯化物，丙烯酸酯低聚物，2-丙烯基-3-三聚氰酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧乙基)異三聚氰酸酯等的異三聚氰酸酯或異三聚氰酸酯化合物等。另外，作為放射線固化型低聚物成分，可以舉例為氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種丙烯酸酯低聚物，其分子量在100～30000左右的范圍內的低聚物比較合適。
所述單體成分或低聚物成分的粘度沒有特別限定。另外，可以混合一種放射線固化型單體成分或低聚物成分，也可以混合兩種以上使用。其配合量可以根據所述粘合劑層的種類適宜確定能夠使所述粘合劑層的粘合力降低的量。放射線固化型的單體成分或低聚物成分的配合量沒有特別限定，但是考慮到拾取時、也就是使放射線照射后的粘合力降低的情況，優選在放射線固化型粘合劑中含有40～75重量％，特別優選含有50～70重量％。
另外，作為放射線固化型粘合劑，除了上述說明的添加型放射線固化型粘合劑之外，作為基礎聚合物，還可以舉出使用了在聚合物側鏈或主鏈、或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的內在型放射線固化型粘合劑。內在型的放射線固化型粘合劑，因為不需要含有作為低分子成分的低聚物成分等，或者沒有大量含有，因此低聚物成分等不會經時地在粘合劑內移動，從而能夠形成穩定的層結構的粘合劑層，所以優選。
具有上述碳-碳雙鍵的基礎聚合物能夠沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有粘合性的聚合物。作為這種基礎聚合物，優選將丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以舉出上述例示的丙烯酸類聚合物。
對將碳-碳雙鍵向上述丙烯酸類聚合物中的引入法沒有特別限制，能夠采用各種方法，但碳-碳雙鍵引入到聚合物側鏈的分子設計較容易。可以舉例為，事先，在丙烯酸類聚合物中共聚具有官能團的單體之后、使具有可以和該官能團發生反應的官能團以及碳-碳雙鍵的化合物在維持其碳-碳雙鍵的放射線固化型的同時使其發生縮合或加成反應的方法。
作為這些官能團的組合的例子，可以列舉出羧基和環氧基、羧基和氮丙啶基、羥基和異氰酸酯基等。在這些官能團的組合當中，從反應追蹤的容易程度來看，優選羥基和異氰酸酯基的組合。另外，通過這些官能團的組合，如果是生成具有上述碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，官能團可以在丙烯酸類聚合物和上述化合物的任何一側，在上述優選的組合中，優選丙烯酸類聚合物具有羥基，上述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉出如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰羥乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用共聚了上述例示的含羥基單體或2-羥乙基乙烯醚、4-羥丁基乙烯醚、雙甘醇單乙烯醚的醚類化合物等的聚合物。
上述內在型的放射線固化型粘合劑，能夠單獨使用具有上述碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，但在不使其特性惡化的程度下，也能夠配合上述放射線固化型單體成分或低聚物成分。在內在型的放射線固化型粘合劑的情況下，優選含有40重量以上的具有所述碳-碳雙鍵的基礎聚合物，進一步優選含有50重量％以上。
在上述放射線固化型粘合劑中含有光聚合引發劑以使其在紫外線等的作用下發生固化。作為光聚合引發劑，可以列舉出如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-乙酮醇類化合物，甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮類化合物，類似苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物，芐基二甲基縮酮等縮酮類化合物，2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物，1-苯酮-1，1-propanedione-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物，二苯酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯酮等二苯酮類化合物，硫雜蒽酮、2-氯硫雜蒽酮、2-甲基硫雜蒽酮、2，4-二甲基硫雜蒽酮、異丙基硫雜蒽酮、2，4-二氯硫雜蒽酮、2，4-二乙基硫雜蒽酮、2，4-二異丙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類化合物，樟腦醌，鹵化酮，酰基氧化膦以及酰基膦酸酯等。關于光聚合引發劑的配合量，相對于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為0.1～10重量份左右，優選0.5～5重量份左右。
另外，作為放射線固化型粘合劑可以舉出例如在特開昭60-196956號公報中公開的含有光聚合性化合物以及光聚合引發劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等，所述光聚合性化合物是具有兩個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧硅烷等的光聚合性化合物等，所述光聚合引發劑是羰基化合物、有機硫磺化合物、過氧化合物、胺、鎓鹽系化合物等。
在所述放射線固化型粘合劑層2中，也可以根據需要含有通過照射放射線而著色的化合物。通過使在粘合劑層2中含有照射放射線而著色的化合物，可以僅對照射放射線的部分進行著色。即，可以使對應于工件粘貼部分3a的粘合劑層2a著色。因此，可以通過目視直接判定在粘合劑層2上是否照射了放射線，從而容易識別工件粘貼部分3a，使工件的粘合變得容易。另外，在通過光傳感器等對半導體元件進行檢測時，其檢測精度變高，在半導體元件的拾取時不會產生誤操作。
通過照射放射線而著色的化合物是在照射放射線之前是無色或淡色而通過照射放射線變為有色的化合物。作為該化合物的優選的具體例子可以舉出白色染料。作為白色染料可以優選使用慣用的三苯基甲烷系、芴系、吩噻嗪系、金胺系、螺環吡喃系的化合物。具體可以舉出3-[N-(對甲苯基氨基)]-7-苯胺基芴、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基芴、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基芴、3-二乙基氨基-6-甲基-7-苯胺基芴、結晶紫內酯、4，4’，4”-三(二甲基氨基)三苯基甲醇、4，4’，4”-三(二甲基氨基)三苯基甲烷等。
作為優選與這些白色染料一起使用的顯色劑可以舉出目前使用的苯酚甲醛樹脂的初期聚合體、芳香族羧酸衍生物、活性白土等的電子受體，進而在使色調變化的情況下也可以與各種公知的發色劑組合使用。
這種通過照射放射線而著色的化合物，可以在有機溶劑等中暫時溶解后加入放射線固化型粘合劑中，也可以作為微粉末狀加入該粘合劑中。該化合物的使用比例，優選在粘合劑層2中含有10重量％以下、更優選0.01～10重量％、進一步優選0.5～5重量％。該化合物的比例一旦超過10重量％，則由于照射粘合劑層2的放射線被該化合物過分地吸收，因此粘合劑層2a的固化不充分，有時粘合力不能充分的降低。另一方面，為了使其充分著色，優選將該化合物的比例設為0.01重量％以上。
粘合劑層2被設置為粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。在切割模片粘接膜1中，對于模片膠粘用膠粘劑層3的粘合力被設置為界面A的剝離性大于所述界面B的剝離性。在切割模片粘接膜2中，例如作為被粘結體相對于SUS304板(#2000研磨)的關系，被設置為粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。
在通過放射線固化型粘合劑形成粘合劑層2時，可以舉出在支持基材1上形成放射線固化型粘合劑層2后，在對應于工件粘貼部分3a的部分上部分照射放射線使其固化，從而形成粘合劑層2a的方法。部分的放射線照射可以借助形成有對應于工件粘貼部分3a以外的部分(3b等)的圖形的光掩模進行。另外，也可以舉出進行點照射紫外線使其固化的方法等。放射線固化型粘合劑層2的形成，可以通過將設置在隔件上的粘合劑層轉印到支撐基材1上而進行。部分的放射線固化也可以在設置于隔件上的放射線固化型粘合劑層2上進行。
另外，在通過放射線固化型粘合劑形成粘合劑層2時，可以通過以下方式形成，即、使用在支撐基材1的至少單面上的對應于工件粘貼部分3a的部分以外的部分或全部被遮光的構件，在其上形成放射線固化型粘合劑層2后，照射放射線，使對應于工件粘貼部3a的部分固化，從而形成使粘合力降低的粘合劑層2a。作為遮光材料可以通過在支撐薄膜上對能夠成為光掩模的材料進行印刷或者蒸鍍而形成。根據該制造方法可以有效地制造本發明的切割模片粘接膜。
另外，在照射放射線時，在引起基于氧的固化阻礙時，優選從放射線固化型粘合劑層2的表面通過適當方法阻斷氧(空氣)。例如可以舉出在上述粘合劑層2的表面用隔件被覆的方法或者在氮氣氣氛中進行紫外線等放射線的照射的方法等。
粘合劑層的厚度與以往的切割用粘合片相同，為1～50μm。若粘合劑層2的厚度厚，則被切斷體的振動幅度變大，容易導致切斷芯片的缺欠(chipping)，因此優選在20μm以下。另一方面，若粘合劑層2的厚度變薄，則切割時很難獲得用于保持半導體元件的足夠的粘合力，因此優選3μm以上。從這些方面來看，粘合劑層的厚度特別優選3～20μm。
模片膠粘用膠粘劑層3，在將該膠粘劑層3上壓接的工件(半導體晶片等)切割成芯片狀時，在對與工件密接而支持并且成為切斷片的芯片狀工件(半導體芯片等)進行組裝時，作為將芯片狀工件固定在半導體元件(基板、芯片等)上的膠粘劑層發揮作用。特別是作為模片膠粘用膠粘劑層3，重要的是具有在工件的切割時不使切斷片飛散的膠粘性。在切割模片粘接膜2上，模片膠粘用膠粘劑層3可以作為預先形成的工件粘貼部分3a設置。
模片膠粘用膠粘劑層3可以通過普通的模膠粘劑形成。作為模膠粘劑優選使用可以形成為薄片狀的膠粘劑。作為具體的模膠粘劑例如可以很好地使用由熱塑性樹脂、熱固性樹脂構成的模膠粘劑。模膠粘劑可以單獨使用，也可以組合兩種以上使用。另外，模片膠粘用膠粘劑層優選在70℃以下能夠與半導體晶片等的工件或切割環粘合的膠粘劑層。進一步優選在常溫下可以粘合的膠粘劑層。
作為用于模膠粘劑的熱塑性樹脂(熱塑性模膠粘劑)，例如可以舉出飽和聚酯樹脂、熱塑性聚氨酯樹脂、酰胺系樹脂(尼龍系樹脂)、酰亞胺系樹脂等。另外，作為熱固性樹脂(熱固性模膠粘劑)例如可以舉出環氧樹脂、不飽和聚酯系樹脂、熱固化性丙烯酸樹脂、酚醛系樹脂等。作為熱固性樹脂優選脫溶劑化、薄片化、B階段化(B stage)后的熱固化性樹脂。另外，這些熱固性樹脂與熱塑性樹脂的混合物也可以以B階段化后的狀態使用。另外，在本發明中，也可以將玻璃化溫度高的硅酮系、橡膠系、聚氨酯系、酰亞胺系、丙烯酸系等的樹脂作為模膠粘劑使用。
模片膠粘用膠粘劑層3，也可以適當地組合玻璃化溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂使其具有兩層以上的多層結構。另外，在工件(半導體晶片等)的切割工序中，由于使用切削水，因此，模片膠粘用膠粘劑層3吸濕，有時變為常態以上的含水率。將以這種高含水率的狀態直接與基板等膠粘時，在后固化階段在膠粘界面處滯留水蒸氣，有時產生浮起。因此，作為模片膠粘用膠粘劑層，通過構成為用模膠粘劑夾持透濕性高的薄膜的結構，在后固化的階段，使水蒸氣通過薄膜擴散，從而可以回避所述問題。因此，模片膠粘用膠粘劑層3可以構成為以膠粘劑層、薄膜、膠粘劑層的順序疊層的多層結構。
模片膠粘用膠粘劑層3的厚度沒有特別限定，例如可以是5～100μm左右，優選是10～50μm左右。
這樣就可以得到在支撐基材1上具有粘合劑層2、在該粘合劑層2上具有模片膠粘用膠粘劑層3的切割模片粘接膜1、2。
切割模片粘接膜1、2，為了防止在其膠粘時或剝離時產生靜電、或者基于該靜電引起的工件(半導體晶片等)的帶電導致電路破壞等，也可以使其具有抗靜電功能。抗靜電功能的賦予，可以通過以下適宜的方式進行，即，向支撐基材1、粘合劑層2以至于膠粘劑層3上添加抗靜電劑或導電性物質的方法，以及向支撐基材1上設置由電荷移動配位體或金屬膜等構成的導電層等。這些方式中優選不容易發生使半導體晶片變質的雜質離子的方式。作為用于賦予導電性、提高熱傳導性等而配合的導電性物質(導電填料)，可以舉出銀、鋁、金、銅、鎳、導電合金等的球狀、針狀、片狀的金屬粉、氧化鋁等的金屬氧化物、無定形碳黑、石墨等。
另外在切割模片粘接膜1、2中，優選將工件粘貼部分3a的相對于工件的粘合力與相對于粘合劑層2a的粘合力設計為相對于工件的粘合力＞相對于粘合劑層2a的粘合力。相對于工件的粘合力可以根據工件的種類進行適宜地調整。
在切割模片粘接膜1中，在將工件粘貼部分3a以外的部分設為切割環粘貼部分3b’時，模片膠粘用膠粘劑層3的在切割環粘貼部分3b’的相對于工件的粘合力與相對于粘合劑層2b’的粘合力，優選設計為相對于切割環的粘合力＜相對于粘合劑層2b’的粘合力。相對于切割環的粘合力可以根據切割環的種類而進行適宜地調整。
上述切割模片粘接膜1、2的模片膠粘用膠粘劑層3、3a也可以通過隔件來保護(未圖示)。即，隔件可以任意設置。隔件在供于實用之前具有作為保護模片膠粘用膠粘劑層3、3a的保護材或標簽加工的功能或者具有使粘合劑平滑的功能。另外，隔件進而也可以作為將模片膠粘用膠粘劑層3、3a轉印到粘合劑層2上時的支撐基材使用。隔件在將工件粘貼在切割模片粘接膜1、2的模片膠粘用膠粘劑層3、3a時剝離。
作為隔件的構成材料，可以舉出紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等的合成樹脂薄膜等。在隔件的表面上，為了提高從粘合劑層上的剝離性，可以根據需要實施硅酮處理、長鏈烷基處理、氟處理等的剝離處理。另外，也可以根據需要實施防紫外線處理，以便不使粘合片由于環境紫外線而反應。隔件的厚度通常為10～200μm，優選為25～100μm左右。
切割模片粘接膜1、2，可以通過適宜地剝離任意設置在膠粘劑層3、3a上的隔件而通過以下的方式使用。即，在切割模片粘接膜1、2的模片膠粘用膠粘劑層3a上，壓接工件，在膠粘劑層3a上使工件膠粘保持而固定。壓接可以通過常法進行。粘貼溫度沒有任何限定，優選20～80℃。在本發明中，作為工件可以很好地使用半導體晶片。然后，將工件切割為芯片狀。作為工件例如還可以舉出半導體晶片、多層基板、一體密封模塊等。在本發明中作為工件可以很好地使用半導體晶片。
切割是通過基于旋轉圓形刀具等的適宜的手段將包括膠粘劑層3在內的工件形成芯片狀工件(半導體晶片等)。即，在切割工序中，使刀片高速旋轉而將被切斷體切斷成規定的尺寸。另外，也可以采用一直切入到粘合劑層2的所謂全切的切斷方式。
接著，將芯片狀工件與模片膠粘用膠粘劑層3a一起從粘合劑層2a上剝離。拾取的芯片狀工件借助模片膠粘用膠粘劑層3a膠粘固定在被粘結體的半導體元件上。作為半導體元件可以舉出引線框、TAB薄膜、基板或另外制作的芯片狀工件等。被粘結體可以是例如容易變形的變形型被粘結體，也可以是很難變形的非變形型被粘結體(半導體晶片等)。被粘結體優選是半導體晶片。在膠粘劑層3、3a是熱固化型的情況下，可以通過加熱固化將工件膠粘固定在被粘結體上，使其耐熱強度提高。另外通過膠粘層3a而在基板等上膠粘固定有芯片狀工件的構件也可以供于逆流(reflow)工序。
以下記載了本發明的實施例，對本發明進行具體說明。另外，以下份是指重量份。此外，紫外線照射是使用紫外線(UV)照射裝置NEL UM-110(日東精機(株)制)。
玻璃化溫度(以下稱為Tg)的測定，由各單體的均聚物的Tg1-n與各單體的重量分率W1-n根據1/Tg＝W1/Tg1+----+Wn/Tgn測定的值。
分子量測定條件重量分子量根據以下的條件進行測定，作為“TSK標準聚乙烯”換算值計算。GPC裝置TOSOH制HLC-8120GPC，柱TSKgel GMH-H(S)×2柱，尺寸7.8ml I.D.×300mm，流量0.5ml/min，檢測器RI，注入量100μl，柱溫度40℃，洗脫液四氫呋喃制造例1(支撐基材)作為支撐基材使用厚度70μm的直鏈狀低密度聚乙烯。在該薄膜的單面實施電暈處理。
(放射線固化型丙烯酸系粘合劑層的調制)將丙烯酸丁酯(均聚物的Tg-55℃)70份、丙烯酸乙酯(均聚物的Tg-21℃)30份以及丙烯酸5份(均聚物的Tg106℃)通過常法在乙酸乙酯中共聚，得到重均分子量80萬的濃度30重量％的丙烯酸系聚合物的溶液。丙烯酸系聚合物的玻璃化溫度為-4.5℃。在該丙烯酸系聚合物溶液中添加季戊四醇單羥基五丙烯酸酯20份以及光聚合引發劑(商品名“IRGACURE651”，Ciba Specialty Chemicals社制)3份、環氧系化合物(商品名テトラツドC、三菱氣體化學社制)0.5份以及聚異氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯株式會社制造)2份，得到丙烯酸系粘合劑溶液。
(粘合薄膜的制作)在上述支撐基材的電暈處理面上涂布上述放射線固化型丙烯酸系粘合劑的溶液，在80℃下干燥10分鐘，形成厚度為5μm的粘合劑層。然后，僅在粘合劑層上的對應于晶片粘貼部分照射紫外線500mJ/cm2(紫外線照射裝置累算光量)，得到具有對應于晶片粘貼部分被照射放射線固化的粘合劑層的薄膜。以下將其稱為粘合薄膜A。
制造例2(支撐基材)作為支撐基材使用厚度80μm的聚乙烯薄膜。
(放射線固化型丙烯酸系粘合劑的調制)使由丙烯酸乙酯(均聚物的Tg-21℃)50重量份、丙烯酸丁酯(均聚物的Tg-55℃)50份以及2-羥基乙基丙烯酸酯(均聚物的Tg-25℃)16份構成的配合組合物在甲苯溶液中共聚，得到重均分子量50萬的濃度30重量％的丙烯酸系聚合物的溶液。丙烯酸系聚合物的玻璃化溫度為-37.5℃。然后，使20份的2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯相對于該丙烯酸系聚合物的溶液加成反應，在聚合物分子內側鏈上引入碳-碳雙鍵。相對于該聚合物100份(固形分)，進而配合聚異氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯株式會社制造)2份以及光聚合引發劑(商品名“IRGACURE651”，Ciba Specialty Chemicals社制)3份。
(粘合薄膜的制作)在上述支撐基材上涂布上述放射線固化型丙烯酸系粘合劑的溶液，在80℃下干燥10分鐘，形成厚度為5μm的粘合劑層。然后，僅在粘合劑層上的對應于晶片粘貼部分照射紫外線500mJ/cm2(紫外線照射裝置累算光量)，得到具有對應于晶片粘貼部分被照射放射線固化的粘合劑層的薄膜。以下將其稱為粘合薄膜B。
制造例3(支持基材)作為支撐基材使用厚度80μm的聚乙烯薄膜。
(放射線固化型丙烯酸系粘合劑的調制)使由丙烯酸2-乙基己酯(均聚物的Tg-85℃)95份、丙烯酸(均聚物的Tg106℃)5份構成的配合組合物在乙酸乙酯中共聚，得到重均分子量70萬的濃度30重量％的丙烯酸系聚合物的溶液。丙烯酸系聚合物的玻璃化溫度為-65.2℃。然后，在該丙烯酸系聚合物溶液中配合使二季戊四醇丙烯酸酯與二異氰酸酯反應而得到的放射線固化型低聚物(25℃的粘度10Pa·sec)130份、光聚合引發劑(商品名“IRGACURE651”，Ciba Specialty Chemicals社制)3份以及聚異氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯株式會社制造)5份，得到丙烯酸系粘合劑溶液。
(粘合薄膜的制作)在上述支撐基材上涂布上述放射線固化型丙烯酸系粘合劑的溶液，在80℃下干燥10分鐘，形成厚度為5μm的粘合劑層。然后，僅在粘合劑層上的對應于晶片粘貼部分照射紫外線500mJ/cm2(紫外線照射裝置累算光量)，得到具有對應于晶片粘貼部分被照射放射線固化的粘合劑層的薄膜。以下將其稱為粘合薄膜C。
制造例A～C(模片膠粘用膠粘劑層的制作)調制以表1所示的比例配合下述表1所示的環氧樹脂、酚醛樹脂、合成橡膠、無機填料以及固化促進劑等各成分的模膠粘用膠粘劑A～C的組合物，將該組合物混合溶解在甲基乙基酮中。將該混合溶液涂敷在脫模處理后的聚酯薄膜(隔件)上。然后，通過將涂敷了上述混合溶液的聚酯薄膜在120℃下干燥，除去甲苯而得到在上述聚酯薄膜上實施了厚度20μm的B階段化的模片膠粘用膠粘劑層A～C。
表1
表1中<環氧樹脂(a1)>酚醛清漆型環氧樹脂(環氧基當量195g/eq、軟化點80℃，粘度0.08Pa·s/150℃)，<環氧樹脂(a2)>雙酚A型環氧樹脂(環氧基當量185g/eq、粘度15Pa·s/25℃)，<酚醛樹脂(b1)>酚醛清漆型樹脂(羥基當量106g/eq、軟化點60℃)，<酚醛樹脂(b2)>酚基芳烷基型樹脂(羥基當量168g/eq、軟化點60℃)，<丙烯基橡膠>丙烯腈-丁二烯橡膠(丙烯腈含量40重量％)，<無機填料>球狀二氧化硅(平均粒徑1μm，最大粒徑10μm)，<固化促進劑>四苯基磷鎓·四(4-甲基苯基)硼酸鹽。
(模片膠粘用膠粘劑層的拉伸儲能彈性模量)利用切刀將模片膠粘用膠粘劑層(焊接薄膜)切成寬10mm的長方形狀，利用固體粘彈性測定裝置RSAII(レオメトリツクサイエンテイフイツク社制)，通過頻率10Hz測定0℃～50℃的拉伸儲能彈性模量，表示為25℃的值。
實施例以及比較例在以上述制造例1～3所得的粘合薄膜A～C的粘合劑層側在40±3℃下貼合上述模片膠粘用膠粘劑層A～C，得到切割模片粘接膜。
(撕下粘合力)將所得的切割模片粘接膜切斷成25mm寬的長方形狀，在40±3℃下粘貼在硅反射鏡晶片面(信越半導體株式會社制，CZN<100>2.5-3.5(4英寸))上。在室溫氣氛下靜置30分鐘后，在23℃的恒溫室內測定15°的撕下粘合力(剝離點移動速度2.5mm/sec)。粘合力的測定是對于粘合劑層被紫外線照射的地方進行的。結果表示在表2中。
(拾取計數)在所得的切割模片粘接膜的粘合劑層被紫外線照射的地方粘貼硅反射鏡晶片面(信越半導體株式會社制，CZN<100>2.5-3.5(4英寸))，然后，在下述條件下進行切割、拾取，評價能否拾取。在50個芯片狀晶片中，能夠拾取的個數表示在表3中。<切割條件>切割器DISCO社制、DFD-651刀片DISCO社制、27HECC刀片轉速40000rpm、切割速度120mm/sec、切割深度25μm、切斷模式向下切斷、切割尺寸5.0mm×5.0mm、<拾取條件>芯片焊接機NEC Machinery-制造的CPS-100、針數四根、針的間隔3.5mm×3.5mm、針前端的曲率0.250mm、針上頂量0.50mm、吸附保持時間0.2秒、延伸量3mm。
表2
表3
從表2、3可以看出撕下粘合力為2.3N/25mm以下的切割模片粘接膜的拾取性良好。
本發明的具體實施方式
以及實施例只是對本發明進行更好說明的實施方式和實施例，并不能狹義地理解為本發明就限定于這些實施方式和實施例，只要能夠完成本發明的變更并且不脫離本發明的發明構思的情況下都在本發明的保護范圍之內。
本說明書中的“以上、以下”均包括端點。
權利要求
1.一種切割模片粘接膜，是在支撐基材(1)上具有粘合劑層(2)、在該粘合劑層(2)上具有模片膠粘用膠粘劑層(3)的切割模片粘接膜，其特征在于，在23℃、剝離角度15°、剝離點移動速度2.5mm/sec的條件下對所述粘合劑層(2)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力進行測定時，對應于模片膠粘用膠粘劑層(3)上的工件粘貼部分(3a)的部分(2a)與對應于其之外的部分(3b)的一部分或全部的部分(2b)上不同，滿足粘合劑層(2a)的粘合力＜粘合劑層(2b)的粘合力，并且粘合劑層(2a)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力為2.3N/25mm以下。
2.根據權利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片膠粘用膠粘劑層(3)的在工件粘貼部分(3a)處的相對于工件的粘合力與相對于粘合劑層(2a)的粘合力，滿足相對于工件的粘合力＞相對于粘合劑層(2a)的粘合力。
3.根據權利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，工件粘貼部分(3a)以外的部分(3b)的一部分是切割環粘貼部分(3b’)。
4.根據權利要求3所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片膠粘用膠粘劑層(3)的在切割環粘貼部分(3b’)處的相對于切割環的粘合力與相對于粘合劑層(2b’)的粘合力，滿足相對于切割環的粘合力＜相對于粘合劑層(2b’)的粘合力。
5.根據權利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，所述粘合劑層(2)通過放射線固化型粘合劑形成，對應于工件粘貼部分(3a)的粘合劑層(2a)被照射放射線。
6.根據權利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片膠粘用膠粘劑層(3)的25℃的拉伸儲能彈性模量為50MPa以上。
7.一種切割模片粘接膜，是在支撐基材(1)上具有粘合劑層(2)、在該粘合劑層(2)上具有模片膠粘用膠粘劑層(3)的切割模片粘接膜，其特征在于，上述模片膠粘用膠粘劑層(3)作為工件粘貼部分(3a)被設置在粘合劑層(2)的一部分上，在23℃、剝離角度15°、剝離點移動速度2.5mm/sec的條件下對所述粘合劑層(2)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力進行測定時，在粘合劑層(2)上的對應于工件粘貼部分(3a)的部分(2a)與其之外的部分(2b)上的粘合力不同，滿足粘合劑層(2a)的粘合力＜粘合劑層(2b)的粘合力，并且粘合劑層(2a)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力為2.3N/25mm以下。
8.根據權利要求7所述的切割模片粘接膜，其特征在于，工件粘貼部分(3a)的相對于工件的粘合力與相對于粘合劑層(2a)的粘合力，滿足相對于工件的粘合力＞相對于粘合劑層(2a)的粘合力。
9.根據權利要求7所述的切割模片粘接膜，其特征在于，粘合劑層(2)通過放射線固化型粘合劑形成，對應于工件粘貼部分(3a)的粘合劑層(2a)被照射放射線。
10.根據權利要求9所述的切割模片粘接膜，其特征在于，放射線固化型粘合劑包含丙烯酸系聚合物，其玻璃化溫度為-70℃以上。
11.根據權利要求9所述的切割模片粘接膜，其特征在于，放射線固化型粘合劑包含丙烯酸系聚合物，其重均分子量為50萬以上。
12.根據權利要求11所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片膠粘用膠粘劑層(3)在25℃的拉伸儲能彈性模量為50MPa以上。
13.一種芯片狀工件的固定方法，是使用了在支撐基材(1)上具有粘合劑層(2)、在該粘合劑層(2)上具有模片膠粘用膠粘劑層(3)的切割模片粘接膜的芯片狀工件的固定方法，其特征在于，作為所述切割模片粘接膜，使用下述薄膜，即，在23℃、剝離角度15°、剝離點移動速度2.5mm/sec的條件下對所述粘合劑層(2)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力進行測定時，對應于模片膠粘用膠粘劑層(3)上的工件粘貼部分(3a)的部分(2a)與對應于其之外的部分(3b)的一部分或全部的部分(2b)上不同，滿足粘合劑層(2a)的粘合力＜粘合劑層(2b)的粘合力，并且粘合劑層(2a)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力為2.3N/25mm以下，該固定方法具有在上述切割模片粘接膜的模片膠粘用膠粘劑層(3a)上壓接工件的工序，將工件切割為芯片狀的工序，將芯片狀工件與模片膠粘用膠粘劑層(3a)一起從粘合劑層(2a)上剝離的工序，通過模片膠粘用膠粘劑層(3a)將芯片狀工件膠粘固定在半導體元件上的工序。
14.根據權利要求13所述的芯片狀工件的固定方法，其特征在于，工件厚度低于100μm。
15.一種芯片狀工件的固定方法，是使用了在支撐基材(1)上具有粘合劑層(2)、在該粘合劑層(2)上具有模片膠粘用膠粘劑層(3)的切割模片粘接膜的芯片狀工件的固定方法，其特征在于，作為所述切割模片粘接膜，使用下述薄膜，即，上述模片膠粘用膠粘劑層(3)作為工件粘貼部分(3a)被設置在粘合劑層(2)的一部分上，在23℃、剝離角度15°、剝離點移動速度2.5mm/sec的條件下對所述粘合劑層(2)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力進行測定時，在粘合劑層(2)上的對應于工件粘貼部分(3a)的部分(2a)與其之外的部分(2b)上粘合力不同，滿足粘合劑層(2a)的粘合力＜粘合劑層(2b)的粘合力，并且粘合劑層(2a)的相對于模片膠粘用膠粘劑層(3)的粘合力為2.3N/25mm以下，該固定方法具有在上述切割模片粘接膜的模片膠粘用膠粘劑層(3a)上壓接工件的工序，將工件切割為芯片狀的工序，將芯片狀工件與模片膠粘用膠粘劑層(3a)一起從粘合劑層(2a)上剝離的工序，通過模片膠粘用膠粘劑層(3a)將芯片狀工件膠粘固定在半導體元件上的工序。
16.根據權利要求15所述的芯片狀工件的固定方法，其特征在于，工件厚度低于100μm。
17.一種半導體裝置，其特征在于，通過所述權利要求13所述的芯片狀工件的固定方法，通過模片膠粘用膠粘劑層(3a)將芯片狀工件膠粘固定在半導體元件上。
18.一種半導體裝置，其特征在于，通過所述權利要求15所述的芯片狀工件的固定方法，通過模片膠粘用膠粘劑層(3a)將芯片狀工件膠粘固定在半導體元件上。
全文摘要
本發明提供一種切割模片粘接膜，在支撐基材(1)上具有粘合劑層(2)、在該粘合層上具有模片膠粘用膠粘劑層(3)，在23℃、剝離角度15°、剝離點移動速度2.5mm/sec的條件下對所述粘合劑層的相對于模片膠粘用膠粘劑層的粘合力進行測定時，對應于模片膠粘用膠粘劑層上的工件粘貼部分(3a)的部分(2a)與對應于其之外的部分(3b)的一部分或全部的部分(2b)上不同，滿足粘合劑層的粘合力＜粘合劑層的粘合力，并且粘合劑層的相對于模片膠粘用膠粘劑層的粘合力為2.3N/25mm以下。根據本發明可以獲得在對薄型工件進行切割時的保持力與將通過切割獲得的芯片狀工件與其模片膠粘用膠粘劑層一體剝離時的剝離性之間的平衡性。
文檔編號C09J7/02GK1670942SQ200510054589
公開日2005年9月21日 申請日期2005年3月14日 優先權日2004年3月17日
發明者松村健, 水谷昌紀, 三隅貞仁 申請人:日東電工株式會社